JP7071818B2 - Board processing system - Google Patents

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Description

本発明は、基板を処理する基板処理システムに関し、特に基板を薄化する基板処理システムに関する。 The present invention relates to a substrate processing system for processing a substrate, and more particularly to a substrate processing system for thinning a substrate.

近年、半導体デバイスの製造工程においては、表面に複数の電子回路等のデバイスが形成された半導体ウェハ(以下、ウェハという)に対し、当該ウェハの裏面を研削して、ウェハを薄化することが行われている。 In recent years, in a semiconductor device manufacturing process, a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer) in which a plurality of devices such as electronic circuits are formed on the surface thereof may be ground to thin the back surface of the wafer. It is done.

ウェハの裏面(加工面)の加工は、例えば特許文献1に記載された加工装置を用いて行われる。加工装置は、ウェハを研削加工するバックグラインダを備えている。
バックグラインダには、粗研削を行う粗研削ステージ、仕上研削を行う仕上研削ステージ、研削前のウェハのアライメントを行うアライメントステージ、及び研削後のウェハを洗浄する洗浄ステージが設けられている。粗研削ステージと仕上研削ステージはそれぞれ、回転テーブルのチャックに保持されたウェハに対して粗研削と仕上研削を行い、当該回転テーブルの平面視外側から上方にかけて配置されている。アライメントステージと洗浄ステージはそれぞれ、平面視で回転テーブルの外側に配置されている。
また、バックグラインダには、アライメントステージから回転テーブルのチャックにウェハを搬送する搬送ロボットと、回転テーブルのチャックから洗浄ステージにウェハを搬送する搬送アームとが設けられている。
The back surface (processed surface) of the wafer is processed by using, for example, the processing apparatus described in Patent Document 1. The processing device is equipped with a back grinder that grinds the wafer.
The back grinder is provided with a rough grinding stage for rough grinding, a finishing grinding stage for finishing grinding, an alignment stage for aligning wafers before grinding, and a cleaning stage for cleaning wafers after grinding. The rough grinding stage and the finish grinding stage perform rough grinding and finish grinding on the wafer held by the chuck of the rotary table, respectively, and are arranged from the outside in the plan view of the rotary table to the upper side. The alignment stage and the cleaning stage are respectively arranged on the outside of the rotary table in a plan view.
Further, the back grinder is provided with a transfer robot that transfers the wafer from the alignment stage to the chuck of the rotary table, and a transfer arm that transfers the wafer from the chuck of the rotary table to the cleaning stage.

特開2002-343756号公報JP-A-2002-343756

しかしながら、上述した特許文献1に記載されたバックグラインダにおいて、搬送ロボットと搬送アームの2つの搬送手段が設けられているが、各搬送手段のアクセス範囲は限定されている。すなわち、搬送ロボットはアライメントステージとチャックにウェハを搬送できるが、洗浄ステージにはウェハを搬送できない。また、搬送アームは、洗浄ステージとチャックにウェハを搬送できるが、アライメントステージにはウェハを搬送できない。したがって、このバックグラインダでは、2つの搬送手段があるにも関わらず、各搬送手段の移動自由度が低く、ウェハを加工する効率が悪い。 However, in the back grinder described in Patent Document 1 described above, two transport means, a transport robot and a transport arm, are provided, but the access range of each transport means is limited. That is, the transfer robot can transfer the wafer to the alignment stage and the chuck, but cannot transfer the wafer to the cleaning stage. Further, the transfer arm can transfer the wafer to the cleaning stage and the chuck, but cannot transfer the wafer to the alignment stage. Therefore, in this back grinder, although there are two transport means, the degree of freedom of movement of each transport means is low, and the efficiency of processing the wafer is low.

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、基板を薄化する処理を効率よく行うことを目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to efficiently perform a process of thinning a substrate.

