JP2019220700A - ウェハの処理方法およびウェハ処理システム - Google Patents

Abstract

【課題】複数の分割ラインによって区切られた複数のデバイスを備えたデバイス領域を一面に有するウェハを、効率良く、信頼性良く、更に、費用対効果の良い方法で処理する方法を提供する。【解決手段】方法は、ウェハ２の一面を、第１環状フレーム１０によって支持された接着テープ８に付けるステップと、分割ラインに沿ってウェハを複数のダイ２０に分割するステップと、ウェハを分割する前または後に、接着テープに付けられたウェハを支持部材１６の支持表面に配置するステップと、を有する。支持部材の外径は、環状フレームの内径より小さい。ウェハの分割後、第１環状フレームを、支持表面に対して垂直な方向に移動させるステップを更に含み、支持表面の方向で接着テープを径方向に拡張して、ダイを移動させ互いに遠ざけ、支持部材の周辺部に配置された拡張済み接着テープの一部分に第２環状フレーム２２を付ける。【選択図】図６

Description

本発明は、複数の分割ラインによって区切られた複数のデバイスを備えたデバイス領域を一面に有するウェハを処理する方法に関する。さらに、本発明は、この方法を実行する為のウェハ処理システムに関する。

技術背景

半導体製造処理において、複数の分割ラインによって区切られた複数のデバイスを有するウェハは、分割ラインに沿って、個々のダイ又はチップに分割される。

また、前述されるような実質的に同一の方法は、たとえば、個々のパワーデバイス、光学デバイス、医療デバイス、電気コンポーネント又はＭＥＭＳデバイスを、これらのデバイスが形成されるデバイス領域を備えたウェハから得るように適合される。

ウェハを分割する前に分割ラインに沿ってウェハの強度を減少させるため、分割ラインに沿ってウェハに改質区域を形成することが知られている。この改質区域は、ウェハの内側に形成される修正層の形式または複数のホール区域の形式でもよく、各ホール区域はアモルファス区域およびウェハの少なくとも一つの表面に開いたアモルファス区域内のスペースから構成される。そのような改質区域は、適した波長のレーザビームを分割ラインに沿ってウェハに照射することによって形成される。

改質区域が分割ラインに沿って形成された後、ウェハに、その径方向で外力が加えられ、それによって、分割ラインに沿ってウェハを分割し、結果として生じるダイ又はチップを互いに分割する。特に、ウェハは、拡張可能なテープに付けられてもよく、外力は、径方向に拡張するテープに加えられてもよい。

また、ウェハは、たとえば、機械的切断、レーザ切断又はプラズマをウェハに照射することによって、分割ラインに沿って個々のダイ又はチップに分割されてもよい。この分割処理の前に、ウェハは、接着テープのようなテープに付けられてもよい。

その後、ウェハを個々のダイ又はチップに分割した後、分離されたダイ又はチップは、テープからピックアップされてもよい。あるいは、ダイ又はチップは、この状態でテープ上に保持され、更なる処理、貯蔵または出荷を受ける。分離されたダイ又はチップをテープに付けられたまま保持するとき、ダイ又はチップ間の意図しない接触のためダイ又はチップに対する損傷を防止するため、テープの径方向張力を維持することが重要である。

DE10 2010 046 665 A1は、ウェハを処理する方法を開示し、ここで、径方向に拡張可能なテープを拡張することによって互いに対してダイを分離した後、径方向張力の下で拡張済みテープを保持するようにリング状テープが拡張済みテープの周辺部分に付けられる。リング状テープは、環状フレームによって支持される。

しかしながら、DE 10 2010 046 665 A1で教示された方法は、環状フレームに付けられる適切に適合されたリング状テープを備えた環状フレームの準備を必要とするため、面倒であり、時間がかかる。テープは適切なリング形状に切断されなければならないことから、著しい材料の損失があり、処理費用が高くなる。また、リング状テープの特性は、拡張可能テープの特性と正確に一致しなければならないので、可能なテープ材料の選択が制限される。さらに、リング状テープの張力は、時間の経過と共に減少し得るので、例えば、貯蔵または出荷中にダイ間の意図的でない接触リスクを生み出す。

このため、ウェハを、効率良く、信頼性良く、更に、費用対効果の良い方法で処理することを可能にする、ウェハを処理する方法およびウェハ処理システムの必要性が残されている。

従って、本発明は、効率、信頼性および費用対効果の良い方法でウェハの処理を可能にする為のウェハの処理方法およびウェハ処理システムを提供することを目的とする。この目標は、請求項１の技術的特徴を備えたウェハ処理方法および請求ＱＵＯ１３の技術的特徴を備えたウェハ処理システムによって達成される。本発明の好ましい実施形態は、従属式請求項から続く。

本発明は、複数の分割ラインによって区切られた複数のデバイスを備えたデバイス領域を一面に有するウェハを処理する方法を提供する。この方法は、ウェハの一面またはその一面の反対側のウェハの一面を、第１の環状フレームによって支持された接着テープに付けるステップであって、その第１環状フレームの中央開口部内部にウェハが配置される前記ステップと、複数のダイ又はチップへと分割ラインにそってウェハを分割するステップと、ウェハに付けられた一面の反対側にある接着テープの一面が支持表面と接触するように、ウェハを分割する前または後に、接着テープに付けられたウェハを支持部材の支持表面に配置するステップと、を有する。支持表面の面において、支持部材の外径は、第１環状フレームの内径より小さい。接着テープは、拡張可能な接着テープである。この方法は、ウェハを分割した後、支持表面の面に存在する方向において接着テープを径方向に拡張して互いに離れるように、第１環状フレームおよび支持部材の少なくとも周辺部を、支持表面の面に対して垂直な方向で互いに対して、移動するステップを更に有し、それによって、ダイ又はチップを互いに対して遠ざかるように移動させ、支持部材の周辺部に配置された拡張済み接着テープの一部分に第２環状フレームを付ける。第２環状フレームは、ウェハに付けられる接着テープの一面に付けられ、複数のダイ又はチップに分割されたウェハは、第２環状フレームの中央開口部の内部に配置される。第２環状フレームの内径は、支持表面の面における支持部材の外径より小さく、第１環状フレームの内径より小さい。

ここで、「支持表面の面における支持部材の外径」という用語は、支持部材の径方向における支持部材の外径を規定する。

本発明の処理方法によると、第２環状フレームは、複数のダイ又はチップへと分割されて第２環状フレームの中央開口部の内部に配置されたウェハを持つ支持部材の周辺部に配置された拡張済み接着テープの一部分に付けられる。第２環状フレームの内径は、支持表面の面における支持部材の外径より小さく、第１環状フレームの内径より小さい。

このため、第２環状フレームは、同様の方法で拡張済みテープの周辺部分に付けることができ、テープの径方向張力を信頼性良く維持するので、ダイ又はチップ間の意図的でない接触によるダイ又はチップに対する損傷を防止する。

拡張済みテープを張力下で保持する為に追加テープが不要であることから、処理方法の効率が著しく改善される。さらに、何も材料が失われないので、処理費用は最小に抑えられる。その上、拡張済み接着テープの周辺部分に直接付けられる第２環状フレームのため、拡張済みテープに加えられる張力は、延長時間にわたって信頼性良く維持される。

そのため、本発明の処理方法は、効率、信頼性、費用対効果の良い方法でウェハを処理することを可能にする。

ウェハは、たとえば、機械的切断又はダイシングおよび／またはレーザ切断又はダイシングおよび／またはプラズマ切断又はダイシングによって、分割ラインに沿って複数のダイ又はチップへと分割されてもよい。

