JP2019220580A

JP2019220580A - Gettering layer forming device

Info

Publication number: JP2019220580A
Application number: JP2018117126A
Authority: JP
Inventors: 原田　晴司; Seiji Harada; 晴司原田
Original assignee: Disco Abrasive Systems Ltd
Current assignee: Disco Corp
Priority date: 2018-06-20
Filing date: 2018-06-20
Publication date: 2019-12-26
Anticipated expiration: 2038-06-20
Also published as: JP7094793B2

Abstract

To provide a gettering layer forming device capable of forming a gettering layer capable of suppressing a reduction in bending strength.SOLUTION: A gettering layer forming device 1 is a device that forms a gettering layer on the back surface of a wafer having a device formed on the front surface. The gettering layer forming device 1 includes holding means 3 for holding the back surface of the wafer whose back surface is at least ground or polished, and gettering layer forming means 4 for supplying a solution of a metal salt to the back surface of the wafer held by the holding means 3 and forming a gettering layer made of a metal salt on the back surface.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、不純物を捕集する機能のあるゲッタリング層をウェーハに形成するゲッタリング層形成装置に関する。 The present invention relates to a gettering layer forming apparatus for forming a gettering layer having a function of trapping impurities on a wafer.

電子機器等に組み込まれるデバイスチップを薄肉化、軽量化するために、デバイスチップへと分割される前のウェーハは、研削加工、及び研磨加工が順に施されることにより薄化されている。例えば、研削加工は、砥粒が結合材に分散されてなる工具（研削砥石）を回転させながら、ウェーハのデバイスが形成された表面の裏側の裏面に押し当てることで、このウェーハを研削して薄化している。 In order to reduce the thickness and weight of a device chip incorporated in an electronic device or the like, a wafer before being divided into device chips is thinned by sequentially performing a grinding process and a polishing process. For example, in the grinding process, while rotating a tool (grinding grindstone) in which abrasive grains are dispersed in a binder, the wafer is ground by pressing against the back side of the back side of the surface on which the device of the wafer is formed. Thinning.

前述した研磨加工が施されたウェーハは、裏面に歪み層等が無い状態であると、デバイスチップが金属汚染される虞が生じる。このために、ウェーハは、研磨加工が施された後に、ウェーハに含有される銅（Ｃｕ）などの金属を主とする不純物を捕捉して、デバイスチップの不純物による金属汚染を抑制するゲッタリング層が形成されている（例えば、特許文献１、特許文献２及び特許文献３参照）。前述した特許文献等に示された加工方法により形成されるゲッタリング層は、ウェーハの裏面に結晶欠陥、歪み、傷や変質層などが形成されることにより、不純物を補足する機能を発揮するものが一般的である。 If the wafer polished as described above does not have a strained layer or the like on the back surface, device chips may be contaminated with metal. For this reason, after the wafer is polished, the gettering layer that captures impurities mainly containing a metal such as copper (Cu) contained in the wafer and suppresses metal contamination due to the impurities of the device chip. Is formed (for example, see Patent Document 1, Patent Document 2, and Patent Document 3). The gettering layer formed by the processing method shown in the above-mentioned patent documents and the like exhibits a function of supplementing impurities by forming crystal defects, distortion, scratches, and altered layers on the back surface of the wafer. Is common.

特開２０１４−１８２６６９号公報JP 2014-182669 A 特開２０１５−０４６５５０号公報JP-A-2005-046550 特開２０１６−１８２６６９号公報JP-A-2006-182669

しかしながら、前述したゲッタリング層は、ウェーハの裏面に形成された結晶欠陥、歪み、傷や変質層により構成されているために、ウェーハ即ちデバイスチップの抗折強度を低下させてしまう。 However, the gettering layer described above is composed of crystal defects, distortions, scratches, and altered layers formed on the back surface of the wafer, and thus lowers the bending strength of the wafer, that is, the device chip.

本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、抗折強度の低下を抑制することができるゲッタリング層を形成できるゲッタリング層形成装置を提供することである。 The present invention has been made in view of such a problem, and an object of the present invention is to provide a gettering layer forming apparatus capable of forming a gettering layer capable of suppressing a reduction in bending strength. is there.

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のゲッタリング層形成装置は、表面にデバイスが形成されたウェーハの裏面にゲッタリング層を形成するゲッタリング層形成装置であって、裏面が少なくとも研削または研磨されたウェーハの該裏面を露出させた状態に保持する保持手段と、該保持手段で保持されたウェーハの該裏面に金属塩の溶液を供給して該裏面に該金属塩からなるゲッタリング層を形成するゲッタリング層形成手段と、を備えたことを特徴とする。 In order to solve the above-described problems and achieve the object, a gettering layer forming apparatus of the present invention is a gettering layer forming apparatus that forms a gettering layer on the back surface of a wafer having devices formed on the front surface, Holding means for holding the back surface of the wafer having at least the ground or polished surface exposed, and supplying a solution of a metal salt to the back surface of the wafer held by the holding means, and applying the metal salt solution to the back surface And a gettering layer forming means for forming a gettering layer comprising:

前記ゲッタリング層形成装置において、該保持手段は、ウェーハの該表面側を保持する回転テーブルを有し、該ゲッタリング層形成手段は、該金属塩の溶液を該回転テーブルで保持されたウェーハの該裏面に供給する供給ノズルを有してもよい。 In the gettering layer forming apparatus, the holding unit has a rotary table for holding the front side of the wafer, and the gettering layer forming unit is configured to transfer the solution of the metal salt to the wafer held on the rotary table. A supply nozzle for supplying the back surface may be provided.

前記ゲッタリング層形成装置において、該保持手段は、ウェーハの該表面側を保持する保持テーブルを有し、該ゲッタリング層形成手段は、該金属塩の溶液を該保持テーブルで保持されたウェーハの該裏面に噴射する噴射ノズルと、該噴射ノズルを該保持テーブルに対して相対移動させる移動手段と、を有してもよい。 In the gettering layer forming apparatus, the holding unit has a holding table for holding the front side of the wafer, and the gettering layer forming unit is configured to hold the solution of the metal salt on the wafer held on the holding table. An ejection nozzle for ejecting the ink to the back surface, and moving means for relatively moving the ejection nozzle with respect to the holding table may be provided.

前記ゲッタリング層形成装置において、該ゲッタリング層形成手段は、該金属塩の溶液を供給しつつ該保持手段で保持されたウェーハの該裏面に外側面が接触する柔軟部材からなるローラーと、該ローラーに対してウェーハを保持した該保持手段を相対移動させる移動手段と、を有してもよい。 In the gettering layer forming apparatus, the gettering layer forming means includes a roller formed of a flexible member having an outer surface in contact with the back surface of the wafer held by the holding means while supplying the metal salt solution; Moving means for relatively moving the holding means holding the wafer with respect to the roller.

前記ゲッタリング層形成装置において、ウェーハの表面側を保持するテーブルと、該テーブルで保持されたウェーハの該裏面を研削する研削手段と、該テーブルで保持されたウェーハの該裏面を研磨して該研削手段で生成された研削歪みを除去する研磨手段と、該研磨手段で該裏面が研磨されたウェーハを該保持手段へと搬送する搬送手段と、を更に備えてもよい。 In the gettering layer forming apparatus, a table for holding the front side of the wafer, grinding means for grinding the back side of the wafer held by the table, and polishing the back side of the wafer held by the table by polishing The polishing apparatus may further include a polishing means for removing grinding distortion generated by the grinding means, and a transport means for transporting the wafer whose back surface has been polished by the polishing means to the holding means.

本願発明のゲッタリング層形成装置は、抗折強度の低下を抑制することができるゲッタリング層を形成できるという効果を奏する。 The gettering layer forming apparatus of the present invention has an effect that a gettering layer capable of suppressing a decrease in bending strength can be formed.

図１は、実施形態１に係るゲッタリング層形成装置の概略を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view schematically showing the gettering layer forming apparatus according to the first embodiment. 図２は、図１に示されたゲッタリング層形成装置の要部を示す斜視図である。FIG. 2 is a perspective view showing a main part of the gettering layer forming apparatus shown in FIG. 図３は、図１に示されたゲッタリング層形成装置によりゲッタリング層が形成されたウェーハの一例を示す斜視図である。FIG. 3 is a perspective view showing an example of a wafer on which a gettering layer is formed by the gettering layer forming apparatus shown in FIG. 図４は、図１に示されたゲッタリング層形成装置の動作の一例であるゲッタリング層形成方法の流れを示すフローチャートである。FIG. 4 is a flowchart showing a flow of a gettering layer forming method which is an example of the operation of the gettering layer forming apparatus shown in FIG. 図５は、図１に示されたゲッタリング層形成装置に搬送されるウェーハを示す斜視図である。FIG. 5 is a perspective view showing a wafer transferred to the gettering layer forming apparatus shown in FIG. 図６は、図４に示されたゲッタリング層形成方法の塗布ステップを示す側面図である。FIG. 6 is a side view showing an application step of the gettering layer forming method shown in FIG. 図７は、図４に示されたゲッタリング層形成方法の塗布ステップ後のウェーハを示す側面図である。FIG. 7 is a side view showing the wafer after the application step of the gettering layer forming method shown in FIG. 図８は、図４に示されたゲッタリング層形成方法の乾燥ステップを示す側面図である。FIG. 8 is a side view showing a drying step of the gettering layer forming method shown in FIG. 図９は、実施形態２に係るゲッタリング層形成装置の要部を示す側面図である。FIG. 9 is a side view illustrating a main part of the gettering layer forming apparatus according to the second embodiment. 図１０は、実施形態３に係るゲッタリング層形成装置の要部を一部断面で示す側面図である。FIG. 10 is a side view showing a main part of the gettering layer forming apparatus according to the third embodiment in a partial cross section. 図１１は、図１０のゲッタリング層形成装置によるゲッタリング層形成方法の塗布ステップを示す側面図である。FIG. 11 is a side view showing an application step of the gettering layer forming method by the gettering layer forming apparatus of FIG. 図１２は、実施形態４に係るゲッタリング層形成装置の一部の概略を示す斜視図である。FIG. 12 is a perspective view schematically showing a part of the gettering layer forming apparatus according to the fourth embodiment. 図１３は、図１２に示されたゲッタリング形成装置がウェーハの裏面を研削する状態を示す側面図である。FIG. 13 is a side view showing a state where the gettering forming apparatus shown in FIG. 12 grinds the back surface of the wafer. 図１４は、図１２に示されたゲッタリング形成装置がウェーハの裏面を研磨する状態を示す側面図である。FIG. 14 is a side view showing a state in which the gettering forming apparatus shown in FIG. 12 polishes the back surface of the wafer. 図１５は、図１２に示されたゲッタリング形成装置の洗浄塗布ユニットの要部を示す斜視図である。FIG. 15 is a perspective view showing a main part of the cleaning / coating unit of the gettering forming apparatus shown in FIG.