上記課題を解決する本発明は、基板を処理する基板処理システムであって、基板を保持する第1の保持部と、前記第1の保持部に保持された基板の加工面に当接して研削加工する加工部と、前記第1の保持部に保持される前の基板のノッチ部の位置により水平方向の向きを調節するアライメント部と、前記アライメント部でノッチ部の位置が調節されて前記加工部で加工された基板であって、加工面を第2の保持部に保持された基板の、加工面と反対側の非加工面を洗浄する非加工面洗浄部と、前記第2の保持部を備え、当該第2の保持部で基板を保持して搬送し、且つ前記第1の保持部に前記アライメント部でノッチ部の位置が調節された基板を受け渡す受渡位置、前記アライメント部及び前記非加工面洗浄部に対し、基板を搬送する搬送部と、を有することを特徴としている。
The present invention for solving the above problems is a substrate processing system for processing a substrate, in which a first holding portion for holding the substrate and a machined surface of the substrate held by the first holding portion are brought into contact with each other for grinding. The machined portion to be machined, an alignment portion that adjusts the horizontal direction according to the position of the notch portion of the substrate before being held by the first holding portion, and the alignment portion that adjusts the position of the notch portion to perform the machining. A non-machined surface cleaning section for cleaning the non-machined surface on the opposite side of the machined surface of the substrate machined by the section and the machined surface is held by the second holding section, and the second holding section. The delivery position, the alignment portion, and the above, the substrate is held and conveyed by the second holding portion, and the substrate whose notch position is adjusted by the alignment portion is delivered to the first holding portion. It is characterized by having a transport section for transporting the substrate with respect to the non-processed surface cleaning section.

本発明によれば、1つの搬送部で、受渡位置、アライメント部及び非加工面洗浄部にウェハを搬送することができ、搬送部の移動自由度を高くすることができる。また、基板の搬送手段が1つであるため、装置構成を簡略にすることもできる。したがって、基板の処理を効率よく行うことができる。 According to the present invention, the wafer can be transported to the delivery position, the alignment section, and the non-processed surface cleaning section by one transport section, and the degree of freedom of movement of the transport section can be increased. Further, since there is only one means for transporting the substrate, the device configuration can be simplified. Therefore, the processing of the substrate can be performed efficiently.

前記基板処理システムにおいて、前記搬送部は、複数のアームと、前記複数のアームを接続する複数の関節部とを有し、前記複数のアームのうち先端のアームは、前記第2の保持部を支持し、前記関節部は前記アームを旋回させてもよい。 In the substrate processing system, the transport portion has a plurality of arms and a plurality of joint portions connecting the plurality of arms, and the arm at the tip of the plurality of arms has the second holding portion. The joint may be supported and the arm may be swiveled.

前記基板処理システムにおいて、前記搬送部は、前記先端のアームに設けられ、前記第2の保持部を回転させる回転部を有していてもよい。 In the substrate processing system, the transport unit may be provided on the arm at the tip end and may have a rotating unit for rotating the second holding unit.

前記基板処理システムにおいて、前記搬送部は、前記複数のアームを鉛直方向に移動させる移動機構を有し、前記加工部はウェット環境領域に設けられ、前記移動機構は、前記ウェット環境領域から隔離されたドライ環境領域に設けられていてもよい。 In the substrate processing system, the transport unit has a moving mechanism for moving the plurality of arms in the vertical direction, the processed unit is provided in a wet environment region, and the moving mechanism is isolated from the wet environment region . It may be provided in a dry environment area .

前記基板処理システムにおいて、前記移動機構は、前記搬送部の動作を停止している際、前記第2の保持部が前記受渡位置よりも高く位置するように、前記複数のアームを移動させてもよい。 In the substrate processing system, the moving mechanism may move the plurality of arms so that the second holding portion is positioned higher than the delivery position when the operation of the transport portion is stopped. good.

前記基板処理システムは、前記第1の保持部を複数備え、前記受渡位置と前記加工部による加工が行われる加工位置との間で、複数の前記第1の保持部を回転させて移動させる回転テーブルを有していてもよい。 The substrate processing system includes a plurality of the first holding portions, and rotates and moves the plurality of the first holding portions between the delivery position and the processing position where the processing by the processing unit is performed. You may have a table.

