KR20180095543A - 높은 유전 상수를 갖는 광-이미지 형성 가능한 박막 - Google Patents

높은 유전 상수를 갖는 광-이미지 형성 가능한 박막 Download PDF

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Abstract

광-이미지 형성 가능한 막을 제조하기 위한 제형으로서, 상기 제형은 (a) 크레졸 노볼락 수지 및 디아조나프토퀴논 억제제를 포함하는 포지티브형 포토레지스트; 및 (b) 작용화된 산화지르코늄 나노입자를 포함한다.

Description

높은 유전 상수를 갖는 광-이미지 형성 가능한 박막
본 발명은 높은 유전 상수를 갖는 광-이미지성 박막(photo-imageable thin film)에 관한 것이다.
높은 유전 상수 박막은 마이크로전자 부품을 더 소형화하기 위해 내장 커패시터, TFT 패시베이션 층 및 게이트 유전체와 같은 응용분야에 높은 관심을 보인다. 광-이미지성 높은 유전 상수 박막을 얻기 위한 한가지 접근법은 높은 유전 상수 나노입자를 포토레지스트에 혼입하는 것이다. US7630043에는 카복실산과 같은 알칼리 가용성 단위를 갖는 아크릴계 폴리머 및 4보다 큰 유전 상수를 갖는 미립자를 함유하는 포지티브형 포토 레지스트 기반 복합 박막이 개시되어 있다. 그러나, 이 문헌은 본 발명에서 사용된 결합제가 개시되어 있지 않다.
본 발명은, 광-이미지성 막을 제조하기 위한 제형으로서, 상기 제형은 (a) 크레졸 노볼락 수지 및 디아조나프토퀴논 억제제를 포함하는 포지티브형 포토레지스트; 및 (b) 작용화된 산화지르코늄 나노입자를 포함하는, 제형을 제공한다.
달리 명시되지 않는 한, 백분율은 중량 퍼센트 (wt%)이며 온도는 ℃이다. 달리 명시되지 않는 한, 작업은 실온 (20-25 ℃)에서 수행되었다. 용어 "나노입자"는 1 내지 100 nm의 직경을 갖는 입자를 언급하며; 즉 입자의 적어도 90 %는 지시 된 크기 범위에 있고, 입자 크기 분포의 최대 피크 높이는 그 범위 내에 있다. 바람직하게는, 나노입자는 평균 직경이 75 nm 이하; 바람직하게는 50 nm 이하; 바람직하게는 25 nm 이하; 바람직하게는 10 nm 이하; 바람직하게는 7 nm 이하이다. 바람직하게는, 나노입자의 평균 직경은 0.3 nm 이상; 바람직하게는 1 nm 이상이다. 입자 크기는 동적 광 산란 (DLS: Dynamic Light Scattering)에 의해 결정된다. 바람직하게는, 폭 파라미터 BP = (N75 - N25)에 의해 특징지워지는 지르코니아 입자 직경의 분포의 폭은 4 nm 이하; 보다 바람직하게는 3 nm 이하; 보다 바람직하게는 2 nm 이하이다. 바람직하게는, BP = (N75 - N25)에 의해 특징지워지는 지르코니아 입자 직경의 분포의 폭은 0.01 이상이다. 몫 W를 다음과 같이 고려하는 것이 유용하다:
W = (N75 - N25) / Dm
여기서, Dm은 수-평균 직경이다. 바람직하게는, W는 1.0 이하; 보다 바람직하게는 0.8 이하; 보다 바람직하게는 0.6 이하; 보다 바람직하게는 0.5 이하; 보다 바람직하게는 0.4 이하이다. 바람직하게는, W는 0.05 이상이다.
바람직하게는, 작용화된 나노입자는 산화지르코늄 및 1종 이상의 리간드, 바람직하게는 극성 작용기를 갖는 알킬, 헤테로알킬 (예를 들어, 폴리(에틸렌 옥사이드)) 또는 아릴 기; 바람직하게는 카복실산, 알코올, 트리클로로실란, 트리알콕시실란 또는 혼합된 클로로/알콕시 실란; 바람직하게는 카복실산을 갖는 리간드를 포함한다. 극성 작용기가 나노입자의 표면에 결합하는 것으로 여겨진다. 바람직하게는, 리간드는 1 내지 25개 비-수소 원자, 바람직하게는 1 내지 20개, 바람직하게는 3 내지 12개를 갖는다. 바람직하게는, 리간드는 탄소, 수소 및 산소, 황, 질소 및 규소로 이루어진 군으로부터 선택된 추가의 원소를 포함한다. 바람직하게는, 알킬 기는 C1-C18, 바람직하게는 C2-C12, 바람직하게는 C3-C8이다. 바람직하게는, 아릴 기는 C6-C12이다. 알킬 또는 아릴 기는 이소시아네이트, 머캅토, 글리시독시 또는 (메트)아크릴로일옥시 기로 추가로 작용화될 수 있다. 바람직하게는, 알콕시 기는 C1-C4, 바람직하게는 메틸 또는 에틸이다. 오가노실란 중에서, 일부 적합한 화합물은 알킬트리알콕시실란, 알콕시(폴리알킬렌옥시)알킬트리알콕시실란, 치환된-알킬트리알콕시실란, 페닐트리알콕시실란, 및 이들의 혼합물이다. 예를 들어, 일부 적합한 오가노실란은 n-프로필트리메톡시실란, n-프로필트리에톡시실란, n-옥틸트리메톡시실란, n-옥틸트리에톡시실란, 페닐트리메톡시실란, 2-[메톡시(폴리에틸렌옥시)프로필]-트리메톡시실란, 메톡시(트리에틸렌옥시)프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-머캅토프로필트리메톡시실란, 3-(메타크릴로일옥시)프로필 트리메톡시실란, 3-이소시아네이토프로필트리에톡시실란, 3-이소시아네이토프로필트리메톡시실란, 글리시독시프로필트리메톡시실란, 및 이들의 혼합물이다.