本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。 An embodiment (embodiment) for carrying out the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The present invention is not limited by the contents described in the following embodiments. The components described below include those that can be easily assumed by those skilled in the art and those that are substantially the same. Further, the configurations described below can be appropriately combined. Further, various omissions, substitutions, or changes in the configuration can be made without departing from the spirit of the present invention.

〔実施形態１〕
本発明の実施形態１に係るゲッタリング層形成装置を図面に基づいて説明する。図１は、実施形態１に係るゲッタリング層形成装置の概略を示す斜視図である。図２は、図１に示されたゲッタリング層形成装置の要部を示す斜視図である。図３は、図１に示されたゲッタリング層形成装置によりゲッタリング層が形成されたウェーハの一例を示す斜視図である。 [Embodiment 1]
A gettering layer forming apparatus according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a perspective view schematically showing the gettering layer forming apparatus according to the first embodiment. FIG. 2 is a perspective view showing a main part of the gettering layer forming apparatus shown in FIG. FIG. 3 is a perspective view showing an example of a wafer on which a gettering layer is formed by the gettering layer forming apparatus shown in FIG.

実施形態１に係る図１及び図２に示すゲッタリング層形成装置１は、図３に示すウェーハ１００の裏面１０５にゲッタリング層３０２を形成する装置である。実施形態１に係るゲッタリング層形成装置１によってゲッタリング層３０２が形成されるウェーハ１００は、シリコン、又はガリウムヒ素などを基板とする円板状の半導体ウェーハや光デバイスウェーハである。 The gettering layer forming apparatus 1 shown in FIGS. 1 and 2 according to the first embodiment is an apparatus for forming a gettering layer 302 on the back surface 105 of the wafer 100 shown in FIG. The wafer 100 on which the gettering layer 302 is formed by the gettering layer forming apparatus 1 according to the first embodiment is a disk-shaped semiconductor wafer or an optical device wafer using silicon or gallium arsenide as a substrate.

（ウェーハ）
ウェーハ１００は、図３に示すように、表面１０１に格子状に交差した複数の分割予定ライン１０２が形成され、表面１０１の複数の分割予定ライン１０２で区画された複数の領域に、ＩＣ（Integrated Circuit）等のデバイス１０３が形成されている。即ち、ウェーハ１００は、表面１０１にデバイス１０３が形成されている。ウェーハ１００の表面１０１の裏側の裏面１０５に形成されるゲッタリング層３０２は、ウェーハ１００に含有される銅（Ｃｕ）などの金属を主とする不純物を捕捉して、デバイス１０３の不純物による金属汚染を抑制するものである。 (Wafer)
As shown in FIG. 3, the wafer 100 has a plurality of planned dividing lines 102 intersecting in a lattice pattern on a surface 101, and an IC (Integrated) is formed in a plurality of regions defined by the plurality of planned dividing lines 102 on the surface 101. Circuit 103). That is, the device 100 is formed on the front surface 101 of the wafer 100. The gettering layer 302 formed on the back surface 105 on the back side of the front surface 101 of the wafer 100 captures impurities mainly containing a metal such as copper (Cu) contained in the wafer 100, and contaminates the devices 103 with the impurities. Is to suppress.

（ゲッタリング層形成装置）
ゲッタリング層形成装置１は、図１に示すように、装置ハウジング２と、制御ユニット５と、保持手段３と、ゲッタリング層形成手段４とを備える。装置ハウジング２は、図３の縦方向である鉛直方向に延びた直方体形状の箱状に形成されている。 (Gettering layer forming device)
As shown in FIG. 1, the gettering layer forming apparatus 1 includes an apparatus housing 2, a control unit 5, a holding unit 3, and a gettering layer forming unit 4. The device housing 2 is formed in a rectangular parallelepiped box shape extending in the vertical direction which is the vertical direction in FIG.

制御ユニット５は、ゲッタリング層形成装置１を構成する構成要素をそれぞれ制御するものである。制御ユニット５は、ＣＰＵ（central processing unit）のようなマイクロプロセッサを有する演算処理装置と、ＲＯＭ（read only memory）又はＲＡＭ（random access memory）のようなメモリを有する記憶装置と、入出力インタフェース装置とを有し、コンピュータプログラムを実行可能なコンピュータである。 The control unit 5 controls each component of the gettering layer forming apparatus 1. The control unit 5 includes an arithmetic processing device having a microprocessor such as a CPU (central processing unit), a storage device having a memory such as a ROM (read only memory) or a RAM (random access memory), and an input / output interface device. And a computer capable of executing a computer program.

制御ユニット５の演算処理装置は、記憶装置に記憶されているコンピュータプログラムをＲＡＭ上で実行して、ゲッタリング層形成装置１を制御するための制御信号を生成し、生成した制御信号を入出力インタフェース装置を介してゲッタリング層形成装置１の各構成要素に出力する。また、制御ユニット５は、加工動作の状態や画像などを表示する液晶表示装置などにより構成される図示しない表示ユニットと、オペレータがゲッタリング層形成装置１の動作指示及び加工内容情報などを入力する際に用いる入力ユニット２１とが接続されている。実施形態１では、入力ユニット２１は、装置ハウジング２の外表面に設けられている。また、装置ハウジング２は、図１に示すように、制御ユニット５と、保持手段３と、ゲッタリング層形成手段４とを収容している。 The arithmetic processing unit of the control unit 5 executes a computer program stored in the storage device on the RAM, generates a control signal for controlling the gettering layer forming apparatus 1, and inputs / outputs the generated control signal. Output to each component of the gettering layer forming apparatus 1 via the interface device. The control unit 5 also includes a display unit (not shown) composed of a liquid crystal display device or the like that displays a state of a processing operation, an image, and the like, and an operator inputs an operation instruction of the gettering layer forming apparatus 1 and processing content information. The input unit 21 used in this case is connected. In the first embodiment, the input unit 21 is provided on the outer surface of the device housing 2. Further, as shown in FIG. 1, the device housing 2 contains a control unit 5, a holding unit 3, and a gettering layer forming unit 4.

保持手段３は、ゲッタリング層形成装置１によってゲッタリング層３０２が形成されるウェーハ１００を、ウェーハ１００の裏面１０５を露出させた状態に保持するものである。なお、実施形態１において、保持手段３により保持されるウェーハ１００は、裏面１０５に研削、研磨が順に施されて薄化されているが、本発明では、ウェーハ１００は、裏面１０５が少なくとも研削又は研磨されていれば良い。 The holding unit 3 holds the wafer 100 on which the gettering layer 302 is formed by the gettering layer forming apparatus 1 in a state where the back surface 105 of the wafer 100 is exposed. In the first embodiment, the wafer 100 held by the holding unit 3 is thinned by sequentially performing grinding and polishing on the back surface 105. In the present invention, the wafer 100 has at least the back surface 105 ground or polished. It is only necessary to be polished.

保持手段３は、図２に示すように、ウェーハ１００の表面１０１側を保持する回転テーブル３２と、回転テーブル３２を鉛直方向と平行なＺ軸方向に昇降移動させる昇降ユニット３９とを有している。回転テーブル３２は、チャックテーブル、及び、スピンナーテーブルとも呼ばれ、上面の中央にウェーハ１００を吸引保持する保持面３３がポーラスセラミックスからなり、保持面３３がステンレス鋼等の金属製の枠体３８により囲繞されている。保持面３３を構成するポーラスセラミックスは、円板状の多孔質材であり、図示しない真空吸引源に接続されている。回転テーブル３２は、真空吸引源から吸引されることで、保持面３３上にウェーハ１００を吸引保持する。また、回転テーブル３２は、下面に接続された回転軸３４を回転させる回転モータ３５の回転駆動によって、Ｚ軸方向と平行な軸心回りに高速回転される。 As shown in FIG. 2, the holding unit 3 includes a rotating table 32 that holds the front surface 101 of the wafer 100 and an elevating unit 39 that moves the rotating table 32 up and down in the Z-axis direction parallel to the vertical direction. I have. The rotating table 32 is also called a chuck table or a spinner table. A holding surface 33 for holding the wafer 100 by suction is formed of porous ceramics at the center of the upper surface, and the holding surface 33 is formed of a metal frame 38 made of stainless steel or the like. It is surrounded. The porous ceramics forming the holding surface 33 is a disk-shaped porous material, and is connected to a vacuum suction source (not shown). The rotary table 32 sucks and holds the wafer 100 on the holding surface 33 by being sucked from the vacuum suction source. In addition, the rotary table 32 is rotated at high speed around an axis parallel to the Z-axis direction by a rotational drive of a rotary motor 35 that rotates a rotary shaft 34 connected to the lower surface.

昇降ユニット３９は、回転モータ３５の外周面に取り付けられた複数のエアシリンダ３６を備える。昇降ユニット３９は、エアシリンダ３６のピストンロッド３７の伸縮によって回転テーブル３２を昇降移動する。エアシリンダ３６は、実施形態１では３つ設けられているが、本発明はこれに限定されず、２つ設けられても、４つ以上設けられてもよい。 The elevating unit 39 includes a plurality of air cylinders 36 attached to the outer peripheral surface of the rotary motor 35. The elevating unit 39 moves up and down the rotary table 32 by expansion and contraction of the piston rod 37 of the air cylinder 36. Although three air cylinders 36 are provided in the first embodiment, the present invention is not limited to this, and two or four or more air cylinders may be provided.