前記基板処理システムは、前記加工部で加工された基板の加工面を洗浄する加工面洗浄部を有し、前記搬送部は、前記加工面洗浄部に対し基板を搬送してもよい。 The substrate processing system has a machined surface cleaning unit for cleaning the machined surface of the substrate processed by the machined unit, and the transport unit may transport the substrate to the machined surface cleaning unit.

前記基板処理システムにおいて、前記アライメント部と前記加工面洗浄部は、鉛直方向に積層して設けられていてもよい。 In the substrate processing system, the alignment portion and the machined surface cleaning portion may be provided so as to be laminated in the vertical direction.

前記基板処理システムにおいて、前記アライメント部は、前記加工面洗浄部の上層に設けられていてもよい。 In the substrate processing system, the alignment portion may be provided on an upper layer of the machined surface cleaning portion.

前記基板処理システムにおいて、前記加工面洗浄部は、前記搬送部が基板を搬送可能に構成されていると共に、前記搬送部による基板の搬送方向と異なる方向から他の搬送部が基板を搬送可能に構成されていてもよい。 In the substrate processing system, in the machined surface cleaning unit, the transport unit is configured to be capable of transporting the substrate, and the substrate can be transported by another transport unit from a direction different from the transport direction of the substrate by the transport unit. It may be configured.

前記基板処理システムにおいて、前記加工面洗浄部は、当該加工面洗浄部の内部と外部を隔てるシャッタと、前記シャッタを昇降させる昇降機構とを有していてもよい。 In the substrate processing system, the machined surface cleaning unit may have a shutter that separates the inside and the outside of the machined surface cleaning unit, and an elevating mechanism that raises and lowers the shutter.

前記基板処理システムにおいて、基板の非加工面には、デバイスが形成されるとともに、当該デバイスを保護する保護材が設けられ、前記非加工面洗浄部は、前記保護材を洗浄してもよい。 In the substrate processing system, a device may be formed on the non-processed surface of the substrate, and a protective material for protecting the device may be provided, and the non-processed surface cleaning unit may clean the protective material.

前記基板処理システムは、前記第1の保持部、前記加工部、前記アライメント部、前記非加工面洗浄部及び前記搬送部を備える加工装置と、基板を複数保有可能な載置台と、前記載置台と前記加工装置に対し基板を搬送する搬送装置と、を有していてもよい。 The substrate processing system includes a processing apparatus including the first holding unit, the processing unit, the alignment unit, the non-processed surface cleaning unit, and the transport unit, a mounting table capable of holding a plurality of substrates, and the above-mentioned table. And a transfer device for transporting the substrate to the processing device.

前記基板処理システムにおいて、前記受渡位置、前記アライメント部及び前記非加工面洗浄部は、前記搬送装置が前記加工装置に基板を搬送する方向と同じ方向に配置されていてもよい。 In the substrate processing system, the delivery position, the alignment unit, and the non-processed surface cleaning unit may be arranged in the same direction as the direction in which the transfer device transfers the substrate to the processing device.

本発明によれば、搬送部の移動自由度を高くするとともに、装置構成を簡略化することができ、基板を薄化する処理を効率よく行うことができる。 According to the present invention, the degree of freedom of movement of the transport unit can be increased, the device configuration can be simplified, and the process of thinning the substrate can be efficiently performed.