ウェハは、単一の機械的切断又はダイシングステップ（例えば、ブレードダイシング又は鋸引き）によって、または単一のレーザ切断又はダイシングステップ（例えば、レーザアブレーション）によって、または単一のプレズマ切断又はダイシングステップ（例えば、プラズマ源の使用）によって、分割ラインに沿って複数のダイ又はチップへと分割されてもよい。

ウェハは、連続した機械的切断又はダイシングステップおよび／またはレーザ切断又はダイシングステップおよび／またはプラズマ切断又はダイシングステップによって、分割ラインに沿って複数のダイ又はチップへと分割されてもよい。たとえば、機械的切断又はダイシングステップは、レーザ切断又はダイシングステップまたはプラズマ切断又はダイシングステップが後に続いてもよい。あるいは、レーザ切断又はダイシングステップは、プラズマ切断又はダイシングステップが後に続いてもよい。

分割ラインに沿ってウェハを複数のダイ又はチップへと分割する処理は、接着テープに付けられるウェハの面の反対側にあるウェハの面から行われてもよい。そのため、分割ラインに沿ってウェハを複数のダイ又はチップへと分割する処理は、ウェハの露出面から行われてもよい。

たとえば、分割ラインに沿ってウェハを複数のダイ又はチップへと分割する処理において、ブレード又は鋸のような機械的切断又はダイシング手段および／またはレーザビームおよび／またはプラズマはウェハの露出面に照射されてもよい。

特に、好ましい実施形態において、ウェハは、プラズマをウェハに照射することによって、分割ラインに沿って複数の別個のダイ又はチップに分割される。この場合、ウェハは、プラズマを照射するステップにおいて完全に分割される。たとえば、ウェハはプラズマダイシングによって切断されてもよい。

ウェハにプラズマを照射することによってウェハを別個のダイ又はチップへと分割することによって、ダイ又はチップ間に狭い切り溝または切断溝の形成が可能になる。特に、このように得られる切り溝又は切断溝は、慣例的ブレードダイシング処理によって達成可能なものより相当に狭い。そのため、単一ウェハから得ることができるダイ又はチップ数を著しく増やすことができる。

さらに、結果として生じるダイ又はチップの側壁は、プラズマを照射するステップにおいて、プラズマエッチングが可能である。どんな機械的ダイシング応力も、分割処理において、ダイ又はチップに伝えられない。このため、ダイ又はチップのダイ強度は増強される。

また、特に、小さなダイサイズの場合、プラズマ分割処理は、慣例的なブレード又はレーザダイシング法より相当に速いので、処理方法の効率が更に改善される。たとえば、プラズマ処理は、分割ラインの全てが単一の通過でエッチングされることを可能にする。

たとえば、ウェハにプラズマを照射することによってウェハを分割した後、第１環状フレームおよび支持部材の少なくとも周辺部は、支持表面に対して垂直な方向で互いに対して移動され、支持表面の面に存在する方向で接着テープを径方向に拡張する。そのため、ダイ又はチップは、ウェハの径方向で（すなわち、支持表面に存在する方向で）互いに遠ざけて移動される。このように、ダイおよびチップ間の距離は増加される。第２環状フレームを拡張済み接着テープの周辺部分に付けることによって、ダイ又はチップは、それらの間隔が開けられた位置で径方向に保持されるので、ダイ又はチップ間の意図しない接触によるダイ又はチップに対する損傷が防止される。

分割ラインに沿ってウェハを複数のダイ又はチップへと分割する処理は、ウェハの一面から、あるいは、その面の反対側に或いはウェハの面から行われてもよい。

たとえば、分割ラインに沿ってウェハを複数のダイ又はチップへと分割する処理において、ブレード又は鋸引きのような機械的切断又はダイシング手段、および／またはレーザビームおよび／またはプラズマがウェハの一面に、あるいは、その一面の反対側のウェハの面に照射されてもよい。

ウェハの一面、すなわち、デバイス領域が形成されているウェハの表面は、第１環状フレームによって支持された接着テープに付けられてもよい。この場合、機械的切断又はダイシング手段および／またはレーザビームおよび／またはプラズマは、その一面の反対側にあるウェハの面、すなわち、ウェハの裏面に、特に単純な方法で照射することができる。

あるいは、ウェハの裏面は、第１環状フレームによって支持される接着テープに加えられてもよい。この場合、機械的切断又はダイシング手段および／またはレーザビームおよび／またはプラズマは、特に単純な方法で、ウェハの表面に照射することができる。

ウェハのどの面が接着テープに付けられるかという選択は、材料および／またはウェハ状態によって行ってもよい。

前述されたように、ウェハが、ウェハにプラズマを照射することによって分割される場合、そのプラズマは、接着テープに付けられるウェハの面の反対側に加えられてもよい。そのため、プラズマは、ウェハの露出面に照射されてもよい。

本発明の処理方法は、ウェハ厚を調整する為に把持ステップを更に有してもよい。把持ステップは、デバイス領域が形成されているウェハの表面の反対側にあるウェハの裏面から行われてもよい。把持ステップは、分割ラインに沿ってウェハを複数のダイへと分割する前または後に実行されてもよい。

ウェハは、たとえば、半導体ウェハ、ガラスウェハ、サファイアウェハ、セラミックウェハでもよく、例えば、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）セラミックウェハ、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）ウェハ、）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）ウェハなどがある。特に、ウェハは、たとえば、シリコン（Ｓｉ）ウェハ、砒化ガリウム（ＧａＡｓ）ウェハ、窒化ガリウム（ＧａＮ）ウェハ、燐化ガリウム（ＧａＰ）ウェハ、砒化インジウム（ＩｎＡｓ）ウェハ、燐化インジウム（ＩｎＰ）ウェハ、炭化珪素（ＳｉＣ）ウェハ、タンタル酸リチウム（ＬＴ）ウェハ、ニオブ酸リチウム（ＬＮ）ウェハなどでもよい。

ウェハは、単一材料で形成されてもよく、異なる材料の組み合わせ（例えば、上記材料の２つ以上）で形成されてもよい。たとえば、ウェハは、Ｓｉおよびガラス結合ウェハでもよく、ここでは、Ｓｉで形成されたウェハ要素が、ガラスで形成されたウェハ要素に結合される。

ウェハは、半導体サイズのウェハでもよい。ここで、用語「半導体サイズのウェハ」は、特に、半導体ウェハの直径（標準化された直径）、すなわち、外径を持つウェハを指す。半導体ウェハの寸法、特に、直径、すなわち、外径は、ＳＥＭＩ基準で規定されている。たとえば、半導体サイズウェハは、Ｓｉウェハでもよい。研磨された単結晶Ｓｉウェハは、ＳＥＭＩ規格において、Ｍ１およびＭ７６と規定されている。半導体サイズのウェハは、３インチ、４インチ、５インチ、６インチ、８インチ、１２インチまたは１８インチウェハである。

ウェハの表面上のデバイス領域に形成されるデバイスは、たとえば、半導体デバイス、パワーデバイス、光学デバイス、医療デバイス、電気コンポーネント、ＭＥＭＳデバイス、又はそれらの組み合わせでもよい。

支持表面の面に存在する方向で径方向に拡張する接着テープは、これによって、ダイを互いに遠くに移動させることによって、接着テープに付けられないウェハの面は、上方又は下方（重力方向において上方又は下方）に向くように配置されてもよい。接着テープに付けられないウェハの面が下方に向けられる場合、ウェハ分割中に生じる破片のような粒子のダイ表面への接着防止が特に信頼性良く確実にすることができる。

第１環状フレームおよび第２環状フレームは、剛性フレームである。第１環状フレームおよび／または第２環状フレームは、金属または高分子のようなプラスチック材料で形成されてもよい。