오가노알코올 중에서, R10이 지방족 기, 방향족-치환된 알킬 기, 방향족 기, 또는 알킬알콕시 기인 화학식 R10OH의 알코올 또는 이 알코올의 혼합물이 바람직하다. 보다 바람직한 오가노알코올은 에탄올, 프로판올, 부탄올, 헥산올, 헵탄올, 옥탄올, 도데실, 알코올, 옥타데칸올, 벤질 알코올, 페놀, 올레일 알코올, 트리에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 및 이들의 혼합물이다. 오가노카복실산 중에서, R11이 지방족 기, 방향족 기, 폴리알콕시 기, 또는 이들의 혼합물인 화학식 R11COOH의 카복실산이 바람직하다. R11이 지방족 기인 오가노카복실산 중에서, 바람직한 지방족 기는 메틸, 프로필, 옥틸, 올레일, 및 이들의 혼합물이다. R11이 방향족 기인 오가노카복실산 중에서, 바람직한 방향족 기는 C6H5이다. 바람직하게는, R11은 폴리알콕시 기이다. R11이 폴리알콕시 기인 경우, R11은 알콕시 단위의 선형 스트링이며, 여기서, 각 단위에서 알킬 기는 다른 단위에서 알킬 기와 동일하거나 상이할 수 있다. R11이 폴리알콕시 기인 오가노카복실산 중에서, 바람직한 알콕시 단위는 메톡시, 에톡시, 및 이들의 조합둘이다. 작용화된 나노입자는, 예를 들어, US2013/0221279에 기재되어 있다.
바람직하게는, 제형 내의 작용화된 나노입자의 양 (전체 제형에 대해 고체를 기준으로 계산됨)은 50 내지 95 wt%; 바람직하게는 적어도 60 wt%, 바람직하게는 적어도 70 wt%, 바람직하게는 적어도 80 wt%, 바람직하게는 적어도 90 wt%; 바람직하게는 90 wt% 이하이다.
디아조나프토퀴논 억제제는 자외선 민감성이다. 자외선에 노출된 후, 디아조나프토퀴논 억제제는 포토레지스트 막의 용해를 억제한다. 디아조나프토퀴논 억제제는 1종 이상의 염화설포닐 치환기를 갖는 디아조나프토퀴논으로부터 제조될 수 있으며 방향족 알코올 종들, 예를 들어, 쿠밀페놀, 1,2,3-트리하이드록시벤조페논, p-크레졸 삼량체 또는 크레졸 노볼락 수지 자체와 반응하도록 허용된다.
바람직하게는, 크레졸 노볼락 수지는 2 내지 10, 바람직하게는 적어도 3; 바람직하게는 8 이하, 바람직하게는 6 이하의 에폭시 작용성을 갖는다. 바람직하게는, 크레졸 노볼락 수지는 크레졸, 포름알데하이드 및 에피클로로하이드린의 중합 단위를 포함한다.
바람직하게는, 막 두께는 적어도 50 nm, 바람직하게는 적어도 100 nm, 바람직하게는 적어도 500 nm, 바람직하게는 적어도 1000 nm; 바람직하게는 3000 nm 이하, 바람직하게는 2000 nm 이하, 바람직하게는 1500 nm 이하이다. 바람직하게는, 제형은 표준 실리콘 웨이퍼 또는 인듐-주석 산화물 (ITO) 코팅된 유리 슬라이드 상에 코팅된다.
실시예
1.1 재료
2 내지 13 nm 범위의 입자 크기 분포를 갖는 Pixelligent PN 산화지르코늄 (ZrO2) 작용화된 나노입자는 Pixelligent Inc.로부터 구입하였다. 이들 나노입자는 지르코늄 알콕사이드계 전구체와 함께 용매열(solvo-thermal) 합성을 통해 합성되었다. 사용된 잠재적 지르코늄 알콕사이드계 전구체는 지르코늄 (IV) 이소프로폭사이드 이소프로판올, 지르코늄 (IV) 에톡사이드, 지르코늄 (IV) n-프로폭사이드, 및 지르코늄 (IV) n-부톡사이드를 포함할 수 있다. 본 발명의 본문에 기술 된 상이한 잠재적 캡핑제는 캡 교환 공정을 통해 나노입자에 첨가될 수 있다. 양의 광대역 g-라인 및 i-라인 가능한 SPR-220 포토레지스트는 MicroChem으로부터 구입하였다. 현상액 MF-26A (2.38 wt% 테트라메틸 암모늄 하이드록사이드)는 the Dow Electronic Materials 그룹에 의해 제공되었다. 사용된 포지티브형 포토레지스트인 SPR-220의 조성은 표 1에 요약되어 있다.
