JP2019501488A - Oledディスプレイパネル及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
基板上に形成され、第1のスイッチトランジスタ、第1の駆動トランジスタ、第2のスイッチトランジスタ及び第2の駆動トランジスタのアクティブ層として機能するシリコンアイランドと、
ゲート絶縁層及び複数の第1のスルーホールであって、ゲート絶縁層は、基板及びシリコンアイランド上に形成され、第1のスルーホールは、第1のスイッチトランジスタのドレインと第1の蓄積コンデンサの下側プレートとの間、及び第2のスイッチトランジスタのドレインと第2の蓄積コンデンサの下側プレートとの間の電気的接続のために使用される、ゲート絶縁層及び複数の第1のスルーホールと、
ゲート絶縁層上に形成され、走査ライン、第1の蓄積コンデンサの下側プレート、第2の蓄積コンデンサの下側プレート、第1のスイッチトランジスタのゲート、第1の駆動トランジスタのゲート、第2のスイッチトランジスタのゲート、及び第2の駆動トランジスタのゲートとして機能するパターン化された第1の金属層と、
第1の層間絶縁層及び第2のスルーホールであって、第1の層間絶縁層は、ゲート絶縁層及びパターン化された第1の金属層上に形成され、第2のスルーホールは、第1のデータラインと第1のスイッチトランジスタのソースとを電気的に接続するために使用される、第1の層間絶縁層及び第2のスルーホールと、
第1の層間絶縁層上に形成され、第1のデータライン、第1のスイッチトランジスタのソース、及び第2の蓄積コンデンサの上側プレートとして機能するパターン化された第2の金属層と、
第2の層間絶縁層及び第3のスルーホールであって、第2の層間絶縁層は、第1の層間絶縁層及びパターン化された第2の金属層上に形成され、第3のスルーホールは、第2のデータラインと第2のスイッチトランジスタのソースとを電気的に接続するために使用される、第2の層間絶縁層及び第3のスルーホールと、
第2の層間絶縁層上に形成され、第2のデータライン、第2のスイッチトランジスタのソース、及び第1の蓄積コンデンサの上側プレートとして機能するパターン化された第3の金属層と、
第3の層間絶縁層及び第4のスルーホールであって、第3の層間絶縁層は、第2の層間絶縁層及びパターン化された第3の金属層上に形成され、第4のスルーホールは、第1の駆動トランジスタのソース及びドレイン、第2の駆動トランジスタのソース及びドレイン、電源ライン、第1の蓄積コンデンサの上側プレート及び第2の蓄積コンデンサの上側プレートを電気的に接続するために使用される、第3の層間絶縁層及び第4のスルーホールと、
第3の層間絶縁層上に形成され、第1の駆動トランジスタのソース及びドレイン、第2の駆動トランジスタのソース及びドレイン、並びに電源ラインとして機能するパターン化された第4の金属層と、
パッシベーション絶縁層及びコンタクトホールであって、パッシベーション絶縁層は、第3の層間絶縁層及びパターン化された第4の金属層上に形成され、コンタクトホールは、第1の駆動トランジスタのドレインと第1のOLEDのアノードとの間、並びに第2の駆動トランジスタのドレインと第2のOLEDのアノードとの間を電気的に接続するために使用される、パッシベーション絶縁層及びコンタクトホールとを備えていてもよい。
基板上に形成され、第1のスイッチトランジスタ、第1の駆動トランジスタ、第2のスイッチトランジスタ及び第2の駆動トランジスタのアクティブ層として機能するシリコンアイランドと、
ゲート絶縁層及び複数の第1のスルーホールであって、ゲート絶縁層は、基板及びシリコンアイランド上に形成され、第1のスルーホールは、第1のスイッチトランジスタのドレインと第1の蓄積コンデンサの下側プレートとの間、及び第2のスイッチトランジスタのドレインと第2の蓄積コンデンサの下側プレートとの間を電気的に接続するために使用される、ゲート絶縁層及び複数の第1のスルーホールと、
ゲート絶縁層上に形成され、走査ライン、第1の蓄積コンデンサの下側プレート、第2の蓄積コンデンサの下側プレート、第1のスイッチトランジスタのゲート、第1の駆動トランジスタのゲート、第2のスイッチトランジスタのゲート、及び第2の駆動トランジスタのゲートとして機能するパターン化された第1の金属層と、
第1の層間絶縁層及び第2のスルーホールであって、第1の層間絶縁層は、ゲート絶縁層及びパターン化された第1の金属層上に形成され、第2のスルーホールは、第1のデータラインと第1のスイッチトランジスタのソースとを電気的に接続するために使用される、第1の層間絶縁層及び第2のスルーホールと、