第１環状フレームおよび／または第２環状フレームの厚さは、少なくとも２ｍｍ、好ましくは少なくとも３ｍｍ、より好ましくは少なくとも４ｍｍでもよい。第１環状フレームおよび／または第２環状フレームの厚さは、２ｍｍ〜１２ｍｍの範囲、好ましくは３ｍｍ〜１０ｍｍの範囲、より好ましくは４ｍｍ〜８ｍｍの範囲でもよい。

接着テープは、ベース層と、ベース層に加えられる接着層とを備えてもよい。ベース層は、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、エチレン酢酸ビニルコポリマ（ＥＶＡ）又はポリオレフィンのような高分子材料で形成されてもよい。

一実施形態において、接着テープに付けられるウェハは、ウェハを分割する前に支持部材の支持表面上に配置され、支持表面上に配置されたウェハは、分割ラインに沿って複数のダイへと分割される。この場合、同一の支持部材が、ウェハを分割するステップ中にウェハを保持するため、更に、接着テープを径方向に拡張する為に使用可能であり、処理効率は更に高められる。

他の実施形態において、接着テープに付けられたウェハは、ウェハの分割後、支持部材の支持表面上に配置される。この方法は、特に高い柔軟性を与える。たとえば、この場合、単一の支持部材が、複数の（例えば、２又は３つの）機械的切断又はダイシング手段、レーザビームを照射する手段、又は、プラズマを照射する手段のような分割手段との組合せで使用されてもよいので、設備費用を著しく減少させることができる。

洗浄処理のような更なる処理、または、複数の更なる処理は、たとえば、接着テープを径方向に拡張する前および／または後に、支持表面上に配置されたウェハ上で行われてもよい。この場合、同一支持部材が、更なる処理または複数の更なる処理中にウェハを保持するため、さらに、接着テープを径方向に拡張するために使用可能であるので、処理効率を更に高める。

支持部材は、例えば、支持表面の面において円形横断面を有する支持テーブル形式でもよい。たとえば、支持部材は、チャックテーブルでもよい。支持部材は、連続した支持表面を有してもよい。

接着テープに付けられたウェハが支持部材の支持表面上に配置されるとき、接着テープに付けられたウェハの少なくとも一部分は、支持表面上に載置、すなわち、直接載置されてもよい。接着テープに付けられた全体のウェハが、支持表面上に載置、すなわち、直接載置されてもよい。

支持部材は、実質的に環状の横断面、すなわち、支持表面の平面において実質的に環状の横断面を有してもよい。たとえば、支持部材は、中空拡張ドラムであってもよい。支持部材は、不連続支持表面を有してもよい。

接着テープに付けられたウェハが支持部材の支持表面上に配置されるとき、ウェハは、接着テープによって支持表面に保持されてもよい。接着テープに付けられたウェハの、どの部分も支持表面に直接載置されなくてもよい。

第１環状フレームおよび全体の支持部材、たとえば、実質的に環状又は環状横断面を持つ支持部材又は支持テーブルは、支持表面の面に対して垂直な方向で互いに対して移動され、支持表面に存在する方向で接着テープを径方向に拡張させ、それによって、ダイを互いに遠ざけて移動させてもよい。

第１環状フレームおよび支持部材の間の相対運動は、第１環状フレームだけを移動させ、支持部材を固定することによって、支持部材だけを移動させ、第１環状フレームを固定させることによって、あるいは、第１環状フレーム及び支持部材を反対方向に互いに対して移動させることによって実現されてもよい。支持部材は、中央部と、その中央部を囲む実質的に環状又は環状周辺部とを備えてもよい。

中央部は、例えば、支持表面の面において円形横断面を有する支持テーブル形式でもよい。たとえば、中央部は、チャックテーブル形式でもよい。中央部は、連続した支持表面を有してもよい。

周辺部は、実質的に環状横断面または支持表面の面において環状横断面を有する。たとえば、周辺部は、中空拡張ドラム形式でもよい。周辺部は、不連続支持表面を有する。

支持部材の周辺部は、支持表面の面に対して垂直な方向で、支持部材の中央部に対して移動可能でもよい。第１環状フレームおよび支持部材の周辺部は、支持表面の面に対して垂直な方向で、互いに対して移動され、支持表面の面に存在する方向で、接着テープを径方向に拡張させ、それによって、ダイを移動させて互いに遠ざけてもよい。支持部材の周辺部および第１環状フレームだけが互いに対して移動されてもよい。支持部材の中央部は固定が保たれてもよい。

本発明の処理方法は、拡張済み接着テープに第２環状フレームを付けた後、外側に配置された位置で、接着テープを切断、すなわち、径方向外側で、第２環状フレームに付けられた接着テープの一部分を切断するステップを更に有してもよい。このように、第２環状フレームに付けられた接着テープの一部分は、単純かつ効率の良い方法でテープの残部から分離可能であり、接着テープを通して第２環状フレームに付けられた分割済みウェハおよび第２環状フレームがウェハ処理システムから除去されることを可能にする。その後、第２環状フレームによって支持された分割済みウェハは、たとえば、更なる処理、貯蔵または出荷を受けてもよい。

たとえば、チャックテーブルのような支持テーブル形式の支持部材は、面取り又はテーパ付けされた周辺部分を有し、支持部材の直径が、支持表面の面に対して垂直な方向で支持表面から距離が増えるにつれて減少してもよい。そのような面取り又はテーパ付けされた周辺部分は、接着テープを切断する際に使用される切断ツールの為に接着テープへの特に良好なアクセスを可能にする。このため、この場合、切断処理は、特に効率良く正確な方法で実行可能である。

本発明の処理方法は、接着テープを切断した後、第２環状フレームに、接着テープが切断せれた位置と、第２環状フレームに付けられる接着テープの部分との間に配置される接着テープの一部分を付けるステップを更に有してもよい。このように、接着テープの一部分が第２環状フレームから分離される場合（たとえば、剥離）があることを信頼性良く防止することができる。そのため、特に安定した信頼性の良い、第２環状フレームに対する接着テープの固着が確保される。

接着テープが切断された位置と、第２環状フレームに付けられる接着テープの一部分との間に配置される接着テープの一部分は、たとえば、一つのローラ又は一対のローラのような複数のローラを使用することによって、第２環状フレームに付けられてもよい。たとえば、一つのローラ又は複数のローラは、第２環状フレーム付けられるべき接着テープの一部分に沿って周方向に移動され、接着テープの一部分を第２環状フレームに押圧し、それによって、これら２つのコンポーネントを互いに付けてもよい。

本発明の処理方法は、たとえば、接着テープを切断する前に、第２環状フレームに付けられた拡張済み接着テープの一部分に、一つ又は複数のローラ（例えば、一対のローラ）を使用することによって、圧力を加えるステップを更に有してもよい。たとえば、一つ又は複数のローラは、第２環状フレームに付けられる接着テープの一部分に沿って周方向に移動され、第２環状フレームに接着テープの一部分を押圧してもよい。このように、特に安定した信頼性の良い、第２環状フレームに対する接着テープの固着が確保される。

第２環状フレームの内径は、支持表面の面において、第１環状フレームの内径より、２０ｍｍ又はそれ以上、好ましくは３０ｍｍ又はそれ以上、小さく、さらに／または、支持部材の外径より小さくてもよい。それによって、第２環状フレームに付けられた接着テープの一部分が少なくとも１０ｍｍ、好ましくは少なくとも１５ｍｍの輪幅で、環状テープ部分になっていることが、単純かつ効率の良い方法で確保される。ここで、用語「輪幅」とは、環状要素の外形とその内径との差の半分、すなわち、（外径−内径）／２を規定する。

このように、接着テープおよび第２環状フレームの間で特に信頼性良く安定した接続が達成される。

第１環状フレームおよび第２環状フレームは、同一の輪幅を有してもよい。第１環状フレームは、第２環状フレームの輪幅より小さい輪幅を有してもよい。第１環状フレームは、第２環状フレームの輪幅より大きな輪幅を有してもよい。