표. 포지티브형 포토레지스트 SPR-220의 조성물
Figure pct00001
1.2 박막 제조
포지티브형 포토레지스트 SPR-220과 혼합된 상이한 비의 Pixelligent PA (Pix-PA) 및 Pixelligent PN (Pix-PB) 유형 나노입자 (둘 다 작용화된 산화지르코늄 나노입자 기반) 용액을 함유하는 용액을 제조하였다. 수득된 용액을 밤새 교반하고, 1500 rpm의 회전 속도로 2분 동안 스핀 코터를 통해 실리콘 웨이퍼뿐만 아니라 ITO 코팅된 유리 (<15 Ω/sq) 상에서 박막에 추가 처리하였다.
1.3 유전 상수 특성분석
ITO-증착된 나노입자-포토레지스트 박막 위에 직경 3 mm의 50 nm 두께의 금 전극을 1 Å/s의 속도로 증착시켰다. ITO는 악어 클립과 접촉시켰고, 금 전극은 얇은 금 와이어와 접촉시켰다. 커패시턴스는 Novocontrol 알파-A 임피던스 분석기를 사용하여 1.15 MHz에서 각 샘플에 대해 측정되었고, 유전 상수는 식 1을 통해 결정되었는데, 이 때 C는 커패시턴스이고 εr은 유전 상수이고 ε0은 진공 유전율이고 A는 전극의 면적이고 d는 포토레지스트의 두께이다. 각각의 막은 4군데 상이한 위치에서 측정되어 표준 편차를 결정하였다.
C=εr ε0.A/d (식 1)
1.4 광이미지화성(photoimageability) (전면 노광(flood exposure))
광이미지화성 조건은 10 % 미만의 유지 막을 달성하는 시간으로 표 2에 요약되어 있다. 막은 115 ℃에서 5분 동안 소프트 베이킹하였다. 그 후, 이들은 350 내지 450개의 주 스펙트럼 범위에 걸쳐 높은 반사율과 편광 비민감성 (polarization insensitivity)을 위해 설계된 이색성 빔 선회 거울이 장착된 1000 W 수은 램프를 수용하는 Oriel Research 아크 램프 광원의 사용을 통해 자외선에 노광시켰다. 사용된 현상액은 테트라메틸 암모늄 하이드록사이드 기반 MF-26A였다. 후 베이킹 후에, 코팅된 웨이퍼를 MF-26A를 함유하는 페트리 접시에 6분 동안 침지시켰다. 각 침지 시간 후 막의 두께는 M-2000 Woollam 분광 엘립소미터 (ellipsometer)를 통해 결정하였다.
표 2. 광이미지화성 조건
Figure pct00002
2. 결과
2.1 유전 상수 결과
표 3은 포토레지스트에 혼입된 나노입자의 중량%의 함수로서, SPR-220 포지티브형 포토레지스트와 혼합된 상이한 양의 Pixelligent PA 및 Pixelligent PN 유형 나노입자로 제조된 여러 박막의 1.15 MHz에서 측정된 유전율을 나열한 것이다. Pixelligent PA 유형 나노입자 기반 박막에 대해 수득된 유전율은 주어진 박막에 존재하는 89.1 중량%의 나노입자에 대해 8.88만큼 높았으며, 주어진 박막에 존재하는 81.23 중량%의 나노입자에 대해 Pixelligent PN 유형 나노입자 기반 박막에 대해 8.46만큼 높았다. 두 결과는 Dow 고객이 요구하는 유전 상수 CTQ 뿐만 아니라 기본 SPR-220 포토레지스트의 유전율보다 훨씬 높다.
표 3. 포토레지스트에 혼입된 나노입자의 중량%의 함수로서 SPR-220-나노입자 박막의 1.15 MHz에서 측정된 유전율
Figure pct00003
2.2 복합 박막의 광이미지화성
표 4는 표 3에 상술된 노광 조건을 경험하기 전후의 SPR-220-나노입자 박막의 두께, 및 현상액 MF-26A (2.38 wt% TMAH)에서의 6분 침지 시간을 나타낸다. 막에 존재하는 나노입자의 농도에 무관하게, Pix PN 유형 나노입자를 함유하는 막은 6분 후에 완전히 제거되었다. Pix-PA 나노입자를 함유하는 박막의 경우, 가장 많은 양의 나노입자를 함유하는 박막만이 거의 완전히 제거되었다. 이는, 이러한 유형의 나노입자 (>3000 nm)를 함유하는 다른 막의 두께와 비교할 때 이 막 (~1615 nm)의 더 낮은 두께에 할당될 수 있다. Pix PA와 Pix PN 나노입자를 함유하는 박막의 제거 가능성 간의 차이는 두 가지 유형의 나노입자에 부착된 상이한 리간드에 의해 설명될 수 있으며, Pix PA 유형 나노입자에 부착된 리간드는 잠재적으로 자외선 노광하에 더 강력하게 가교결합된다.
표 4. 노광 및 현상 조건을 경험하기 전후의 SPR-220 나노입자 박막의 두께
Figure pct00004