第1の層間絶縁層上に形成され、第1のデータライン、第1のスイッチトランジスタのソース、及び第2の蓄積コンデンサの上側プレートとして機能するパターン化された第2の金属層と、
第2の層間絶縁層及び第3のスルーホールであって、第2の層間絶縁層は、第1の層間絶縁層及びパターン化された第2の金属層上に形成され、第3のスルーホールは、第2のデータラインと第2のスイッチトランジスタのソースとを電気的に接続するために使用される、第2の層間絶縁層及び第3のスルーホールと、
第2の層間絶縁層上に形成され、第2のデータライン、及び第2のスイッチトランジスタのソースとして機能するパターン化された第3の金属層と、
第3の層間絶縁層及び第4のスルーホールであって、第3の層間絶縁層は、第2の層間絶縁層及びパターン化された第3の金属層上に形成され、第4のスルーホールは、第1の駆動トランジスタのソース及びドレイン、第2の駆動トランジスタのソース及びドレイン、電源ライン、第1の蓄積コンデンサの上側プレート及び第2の蓄積コンデンサの上側プレートを電気的に接続するために使用される、第3の層間絶縁層及び第4のスルーホールと、
第3の層間絶縁層上に形成され、第1の駆動トランジスタのソース及びドレイン、第2の駆動トランジスタのソース及びドレイン、並びに電源ラインとして機能するパターン化された第4の金属層と、
パッシベーション絶縁層及び複数のコンタクトホールであって、パッシベーション絶縁層は、第3の層間絶縁層及びパターン化された第4の金属層上に形成され、コンタクトホールは、第1の駆動トランジスタのドレインと第1のOLEDのアノードとの間、並びに第2の駆動トランジスタのドレインと第2のOLEDのアノードとの間を電気的に接続するために使用される、パッシベーション絶縁層及び複数のコンタクトホールとを備えていてもよい。
基板上に、走査ライン、データライン及び電源ラインを形成することを含み、走査ライン及びデータラインは、マトリクス状に配置された複数のピクセルグループを画定し、
各ピクセルグループは、2つのサブピクセルを有し、同じピクセルグループ内の2つのサブピクセルは、同じ電源ラインに接続され、電源ラインに関して鏡面対称に配置され、同じピクセルグループ内の2つのサブピクセルに接続されたデータラインは、異なる構造層上に配置される。
第1のスイッチトランジスタ、第1の駆動トランジスタ、第2のスイッチトランジスタ及び第2の駆動トランジスタのアクティブ層として機能するシリコンアイランドを形成する工程と、
ゲート絶縁層及び複数の第1のスルーホールを形成する工程であって、ゲート絶縁層は、基板及びシリコンアイランド上に形成され、第1のスルーホールは、第1のスイッチトランジスタのドレインと第1の蓄積コンデンサの下側プレートとの間、及び第2のスイッチトランジスタのドレインと第2の蓄積コンデンサの下側プレートとの間を電気的に接続するために使用される工程と、
パターン化された第1の金属層を形成する工程であって、パターン化された第1の金属層は、ゲート絶縁層上に形成され、走査ライン、第1の蓄積コンデンサの下側プレート、第2の蓄積コンデンサの下側プレート、第1のスイッチトランジスタのゲート、第1の駆動トランジスタのゲート、第2のスイッチトランジスタのゲート、及び第2の駆動トランジスタのゲートとして機能する工程と、
第1の層間絶縁層及び第2のスルーホールを形成する工程であって、第1の層間絶縁層は、ゲート絶縁層及びパターン化された第1の金属層上に形成され、第2のスルーホールは、第1のデータラインと第1のスイッチトランジスタのソースとの間を電気的に接続するために使用される工程と、
パターン化された第2の金属層を形成する工程であって、パターン化された第2の金属層は、第1の層間絶縁層上に形成され、第1のデータライン、第1のスイッチトランジスタのソース、及び第2の蓄積コンデンサの上側プレートとして機能する工程と、
第2の層間絶縁層及び第3のスルーホールを形成する工程であって、第2の層間絶縁層は、第1の層間絶縁層及びパターン化された第2の金属層上に形成され、第3のスルーホールは、第2のデータラインと第2のスイッチトランジスタのソースとを電気的に接続するために使用される工程と、
パターン化された第3の金属層を形成する工程であって、パターン化された第3の金属層は、第2の層間絶縁層上に形成され、第2のデータライン、第2のスイッチトランジスタのソース及び第1の蓄積コンデンサの上側プレートとして機能する工程と、