第１環状フレームおよび／または第２環状フレームは、２０ｍｍから７０ｍｍの範囲、好ましくは３０ｍｍから６０ｍｍの範囲、より好ましくは４０ｍｍから５０ｍｍの範囲の輪幅を有してもよい。

第１フレーム及び第２フレームは、環状フレームである。ここで、用語「環状」とは、例えば、一つ又は複数の平坦または直線部分、切込み及び／又は溝の存在により、例えば、環の外周及び／又は内周において完全な環から外れる形状を包含する。第１環状フレームおよび／または第２環状フレームは、例えば、平坦又は直線部分、切込み、溝が存在する環の一部分で、２０ｍｍから７０ｍｍの範囲、好ましくは３０ｍｍから６０ｍｍの範囲、より好ましくは４０ｍｍから５０ｍｍの範囲で、最小輪幅を有してもよい。

第１環状フレームの外径は、第２環状フレームの外径と実質的に同一でもよい。このように、第１環状フレーム及び第２環状フレームを保持する第１フレーム及び第２フレームが、それぞれ、実質的に同一サイズを有するように選択可能であることから、特に効率が良く省スペースの配置が与えられる。

第１環状フレームの外径は、第２環状フレームの外径より大きくてもよい。第１環状フレームの外径は、第２環状フレームの外径より小さくてもよい。

第２環状フレームは、半導体サイズの環状フレームでもよい。ここで、用語「半導体サイズの環状フレーム」とは、半導体ウェハを保持する為の環状フレームの寸法（規格化された寸法）、特に内径（規格化された内径）を持つ環状フレームを指す。

半導体ウェハを保持する為の環状フレームの寸法、特に内径は、ＳＥＭＩ規格でも規定されている。たとえば、３００ｍｍウェハの為のテープフレームの寸法は、ＳＥＭＩ規格ＳＥＭＩ Ｇ７４において規定され、３００ｍｍウェハの為のプラスチックテープフレームの寸法は、ＳＥＭＩ規格ＳＥＭＩ Ｇ８７で規定されている。環状フレームは、たとえば、３インチ、４インチ、５インチ、６インチ、８インチ、１２インチ、又は１８インチサイズの半導体サイズウェハを保持する為のフレームサイズを有してもよい。

半導体サイズの環状フレームを第２環状フレームとして設けることによって、ウェハが分割された後のウェハの更なる処理、たとえば、貯蔵又は出荷後の更なる処理が容易になる。特に、半導体サイズの環状フレームを選択することによって、ウェハの分割が実行された場所とは異なる設備で、ウェハ、接着テープ、第２環状フレームによって形成されたユニットと汎用半導体ウェハ処理設備との互換性が確保される。

前述されたように、分割ラインに沿ってウェハを複数のダイへと分割するステップは、プラズマをウェハに照射するステップを有してもよい。ウェハは、プラズマをウェハに照射することによって、分割ラインに沿って複数のダイへと分割されてもよい。

プラズマは、プラズマチャンバ、プラズマ源、プラズマトーチ又はプラズマノズルのようなプラズマを照射する手段によってウェハに加えられる。

一部の実施形態において、例えば、プラズマトーチ又はプラズマノズルを使用して、プラズマビームによって、プラズマが、プラズママスクを用いることなく、ウェハに直接照射されてもよい。

他の実施形態において、この方法は、ウェハを接着テープに付けた後または付ける前で、ウェハにプラズマを加える前に、接着テープに付けられる又は付けられるべきウェハの面の反対側のウェハの面にマスクを形成するステップを更に有してもよい。

このマスクは、ウェハの一面に形成されても、その一面の反対側の面に形成されてもよい。

マスクは、マスクがウェハの一面に形成される場合、ウェハの一面で分割ラインをむき出しで残すように形成されてもよく、マスクが一面の反対側のウェハの面に形成される場合、分割ラインの反対側に存在する面の反対側のウェハの面の区域をむき出しに残してもよい。マスクは、それぞれのウェハ表面の全体を実質的に覆うがウェハの一面で分割ラインのみをむき出しに、あるいは、分割ラインの反対側に位置する一面の反対側のウェハの面の領域だけを残すように形成されてもよい。

接着テープに付けられるか付けられるべきウェハの面の反対側のウェハの面にマスクを形成するステップは、レジスト層のようなカバー層をウェハの、この面に加える工程と、例えば、光リソグラフィ又は電子ビームリソグラフィによって、カバー層をパタ−ニングする工程とを含んでもよい。たとえば、カバー層は、フォトグラフィ又はレーザビームを視用するリソグラフィによってパターニングされてもよい。

プラズマは、マスクが形成されたウェハに照射されてもよい。たとえば、上部にマスクが形成されたウェハは、プラズマチャンバ内に配置され、プラズマエッチングを受けてもよい。この場合、プラズマは、マスクによって覆われないウェハ領域内にあるウェハ材料（例えば、ウェハの一面の分割ライン又は分割ラインの反対側に位置する面の反対側のウェハの面の区域）だけと反応する。プラズマは、プラズマエッチングによって、これらの領域内のウェハ材料を除去するので、ウェハを分割ラインに沿って個々のダイ又はチップへと分割する。

その後、マスクは、別個のダイ又はチップから除去されてもよい。

本発明は、複数の分割ラインによって区切られた複数のデバイスを備えたデバイス領域を一面に有するウェハを処理する為のウェハ処理システムを更に提供する。このシステムは、上部にウェハを配置する為の支持表面を有する支持部材と、第１環状フレームを保持する為の第１フレーム保持手段と、分割ラインに沿ってウェハを複数のダイ又はチップへと分割する為の分割手段と、半導体サイズの第２環状フレームを保持する為の第２フレーム保持手段とを備える。支持部材および第１フレーム保持手段は、第１フレーム保持手段および支持部材の少なくとも周辺部が、支持表面の面に対して垂直な方向で、互いに対して移動できるように構成されている。支持部材および第２フレーム保持手段は、第２フレーム保持手段および支持部材の少なくとも周辺部が、支持表面の面に対して垂直な方向で、互いに対して移動できるように構成されている。支持部材の外径は、支持表面の面において、半導体サイズの第２環状フレームの内径より大きい。

本発明のウェハ処理システムは、本発明のウェハ処理方法を実行するように構成されたシステムである。そのため、ウェハ処理システムは、ウェハ処理方法の為に既に詳細に説明された技術的効果及び利点を与える。

本発明のウェハ処理方法の為の前述された特徴は、同様に、本発明のウェハ処理システムに当てはまる。特に、ウェハ処理システムの支持部材は、上記で詳細に説明されている。

第１フレーム保持手段および支持部材の少なくとも周辺部を、支持表面の面に対して垂直な方向で、互いに対して移動させることによって、第１環状フレームによって支持された接着テープは、支持部材によって支持表面の面に位置する方向で、径方向に拡張され、それによって、接着テープに付けられたダイを移動させ、互いに遠ざける。

第２保持手段および支持部材の少なくとも周辺部を、支持表面の面に対して垂直な方向で、互いに対して移動させることによって、半導体サイズの第２環状フレームは、支持部材の周辺部に配置された拡張済み接着テープの一部分に付けられる。

分割手段は、支持部材の支持表面に配置されたウェハを分割するように構成されてもよい。

分割手段は、機械的切断又はダイシング手段、レーザビーム照射手段又はプラズマ照射手段でもよい。分割手段は、一つ又は複数の機械的切断又はダイシング手段および／または一つ又は複数のレーザビームを照射する手段および／または一つ又は複数のプラズマを照射する手段を備えてもよい。たとえば、分割手段は、機械的切断又はダイシング手段およびレーザビームを照射する手段またはプラズマを照射する手段を備えてもよい。分割手段は、レーザビームを照射する手段およびプラズマを照射する手段を備えてもよい。