また、回転テーブル３２は、装置ハウジング２内のケーシング２２内に収容されている。ケーシング２２は、図２に示すように、円環状の底板２３により底側の開口が塞がれた円筒状に形成されている。ケーシング２２は、底板２３の内側に回転軸３４を通している。 Further, the turntable 32 is housed in the casing 22 in the device housing 2. As shown in FIG. 2, the casing 22 is formed in a cylindrical shape in which an opening on the bottom side is closed by an annular bottom plate 23. The casing 22 passes through the rotation shaft 34 inside the bottom plate 23.

ケーシング２２は、複数の脚部２４によって装置ハウジング２内に支持されている。また、ケーシング２２の底板２３の外縁から立設した外周板２５には、図１に示す排気ダクト２６が接続し、底板２３には、図２に示すドレインパイプ２７が接続されている。 The casing 22 is supported in the device housing 2 by a plurality of legs 24. Further, an exhaust duct 26 shown in FIG. 1 is connected to an outer peripheral plate 25 erected from the outer edge of the bottom plate 23 of the casing 22, and a drain pipe 27 shown in FIG. 2 is connected to the bottom plate 23.

ゲッタリング層形成手段４は、保持手段３で保持されたウェーハ１００の裏面１０５に金属塩の溶液３００を供給して裏面１０５に金属塩からなるゲッタリング層３０２を形成するものである。ゲッタリング層３０２を構成する金属塩としては、デバイス１０３に悪影響を与える銅（Ｃｕ）等の不純物を適切に捕集できるものが用いられる。具体的には、銅を捕集するゲッタリング層３０２を構成する金属塩は、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、スズ（Ｓｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ベリリウム（Ｂｅ）、亜鉛（Ｚｎ）、マンガン（Ｍｎ）、鉛（Ｐｂ）等に例示される銅との間で金属間結合を形成する金属、すなわち銅とともに合金を形成する金属を含む金属塩であることが好ましい。 The gettering layer forming unit 4 supplies the metal salt solution 300 to the back surface 105 of the wafer 100 held by the holding unit 3 to form a gettering layer 302 made of a metal salt on the back surface 105. As the metal salt forming the gettering layer 302, a metal salt that can appropriately collect impurities such as copper (Cu) that adversely affects the device 103 is used. Specifically, the metal salt forming the gettering layer 302 for collecting copper is titanium (Ti), aluminum (Al), tin (Sn), nickel (Ni), iron (Fe), and cobalt (Co). , Beryllium (Be), zinc (Zn), manganese (Mn), lead (Pb) and the like, a metal that forms an intermetallic bond with copper, that is, a metal salt containing a metal that forms an alloy with copper It is preferable that

一方で、金属塩の溶液３００に用いられる溶媒は、上述した金属塩を溶解できるものであれば、その種類に特段の制限はない。金属塩の溶液３００に用いられる溶媒は、具体的には、金属塩の種類等に応じて、硝酸の水溶液、塩酸（塩化水素の水溶液）、硫酸（水溶液）、酢酸の水溶液、水酸化ナトリウムの水溶液、アンモニア水（アンモニアの水溶液）等が例示される。 On the other hand, the solvent used for the metal salt solution 300 is not particularly limited as long as it can dissolve the above-described metal salt. The solvent used for the metal salt solution 300 is, specifically, an aqueous solution of nitric acid, hydrochloric acid (aqueous solution of hydrogen chloride), sulfuric acid (aqueous solution), an aqueous solution of acetic acid, or an aqueous solution of sodium hydroxide, depending on the type of the metal salt. An aqueous solution, aqueous ammonia (aqueous ammonia solution) and the like are exemplified.

なお、２価のチタン、スズ、ニッケル等の金属を含む金属塩を用いる場合は、例えば、裏面１０５上に供給された状態の金属塩の溶液３００が１×１０^１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２（すなわち、１ｃｍ^２あたり１×１０^１３個）以上の金属原子を含むように、金属塩の溶液３００の濃度等を調整することが好ましい。これにより、ゲッタリング層３０２は、銅等の不純物を適切に捕集して、デバイス１０３への悪影響を防止することができる。なお、塗布される溶液３００中の金属の量は、例えば、全反射蛍光Ｘ線分析（Total Reflection X-ray Fluorescence、ＴＸＲＦ）の分析結果及び計算などに基づいて管理することができる。 When a metal salt containing a metal such as divalent titanium, tin, nickel, or the like is used, for example, the metal salt solution 300 supplied on the back surface 105 is 1 × 10 ¹³ atoms / cm ² (ie, It is preferable to adjust the concentration and the like of the metal salt solution 300 so as to contain 1 × 10 ¹³ or more metal atoms per 1 cm ² . Accordingly, the gettering layer 302 can appropriately collect impurities such as copper and prevent the device 103 from being adversely affected. The amount of the metal in the solution 300 to be applied can be managed based on, for example, an analysis result of Total Reflection X-ray Fluorescence (TXRF) analysis and calculation.

また、３価のアルミニウムなどの金属を含む金属塩を用いる場合は、例えば、裏面１０５上に供給された状態の金属塩の溶液３００が１×１０^１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２（すなわち、１ｃｍ^２あたり１×１０^１２個）以上の金属原子を含むように、金属塩の溶液３００の濃度等を調整することが好ましい。この場合にも、ゲッタリング層３０２は、銅等の不純物を適切に捕集して、デバイス１０３への悪影響を防止することができる。 In the case of using a metal salt comprising a metal such as trivalent aluminum, for example, a solution 300 of a metal salt in a state of being supplied onto the back surface 105 is ^{^{1 × 10 12 atoms / cm 2}} ( i.e., 1 cm ² per 1 It is preferable to adjust the concentration of the metal salt solution 300 or the like so as to include (× 10 ¹² ) or more metal atoms. Also in this case, the gettering layer 302 can appropriately collect impurities such as copper and prevent the device 103 from being adversely affected.

ゲッタリング層形成手段４は、図１及び図２に示すように、供給ノズル４１と乾燥ユニット４２とを有する。供給ノズル４１は、金属塩の溶液３００を回転テーブル３２の保持面３３で保持されたウェーハ１００の裏面１０５に供給するものである。供給ノズル４１は、ケーシング２２内で回転テーブル３２の外周側に設けられている。供給ノズル４１は、金属液の溶液３００をウェーハ１００の裏面１０５に供給するノズル先端４１１が、回転テーブル３２の保持面３３の上方に位置する図１に示す位置と、保持面３３の上方から退避する図２に示す位置とに亘って旋回可能に支持されている。 The gettering layer forming means 4 has a supply nozzle 41 and a drying unit 42 as shown in FIGS. The supply nozzle 41 supplies the metal salt solution 300 to the back surface 105 of the wafer 100 held on the holding surface 33 of the turntable 32. The supply nozzle 41 is provided inside the casing 22 on the outer peripheral side of the turntable 32. The supply nozzle 41 retracts from the position shown in FIG. 1 where the nozzle tip 411 for supplying the metal liquid solution 300 to the back surface 105 of the wafer 100 is located above the holding surface 33 of the turntable 32 and from above the holding surface 33. 2 is pivotably supported over the position shown in FIG.

乾燥ユニット４２は、回転テーブル３２の保持面３３で保持されたウェーハ１００の裏面１０５を乾燥するものである。乾燥ユニット４２は、回転テーブル３２の保持面３３の上方に設けられている。実施形態１では、乾燥ユニット４２は、装置ハウジング２の天井に取り付けられている。乾燥ユニット４２は、回転テーブル３２の保持面３３の全体に乾燥風４００を吹き付けることができる。乾燥ユニット４２は、水平方向の大きさが、回転テーブル３２の保持面３３と同程度またはそれ以上であることが好ましく、この場合、回転テーブル３２の保持面３３において乾燥風４００を水平方向に均一に吹き付けることができる。 The drying unit 42 dries the back surface 105 of the wafer 100 held on the holding surface 33 of the turntable 32. The drying unit 42 is provided above the holding surface 33 of the turntable 32. In the first embodiment, the drying unit 42 is attached to the ceiling of the device housing 2. The drying unit 42 can blow the drying air 400 over the entire holding surface 33 of the turntable 32. The size of the drying unit 42 in the horizontal direction is preferably about the same as or larger than the holding surface 33 of the turntable 32, and in this case, the drying air 400 is uniformly distributed in the hold surface 33 of the turntable 32 in the horizontal direction. Can be sprayed on.

ゲッタリング層形成手段４は、供給ノズル４１がウェーハ１００の裏面１０５に供給した金属塩の溶液３００を乾燥ユニット４２が乾燥することにより、ウェーハ１００の裏面１０５に金属塩の溶液３００に含有された金属塩からなるゲッタリング層３０２を形成する。 The gettering layer forming means 4 includes the metal salt solution 300 supplied to the back surface 105 of the wafer 100 by the drying unit 42 drying the metal salt solution 300 supplied to the back surface 105 of the wafer 100 by the supply nozzle 41. A gettering layer 302 made of a metal salt is formed.

次に、実施形態１に係るゲッタリング層形成装置１の動作の一例であるゲッタリング層形成方法を説明する。図４は、図１に示されたゲッタリング層形成装置の動作の一例であるゲッタリング層形成方法の流れを示すフローチャートである。実施形態１に係るゲッタリング層形成方法は、ウェーハ１００の裏面１０５にゲッタリング層３０２を形成する方法である。実施形態１に係るゲッタリング層形成方法は、図４に示すように、保持ステップＳＴ１と、塗布ステップＳＴ２と、乾燥ステップＳＴ３と、を備える。 Next, a gettering layer forming method which is an example of the operation of the gettering layer forming apparatus 1 according to the first embodiment will be described. FIG. 4 is a flowchart showing a flow of a gettering layer forming method which is an example of the operation of the gettering layer forming apparatus shown in FIG. The gettering layer forming method according to the first embodiment is a method of forming a gettering layer 302 on the back surface 105 of the wafer 100. As shown in FIG. 4, the gettering layer forming method according to the first embodiment includes a holding step ST1, a coating step ST2, and a drying step ST3.