第3の層間絶縁層及び第4のスルーホールを形成する工程であって、第3の層間絶縁層は、第2の層間絶縁層及びパターン化された第3の金属層上に形成され、第4のスルーホールは、第1の駆動トランジスタのソース及びドレイン、第2の駆動トランジスタのソース及びドレイン、電源ライン、第1の蓄積コンデンサの上側プレート及び第2の蓄積コンデンサの上側プレートを電気的に接続するために使用される工程と、
パターン化された第4の金属層を形成する工程であって、パターン化された第4の金属層は、第3の層間絶縁層上に形成され、第1の駆動トランジスタのソース及びドレイン、第2の駆動トランジスタのソース及びドレイン、並びに電源ラインとして機能する工程と、
パッシベーション絶縁層及び複数のコンタクトホールを形成する工程であって、パッシベーション絶縁層は、第3の層間絶縁層及びパターン化された第4の金属層上に形成され、コンタクトホールは、第1の駆動トランジスタのドレインと第1のOLEDのアノードとの間、並びに第2の駆動トランジスタのドレインと第2のOLEDのアノードとの間を電気的に接続するために使用される工程とによって形成してもよい。
シリコンアイランドを形成する工程であって、シリコンアイランドは、基板上に形成され、第1のスイッチトランジスタ、第1の駆動トランジスタ、第2のスイッチトランジスタ及び第2の駆動トランジスタのアクティブ層として機能する工程と、
ゲート絶縁層及び第1のスルーホールを形成する工程であって、ゲート絶縁層は、基板及びシリコンアイランド上に形成され、第1のスルーホールは、第1のスイッチトランジスタのドレインと第1の蓄積コンデンサの下側プレートとの間、及び第2のスイッチトランジスタのドレインと第2の蓄積コンデンサの下側プレートとの間を電気的に接続するために使用される工程と、
パターン化された第1の金属層を形成する工程であって、パターン化された第1の金属層は、ゲート絶縁層上に形成され、走査ライン、第1の蓄積コンデンサの下側プレート、第2の蓄積コンデンサの下側プレート、第1のスイッチトランジスタのゲート、第1の駆動トランジスタのゲート、第2のスイッチトランジスタのゲート、及び第2の駆動トランジスタのゲートとして機能する工程と、
第1の層間絶縁層及び第2のスルーホールを形成する工程であって、第1の層間絶縁層は、ゲート絶縁層及びパターン化された第1の金属層上に形成され、第2のスルーホールは、第1のデータラインと第1のスイッチトランジスタのソースとを電気的に接続するために使用される工程と、
パターン化された第2の金属層を形成する工程であって、パターン化された第2の金属層は、第1の層間絶縁層上に形成され、第1のデータライン、第1のスイッチトランジスタのソース、第2の蓄積コンデンサの上側プレート、及び第2の蓄積コンデンサの上側プレートとして機能する工程と、
第2の層間絶縁層及び第3のスルーホールを形成する工程であって、第2の層間絶縁層は、第1の層間絶縁層及びパターン化された第2の金属層上に形成され、第3のスルーホールは、第2のデータラインと第2のスイッチトランジスタのソースとを電気的に接続するために使用される工程と、
パターン化された第3の金属層を形成する工程であって、パターン化された第3の金属層は、第2の層間絶縁層上に形成され、第2のデータライン、及び第2のスイッチトランジスタのソースとして機能する工程と、
第3の層間絶縁層及び第4のスルーホールを形成する工程であって、第3の層間絶縁層は、第2の層間絶縁層及びパターン化された第3の金属層上に形成され、第4のスルーホールは、第1の駆動トランジスタのソース及びドレイン、第2の駆動トランジスタのソース及びドレイン、電源ライン、第1の蓄積コンデンサの上側プレート及び第2の蓄積コンデンサの上側プレートを電気的に接続するために使用される工程と、
パターン化された第4の金属層を形成する工程であって、パターン化された第4の金属層は、第3の層間絶縁層上に形成され、第1の駆動トランジスタのソース及びドレイン、第2の駆動トランジスタのソース及びドレイン、並びに電源ラインとして機能する工程と、
パッシベーション絶縁層及び複数のコンタクトホールを形成する工程であって、パッシベーション絶縁層は、第3の層間絶縁層及びパターン化された第4の金属層上に形成され、コンタクトホールは、第1の駆動トランジスタのドレインと第1のOLEDのアノードとの間、並びに第2の駆動トランジスタのドレインと第2のOLEDのアノードとの間を電気的に接続するために使用される工程とによって形成してもよい。
図12aは、本発明の実施形態1におけるOLEDディスプレイパネルのピクセルグループの概略的平面図であり、2つのサブピクセルを含む構造を示している。図12bは、図12aの第1のサブピクセルの概略的断面図である。図12cは、図12aの第2のサブピクセルの概略的断面図である。