機械的切断又はダイシング手段は、支持部材の支持表面に配置されたウェハを機械的に切断又はダイシングするように構成されてもよい。

レーザビームを照射する手段は、支持部材の支持表面に配置されたウェハにレーザビームを照射するように構成されてもよい。

プラズマを照射する手段は、支持部材の支持表面に配置されたウェハにプラズマを照射するように構成されてもよい。

機械的切断又はダイシング手段は、たとえば、ブレードまたは鋸でもよい。プラズマを照射する手段は、たとえば、プラズマチャンバ、プラズマ源、プラズマトーチ又はプラズマノズルでもよい。

ウェハ処理システムは、第１フレーム保持手段および支持部材の少なくとも周辺部を、支持表面の面に対して垂直な方向で、互いに対して移動させる第１移動手段を更に備えてもよい。

ウェハ処理システムは、第２フレーム保持手段および支持部材の少なくとも周辺部を、支持表面の面に対して垂直な方区で、互いに対して移動させる第２移動手段を更に備えてもよい。

ウェハ処理システムは、第１環状フレームによって支持された接着テープを切断する為のテープ切断手段を更に備えてもよい。テープ切断手段は、外側に配置された位置で接着テープを周方向に切断、すなわち、第２環状フレームに付けられた接着テープの一部分を径方向外側で周方向に切断するように構成されてもよい。

ウェハ処理システムは、接着テープの一部分に圧力を加える為の押圧手段を更に備えてもよい。たとえば、押圧手段は、一つのローラ又は複数のローラ（一対のローラ）を備えてもよい。

押圧手段は、接着テープを切断した後、第２環状フレームに、接着テープが切断された位置と、第２環状フレームに付けられる接着テープの一部分との間に配置される接着テープの一部分を付けるように構成されてもよい。たとえば、押圧手段の一つのローラ又は複数のローラは、第２環状フレームに付けられるべき接着テープの一部分に沿って周方向に移動され、第２環状フレームに接着テープの一部分を押圧させ、それによって、２つのコンポーネントを互いに付けてもよい。

押圧手段は、例えば、接着テープを切断する前に、第２環状フレームに付けられた拡張済み接着テープの一部分に圧力を加えるように構成されてもよい。たとえば、押圧手段の一つのローラ又は複数のローラは、第２環状フレームに付けられた接着テープの一部分に沿って周方向に移動され、第２環状フレームに接着テープの一部分を押圧してもよい。

ウェハ処理システムは、例えば、ウェハの分割後、ウェハを洗浄する為に洗浄手段を更に備えてもよい。

ウェハ処理システムは、単一のウェハ処理装置または複数の（例えば、２又は３の）ウェハ処理装置を備えてもよい。複数のウェハ処理装置は、互いに接続されてもよい。

たとえば、ウェハ処理システムは、２つのウェハ処理装置、すなわち、第１ウェハ処理装置および第２ウェハ処理装置を備えてもよい。第１ウェハ処理装置および第２ウェハ処理装置は、例えば一列に互いに接続されてもよい。第１ウェハ処理装置は、プラズマを照射する手段のような分割手段を備えてもよい。第２ウェハ処理装置は、支持部材、第１フレーム保持手段、第２フレーム保持手段を備えてもよい。さらに、第２ウェハ処理装置は、第１移動手段および第２移動手段を備えてもよい。第２ウェハ処理装置は、洗浄手段を備えてもよい。

ウェハ処理システムは、互いに接続された３つ又はそれ以上のウェハ処理装置を備えてもよい。ウェハ処理装置のうちの一つは、第１フレーム保持手段および第２フレーム保持手段を備えてもよい。他のウェハ処理装置は、各々が、プラズマ照射手段のような分割手段を備えてもよい。この場合、単一の支持部材および単一の第１フレーム保持手段および第２フレーム保持手段は、たとえば、複数の（例えば、２つ又は３つの）分割手段と組み合わせて使用され、設備費用を著しく減少させてもよい。

あるいは、ウェハ処理システムは、プラズマ照射手段のような分割手段、支持部材、第１フレーム保持手段、第２フレーム保持手段を備える単一のウェハ処理装置を備えてもよい。さらに、単一のウェハ処理装置は、第１移動手段および第２移動手段を備えてもよい。単一のウェハ処理装置は、洗浄手段を備えてもよい。

ウェハ処理システムは、このシステムのコンポーネントを制御する為の制御装置を備えてもよい。

この制御装置は、第１フレーム保持手段および支持部材の少なくとも周辺部を、たとえば、第１移動手段を制御することによって、支持表面の面に対して垂直な方向で、互いに対して移動することを制御するように構成されてもよい。

この制御装置は、第２フレーム保持手段および支持部材の少なくとも周辺部を、たとえば、第２移動手段を制御することによって、支持表面の面に対して垂直な方向で互いに対して移動することを制御するように構成されてもよい。

この制御装置は、ウェハを分割ラインに沿って複数のダイ又はチップへと分割する為に分割手段を制御するように構成されてもよい。

たとえば、制御装置は、機械的切断又はダイシング手段を制御することによって、ウェハの機械的切断又はダイシング処理を制御するように構成されてもよい。この制御装置は、レーザビーム照射手段を制御することによって、ウェハにレーザビームを照射することを制御するように構成されてもよい。この制御装置は、プラズマ照射手段を制御することによって、ウェハにプラズマを照射することを制御するように構成されてもよい。

この制御装置は、本発明のウェハ処理方法を実行するようにウェハ処理システムを制御するように構成されてもよい。

制御装置は、テープ切断手段および／または押圧手段および／または洗浄手段を制御するように構成されてもよい。

ウェハ処理システムは、第１環状フレームを更に備えてもよく、支持部材の外径は、支持表面の面において、この第１環状フレームの内径より小さい。

半導体サイズの第２環状フレームの内径は、第１環状フレームの内径より小さい。ウェハ処理システムは、半導体サイズの第２環状フレームを更に備えてもよい。

以下、添付図面を参照して本発明を説明する。
図１は、第１環状フレームによって支持された接着テープに付けられるウェハを示す横断面図である。 図２は、本発明の方法の第１実施形態に従う接着テープに付けられるウェハにプラズマを照射するステップを例示する横断面図である。 図３は、プラズマを照射するステップの後、接着テープに付けられるウェハを示す横断面図である。 図４は、本発明の方法の第１実施形態に従う接着テープを径方向に拡張するステップを例示する横断面図である。 図５は、本発明の方法の第１実施形態に従う拡張済み接着テープの一部分に第２環状フレームを付けるステップを例示する横断面図である。 図６は、本発明の方法の第１実施形態に従う接着テープを周囲で切断するステップを例示する為の横断面図である。 図７は、本発明の第１実施形態に従う接着テープを周囲で切断するステップの後に第２環状フレームによって支持された接着テープに付けられるウェハを示す横断面図である。 図８は、本発明の方法の第２実施形態に従う接着テープを径方向に拡張するステップを例示する横断面図である。 図９は、本発明の第２実施形態に従う、拡張された接着テープの一部分に第２環状フレームを付けるステップと、第２環状フレームに接着テープの一部分を押圧する第１ステップとを例示する横断面図である。 図１０は、本発明の方法の第２実施形態に従う第２環状フレームに接着テープの一部分を押圧する第２ステップを例示する横断面図である。 図１１は、本発明の方法の第２実施形態に従う接着テープを周囲で切断するステップを例示する横断面図である。 図１２は、本発明の方法の第２実施形態に従う接着テープを周囲で切断するステップの後、第２環状フレームによって支持された接着テープに付けられるウェハを示す横断面図である。