図５は、図１に示されたゲッタリング層形成装置に搬送されるウェーハを示す斜視図である。実施形態１に係るゲッタリング層形成装置１には、表面１０１に保護部材２００が貼着されて、裏面１０５に研削及び研磨が施された図５に示すウェーハ１００が搬送されてくる。 FIG. 5 is a perspective view showing a wafer transferred to the gettering layer forming apparatus shown in FIG. In the gettering layer forming apparatus 1 according to the first embodiment, the wafer 100 shown in FIG. 5 in which the protection member 200 is adhered to the front surface 101 and the back surface 105 is ground and polished is transferred.

（保持ステップ）
保持ステップＳＴ１は、保持手段３の回転テーブル３２が裏面１０５を露出させた状態でウェーハ１００を保持するステップである。保持ステップＳＴ１では、オペレータがウェーハ１００に貼着された保護部材２００を保持面３３に載置した後、ゲッタリング層形成装置１が保持面３３上に保護部材２００を介してウェーハ１００の表面１０１側を吸引保持する。ゲッタリング層形成方法は、保持面３３にウェーハ１００を吸引保持すると、塗布ステップＳＴ２に進む。 (Hold step)
The holding step ST1 is a step of holding the wafer 100 with the rotating table 32 of the holding unit 3 exposing the back surface 105. In the holding step ST <b> 1, after the operator places the protection member 200 stuck on the wafer 100 on the holding surface 33, the gettering layer forming apparatus 1 places the front surface 101 of the wafer 100 on the holding surface 33 via the protection member 200. Hold the side by suction. In the gettering layer forming method, when the wafer 100 is suction-held on the holding surface 33, the process proceeds to the coating step ST2.

（塗布ステップ）
図６は、図４に示されたゲッタリング層形成方法の塗布ステップを示す側面図である。図７は、図４に示されたゲッタリング層形成方法の塗布ステップ後のウェーハを示す側面図である。塗布ステップＳＴ２は、保持手段３に保持されたウェーハ１００の裏面１０５に金属塩の溶液３００を供給して、裏面１０５に金属塩の溶液３００からなる皮膜３０１を形成するステップである。 (Coating step)
FIG. 6 is a side view showing an application step of the gettering layer forming method shown in FIG. FIG. 7 is a side view showing the wafer after the application step of the gettering layer forming method shown in FIG. The application step ST2 is a step of supplying the metal salt solution 300 to the back surface 105 of the wafer 100 held by the holding means 3 to form a film 301 made of the metal salt solution 300 on the back surface 105.

塗布ステップＳＴ２では、図６に示すように、まず、ゲッタリング層形成装置１が、供給ノズル４１のノズル先端４１１を保持手段３で保持されたウェーハ１００の裏面１０５の中央の上方に位置させ、供給ノズル４１のノズル先端４１１から金属塩の溶液３００をウェーハ１００の裏面１０５の中央に滴下して供給する。 In the coating step ST2, as shown in FIG. 6, first, the gettering layer forming apparatus 1 positions the nozzle tip 411 of the supply nozzle 41 above the center of the back surface 105 of the wafer 100 held by the holding unit 3, From the nozzle tip 411 of the supply nozzle 41, the metal salt solution 300 is dropped and supplied to the center of the back surface 105 of the wafer 100.

また、塗布ステップＳＴ２では、ゲッタリング層形成装置１が金属塩の溶液３００の滴下とともに回転テーブル３２を軸心回りに高速回転する。すると、塗布ステップＳＴ２では、図６及び図７に示すように、回転モータ３５の回転によって高速回転する回転テーブル３２の遠心力によって、ゲッタリング層形成装置１がウェーハ１００の裏面１０５の中央に滴下された金属塩の溶液３００を裏面１０５上で膜厚が均等となるように水平方向に伸ばす。すると、塗布ステップＳＴ２では、ゲッタリング層形成装置１が裏面１０５全体に金属塩の溶液３００からなる皮膜３０１を形成する。 In the application step ST2, the gettering layer forming apparatus 1 rotates the rotary table 32 around the axis at a high speed with the drop of the metal salt solution 300. Then, in the coating step ST2, as shown in FIGS. 6 and 7, the gettering layer forming apparatus 1 is dropped on the center of the back surface 105 of the wafer 100 by the centrifugal force of the rotary table 32 which rotates at a high speed by the rotation of the rotary motor 35. The solution 300 of the metal salt thus obtained is spread horizontally on the back surface 105 so that the film thickness becomes uniform. Then, in the application step ST <b> 2, the gettering layer forming apparatus 1 forms a film 301 made of the metal salt solution 300 on the entire back surface 105.

なお、塗布ステップＳＴ２における回転テーブル３２の回転速度等の回転条件は、金属塩の溶液３００の滴下量及び粘度等に応じて、適宜決められる。また、塗布ステップＳＴ２において、ケーシング２２の外周板２５に向って飛び散りケーシング２２の底板２３上に流れ落ちた金属塩の溶液３００は、ドレインパイプ２７を通ってゲッタリング層形成装置１外に排水される。ゲッタリング層形成方法は、裏面１０５全体に皮膜３０１を形成すると、乾燥ステップＳＴ３に進む。 The rotation conditions such as the rotation speed of the turntable 32 in the coating step ST2 are appropriately determined according to the amount of the metal salt solution 300 dropped, the viscosity, and the like. Further, in the application step ST2, the metal salt solution 300 scattered toward the outer peripheral plate 25 of the casing 22 and dropped on the bottom plate 23 of the casing 22 is drained out of the gettering layer forming apparatus 1 through the drain pipe 27. . In the gettering layer forming method, when the film 301 is formed on the entire back surface 105, the process proceeds to the drying step ST3.

（乾燥ステップ）
図８は、図４に示されたゲッタリング層形成方法の乾燥ステップを示す側面図である。乾燥ステップＳＴ３は、塗布ステップＳＴ２で形成された皮膜３０１を乾燥することにより、ウェーハ１００の裏面１０５に皮膜３０１に含まれていた金属塩からなるゲッタリング層３０２を形成するステップである。 (Drying step)
FIG. 8 is a side view showing a drying step of the gettering layer forming method shown in FIG. The drying step ST3 is a step of drying the film 301 formed in the application step ST2 to form a gettering layer 302 made of the metal salt contained in the film 301 on the back surface 105 of the wafer 100.

乾燥ステップＳＴ３では、ゲッタリング層形成装置１が、供給ノズル４１のノズル先端４１１をウェーハ１００の裏面１０５の中央の上方から退避させ、かつノズル先端４１１からの金属塩の溶液３００の供給を停止するとともに、回転テーブル３２の回転を停止する。乾燥ステップＳＴ３では、ゲッタリング層形成装置１が、乾燥ユニット４２から回転テーブル３２の保持面３３に保持されたウェーハ１００の裏面１０５に形成された皮膜３０１に向けて、乾燥風４００を吹き付ける。これにより、乾燥ステップＳＴ３では、皮膜３０１に含有していた溶媒が蒸発して、皮膜３０１に含有していた金属塩の成分がウェーハ１００の裏面１０５に残存することにより、ゲッタリング層形成装置１は、金属塩からなるゲッタリング層３０２を形成する。なお、乾燥ステップＳＴ３では、ゲッタリング層形成装置１は、皮膜３０１に対して鉛直方向に沿って乾燥風４００を吹き付けるので、皮膜３０１に含まれる液体が水平方向に移動してしまうことに伴いゲッタリング層３０２の水平方向の厚みが不均一化してしまうことを防ぐことができる。 In the drying step ST3, the gettering layer forming apparatus 1 retracts the nozzle tip 411 of the supply nozzle 41 from above the center of the back surface 105 of the wafer 100, and stops the supply of the metal salt solution 300 from the nozzle tip 411. At the same time, the rotation of the turntable 32 is stopped. In the drying step ST3, the gettering layer forming apparatus 1 blows the drying air 400 from the drying unit 42 toward the film 301 formed on the back surface 105 of the wafer 100 held on the holding surface 33 of the turntable 32. Thereby, in the drying step ST3, the solvent contained in the film 301 evaporates, and the component of the metal salt contained in the film 301 remains on the back surface 105 of the wafer 100, so that the gettering layer forming apparatus 1 Forms a gettering layer 302 made of a metal salt. In the drying step ST3, since the gettering layer forming apparatus 1 blows the drying air 400 on the film 301 in the vertical direction, the gettering layer is formed by moving the liquid contained in the film 301 in the horizontal direction. It is possible to prevent the thickness of the ring layer 302 from becoming uneven in the horizontal direction.

ゲッタリング層形成方法は、乾燥風４００を予め所定時間吹き付けて、皮膜３０１を乾燥してゲッタリング層３０２を形成すると終了する。なお、実施形態１において、乾燥ステップＳＴ３では、乾燥風４００を吹き付けて、皮膜３０１を乾燥させたが、本発明は、金属塩の溶液３００を供給することなく回転テーブル３２を回転させて、皮膜３０１を乾燥させても良い。なお、ゲッタリング層３０２が形成されたウェーハ１００は、分割予定ライン１０２に沿って個々のデバイス１０３に分割される。 The gettering layer forming method ends when the drying air 400 is blown in advance for a predetermined time to dry the film 301 and form the gettering layer 302. In the first embodiment, in the drying step ST3, the drying air 400 is blown to dry the film 301. However, the present invention is to rotate the turntable 32 without supplying the metal salt solution 300, and 301 may be dried. Note that the wafer 100 on which the gettering layer 302 is formed is divided into individual devices 103 along the dividing lines 102.

実施形態１に係るゲッタリング層形成装置１は、保持手段３で保持されたウェーハ１００の裏面１０５に金属塩の溶液３００を供給して、裏面１０５にこの溶液３００に含まれる金属塩からなるゲッタリング層３０２を形成するゲッタリング層形成手段４を備えている。その結果、ゲッタリング層形成装置１は、裏面１０５に結晶欠陥、歪み、傷や変質層などを形成することなく、ゲッタリング層３０２を裏面１０５に形成できるので、ウェーハ１００から分割されたデバイス１０３の抗折強度の低下を抑制することができるゲッタリング層３０２を形成することができる。 The gettering layer forming apparatus 1 according to the first embodiment supplies the metal salt solution 300 to the back surface 105 of the wafer 100 held by the holding unit 3, and obtains the getter made of the metal salt contained in the solution 300 on the back surface 105. A gettering layer forming means 4 for forming the ring layer 302 is provided. As a result, the gettering layer forming apparatus 1 can form the gettering layer 302 on the back surface 105 without forming crystal defects, distortions, scratches, and altered layers on the back surface 105. , A gettering layer 302 capable of suppressing a reduction in bending strength can be formed.