この実施形態では、第1の蓄積コンデンサC1の上側プレートC1−2と第2の蓄積コンデンサC2の上側プレートC2−2とを一回のプロセスによって一体構造として形成する。
T12:第1の駆動トランジスタ、G12:第1の駆動トランジスタのゲート、S12:第1の駆動トランジスタのソース、D12:第1の駆動トランジスタのドレイン
T21:第2のスイッチトランジスタ、G21:第2のスイッチトランジスタのゲート、S21:第2のスイッチトランジスタのソース、D21:第2のスイッチトランジスタのドレイン
T22:第2の駆動トランジスタ、G22:第2の駆動トランジスタのゲート、S22:第2の駆動トランジスタのソース、D22:第2の駆動トランジスタのドレイン
C1:第1の蓄積コンデンサ、C1−1:第1の蓄積コンデンサの下側プレート、C1−2:第1の蓄積コンデンサの上側プレート
C2:第2の蓄積コンデンサ、C2−1:第2の蓄積コンデンサの下側プレート、C2−2:第2の蓄積コンデンサの上側プレート
D1:第1のデータライン、D2:第2のデータライン、Sn:走査ライン、VDD:電源ライン
100:基材、101:バッファ層。
120:ゲート絶縁層、120a−1、120a−2:第1のスルーホール、
140:第1の層間絶縁層、140a−1:第2のスルーホール
160:第2の層間絶縁層、160a−2:第3のスルーホール、160b:開口部
180:第3の層間絶縁層、180a、180a−1、180a−2、180a−3、180a−4:第4のスルーホール
200:パッシベーション絶縁層、200a−1、200a−2:コンタクトホール
221:第1のOLEDのアノード、222:第2のOLEDのアノード
Claims (16)
- 基板上に形成された複数の走査ライン、データライン及び電源ラインを備え、前記走査ライン及び前記データラインは、マトリクス状に配置された複数のピクセルグループを画定し、各ピクセルグループは、2つのサブピクセルを有し、同じピクセルグループ内の2つのサブピクセルは、同じ電源ラインに接続され、前記電源ラインに関して鏡面対称に配置され、前記同じピクセルグループ内の2つのサブピクセルに接続された前記データラインは、異なる構造層上に配置されていることを特徴とするOLEDディスプレイパネル。
- 前記同じピクセルグループ内の2つのサブピクセルは、第1のサブピクセル及び第2のサブピクセルを含み、前記第1のサブピクセルが、第1の蓄積コンデンサを含み、前記第2のサブピクセルが、第2の蓄積コンデンサを含み、前記第1の蓄積コンデンサの上側プレートと前記第2の蓄積コンデンサの上側プレートとは、異なる構造層上に配置されていることを特徴とする請求項1に記載のOLEDディスプレイパネル。
- 前記第1のサブピクセルは、第1のスイッチトランジスタ及び第1の駆動トランジスタを更に含み、前記第2のサブピクセルは、第2のスイッチトランジスタ及び第2の駆動トランジスタを更に含み、前記第1のスイッチトランジスタのソースが、第1のデータラインに接続され、前記第2のスイッチトランジスタのソースが、第2のデータラインに接続され、前記第1のデータラインと前記第2のデータラインと前記電源ラインとは互いに平行であり、前記走査ラインが、前記電源ラインと直交し、前記第1のデータライン及び前記第2のデータライン、前記第1の蓄積コンデンサ及び前記第2の蓄積コンデンサ、前記第1のスイッチトランジスタ及び前記第2のスイッチトランジスタ、並びに前記第1の駆動トランジスタ及び前記第2の駆動トランジスタは、それぞれ前記電源ラインに関して鏡面対称に配置されていることを特徴とする請求項2に記載のOLEDディスプレイパネル。
-
前記基板上に形成され、前記第1のスイッチトランジスタ、前記第1の駆動トランジスタ、前記第2のスイッチトランジスタ及び前記第2の駆動トランジスタのアクティブ層として機能するシリコンアイランドと、
ゲート絶縁層及び複数の第1のスルーホールであって、前記ゲート絶縁層は、前記基板及び前記シリコンアイランド上に形成され、前記第1のスルーホールは、前記第1のスイッチトランジスタのドレインと前記第1の蓄積コンデンサの下側プレートとの間、及び前記第2のスイッチトランジスタのドレインと前記第2の蓄積コンデンサの下側プレートとの間の電気的接続のために使用される、ゲート絶縁層及び複数の第1のスルーホールと、
ゲート絶縁層上に形成され、前記走査ライン、前記第1の蓄積コンデンサの下側プレート、前記第2の蓄積コンデンサの下側プレート、前記第1のスイッチトランジスタのゲート、前記第1の駆動トランジスタのゲート、前記第2のスイッチトランジスタのゲート、及び前記第2の駆動トランジスタのゲートとして機能するパターン化された第1の金属層と、