好ましい実施形態の詳細な説明

以下、添付図面を参照して、本発明の好ましい実施形態を説明する。好ましい実施形態は、ウェハを処理する方法およびこれらの方法を実行する為のウェハ処理システムに関する。

以下、図１−図７を参照して、本発明のウェハを処理する方法および本発明のウェハ処理システムを処理する方法の第１実施形態を説明する。

図１に示されるように、本発明の方法によって処理されるウェハ２は、表面４と、表面４の反対側にある裏面６とを有する。複数の分割ライン（図示せず）によって区切られた複数のデバイスを備えたデバイス領域（図示せず）は、ウェハ２の表面４に形成されている。

ウェハ２は、たとえば、半導体ウェハ、ガラスウェハ、サファイアウェハ、アルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）、セラミックウェハ、酸化シリコン（ＳiＯ₂）ウェハ、窒化アルミニウムウェハ（ＡｌＮ）ウェハなどのようなセラミックウェハでもよい。

特に、ウェハ２は、例えば、シリコン（Ｓｉ）ウェハ、砒化ガリウム（ＧａＡｓｄ）ウェハ、窒化ガリウム（ＧａＮ）ウェハ、燐化ガリウム（ＧａＰ）ウェハ、砒化インジウム（ＩｎＡｓ）ウェハ、リン化インジウム（ＩｎＰ）ウェハ、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）ウェハ、窒化シリコン（ＳｉＮ）ウェハ、タンタル酸リチウム（ＬＴ）ウェハ、ニオブ酸リチウム（ＬＮ）ウェハなどでもよい。

ウェハ２の表面４上のデバイス領域に形成されたデバイスは、例えば、半導体デバイス、パワーデバイス、光デバイス、医療デバイス、電気コンポーネント、ＭＥＭＳデバイス、これらの組み合わせでもよい。

第１実施形態の方法において、ウェハ２の裏面６は、ウェハ２は、第１環状フレーム１０の中央開口部１２の内部に配置されるように、第１環状フレーム１０によって支持される接着テープ８に最初に付けられる。この付けるステップの結果が図１に示されている。

その後、接着テープ８に付けられたウェハ２は、ウェハ２に付けられた面の反対側にある接着テープ８の一面が支持表面１４と接触するように、支持部材１６の支持表面１４上に配置される（図２を参照）。図２に示されるように、接着テープ８に付けられたウェハ２の全体が、支持部材１６の支持表面上に直接載置されている。

図２に示された支持部材１６は、支持テーブル形式になっており、支持テーブルは、支持表面１４の面において円形横断面を有する。例えば、支持部材１６は、チャックテーブルでもよい。支持部材１６は、連続した支持表面１４を有する。

さらに、支持部材１６は、面取り又はテーパ付けされた周辺部分１８を有し、支持部材１６の直径は、支持表面１４の面に対して垂直な方向において、支持表面１４からの距離が増加すると減少する。図６を参照して以下に詳細に説明するように、この面取り又はテーパが付けられた部分１８は、接着テープを切断する際に使用される切断ツールの為に接着テープ８に対して特に良好なアクセスを可能にする。

図２に示されるように、支持表面１４の面において、支持部材１６の外径は、第１環状フレーム１０の内径より小さい。

図２に示されるように、接着テープ８に付けられたウェハ２が支持部材１６の支持表面１４上に配置された後、分割ラインに沿ってウェハを分割するようにプラズマＰＬがウェハ２に照射される。プラズマＰＬは、プラズマ照射手段（図示せず）によってウェハ２に照射される。

その一方で、第１実施形態の方法において、ウェハ２は、それにプラズマＰＬを照射することによって分割ラインに沿って分割され、あるいは、ウェハ２は、別の方法で分割されてもよく、たとえば、機械的切断又はダイシングおよび／またはレーザ切断又はダイシングによって分割されてもよい。また、機械的切断又はダイシング、レーザ切断又はダイシングおよびプラズマ切断又はダイシングは、後に詳細に説明するように、このために使用されてもよい。

支持部材１６およびプラズマ照射手段は、本発明の第１実施形態に従うウェハ処理システム（図示せず）の一部を形成する。

プラズマ照射手段は、たとえば、プラズマチャンバ、プラズマ源、プラズマトーチまたはプラズマノズルでもよい。

プラズマは、ウェハ２に直接照射されてもよく、すなわち、マスクを用いることなく、たとえば、プラズマトーチまたはプラズマノズルを用いてプラズマビーム手段によって照射されてもよい。

あるいは、マスクは、ウェハ表面４上に形成されてもよく、その後、ウェハ２は、前述されたように、例えば、プラズマチャンバ内で、プラズマエッチングを受けてもよい。

プラズマは、プラズマエッチングによって分割ラインに沿ってウェハ材料を除去するので、ウェハ２を個々のダイ２０へと分割する（図３を参照）。

マスクは、後のステップにおいて、分離されたダイ２０から除去される。

図３に概略的に示されるように、狭い切り溝または切断溝は、プラズマを照射するステップにおいて、分離されたダイ２０の間に形成される。例えば、更なる処理、分離されたウェハの更なる処理、取扱い、運搬のとき、ダイ２０の間の意図的でない接触によるダイ２０に対する損傷を信頼性良く防止するため、後述するように、ダイ２０の間の距離が増やされる。

プラズマＰＬがウェハに照射され、ウェハ２をダイ２０に分割した後、第１環状フレーム１０および全体の支持部材１６は、図４の矢印Ａによって示されるように、支持表面１４の面に対して垂直な方向で、互いに対して移動される。第１環状フレーム１６および支持部材１６の間の相対運動は、第１環状フレーム１０だけを移動させ、支持部材１６を固定させておくこと、支持部材だけを移動させ、第１環状フレーム１０を固定しておくこと、あるいは、第１環状フレーム１０および支持部材１６を互いに対して反対方向に移動させることによって達成させてもよい。

支持部材１６の外径は、支持表面１４の面における第１環状フレーム１０の内径より小さいことから、支持部材１６は、図４の矢印Ａの方向で、第１環状フレーム１０の中央開口部１２を通って移動することができる。第１環状フレーム１０および支持部材１６の間の相対運動のため、接着テープ８は、支持表面１４の面に存在する方向において、径方向に拡張されるので、ダイ２０を移動させて互いに遠ざける。

第１環状フレームおよび支持部材１６は、第１フレーム保持手段（図示せず）および第１移動手段（図示せず）を用いることによって、互いに対して移動される。第１フレーム保持手段は、第１環状フレーム１０を保持する。第１移動手段は、第１環状フレーム１０を保持する第１フレーム保持手段と支持部材とを支持表面１４の面に対して垂直な方向で互いに対して移動させる。

第１フレーム保持手段および第１移動手段は、本発明の第１実施形態に従うウェハ処理システムの一部を形成する。ウェハ処理システムは、支持表面１４の面に対して垂直な方向で、互いに対する第１保持手段および支持部材１６の移動を、第１移動手段を制御することによって制御するように構成された制御装置（図示せず）を更に備える。

その後、第２環状フレーム２２は、図５に示されるように、支持部材１６の周辺部に配置された拡張済み接着テープ８の一部分に付けられる。第２環状フレーム２２は、ウェハ２に付けられている接着テープ８の一面に付けられる。ウェハ２は、複数のダイ２０に分離されているが、第２環状フレーム２２の中央開口部２４の内部に配置される（図５を参照）。

第２環状フレーム２２を拡張済み接着テープ８の周辺部分に付けることによって、テープ８の径方向張力が維持されるので、特に、拡張済みテープ８の切断後、ダイ２０の間の意図せぬ接触によるダイ２０の損傷を信頼性良く防止する（図６を参照）。