また、実施形態１に係るゲッタリング層形成装置１は、ウェーハ１００を保持する保持手段３がウェーハ１００の表面１０１側を保持する回転テーブル３２を有し、ゲッタリング層形成手段４が金属塩の溶液３００を回転テーブル３２で保持されたウェーハ１００の裏面１０５に供給する供給ノズル４１を有する。その結果、ゲッタリング層形成装置１は、供給ノズル４１で滴下して供給した金属塩の溶液３００を回転テーブル３２の回転動作を利用して、ウェーハ１００の裏面１０５上で水平方向に伸ばすことができるため、ウェーハ１００の裏面１０５に傷や歪等を与えることなく、ゲッタリング層３０２を形成することができる。 Further, in the gettering layer forming apparatus 1 according to the first embodiment, the holding means 3 for holding the wafer 100 has the turntable 32 for holding the front surface 101 side of the wafer 100, and the gettering layer forming means 4 is made of a metal salt. It has a supply nozzle 41 for supplying the solution 300 to the back surface 105 of the wafer 100 held by the turntable 32. As a result, the gettering layer forming apparatus 1 can extend the metal salt solution 300 dropped and supplied by the supply nozzle 41 on the back surface 105 of the wafer 100 in the horizontal direction by using the rotating operation of the rotary table 32. Therefore, the gettering layer 302 can be formed without giving any damage or distortion to the back surface 105 of the wafer 100.

〔実施形態２〕
本発明の実施形態２に係るゲッタリング層形成装置１−２を図面に基づいて説明する。図９は、実施形態２に係るゲッタリング層形成装置の要部を示す側面図である。なお、図９は、実施形態１と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。 [Embodiment 2]
A gettering layer forming apparatus 1-2 according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 9 is a side view illustrating a main part of the gettering layer forming apparatus according to the second embodiment. In FIG. 9, the same portions as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.

実施形態２に係るゲッタリング層形成装置１−２は、実施形態１に係るゲッタリング層形成装置１において、ゲッタリング層形成手段４−２が供給ノズル４１の代わりに噴射ノズル４３と移動手段４４とを有すること以外、実施形態１に示されたゲッタリング層形成手段４と構成が同じである。 The gettering layer forming apparatus 1-2 according to the second embodiment is different from the gettering layer forming apparatus 1 according to the first embodiment in that the gettering layer forming unit 4-2 is configured such that the injection nozzle 43 and the moving unit 44 are used instead of the supply nozzle 41. The configuration is the same as that of the gettering layer forming means 4 shown in the first embodiment except that the device has

噴射ノズル４３は、金属塩の溶液３００を保持テーブルである回転テーブル３２で保持されたウェーハ１００の裏面１０５に噴射するものである。噴射ノズル４３は、図９に示すように、回転テーブル３２の保持面３３と対向して設けられている。移動手段４４は、噴射ノズル４３を保持面３３と平行な方向に沿って、回転テーブル３２に対して相対移動させるものである。噴射ノズル４３及び移動手段４４は、制御ユニット５に接続されており、制御ユニット５により、金属塩の溶液３００の噴射量、噴射ノズル４３の回転テーブル３２に対する相対位置、及び、噴射ノズル４３の回転テーブル３２に対する相対移動速度が、適宜制御される。 The spray nozzle 43 sprays the metal salt solution 300 onto the back surface 105 of the wafer 100 held by the rotating table 32 as a holding table. The injection nozzle 43 is provided to face the holding surface 33 of the turntable 32, as shown in FIG. The moving means 44 moves the injection nozzle 43 relative to the turntable 32 along a direction parallel to the holding surface 33. The injection nozzle 43 and the moving unit 44 are connected to the control unit 5, and the control unit 5 controls the injection amount of the metal salt solution 300, the relative position of the injection nozzle 43 with respect to the rotary table 32, and the rotation of the injection nozzle 43. The relative movement speed with respect to the table 32 is appropriately controlled.

実施形態２に係るゲッタリング層形成方法の塗布ステップＳＴ２では、ゲッタリング層形成装置１−２が、図９に示すように、移動手段４４により移動される噴射ノズル４３から保持手段３で保持されたウェーハ１００の裏面１０５に金属塩の溶液３００を所定時間噴射する。なお、本発明では、実施形態２に係るゲッタリング層形成方法の塗布ステップＳＴ２では、ゲッタリング層形成装置１−２が、回転テーブル３２を軸心回りに高速回転させても良く、高速回転させなくても良い。このようにして、実施形態２に係る塗布ステップＳＴ２では、実施形態１と同様に、保持手段３で保持されたウェーハ１００の裏面１０５の全面に金属塩の溶液３００の皮膜３０１を形成する。 In the application step ST2 of the gettering layer forming method according to the second embodiment, the gettering layer forming apparatus 1-2 is held by the holding means 3 from the injection nozzle 43 moved by the moving means 44, as shown in FIG. The metal salt solution 300 is sprayed onto the back surface 105 of the wafer 100 for a predetermined time. In the present invention, in the application step ST2 of the gettering layer forming method according to the second embodiment, the gettering layer forming apparatus 1-2 may rotate the rotary table 32 at high speed around the axis, or may rotate at high speed. You don't have to. In this manner, in the coating step ST2 according to the second embodiment, similarly to the first embodiment, the coating 301 of the metal salt solution 300 is formed on the entire back surface 105 of the wafer 100 held by the holding unit 3.

実施形態２に係るゲッタリング層形成方法において、金属塩の溶液３００の濃度、粘度及び噴射量、並びに、噴射ノズル４３の回転テーブル３２に対する相対位置及び相対移動速度等は、皮膜３０１の状態における金属原子の目標含有量等に応じて、適宜決められる。 In the gettering layer forming method according to the second embodiment, the concentration, the viscosity, and the injection amount of the solution 300 of the metal salt, the relative position and the relative moving speed of the injection nozzle 43 with respect to the rotary table 32, and the like are determined by the metal in the state of the film 301. It is appropriately determined according to the target content of atoms and the like.

実施形態２に係るゲッタリング層形成装置１−２は、保持手段３で保持されたウェーハ１００の裏面１０５に金属塩の溶液３００を供給して、裏面１０５にこの溶液３００に含まれる金属塩からなるゲッタリング層３０２を形成するゲッタリング層形成手段４−２を備えているため、実施形態１と同様に、デバイス１０３の抗折強度の低下を抑制することができるゲッタリング層３０２を形成することができる。 The gettering layer forming apparatus 1-2 according to the second embodiment supplies the metal salt solution 300 to the back surface 105 of the wafer 100 held by the holding unit 3 and converts the metal salt contained in the solution 300 to the back surface 105. Since the device includes the gettering layer forming means 4-2 for forming the gettering layer 302, the gettering layer 302 capable of suppressing a reduction in the bending strength of the device 103 is formed as in the first embodiment. be able to.

また、実施形態２に係るゲッタリング層形成装置１−２は、ゲッタリング層形成手段４−２が金属塩の溶液３００を回転テーブル３２で保持されたウェーハ１００の裏面１０５に噴射する噴射ノズル４３と、噴射ノズル４３を回転テーブル３２に対して相対移動させる移動手段４４と、を有している。その結果、ゲッタリング層形成装置１−２は、ウェーハ１００の裏面１０５の全面に金属塩の溶液３００の皮膜３０１を形成でき、ウェーハ１００の裏面１０５に傷や歪等を与えることなく、ゲッタリング層３０２を形成することができる。 Further, the gettering layer forming apparatus 1-2 according to the second embodiment includes an injection nozzle 43 in which the gettering layer forming unit 4-2 injects the metal salt solution 300 onto the back surface 105 of the wafer 100 held by the turntable 32. And a moving means 44 for moving the injection nozzle 43 relative to the rotary table 32. As a result, the gettering layer forming apparatus 1-2 can form the film 301 of the solution 300 of the metal salt on the entire surface of the back surface 105 of the wafer 100, and can perform the gettering without damaging or distorting the back surface 105 of the wafer 100. A layer 302 can be formed.

〔実施形態３〕
本発明の実施形態３に係るゲッタリング層形成装置１−３を図面に基づいて説明する。図１０は、実施形態３に係るゲッタリング層形成装置の要部を一部断面で示す側面図である。図１１は、図１０のゲッタリング層形成装置によるゲッタリング層形成方法の塗布ステップを示す側面図である。なお、図１０及び図１１は、実施形態１と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。 [Embodiment 3]
A gettering layer forming apparatus 1-3 according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 10 is a side view showing a main part of the gettering layer forming apparatus according to the third embodiment in a partial cross section. FIG. 11 is a side view showing an application step of the gettering layer forming method by the gettering layer forming apparatus of FIG. 10 and 11, the same parts as those of the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.

実施形態３に係るゲッタリング層形成装置１−３は、実施形態１に係るゲッタリング層形成装置１において、ゲッタリング層形成手段４−３が供給ノズル４１の代わりにローラー４５と移動手段４６（図１１に示す）とを有すること以外、実施形態１に示されたゲッタリング層形成手段４と構成が同じである。 The gettering layer forming apparatus 1-3 according to the third embodiment is different from the gettering layer forming apparatus 1 according to the first embodiment in that the gettering layer forming unit 4-3 includes the roller 45 and the moving unit 46 (instead of the supply nozzle 41). 11 (shown in FIG. 11), the configuration is the same as that of the gettering layer forming means 4 shown in the first embodiment.