第1の層間絶縁層及び第2のスルーホールであって、前記第1の層間絶縁層は、前記ゲート絶縁層及び前記パターン化された第1の金属層上に形成され、前記第2のスルーホールは、前記第1のデータラインと前記第1のスイッチトランジスタのソースとを電気的に接続するために使用される、第1の層間絶縁層及び第2のスルーホールと、
前記第1の層間絶縁層上に形成され、前記第1のデータライン、前記第1のスイッチトランジスタのソース、及び前記第2の蓄積コンデンサの上側プレートとして機能するパターン化された第2の金属層と、
第2の層間絶縁層及び第3のスルーホールであって、前記第2の層間絶縁層は、前記第1の層間絶縁層及び前記パターン化された第2の金属層上に形成され、前記第3のスルーホールは、前記第2のデータラインと前記第2のスイッチトランジスタのソースとを電気的に接続するために使用される、第2の層間絶縁層及び第3のスルーホールと、
前記第2の層間絶縁層上に形成され、前記第2のデータライン、前記第2のスイッチトランジスタのソース、及び前記第1の蓄積コンデンサの上側プレートとして機能するパターン化された第3の金属層と、
第3の層間絶縁層及び第4のスルーホールであって、前記第3の層間絶縁層は、前記第2の層間絶縁層及び前記パターン化された第3の金属層上に形成され、前記第4のスルーホールは、前記第1の駆動トランジスタのソース及びドレイン、前記第2の駆動トランジスタのソース及びドレイン、前記電源ライン、前記第1の蓄積コンデンサの上側プレート及び前記第2の蓄積コンデンサの上側プレートを電気的に接続するために使用される、第3の層間絶縁層及び第4のスルーホールと、
前記第3の層間絶縁層上に形成され、前記第1の駆動トランジスタのソース及びドレイン、前記第2の駆動トランジスタのソース及びドレイン、並びに前記電源ラインとして機能するパターン化された第4の金属層と、
パッシベーション絶縁層及び複数のコンタクトホールであって、前記パッシベーション絶縁層は、前記第3の層間絶縁層及び前記パターン化された第4の金属層上に形成され、前記コンタクトホールは、前記第1の駆動トランジスタのドレインと第1のOLEDのアノードとの間、並びに前記第2の駆動トランジスタのドレインと第2のOLEDのアノードとの間を電気的に接続するために使用される、パッシベーション絶縁層及びコンタクトホールとを備えることを特徴とする請求項3に記載のOLEDディスプレイパネル。 - 前記第2の層間絶縁層を貫通し、前記第1の蓄積コンデンサの下側プレートと対向する開口部を備えることを特徴とする請求項4に記載のOLEDディスプレイパネル。
- 請求項1において、前記同じピクセルグループ内の2つのサブピクセルは、第1のサブピクセルと第2のサブピクセルを含み、前記第1のサブピクセルは、第1の蓄積コンデンサを含み、前記第2のサブピクセルは、第2の蓄積コンデンサを含み、前記第1の蓄積コンデンサの上側プレートと前記第2の蓄積コンデンサの上側プレートは、同じ構造層上に配置されているOLEDディスプレイパネル。
- 請求項6において、前記第1のサブピクセルは、第1のスイッチトランジスタ及び第1の駆動トランジスタを更に含み、前記第2のサブピクセルは、第2のスイッチトランジスタ及び第2の駆動トランジスタを更に含み、前記第1のスイッチトランジスタのソースは、第1のデータラインに接続され、前記第2のスイッチトランジスタのソースは、第2のデータラインに接続され、前記第1のデータライン、前記第2のデータライン、及び前記電源ラインとは互いに平行であり、前記走査ラインは、前記電源ラインに垂直であり、前記第1のデータライン及び前記第2のデータライン、前記第1の蓄積コンデンサ及び前記第2の蓄積コンデンサ、前記第1のスイッチトランジスタ及び前記第2のスイッチトランジスタ、前記第1の駆動トランジスタ及び前記第2の駆動トランジスタは、それぞれ前記電源ラインに関して鏡面対称に配置されているOLEDディスプレイパネル。
- 請求項7において、
前記基板上に形成され、前記第1のスイッチトランジスタ、前記第1の駆動トランジスタ、前記第2のスイッチトランジスタ及び前記第2の駆動トランジスタのアクティブ層として機能するシリコンアイランドと、
ゲート絶縁層及び複数の第1のスルーホールであって、前記ゲート絶縁層は、前記基板及び前記シリコンアイランド上に形成され、前記第1のスルーホールは、前記第1のスイッチトランジスタのドレインと前記第1の蓄積コンデンサの下側プレートとの間、及び前記第2のスイッチトランジスタのドレインと前記第2の蓄積コンデンサの下側プレートとの間を電気的に接続するために使用される、ゲート絶縁層及び複数の第1のスルーホールと、