図５に示されるように、第２環状フレーム２２の内径は、支持表面１４の面における支持部材１６の外径より小さく、第１環状フレーム１０の内径より小さい。このため、第２環状フレーム２２は、第２環状フレーム２２を支持表面１４の周辺部分に、これらの間に配置された拡張済みテープ８を用いて押圧することによって、単純な方法で、拡張済み接着テープ８の周辺部分に付けることができる。このように、安定した信頼性の良い接続が、第２環状フレーム２２および拡張済みテープ８の間に効率良く達成可能である。

第２環状フレーム２２は、第２保持手段（図示せず）および第２移動手段（図示せず）を使用することによって、支持部材１６の周辺部に配置された拡張済みテープ８の一部分に付けられる。第２フレーム保持手段は、第２環状フレーム２２を保持する。第２保持手段は、第２環状フレーム２２を保持する第２フレーム保持手段と支持部材１６とを支持表面１４の面に対して垂直な方向で互いに対して移動させる。このように互いに対して第２フレーム保持手段および支持部材１６を移動させることによって、第２環状フレーム２２は、支持部材１６の周辺部に配置された拡張済み接着テープ８の一部分に付けられる。

第２フレーム保持手段および第２移動手段は、本発明の第１実施形態に従うウェハ処理システムの一部を形成する。ウェハ処理システムの制御は、第２移動手段を制御することによって、支持表面１４の面に対して垂直な方向で、互いに対して第２フレーム保持手段および支持部材１６の移動を制御するように構成されている。

第２環状フレーム２２は、半導体サイズの環状フレームでもよい。このように、ウェハ２が分割された後、ウェハ２の更なる処理、例えば、その貯蔵または出荷後の更なる処理は、前述されたように、容易にされる。

第２環状フレーム２２が拡張済み接着テープ８に付けられた後、接着テープ８は、図６に示されているように、第２環状フレーム２２に付けられた接着テープ８の一部分の外に配置される位置で周方向に切断される。接着テープ８は、支持部材１６の周りで周方向に移動される、ナイフやブレードのようなテープ切断手段２６を使用して周方向に切断される。図６に更に示されるように、切断処理は、接着テープ８に特に良好なアクセスを切断手段２６に与える支持部材１６の面取り又はテーパ付けされた周辺部分によって容易にされる。

テープ切断手段２６は、本発明の第１実施形態に従うウェハ処理システムの一部を形成する。ウェハ処理システムの制御は、テープ切断手段２６によって実施される切断処理を制御するように構成される。

その後、第２環状フレーム２２およびそれに接着テープ８を通じて付けられた分割済みウェハ２は、図７に示されるように、ウェハ処理システムから除去される。この状態において、分割済みウェハ２は、第２環状フレーム２２によって支持されているが、更なる処理、貯蔵または出荷を受けることができる。拡張済み接着テープ８の周辺部分に直接付けられた第２環状フレーム２２を使用するため、拡張済みテープ８に加えられる張力は、拡張された時間間隔（例えば、ウェハ２の貯蔵または出荷中）にわたって信頼性良く維持できる。

以下、図８〜図１２を参照して、本発明のウェハを処理する方法および本発明のウェハ処理システムの第２実施形態を説明する。

本発明の第２実施形態は、後述するように、支持部材１６の構成において本発明の第１実施形態と実質的に異なる。第２実施形態の説明において、これらの要素は、第１実施形態の要素と実質的に同一であり、同一の参照符合で示され、これらの反復した説明は省略される。

図８に示されるように、第２実施形態に従う支持部材１６は、中央部１６ａと、中央部１６ａを囲む環状周辺部１６ｂとを備える。支持部材１６の周辺部１６ｂは、支持表面１４の面に対して垂直な方向において、支持部材１６の中央部１６ａに対して移動可能である。

中央部１６ａは、支持テーブルの形式であり、例えば、支持表面１４の面において円形横断面を有する。たとえば、中央部１６ａは、チャックテーブルの形式でもよい。中央部１６ａは、連続した支持表面を有する。

周辺部１６ｂは、支持表面１４の面において、環状横断面を有する。たとえば、周辺部１６ｂは、中空の拡張ドラムの形式でもよい。周辺部１６ｂは、不連続支持表面を有する。

分割ラインに沿ってウェハ２を分割するように、第１環状フレーム１０によって支持された接着テープ８にウェハ２を付けるステップおよびそのウェハ２にプラズマＰＬを照射するステップは、前述した第１実施形態のステップと実質的に同一である。

一方、第２実施形態の方法において、ウェハ２は、それにプラズマＰＬを加えることによって分割ラインに沿って分割されるが、あるいは、ウェハ２は、機械的切断又はダイシングおよび／またはレーザ切断又はダイシングによって、他の方法で分割されてもよい。また、詳細に前述されたように、機械的切断又はダイシング、レーザ切断又はダイシングおよびプラズマ切断又はダイシングの組み合わせは、この為に行われてもよい。

プラズマＰＬがウェハ２に照射された後、ウェハ２をダイ２０へと分割し、第１環状フレーム１０および支持部材１６の周辺部１６ｂが、支持表面１４の面に存在する方向で接着テープ８を径方向に拡張するように支持表面１４の面に対して垂直な方向で互いに対して移動され、それによって、図８の矢印Ａによって示されるように、ダイ２０を移動させて互いに遠ざける。支持部材１６の周辺部１６ｂ及び第１環状フレーム１０だけが、互いに対して移動されてもよい。支持部材１６の中央部１６ａは、テープ拡張処理中に固定させておいてもよい。

その後、第２環状フレーム２２は、図９に示されるように、支持部材の周辺部１６ｂに配置された拡張済み接着テープ８の一部分に付けられる。第２環状フレーム２２は、ウェハ２に付けられた接着テープ８の面に付けられる。ウェハ２は、複数のダイ２０へと分割されているが、第２環状フレーム２２の中央開口部２４の内部に配置される（図９を参照）。

図９に示されるように、第２環状フレーム２２の内径は、支持表面１４の面における支持部材１６の外径すなわち、支持部材１６の周辺部１６ｂの外径より小さく、第１環状フレーム１０の内径より小さい。このため、第２環状フレーム２２は、第２環状フレーム２２を支持部材の周辺部１６ｂの支持表面１４に、それらの間に配置された拡張済みテープ８を用いて押圧することによって、単純な方法で拡張済み接着テープ８の周辺部分に付けることができる。このように、安定した信頼性の良い接続が、第２環状フレーム２２および拡張済みテープ８の間で効率良く達成できる。

その後、図９に同様に示されるように、一対のローラを備えた押圧手段２８を使用することによって、第２環状フレーム２２に付けられた拡張済み接着テープ８の一部分の径方向内部に圧力を加える。押圧手段２８のローラは、第２環状フレーム２２に付けられた接着テープ８の一部分の内側部に沿って周方向に移動され、この内側部を第２環状フレーム２２に押圧する。このように、接着テープ８の、第２環状フレーム２２に対する固着は更に改善される。

押圧手段２８は、本発明の第２実施形態に従うウェハ処理システムの一部を形成する。ウェハ処理システムの制御は、押圧手段２８によって実施される押圧処理を制御するように構成される。

第２環状フレーム２２に付けられた拡張済み接着テープ８の一部分の内側部における押圧処理を実施した後、支持部材１６の周辺部１６ｂは後退され、第２環状フレーム２２に付けられた拡張済み接着テープ８の一部分の径方向外側部において、同様の押圧処理が行われる（図１０を参照）。このように、接着テープ８および第２環状フレーム２２の間で、特に均質な接続が達成される。この追加の押圧処理のため、図１０に示されるように、同一の押圧手段２８が、図９に示された押圧処理におけるように、使用される。

その後、図１１に示されるように、接着テープ８は、第２環状フレーム２２に付けられた接着テープ８の部分の外側に配置される位置で、周方向に切断される。この切断処理は、同一のテープ切断手段２６を使用して、第１実施形態におけるように同一方法で実質的に行われる（図６を参照）。