ローラー４５は、保持手段３で保持されたウェーハ１００の裏面１０５に金属塩の溶液３００を供給しつつ保持手段３で保持されたウェーハ１００の裏面１０５に外側面４５１が接触する柔軟部材からなるものである。ローラー４５を構成する柔軟部材は、ポリウレタンを発泡成形して作られるスポンジやＰＶＡ（Polyvinyl Alcohol）スポンジ等から構成される。ローラー４５は、所定の厚みを有する円筒形状に形成されている。ローラー４５は、内側に円筒状のシャフト４７が固定されている。 The roller 45 is made of a flexible member that contacts the outer surface 451 to the back surface 105 of the wafer 100 held by the holding unit 3 while supplying the metal salt solution 300 to the back surface 105 of the wafer 100 held by the holding unit 3. It is. The flexible member constituting the roller 45 is made of a sponge made by foaming and molding polyurethane, a PVA (Polyvinyl Alcohol) sponge, or the like. The roller 45 is formed in a cylindrical shape having a predetermined thickness. The roller 45 has a cylindrical shaft 47 fixed inside.

シャフト４７の内側には、金属塩の溶液３００を通す供給路４７１が形成されている。シャフト４７は、供給路４７１に供給された金属塩の溶液３００をローラー４５に供給する供給孔４７２が軸方向に等間隔でかつ円周方向に千鳥状に複数設けられている。シャフト４７の一方の端部には、供給路４７１に金属塩の溶液３００を供給する金属塩溶液供給源４７３が接続されている。また、シャフト４７は、図示しないモータにより軸心回りに回転される。 A supply path 471 through which the metal salt solution 300 passes is formed inside the shaft 47. The shaft 47 is provided with a plurality of supply holes 472 for supplying the metal salt solution 300 supplied to the supply path 471 to the roller 45 at regular intervals in the axial direction and in a staggered manner in the circumferential direction. One end of the shaft 47 is connected to a metal salt solution supply source 473 that supplies the metal salt solution 300 to the supply path 471. The shaft 47 is rotated around an axis by a motor (not shown).

また、ローラー４５は、図１０に示すように、ローラーケース４８によりシャフト４７を中心に回転可能に支持されている。ローラーケース４８は、ローラー４５の外側面４５１がウェーハ１００の裏面１０５に密着するように支持板４８１との間に設けられた弾性部材４８２により付勢されている。弾性部材４８２は、例えば、スプリングであり、ローラーケース４８の一端部を図１０の下方向に付勢している。なお、弾性部材４８２は、スプリングに限定されるものではなくゴム柱等であってもよい。 The roller 45 is supported by a roller case 48 so as to be rotatable about a shaft 47, as shown in FIG. The roller case 48 is urged by an elastic member 482 provided between the roller plate 48 and the support plate 481 such that the outer surface 451 of the roller 45 is in close contact with the back surface 105 of the wafer 100. The elastic member 482 is, for example, a spring and urges one end of the roller case 48 downward in FIG. The elastic member 482 is not limited to a spring but may be a rubber column or the like.

支持板４８１は、エアシリンダ等に例示される図示しない昇降手段に取り付けられて、昇降される。ローラー４５は、昇降手段により支持板４８１が昇降されることで、外側面４５１がウェーハ１００の裏面１０５に接近する位置と、裏面１０５から遠ざけられた位置とに亘って移動する。なお、昇降手段は、エアシリンダに限定されず、モータによりボールネジを回動させることで昇降するボールネジ機構であってもよい。 The support plate 481 is attached to elevating means (not shown), such as an air cylinder, and is moved up and down. The roller 45 moves between a position where the outer surface 451 approaches the rear surface 105 of the wafer 100 and a position where the outer surface 451 is moved away from the rear surface 105 by the lifting and lowering of the support plate 481. The elevating means is not limited to the air cylinder, and may be a ball screw mechanism that moves up and down by rotating a ball screw by a motor.

移動手段４６は、ローラー４５に対して、ウェーハ１００を保持した保持手段３の回転テーブル３２を相対移動させるものであって、実施形態３では、回転モータ３５と昇降ユニット３９とにより構成される。 The moving unit 46 moves the rotary table 32 of the holding unit 3 holding the wafer 100 relative to the roller 45, and in the third embodiment, includes a rotating motor 35 and a lifting unit 39.

実施形態３に係るゲッタリング層形成装置１−３の動作の一例であるゲッタリング層形成方法の塗布ステップＳＴ２では、まず、ゲッタリング層形成装置１−３が、昇降手段により支持板４８１をウェーハ１００の裏面１０５に接近させて、図１１に示すように、ローラー４５の外側面４５１を保持手段３の回転テーブル３２の保持面３３で保持されたウェーハ１００の裏面１０５の中央に接触させる。実施形態３に係る塗布ステップＳＴ２では、ゲッタリング層形成装置１−３が、金属塩溶液供給源４７３からローラー４５に金属塩の溶液３００を供給し、ローラー４５を金属塩の溶液３００で浸した状態として、回転テーブル３２を回転モータ３５で軸心回りに回転させる。 In the application step ST2 of the gettering layer forming method which is an example of the operation of the gettering layer forming apparatus 1-3 according to the third embodiment, first, the gettering layer forming apparatus 1-3 sets the support plate 481 on the wafer by the elevating means. 11, the outer surface 451 of the roller 45 is brought into contact with the center of the back surface 105 of the wafer 100 held by the holding surface 33 of the rotary table 32 of the holding means 3 as shown in FIG. In the application step ST2 according to the third embodiment, the gettering layer forming apparatus 1-3 supplies the metal salt solution 300 from the metal salt solution supply source 473 to the roller 45, and immerses the roller 45 in the metal salt solution 300. As a state, the rotary table 32 is rotated around the axis by the rotary motor 35.

塗布ステップＳＴ２では、ゲッタリング層形成装置１−３が、図示しないモータによりローラー４５をシャフト４７とともに軸心回りに回転させて、ローラー４５に浸された金属塩の溶液３００をウェーハ１００の裏面１０５に供給し、回転テーブル３２の回転により裏面１０５全面に溶液３００を塗布する。このようにして、実施形態３に係る塗布ステップＳＴ２では、保持手段３で保持されたウェーハ１００の裏面１０５の全面に金属塩の溶液３００を塗布して、裏面１０５の全面に金属塩の溶液３００からなる皮膜３０１を形成する。 In the coating step ST2, the gettering layer forming apparatus 1-3 rotates the roller 45 around the axis with the shaft 47 by a motor (not shown), and the metal salt solution 300 immersed in the roller 45 is transferred to the back surface 105 of the wafer 100. And the solution 300 is applied to the entire back surface 105 by the rotation of the turntable 32. In this manner, in the application step ST2 according to the third embodiment, the metal salt solution 300 is applied to the entire surface of the back surface 105 of the wafer 100 held by the holding unit 3, and the metal salt solution 300 is applied to the entire surface of the back surface 105. Is formed.

実施形態３に係るゲッタリング層形成装置１−３は、保持手段３で保持されたウェーハ１００の裏面１０５に金属塩の溶液３００を供給して、裏面１０５にこの溶液３００に含まれる金属塩からなるゲッタリング層３０２を形成するゲッタリング層形成手段４−３を備えているため、実施形態１と同様に、デバイス１０３の抗折強度の低下を抑制することができるゲッタリング層３０２を形成することができる。 The gettering layer forming apparatus 1-3 according to the third embodiment supplies the metal salt solution 300 to the back surface 105 of the wafer 100 held by the holding unit 3 and converts the metal salt contained in the solution 300 to the back surface 105. Since the gettering layer forming means 4-3 for forming the gettering layer 302 is provided, the gettering layer 302 capable of suppressing a decrease in the bending strength of the device 103 is formed as in the first embodiment. be able to.

また、実施形態３に係るゲッタリング層形成装置１−３は、ゲッタリング層形成手段４−３が金属塩の溶液３００を供給しつつ保持手段３の回転テーブル３２で保持されたウェーハ１００の裏面１０５に外周面が接触する柔軟部材からなるローラー４５を有し、回転モータ３５でローラー４５に対してウェーハ１００を保持した保持手段３の回転テーブル３２を回転させて相対移動させるというゲッタリング層形成手段４−３を備えている。その結果、ゲッタリング層形成装置１−３は、ウェーハ１００の裏面１０５の全面に金属塩の溶液３００の皮膜３０１を形成することができるため、ウェーハ１００の裏面１０５に傷や歪等を与えることなく、ゲッタリング層３０２を形成することができる。 Further, the gettering layer forming apparatus 1-3 according to the third embodiment is configured such that the gettering layer forming unit 4-3 supplies the metal salt solution 300 while holding the back surface of the wafer 100 held by the rotary table 32 of the holding unit 3. A gettering layer formation in which a roller 45 made of a flexible member whose outer peripheral surface is in contact with 105 is rotated relative to the roller 45 by a rotary motor 35 to rotate the rotary table 32 of the holding means 3 holding the wafer 100. Means 4-3 are provided. As a result, the gettering layer forming apparatus 1-3 can form the film 301 of the solution 300 of the metal salt on the entire surface of the back surface 105 of the wafer 100. Instead, the gettering layer 302 can be formed.

〔実施形態４〕
本発明の実施形態４に係るゲッタリング層形成装置１−４を図面に基づいて説明する。図１２は、実施形態４に係るゲッタリング層形成装置の一部の概略を示す斜視図である。図１３は、図１２に示されたゲッタリング形成装置がウェーハの裏面を研削する状態を示す側面図である。図１４は、図１２に示されたゲッタリング形成装置がウェーハの裏面を研磨する状態を示す側面図である。図１５は、図１２に示されたゲッタリング形成装置の洗浄塗布ユニットの要部を示す斜視図である。なお、図１３、図１４及び図１５は、実施形態１と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。 [Embodiment 4]
A gettering layer forming apparatus 1-4 according to a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 12 is a perspective view schematically showing a part of the gettering layer forming apparatus according to the fourth embodiment. FIG. 13 is a side view showing a state where the gettering forming apparatus shown in FIG. 12 grinds the back surface of the wafer. FIG. 14 is a side view showing a state in which the gettering forming apparatus shown in FIG. 12 polishes the back surface of the wafer. FIG. 15 is a perspective view showing a main part of the cleaning / coating unit of the gettering forming apparatus shown in FIG. 13, 14, and 15, the same parts as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.