前記ゲート絶縁層上に形成され、前記走査ライン、前記第1の蓄積コンデンサの下側プレート、前記第2の蓄積コンデンサの下側プレート、前記第1のスイッチトランジスタのゲート、前記第1の駆動トランジスタのゲート、前記第2のスイッチトランジスタのゲート、及び前記第2の駆動トランジスタのゲートとして機能するパターン化された第1の金属層と、
第1の層間絶縁層及び第2のスルーホールであって、前記第1の層間絶縁層は、前記ゲート絶縁層及び前記パターン化された第1の金属層上に形成され、前記第2のスルーホールは、前記第1のデータラインと前記第1のスイッチトランジスタのソースとを電気的に接続するために使用される、第1の層間絶縁層及び第2のスルーホールと、
前記第1の層間絶縁層上に形成され、前記第1のデータライン、前記第1のスイッチトランジスタのソース、前記第1の蓄積コンデンサの上側プレート、及び前記第2の蓄積コンデンサの上側プレートとして機能するパターン化された第2の金属層と、
第2の層間絶縁層及び第3のスルーホールであって、前記第2の層間絶縁層は、前記第1の層間絶縁層及び前記パターン化された第2の金属層上に形成され、前記第3のスルーホールは、前記第2のデータラインと前記第2のスイッチトランジスタのソースとを電気的に接続するために使用される、第2の層間絶縁層及び第3のスルーホールと、
前記第2の層間絶縁層上に形成され、前記第2のデータライン、及び前記第2のスイッチトランジスタのソースとして機能するパターン化された第3の金属層と、
第3の層間絶縁層及び第4のスルーホールであって、前記第3の層間絶縁層は、前記第2の層間絶縁層及び前記パターン化された第3の金属層上に形成され、前記第4のスルーホールは、前記第1の駆動トランジスタのソース及びドレイン、前記第2の駆動トランジスタのソース及びドレイン、前記電源ライン、前記第1の蓄積コンデンサの上側プレート及び前記第2の蓄積コンデンサの上側プレートを電気的に接続するために使用される、第3の層間絶縁層及び第4のスルーホールと、
前記第3の層間絶縁層上に形成され、前記第1の駆動トランジスタのソース及びドレイン、前記第2の駆動トランジスタのソース及びドレイン、並びに前記電源ラインとして機能するパターン化された第4の金属層と、
パッシベーション絶縁層及び複数のコンタクトホールであって、前記パッシベーション絶縁層は、前記第3の層間絶縁層及び前記パターン化された第4の金属層上に形成され、前記コンタクトホールは、前記第1の駆動トランジスタのドレインと第1のOLEDのアノードとの間、並びに前記第2の駆動トランジスタのドレインと第2のOLEDのアノードとの間を電気的に接続するために使用される、パッシベーション絶縁層及び複数のコンタクトホールとを備えるOLEDディスプレイパネル。 - 基板上に、複数の走査ライン、データライン及び電源ラインを形成することを含み、前記走査ライン及び前記データラインは、マトリクス状に配置された複数のピクセルグループを画定し、
各ピクセルグループは、2つのサブピクセルを有し、同じピクセルグループ内の2つのサブピクセルは、同じ電源ラインに接続され、前記電源ラインに関して鏡面対称に配置され、前記同じピクセルグループ内の2つのサブピクセルに接続された前記データラインは、異なる構造層上に配置されることを特徴とするOLEDディスプレイパネルの製造方法。 - 前記同じピクセルグループ内の2つのサブピクセルは、第1のサブピクセルと第2のサブピクセルを含み、前記第1のサブピクセルは、第1の蓄積コンデンサを含み、前記第2のサブピクセルは、第2の蓄積コンデンサを含み、前記第1の蓄積コンデンサの上側プレートと前記第2の蓄積コンデンサの上側プレートは、異なる構造層上に配置されることを特徴とする請求項9に記載のOLEDディスプレイパネルの製造方法。
- 前記第1のサブピクセルは、第1のスイッチトランジスタ及び第1の駆動トランジスタを更に含み、前記第2のサブピクセルは、第2のスイッチトランジスタ及び第2の駆動トランジスタを更に含み、前記第1のスイッチトランジスタのソースは、第1のデータラインに接続され、前記第2のスイッチトランジスタのソースは、第2のデータラインに接続され、前記第1のデータライン、前記第2のデータライン、及び前記電源ラインとは互いに平行であり、前記走査ラインは、前記電源ラインに垂直であり、前記第1のデータライン及び前記第2のデータライン、前記第1の蓄積コンデンサ及び前記第2の蓄積コンデンサ、前記第1のスイッチトランジスタ及び前記第2のスイッチトランジスタ、前記第1の駆動トランジスタ及び前記第2の駆動トランジスタは、それぞれ前記電源ラインに関して鏡面対称に配置されることを特徴とする請求項10に記載のOLEDディスプレイパネルの製造方法。