この方法で接着テープ８を切断した後、第２環状フレーム２２と、それに接着テープ８を通じて付けられた分割済みウェハ２とは、図１２に示されるように、ウェハ処理システムから除去される。この状態において、分割済みウェハ２は、第２環状フレーム２２によって支持されるが、更なる処理、貯蔵または出荷を受けることができる。拡張済み接着テープ８の周辺部分に直接付けられた第２環状フレーム２２を使用するため、拡張済みテープ８に加えられた張力は、拡張された時間間隔（例えば、ウェハ２の貯蔵又は出荷の間）信頼性良く維持可能である。

Claims (14)

1. 複数の分割ラインによって区切られた複数のデバイスを備えたデバイス領域を一面（４）に有するウェハ（２）を処理する方法において、
   前記ウェハ（２）の前記一面（４）または前記一面（４）の反対側にある前記ウェハ（２）の一面（６）を、第１環状フレーム（１０）によって支持された接着テープ（８）に付けるステップであって、前記ウェハ（２）が前記第１環状フレーム（１０）の中央開口（１２）内に配置される、前記ステップと、
   前記分割ラインに沿って前記ウェハ（２）を複数のダイ（２０）に分割するステップと、
   前記ウェハ（２）を分割する前または後に、前記接着テープ（８）に付けられた前記ウェハ（２）を支持部材（１６）の支持表面（１４）に配置し、前記ウェハ（２）に付けられた前記一面の反対側にある前記接着テープ（８）の一面が前記支持表面（１４）と接触するステップであって、前記支持表面（１４）の面における前記支持部材（１６）の外径は、前記第１環状フレーム（１０）の内径より小さい、前記ステップと、
   前記支持表面（１４）の前記面に存在する前記方向で前記接着テープ（８）を径方向に拡張させ、それによって、ダイ（２０）を移動させ、互いに遠ざけるように、前記ウェハ（２）を分割した後に、前記第１環状フレーム（１０）および前記支持部材（１６）の少なくとも周辺部を、前記支持表面（１４）の前記面に対して垂直な方向で互いに対して移動させるステップと、
   前記支持部材（１６）の前記周辺部に配置された拡張済み前記接着テープ（８）に第２環状フレーム（２２）を付けるステップであって、前記第２環状フレーム（２２）は、前記ウェハ（２）に付けられた前記接着テープ（８）の前記一面に付けられ、前記複数のダイ（２０）に分割された前記ウェハ（２）は、前記第２環状フレーム（２２）の中央開口内に配置される、前記ステップと、
   を有し、
   前記第２環状フレーム（２２）の内径は、前記支持表面（１４）の面における前記支持部材（１６）の外径より小さく、前記第１環状フレーム（１０）の内径より小さい、方法。
2. 前記接着テープ（８）に付けられた前記ウェハ（２）は、前記ウェハ（２）の分割前、前記支持部材（１６）の前記支持表面（１４）に配置され、
   前記支持表面（１４）に配置された前記ウェハ（２）は、前記分割ラインに沿って前記複数のダイ（２０）に分割される、請求項１に記載の方法。
3. 前記接着テープ（８）に付けられた前記ウェハ（２）は、前記ウェハの分割後、前記支持部材（１６）の前記支持表面（１４）に配置される、請求項１に記載の方法。
4. 前記支持表面（１４）の前記面に存在する前記方向において、前記接着テープ（８）を径方向に拡張し、それによって、ダイ（２０）を移動させるように、前記支持表面（１４）の前記面に対して垂直な方向で、前記第１環状フレーム（１０）および全体の前記支持部材（１６）が互いに対して移動される、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
5. 前記支持部材（１６）は、中央部（１６ａ）と、前記中央部（１６ａ）を囲む環状周辺部（１６ｂ）とを備え、
   前記支持部材（１６）の前記周辺部（１６ｂ）は、前記支持表面（１４）の前記面に垂直な方向で、前記支持部材（１６）の前記中央部（１６ａ）に対して移動可能であり、
   前記第１環状フレーム（１０）および前記支持部材（１６）の前記周辺部（１６ｂ）は、前記支持表面（１４）の前記面に対して垂直な方向で互いに対して移動され、前記支持表面（１４）の前記面に存在する方向で、前記接着テープ（８）を径方向に拡張し、これによって、前記ダイ（２０）を移動させ、互いに遠ざける、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
6. 前記第２環状フレーム（２２）を拡張された接着テープ（８）に付けた後、前記第２環状フレーム（２２）に付けられる前記接着テープ（８）の一部分の外側に配置される位置で、前記接着テープ（８）を周方向に切断するステップを更に有する、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
7. 前記接着テープ（８）を切断した後、前記接着テープ（８）が切断された位置と、前記第２環状フレーム（２２）に付けられる前記接着テープ（８）の一部分との間に配置される前記接着テープ（８）の一部分を、前記第２環状フレーム（２２）に付けるステップを更に有する、請求項６に記載の方法。
8. 前記第２環状フレーム（２２）の内径は、前記支持表面（１４）の面における前記支持部材（１６）の外径より小さく、さらに／または、前記第１環状フレーム（１０）の内径より２０ｍｍ以上小さい、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
9. 前記第１環状フレーム（１０）の外径は、前記第２環状フレーム（２２）の外径と実質的に同一である、請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
10. 前記第２環状フレーム（２２）は、半導体サイズの環状フレームである、請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
11. 前記分割ラインに沿って前記ウェハ（２）を前記複数のダイ（２０）に分割するステップは、プラズマ（ＰＬ）を前記ウェハに照射する工程を有する、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法。
12. 前記方法は、前記ウェハ（２）を前記接着テープ（８）付ける前又は後であって、前記ウェハ（２）に前記プラズマを照射する前に、前記接着テープ（８）に付けられるか付けられるべき前記面の反対側にある前記ウェハ（２）の面に、マスクを形成するステップを更に有し、
    前記マスクは、前記ウェハ（２）の前記一面（４）または、前記分割ラインの反対側にある前記一面（４）の反対側にある前記ウェハ（２）の前記一面（６）の前記領域で、前記分割ラインをむきだし状態で残すように形成され、
    前記プラズマ（ＰＬ）が、前記マスクが形成された前記ウェハ（２）に照射される、請求項１１に記載の方法。
13. 複数の分割ラインによって区切られた複数のデバイスを備えたデバイス領域を一面（４）に有するウェハ（２）を処理する為のウェハ処理システムであって、前記システムは、
    上部に前記ウェハ（２）を配置する為の支持表面（１４）を有する支持部材（１６）と、
    第１環状フレーム（１０）を保持する為の第１フレーム保持手段と、
    前記分割ラインに沿って前記ウェハ（２）を複数のダイ（２０）に分割する為の分割手段と、
    半導体サイズの第２環状フレーム（２２）を保持する為の第２フレーム保持手段と、
    を備え、
    前記支持部材（１６）および前記第１フレーム保持手段は、前記第１フレーム保持手段および前記支持部材（１６）の少なくとも周辺部が、前記支持表面（１４）の面に対して垂直な方向で互いに対して移動できるように構成され、
    前記支持部材（１６）および前記第２フレーム保持手段は、前記第２フレーム保持手段および前記支持部材の少なくとも周辺部が、前記支持表面（１４）の面に対して垂直な方向で互いに対して移動できるように構成され、
    前記支持部材の外径は、前記支持表面（１４）の面における前記半導体サイズの第２環状フレーム（２２）の内径より大きい、ウェハ処理システム。
14. 前記第１環状フレーム（１０）を更に備え、前記支持部材（１６）の前記外径は、前記支持表面（１４）の面における前記第１環状フレーム（１０）の内径より小さい、請求項１３に記載のウェハ処理システム。

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