実施形態４に係るゲッタリング層形成装置１−４は、実施形態１に係るゲッタリング層形成装置１に相当する洗浄塗布ユニット５１２を備えて、ウェーハ１００を研削、研磨した後に金属塩からなるゲッタリング層３０２を裏面１０５に形成する研削研磨装置である。 The gettering layer forming apparatus 1-4 according to the fourth embodiment includes a cleaning / coating unit 512 corresponding to the gettering layer forming apparatus 1 according to the first embodiment, and a getter made of a metal salt after grinding and polishing the wafer 100. This is a grinding and polishing apparatus for forming the ring layer 302 on the back surface 105.

実施形態４に係るゲッタリング層形成装置１−４は、図１２に示すように、装置本体５０１と、第１の研削ユニット５０２と、第２の研削ユニット５０３と、研磨ユニット５０４と、ターンテーブル５０５上に設置された例えば４つのテーブル５０６と、カセット５０７，５０８と、位置合わせユニット５０９と、搬入ユニット５１０と、搬出ユニット５１１と、搬出入ユニット５１３と、洗浄塗布ユニット５１２と、図示しない制御ユニットとを主に備えている。 As shown in FIG. 12, the gettering layer forming apparatus 1-4 according to the fourth embodiment includes an apparatus main body 501, a first grinding unit 502, a second grinding unit 503, a polishing unit 504, and a turntable. For example, four tables 506 installed on the 505, cassettes 507 and 508, a positioning unit 509, a carry-in unit 510, a carry-out unit 511, a carry-in / out unit 513, a cleaning / coating unit 512, and a control (not shown) It is mainly equipped with a unit.

第１の研削ユニット５０２は、図１３に示すように、スピンドル５０２−１の下端に装着された研削砥石５０２−２を有する研削ホイール５０２−３が回転されながら粗研削位置６０２のテーブル５０６で保持されたウェーハ１００の裏面１０５に鉛直方向と平行なＺ軸方向に沿って押圧されることによって、ウェーハ１００の裏面１０５を粗研削する研削手段である。同様に、第２の研削ユニット５０３は、図１３に示すように、スピンドル５０３−１の下端に装着された研削砥石５０３−２を有する研削ホイール５０３−３が回転されながら仕上げ研削位置６０３に位置するテーブル５０６に保持された粗研削済みのウェーハ１００の裏面１０５にＺ軸方向に沿って押圧されることによって、ウェーハ１００の裏面１０５を仕上げ研削する研削手段である。 As shown in FIG. 13, the first grinding unit 502 holds a table 506 at a coarse grinding position 602 while rotating a grinding wheel 502-3 having a grinding wheel 502-2 mounted on a lower end of a spindle 502-1. This is a grinding means for roughly grinding the back surface 105 of the wafer 100 by being pressed along the Z-axis direction parallel to the vertical direction on the back surface 105 of the wafer 100 thus formed. Similarly, as shown in FIG. 13, the second grinding unit 503 is positioned at the finish grinding position 603 while the grinding wheel 503-3 having the grinding wheel 503-2 mounted on the lower end of the spindle 503-1 is rotated. This is a grinding unit that finish-grinds the back surface 105 of the wafer 100 by being pressed along the Z-axis direction onto the back surface 105 of the roughly ground wafer 100 held on the table 506.

なお、実施形態１において、図１３に示すように、第１の研削ユニット５０２及び第２の研削ユニット５０３の研削ホイール５０２−３，５０３−３の回転中心である軸心と、テーブル５０６の回転中心である軸心とは、互いに平行であるとともに、水平方向に間隔をあけて配置されている。なお、実施形態１では、研削ユニット５０２，５０３は、ウェーハ１００に純水等の研削水を供給しながらウェーハ１００の裏面１０５を研削する。 In the first embodiment, as shown in FIG. 13, the axes of rotation of the grinding wheels 502-3 and 503-3 of the first grinding unit 502 and the second grinding unit 503, and the rotation of the table 506. The center axes are parallel to each other and are spaced apart in the horizontal direction. In the first embodiment, the grinding units 502 and 503 grind the back surface 105 of the wafer 100 while supplying grinding water such as pure water to the wafer 100.

研磨ユニット５０４は、図１４に示すように、スピンドル５０４−１の下端に装着された研磨工具５０４−２の研磨パッド５０４−３が回転されながら、研磨位置６０４に位置するテーブル５０６で保持された仕上げ研削済みのウェーハ１００の裏面１０５にＺ軸方向に沿って押圧される。研磨ユニット５０４は、研磨工具５０４−２の研磨パッド５０４−３がウェーハ１００の裏面１０５にＺ軸方向に沿って押圧されることによって、ウェーハ１００の裏面１０５を研磨して、研削ユニット５０２，５０３で生成された研削歪を除去する研磨手段である。なお、実施形態１では、研磨ユニット５０４は、ウェーハ１００に研磨液を供給しながらウェーハ１００の裏面１０５を研磨する。なお、研磨液として、純水又はアルカリ性の研磨液を用いる。アルカリ性の研磨液を用いる場合、研磨ユニット５０４は、化学的機械的研磨（ＣＭＰ：Chemical Mechanical Polishing）でウェーハ１００の裏面１０５を研磨する。研磨ユニット５０４は、本実施形態ではＣＭＰで研磨するが、本発明はこれに限定されず、研磨液を用いない所謂乾式研磨でウェーハ１００の裏面１０５を研磨してもよい。 As shown in FIG. 14, the polishing unit 504 is held by the table 506 located at the polishing position 604 while the polishing pad 504-3 of the polishing tool 504-2 mounted on the lower end of the spindle 504-1 is rotated. It is pressed against the back surface 105 of the finish-ground wafer 100 along the Z-axis direction. The polishing unit 504 polishes the back surface 105 of the wafer 100 by pressing the polishing pad 504-3 of the polishing tool 504-2 against the back surface 105 of the wafer 100 along the Z-axis direction. This is a polishing means for removing the grinding distortion generated in the above. In the first embodiment, the polishing unit 504 polishes the back surface 105 of the wafer 100 while supplying a polishing liquid to the wafer 100. Note that pure water or an alkaline polishing liquid is used as the polishing liquid. When an alkaline polishing liquid is used, the polishing unit 504 polishes the back surface 105 of the wafer 100 by chemical mechanical polishing (CMP). In the present embodiment, the polishing unit 504 polishes by CMP, but the present invention is not limited to this. The back surface 105 of the wafer 100 may be polished by so-called dry polishing without using a polishing liquid.

ターンテーブル５０５は、装置本体５０１の上面に設けられた円盤状のテーブルであり、水平面内で回転可能に設けられ、所定のタイミングで回転駆動される。このターンテーブル５０５上には、例えば４つのテーブル５０６が、例えば９０度の位相角で等間隔に配設されている。これら４つのテーブル５０６は、保持面に真空チャックを備えたチャックテーブル構造のものであり、保持面に載置された保護部材２００を介してウェーハ１００の表面１０１側を真空吸着して、ウェーハ１００の表面１０１側を保持する。これらテーブル５０６は、研削時及び研磨時には、鉛直方向と平行な軸を回転軸として、回転駆動機構によって水平面内で回転駆動される。このようなテーブル５０６は、ターンテーブル５０５の回転によって、搬入搬出位置６０１、粗研削位置６０２、仕上げ研削位置６０３、研磨位置６０４、搬入搬出位置６０１に順次移動される。 The turntable 505 is a disk-shaped table provided on the upper surface of the apparatus main body 501, is rotatably provided in a horizontal plane, and is driven to rotate at a predetermined timing. On the turntable 505, for example, four tables 506 are arranged at regular intervals at a phase angle of, for example, 90 degrees. These four tables 506 are of a chuck table structure having a vacuum chuck on the holding surface, and the surface 101 side of the wafer 100 is vacuum-sucked via the protection member 200 mounted on the holding surface, so that the wafer 100 Is held on the surface 101 side. At the time of grinding and polishing, the table 506 is driven to rotate in a horizontal plane by a rotation drive mechanism with an axis parallel to the vertical direction as a rotation axis. Such a table 506 is sequentially moved to a carry-in / carry-out position 601, a rough grinding position 602, a finish grinding position 603, a polishing position 604, and a carry-in / carry-out position 601 by the rotation of the turntable 505.

カセット５０７，５０８は、複数のスロットを有するウェーハ１００を収容するための収容器である。一方のカセット５０７は、研削研磨前の表面１０１に保護部材２００が貼着されたウェーハ１００を収容し、他方のカセット５０８は、研削研磨後のウェーハ１００を収容する。また、位置合わせユニット５０９は、カセット５０７から取り出されたウェーハ１００が仮置きされて、その中心位置合わせを行うためのテーブルである。 The cassettes 507 and 508 are containers for storing the wafer 100 having a plurality of slots. One cassette 507 stores the wafer 100 having the protective member 200 adhered to the surface 101 before grinding and polishing, and the other cassette 508 stores the wafer 100 after grinding and polishing. The alignment unit 509 is a table on which the wafers 100 taken out of the cassette 507 are temporarily placed and the center is aligned.

搬入ユニット５１０は、吸着パッドを有し、位置合わせユニット５０９で位置合わせされた研削研磨前のウェーハ１００を吸着保持して搬入搬出位置６０１に位置するテーブル５０６上に搬入する。搬出ユニット５１１は、吸着パッドを有し、搬入搬出位置６０１に位置するテーブル５０６上に保持された研磨ユニット５０４で裏面１０５が研磨されたウェーハ１００を洗浄塗布ユニット５１２の保持手段３に搬送する搬送手段である。 The carry-in unit 510 has a suction pad, sucks and holds the wafer 100 before grinding and polishing aligned by the positioning unit 509, and carries the wafer 100 onto the table 506 located at the carry-in / out position 601. The carry-out unit 511 has a suction pad, and carries the wafer 100 whose back surface 105 has been polished by the polishing unit 504 held on the table 506 located at the carry-in / out position 601 to the holding means 3 of the cleaning / coating unit 512. Means.