- 前記第1のスイッチトランジスタ、前記第1の駆動トランジスタ、前記第2のスイッチトランジスタ及び前記第2の駆動トランジスタのアクティブ層として機能するシリコンアイランドを形成する工程と、
ゲート絶縁層及び複数の第1のスルーホールを形成する工程であって、前記ゲート絶縁層は、前記基板及び前記シリコンアイランド上に形成され、前記第1のスルーホールは、前記第1のスイッチトランジスタのドレインと前記第1の蓄積コンデンサの下側プレートとの間、及び前記第2のスイッチトランジスタのドレインと前記第2の蓄積コンデンサの下側プレートとの間を電気的に接続するために使用される工程と、
パターン化された第1の金属層を形成する工程であって、前記パターン化された第1の金属層は、前記ゲート絶縁層上に形成され、前記走査ライン、前記第1の蓄積コンデンサの下側プレート、前記第2の蓄積コンデンサの下側プレート、前記第1のスイッチトランジスタのゲート、前記第1の駆動トランジスタのゲート、前記第2のスイッチトランジスタのゲート、及び前記第2の駆動トランジスタのゲートとして機能する工程と、
第1の層間絶縁層及び第2のスルーホールを形成する工程であって、前記第1の層間絶縁層は、前記ゲート絶縁層及び前記パターン化された第1の金属層上に形成され、前記第2のスルーホールは、前記第1のデータラインと前記第1のスイッチトランジスタのソースとの間を電気的に接続するために使用される工程と、
パターン化された第2の金属層を形成する工程であって、前記パターン化された第2の金属層は、前記第1の層間絶縁層上に形成され、前記第1のデータライン、前記第1のスイッチトランジスタのソース、及び前記第2の蓄積コンデンサの上側プレートとして機能する工程と、
第2の層間絶縁層及び第3のスルーホールを形成する工程であって、前記第2の層間絶縁層は、前記第1の層間絶縁層及び前記パターン化された第2の金属層上に形成され、前記第3のスルーホールは、前記第2のデータラインと前記第2のスイッチトランジスタのソースとを電気的に接続するために使用される工程と、
パターン化された第3の金属層を形成する工程であって、前記パターン化された第3の金属層は、前記第2の層間絶縁層上に形成され、前記第2のデータライン、前記第2のスイッチトランジスタのソース及び前記第1の蓄積コンデンサの上側プレートとして機能する工程と、
第3の層間絶縁層及び第4のスルーホールを形成する工程であって、前記第3の層間絶縁層は、前記第2の層間絶縁層及び前記パターン化された第3の金属層上に形成され、前記第4のスルーホールは、前記第1の駆動トランジスタのソース及びドレイン、前記第2の駆動トランジスタのソース及びドレイン、前記電源ライン、前記第1の蓄積コンデンサの上側プレート及び前記第2の蓄積コンデンサの上側プレートを電気的に接続するために使用される工程と、
パターン化された第4の金属層を形成する工程であって、前記パターン化された第4の金属層は、前記第3の層間絶縁層上に形成され、前記第1の駆動トランジスタのソース及びドレイン、前記第2の駆動トランジスタのソース及びドレイン、並びに前記電源ラインとして機能する工程と、
パッシベーション絶縁層及び複数のコンタクトホールを形成する工程であって、前記パッシベーション絶縁層は、前記第3の層間絶縁層及び前記パターン化された第4の金属層上に形成され、前記コンタクトホールは、前記第1の駆動トランジスタのドレインと第1のOLEDのアノードとの間、並びに前記第2の駆動トランジスタのドレインと第2のOLEDのアノードとの間を電気的に接続するために使用される工程とによって形成されることを特徴とする請求項11に記載のOLEDディスプレイパネルの製造方法。 - 前記第2の層間絶縁層を形成した後、前記第2の層間絶縁層を貫通し、前記第1の蓄積コンデンサの下側プレートと対向する開口部を更に形成することを特徴とする請求項12に記載のOLEDディスプレイパネルの製造方法。
- 請求項9において、前記同じピクセルグループ内の2つのサブピクセルは、第1のサブピクセルと第2のサブピクセルを含み、前記第1のサブピクセルは、第1の蓄積コンデンサを含み、前記第2のサブピクセルは、第2の蓄積コンデンサを含み、前記第1の蓄積コンデンサの上側プレートと前記第2の蓄積コンデンサの上側プレートは、同じ構造層上に配置されるOLEDディスプレイパネルの製造方法。