Claims (7)

  1. 광-이미지 형성 가능한 막(photo-imageable film)을 제조하기 위한 제형으로서,
    (a) 크레졸 노볼락 수지 및 디아조나프토퀴논 억제제를 포함하는 포지티브형 포토레지스트; 및
    (b) 작용화된 산화지르코늄 나노입자를 포함하는, 광-이미지 형성 가능한 막을 제조하기 위한 제형
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 작용화된 산화지르코늄 나노입자는 0.3 nm 내지 50 nm의 평균 직경을 갖는, 광-이미지 형성 가능한 막을 제조하기 위한 제형.
  3. 청구항 2에 있어서, 상기 작용화된 산화지르코늄 나노입자는 카복실산, 알코올, 트리클로로실란, 트리알콕시실란 또는 혼합된 클로로/알콕시 실란 작용기를 갖는 리간드를 포함하는, 광-이미지 형성 가능한 막을 제조하기 위한 제형
  4. 청구항 3에 있어서, 상기 리간드는 1 내지 20개의 비-수소 원자를 갖는, 광-이미지 형성 가능한 막을 제조하기 위한 제형.
  5. 청구항 4에 있어서, 상기 크레졸 노볼락 수지는 2 내지 10의 에폭시 작용성을 갖는, 광-이미지 형성 가능한 막을 제조하기 위한 제형.
  6. 청구항 5에 있어서, 전체 제형에 대한 고체 기준으로 계산된, 상기 제형 중의 작용화된 나노입자의 양은 50 내지 95 wt%인, 광-이미지 형성 가능한 막을 제조하기 위한 제형.
  7. 청구항 6에 있어서, 상기 크레졸 노볼락 수지는 크레졸, 포름알데하이드 및 에피클로로하이드린의 중합 단위를 포함하는, 광-이미지 형성 가능한 막을 제조하기 위한 제형.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201802587A (zh) * 2016-03-24 2018-01-16 陶氏全球科技責任有限公司 具有高介電常數之光可成像薄膜

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2576762B2 (ja) * 1993-06-30 1997-01-29 日本電気株式会社 リング網のノード間情報収集方式
US5641608A (en) * 1995-10-23 1997-06-24 Macdermid, Incorporated Direct imaging process for forming resist pattern on a surface and use thereof in fabricating printing plates
WO2002037184A1 (fr) * 2000-10-31 2002-05-10 Sumitomo Bakelite Company Limited Composition de resine photosensible positive, son procede de preparation, et dispositifs a semi-conducteur
WO2002046841A1 (fr) * 2000-12-05 2002-06-13 Kansai Research Institute. Inc. Constituants actifs et compositions de resine photosensible les contenant
CN1930522B (zh) * 2004-03-12 2013-06-12 东丽株式会社 正型感光性树脂组合物、使用该组合物的浮雕图形以及固体成象元件
US8179622B2 (en) * 2005-12-22 2012-05-15 Fujifilm Corporation Photosensitive transfer material, member for display device, process for producing the member, black matrix, color filter, process for producing the color filter, substrate for display device, and display device
JP4818839B2 (ja) 2006-07-19 2011-11-16 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置及びその製造方法
JP5423802B2 (ja) * 2009-09-29 2014-02-19 東レ株式会社 ポジ型感光性樹脂組成物、それを用いた硬化膜および光学デバイス
CN107416764A (zh) 2010-10-27 2017-12-01 皮瑟莱根特科技有限责任公司 纳米晶体的合成、盖帽和分散

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