JP2019500713A - フラッシュメモリシステム用低電力センスアンプ - Google Patents
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Abstract
Description
本出願は、参照により本明細書に組み込まれている、2015年12月31日に出願された「Low Power Sense Ampifier For A Flash Memory System」と題する中国特許出願第201511030454.4号の優先権を主張する。
Claims (9)
- フラッシュメモリシステムであって、
読み出し対象の選択されたメモリセルと、第1のビット線と、を含み、読み出し動作中に、前記第1のビット線が前記選択されたフラッシュメモリセルを介して放電される、第1の回路と、
基準フラッシュメモリセルと、第2のビット線と、を含み、読み出し動作中に、前記第2のビット線が前記基準フラッシュメモリセルを介して放電される、第2の回路と、
前記第1のビット線の電圧が、読み出し動作中に前記第2のビット線の電圧よりも前に電圧閾値を下回ったときに、第1の値を出力するための、及び前記第2のビット線の前記電圧が、読み出し動作中に前記第1のビット線の前記電圧よりも前に前記電圧閾値を下回ったときに、第2の値を出力するための、タイミング比較回路であって、前記第1の値及び第2の値がそれぞれ、前記選択されたフラッシュメモリセルに記憶された値を示す、タイミング比較回路と、を含む、フラッシュメモリシステム。 - 前記タイミング比較回路がフリップフロップを含む、請求項1に記載のフラッシュメモリシステム。
- 前記タイミング比較回路が、2つのインバータと、2つのNANDゲートと、を含む、請求項1に記載のフラッシュメモリシステム。
- 前記第1のビット線及び第2のビット線が、読み出し動作に先立って充電される、請求項1に記載のフラッシュメモリシステム。
- 前記選択されたフラッシュメモリセルが、マルチプレクサによる読み出し動作中に、前記タイミング比較回路に結合される、請求項1に記載のフラッシュメモリシステム。
- 前記基準フラッシュメモリセルが、マルチプレクサによる読み出し動作中に、前記タイミング比較回路に結合される、請求項5に記載のフラッシュメモリシステム。
- フラッシュメモリシステムであって、
フラッシュメモリセルの第1のアレイであって、選択されたフラッシュメモリセルを含む第1のアレイと、
フラッシュメモリセルの第2のアレイと、
フラッシュメモリセルの第3のアレイであって、基準メモリセルを含む第3のアレイと、
フラッシュメモリセルの第4のアレイと、
前記選択されたフラッシュメモリセルに、及び前記第2のアレイ内のプログラム可能な数のフラッシュメモリビット線に結合されたセンスアンプと、
前記基準メモリセルに、及び前記第4のアレイ内のプログラム可能な数のフラッシュメモリビット線に結合された基準センスアンプと、を含み、
前記選択されたフラッシュメモリセルに記憶される値が、前記選択されたフラッシュメモリセル及び前記基準メモリセルを使用して決定される、フラッシュメモリシステム。 - 前記センスアンプが、プログラム可能な数のマルチプレクサを介して、前記第2のアレイ内のプログラム可能な数のフラッシュメモリビット線に結合される、請求項7に記載のフラッシュメモリシステム。
- 前記基準センスアンプが、プログラム可能な数のマルチプレクサを介して、前記第4のアレイ内のプログラム可能な数のフラッシュメモリビット線に結合される、請求項8に記載のフラッシュメモリシステム。
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