- 請求項14において、前記第1のサブピクセルは、第1のスイッチトランジスタ及び第1の駆動トランジスタを更に含み、前記第2のサブピクセルは、第2のスイッチトランジスタ及び第2の駆動トランジスタを更に含み、前記第1のスイッチトランジスタのソースは、第1のデータラインに接続され、前記第2のスイッチトランジスタのソースは、第2のデータラインに接続され、前記第1のデータライン、前記第2のデータライン、及び前記電源ラインとは互いに平行であり、前記走査ラインは、前記電源ラインに垂直であり、前記第1のデータライン及び前記第2のデータライン、前記第1の蓄積コンデンサ及び前記第2の蓄積コンデンサ、前記第1のスイッチトランジスタ及び前記第2のスイッチトランジスタ、前記第1の駆動トランジスタ及び前記第2の駆動トランジスタは、それぞれ前記電源ラインに関して鏡面対称に配置されるOLEDディスプレイパネルの製造方法。
- 請求項15において、前記OLEDディスプレイパネルは、
シリコンアイランドを形成する工程であって、前記シリコンアイランドは、前記基板上に形成され、前記第1のスイッチトランジスタ、前記第1の駆動トランジスタ、前記第2のスイッチトランジスタ及び前記第2の駆動トランジスタのアクティブ層として機能する工程と、
ゲート絶縁層及び複数の第1のスルーホールを形成する工程であって、前記ゲート絶縁層は、前記基板及び前記シリコンアイランド上に形成され、前記第1のスルーホールは、前記第1のスイッチトランジスタのドレインと前記第1の蓄積コンデンサの下側プレートとの間、及び前記第2のスイッチトランジスタのドレインと前記第2の蓄積コンデンサの下側プレートとの間を電気的に接続するために使用される工程と、
パターン化された第1の金属層を形成する工程であって、前記パターン化された第1の金属層は、前記ゲート絶縁層上に形成され、前記走査ライン、前記第1の蓄積コンデンサの下側プレート、前記第2の蓄積コンデンサの下側プレート、前記第1のスイッチトランジスタのゲート、前記第1の駆動トランジスタのゲート、前記第2のスイッチトランジスタのゲート、及び前記第2の駆動トランジスタのゲートとして機能する工程と、
第1の層間絶縁層及び第2のスルーホールを形成する工程であって、前記第1の層間絶縁層は、前記ゲート絶縁層及び前記パターン化された第1の金属層上に形成され、前記第2のスルーホールは、前記第1のデータラインと前記第1のスイッチトランジスタのソースとを電気的に接続するために使用される工程と、
パターン化された第2の金属層を形成する工程であって、前記パターン化された第2の金属層は、前記第1の層間絶縁層上に形成され、前記第1のデータライン、前記第1のスイッチトランジスタのソース、前記第1の蓄積コンデンサの上側プレート、及び前記第2の蓄積コンデンサの上側プレートとして機能する工程と、
第2の層間絶縁層及び第3のスルーホールを形成する工程であって、前記第2の層間絶縁層は、前記第1の層間絶縁層及び前記パターン化された第2の金属層上に形成され、前記第3のスルーホールは、前記第2のデータラインと前記第2のスイッチトランジスタのソースとを電気的に接続するために使用される工程と、
パターン化された第3の金属層を形成する工程であって、前記パターン化された第3の金属層は、前記第2の層間絶縁層上に形成され、前記第2のデータライン、及び前記第2のスイッチトランジスタのソースとして機能する工程と、
第3の層間絶縁層及び第4のスルーホールを形成する工程であって、前記第3の層間絶縁層は、前記第2の層間絶縁層及び前記パターン化された第3の金属層上に形成され、前記第4のスルーホールは、前記第1の駆動トランジスタのソース及びドレイン、前記第2の駆動トランジスタのソース及びドレイン、前記電源ライン、前記第1の蓄積コンデンサの上側プレート及び前記第2の蓄積コンデンサの上側プレートを電気的に接続するために使用される工程と、
パターン化された第4の金属層を形成する工程であって、前記パターン化された第4の金属層は、前記第3の層間絶縁層上に形成され、前記第1の駆動トランジスタのソース及びドレイン、前記第2の駆動トランジスタのソース及びドレイン、並びに前記電源ラインとして機能する工程と、
パッシベーション絶縁層及び複数のコンタクトホールを形成する工程であって、前記パッシベーション絶縁層は、前記第3の層間絶縁層及び前記パターン化された第4の金属層上に形成され、前記コンタクトホールは、前記第1の駆動トランジスタのドレインと第1のOLEDのアノードとの間、並びに前記第2の駆動トランジスタのドレインと第2のOLEDのアノードとの間を電気的に接続するために使用される工程とによって形成されるOLEDディスプレイパネルの製造方法。
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