搬出入ユニット５１３は、例えばＵ字型ハンド５１３−１を備えるロボットピックであり、Ｕ字型ハンド５１３−１によってウェーハ１００を吸着保持してウェーハ１００を搬送する。具体的には、搬出入ユニット５１３は、研削研磨前のウェーハ１００をカセット５０７から位置合わせユニット５０９へ搬出するとともに、研削研磨後のウェーハ１００を洗浄塗布ユニット５１２からカセット５０８へ搬入する。 The carry-in / out unit 513 is, for example, a robot pick provided with a U-shaped hand 513-1, and transports the wafer 100 by sucking and holding the wafer 100 by the U-shaped hand 513-1. Specifically, the carry-in / out unit 513 carries out the wafer 100 before grinding / polishing from the cassette 507 to the positioning unit 509, and carries the wafer 100 after grinding / polishing from the cleaning / coating unit 512 into the cassette 508.

また、ゲッタリング層形成装置１−４は、搬出ユニット５１１の吸着パッドの保持面（下面）を洗浄するための吸着パッド洗浄手段５１４と、粗研削位置６０２及び仕上げ研削位置６０３のテーブル５０６を覆うカバー５１５とを備える。 Further, the gettering layer forming apparatus 1-4 covers the suction pad cleaning means 514 for cleaning the holding surface (lower surface) of the suction pad of the carry-out unit 511, and the table 506 at the rough grinding position 602 and the finish grinding position 603. And a cover 515.

制御ユニットは、ゲッタリング層形成装置１−４を構成する構成要素をそれぞれ制御するものである。即ち、制御ユニットは、ウェーハ１００に対する加工動作をゲッタリング層形成装置１−４に実行させるものである。制御ユニットは、コンピュータプログラムを実行可能なコンピュータである。制御ユニットは、ＣＰＵ（central processing unit）のようなマイクロプロセッサを有する演算処理装置と、ＲＯＭ（read only memory）又はＲＡＭ（random access memory）のようなメモリを有する記憶装置と、入出力インタフェース装置とを有する。制御ユニットの演算処理装置は、記憶装置に記憶されているコンピュータプログラムを実行して、ゲッタリング層形成装置１−４を制御するための制御信号を生成する。制御ユニットの演算処理装置は、生成した制御信号を入出力インタフェース装置を介してゲッタリング層形成装置１−４の各構成要素に出力する。 The control unit controls each of the components constituting the gettering layer forming apparatus 1-4. That is, the control unit causes the gettering layer forming apparatus 1-4 to execute a processing operation on the wafer 100. The control unit is a computer that can execute a computer program. The control unit includes an arithmetic processing device having a microprocessor such as a CPU (central processing unit), a storage device having a memory such as a ROM (read only memory) or a RAM (random access memory), and an input / output interface device. Having. The arithmetic processing unit of the control unit executes a computer program stored in the storage device to generate a control signal for controlling the gettering layer forming device 1-4. The arithmetic processing unit of the control unit outputs the generated control signal to each component of the gettering layer forming device 1-4 via the input / output interface device.

洗浄塗布ユニット５１２は、研削研磨後のウェーハ１００を洗浄し、研削及び研磨された裏面１０５に付着している研削屑及び研磨屑等のコンタミネーションを除去するものである。洗浄塗布ユニット５１２は、実施形態１に示されたゲッタリング層形成装置１と同様に金属塩からなるゲッタリング層３０２をウェーハ１００の洗浄後の裏面１０５に形成するものである。 The cleaning / coating unit 512 cleans the wafer 100 after the grinding and polishing, and removes contamination such as grinding dust and polishing dust adhering to the ground and polished back surface 105. The cleaning / coating unit 512 forms a gettering layer 302 made of a metal salt on the cleaned back surface 105 of the wafer 100, similarly to the gettering layer forming apparatus 1 described in the first embodiment.

洗浄塗布ユニット５１２は、図１５に示すように、ゲッタリング層形成装置１に洗浄水供給ノズル４９を加えた構成であり、ゲッタリング層形成装置１と同一部分には、同一符号を付して説明を省略する。洗浄水供給ノズル４９は、回転テーブル３２の保持面３３で保持されたウェーハ１００の裏面１０５に純水からなる洗浄水を供給するものである。洗浄水供給ノズル４９は、洗浄水をウェーハ１００の裏面１０５に供給するノズル先端４９１が、回転テーブル３２の保持面３３の上方の位置と、保持面３３の上方から退避する位置とに亘って旋回可能に支持されている。 As shown in FIG. 15, the cleaning / coating unit 512 has a configuration in which a cleaning water supply nozzle 49 is added to the gettering layer forming apparatus 1, and the same parts as those of the gettering layer forming apparatus 1 are denoted by the same reference numerals. Description is omitted. The cleaning water supply nozzle 49 supplies cleaning water composed of pure water to the back surface 105 of the wafer 100 held by the holding surface 33 of the turntable 32. The cleaning water supply nozzle 49 pivots between a position above the holding surface 33 of the rotary table 32 and a position where the nozzle tip 491 that supplies the cleaning water to the back surface 105 of the wafer 100 is retracted from above the holding surface 33. Supported as possible.

洗浄塗布ユニット５１２は、回転テーブル３２の保持面３３に保護部材２００を介してウェーハ１００の表面１０１側を吸引保持し、回転テーブル３２を軸心回りに回転させながら洗浄水供給ノズル４９から洗浄水を裏面１０５に供給して、ウェーハ１００の裏面１０５を洗浄する。洗浄塗布ユニット５１２は、ウェーハ１００の裏面１０５を洗浄した後、実施形態１に示されたゲッタリング層形成装置１と同様に、裏面１０５に金属塩からなるゲッタリング層３０２を形成する。 The cleaning / coating unit 512 suction-holds the front surface 101 of the wafer 100 on the holding surface 33 of the rotary table 32 via the protective member 200, and rotates the rotary table 32 about the axis while cleaning water is supplied from the cleaning water supply nozzle 49. Is supplied to the back surface 105 to clean the back surface 105 of the wafer 100. After cleaning the back surface 105 of the wafer 100, the cleaning application unit 512 forms the gettering layer 302 made of a metal salt on the back surface 105, similarly to the gettering layer forming apparatus 1 described in the first embodiment.

実施形態４に係るゲッタリング層形成装置１−４は、洗浄塗布ユニット５１２が保持手段３で保持されたウェーハ１００の裏面１０５に金属塩の溶液３００を供給して、裏面１０５にこの溶液３００に含まれる金属塩からなるゲッタリング層３０２を形成するゲッタリング層形成手段４を備えているため、実施形態１と同様に、デバイス１０３の抗折強度の低下を抑制することができるゲッタリング層３０２を形成することができる。 The gettering layer forming apparatus 1-4 according to the fourth embodiment supplies the solution 300 of the metal salt to the back surface 105 of the wafer 100 held by the cleaning / coating unit 512 by the holding unit 3, and applies the solution 300 to the back surface 105. Since the gettering layer forming means 4 for forming the gettering layer 302 made of the contained metal salt is provided, the gettering layer 302 capable of suppressing a decrease in the bending strength of the device 103 as in the first embodiment. Can be formed.

なお、ゲッタリング層形成装置１−４の洗浄塗布ユニット５１２は、ゲッタリング層形成装置１−２に洗浄水供給ノズル４９を加えた構成でも良く、ゲッタリング層形成装置１−３に洗浄水供給ノズル４９を加えた構成でも良い。 The cleaning application unit 512 of the gettering layer forming apparatus 1-4 may have a configuration in which the cleaning water supply nozzle 49 is added to the gettering layer forming apparatus 1-2, and the cleaning water supply nozzle 49 is supplied to the gettering layer forming apparatus 1-3. A configuration in which the nozzle 49 is added may be used.

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。 Note that the present invention is not limited to the above embodiment. That is, various modifications can be made without departing from the gist of the present invention.

１，１−２，１−３，１−４ゲッタリング層形成装置
３保持手段
４，４−２，４−３ゲッタリング層形成手段
３２回転テーブル（保持テーブル）
４１供給ノズル
４３噴射ノズル
４４移動手段
４５ローラー
４６移動手段
１００ウェーハ
１０１表面
１０３デバイス
１０５裏面
３００溶液
３０２ゲッタリング層
４５１外側面
５０２第１の研削ユニット（研削手段）
５０３第２の研削ユニット（研削手段）
５０４研磨ユニット（研磨手段）
５０６テーブル
５１１搬出ユニット（搬送手段） 1, 1-2, 1-3, 1-4 Gettering layer forming apparatus 3 Holding means 4, 4-2, 4-3 Gettering layer forming means 32 Rotary table (holding table)
41 Supply nozzle 43 Injection nozzle 44 Moving means 45 Roller 46 Moving means 100 Wafer 101 Front surface 103 Device 105 Back surface 300 Solution 302 Gettering layer 451 Outer surface 502 First grinding unit (grinding means)
503 Second grinding unit (grinding means)
504 Polishing unit (polishing means)
506 Table 511 Unloading unit (transporting means)

Claims

A gettering layer forming apparatus for forming a gettering layer on a back surface of a wafer having devices formed on the front surface,
Holding means for holding the back surface of the wafer having at least the ground or polished back surface exposed,
A gettering layer forming device for supplying a solution of a metal salt to the back surface of the wafer held by the holding device to form a gettering layer made of the metal salt on the back surface.

The holding means has a rotary table for holding the front side of the wafer,
2. The gettering layer forming apparatus according to claim 1, wherein the gettering layer forming means has a supply nozzle for supplying the solution of the metal salt to the back surface of the wafer held by the rotary table.

The holding means has a holding table for holding the front side of the wafer,
The gettering layer forming means includes: an ejection nozzle that ejects the solution of the metal salt onto the back surface of the wafer held by the holding table; and a moving unit that relatively moves the ejection nozzle with respect to the holding table. The gettering layer forming apparatus according to claim 1, comprising:

The gettering layer forming means, while supplying the solution of the metal salt, a roller made of a flexible member having an outer surface in contact with the back surface of the wafer held by the holding means, and holding the wafer against the roller. The gettering layer forming apparatus according to claim 1, further comprising a moving unit that relatively moves the holding unit.

A table for holding the front side of the wafer,
Grinding means for grinding the back surface of the wafer held by the table,
Polishing means for polishing the back surface of the wafer held by the table to remove grinding distortion generated by the grinding means;
5. The gettering layer forming apparatus according to claim 1, further comprising: a transfer unit configured to transfer the wafer whose back surface has been polished by the polishing unit to the holding unit. 6.