本実施形態にかかる基板処理システムの構成の概略を模式的に示す平面図である。It is a top view schematically showing the outline of the structure of the substrate processing system which concerns on this embodiment. ウェハ搬送装置の搬送フォークと搬送パッドの構成の概略を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the outline of the structure of the transfer fork and transfer pad of a wafer transfer device. 加工装置の構成の概略を示す平面図である。It is a top view which shows the outline of the structure of a processing apparatus. 図3のA-A線における加工装置の構成の概略を示す側面図である。It is a side view which shows the outline of the structure of the processing apparatus in line AA of FIG. 図3のB-B線における加工装置の構成の概略を示す側面図である。It is a side view which shows the outline of the structure of the processing apparatus in line BB of FIG. 搬送ユニットの構成の概略を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the outline of the structure of a transport unit. 加工装置におけるウェット環境領域とドライ環境領域を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the wet environment area and the dry environment area in a processing apparatus. アライメントユニットの構成の概略を示す平面図である。It is a top view which shows the outline of the structure of the alignment unit. 第1の洗浄ユニットの構成の概略を示す平面図である。It is a top view which shows the outline of the structure of the 1st cleaning unit. 第1の洗浄ユニットの構成の概略を示す側面図である。It is a side view which shows the outline of the structure of the 1st cleaning unit. 第2の洗浄ユニットの構成の概略を示す平面図である。It is a top view which shows the outline of the structure of the 2nd cleaning unit. ウェハ処理の主な工程を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the main process of a wafer processing. ウェハ処理の主な工程における搬送ユニットの動きを示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the operation of the transfer unit in the main process of a wafer processing. 搬送パッドの傾動機構の構成の概略を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the outline of the structure of the tilting mechanism of a transport pad. 傾動機構の付勢部の構成の概略を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the outline of the structure of the urging part of a tilting mechanism. 搬送パッドの固定機構の構成の概略を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the outline of the structure of the fixing mechanism of a transport pad. 搬送パッドを傾動自在にさせた様子を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the state which made the transport pad tiltable. 搬送パッドの傾動を固定した様子を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the state that the tilt of a transport pad is fixed. 搬送パッドの固定機構の構成の概略を示す側面図である。It is a side view which shows the outline of the structure of the fixing mechanism of a transport pad. 搬送パッドの固定機構の構成の概略を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the outline of the structure of the fixing mechanism of a transport pad. 搬送パッドの固定機構の構成の概略を示す側面図である。It is a side view which shows the outline of the structure of the fixing mechanism of a transport pad.

以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書および図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the present specification and the drawings, the elements having substantially the same functional configuration are designated by the same reference numerals, so that duplicate description will be omitted.

先ず、本実施形態にかかる基板処理システムの構成について説明する。図1は、基板処理システム1の構成の概略を模式的に示す平面図である。なお、以下においては、位置関係を明確にするために、互いに直交するX軸方向、Y軸方向及びZ軸方向を規定し、Z軸正方向を鉛直上向き方向とする。 First, the configuration of the substrate processing system according to the present embodiment will be described. FIG. 1 is a plan view schematically showing an outline of the configuration of the substrate processing system 1. In the following, in order to clarify the positional relationship, the X-axis direction, the Y-axis direction, and the Z-axis direction that are orthogonal to each other are defined, and the Z-axis positive direction is defined as the vertically upward direction.

本実施形態の基板処理システム1では、基板としてのウェハWを薄化する。ウェハWは、例えばシリコンウェハや化合物半導体ウェハなどの半導体ウェハである。ウェハWの表面(以下、非加工面という)にはデバイス(図示せず)が形成されており、さらに当該表面にはデバイスを保護するための保護材、例えば保護テープ(図示せず)が貼り付けられている。そして、ウェハWの裏面(以下、加工面という)に対して研削などの所定の加工処理が行われ、当該ウェハが薄化される。 In the substrate processing system 1 of the present embodiment, the wafer W as a substrate is thinned. The wafer W is a semiconductor wafer such as a silicon wafer or a compound semiconductor wafer. A device (not shown) is formed on the surface of the wafer W (hereinafter referred to as a non-processed surface), and a protective material for protecting the device, for example, a protective tape (not shown) is attached to the surface. It is attached. Then, a predetermined processing process such as grinding is performed on the back surface of the wafer W (hereinafter referred to as a processed surface), and the wafer is thinned.

基板処理システム1は、処理前のウェハWをカセットC内に収納し、複数のウェハWをカセット単位で外部から基板処理システム1に搬入する搬入ステーション2と、処理後のウェハWをカセットC内に収納し、複数のウェハWをカセット単位で基板処理システム1から外部に搬出する搬出ステーション3と、ウェハWに加工処理を行って薄化する加工装置4と、加工処理後のウェハWの後処理を行う後処理装置5と、搬入ステーション2、加工装置4及び後処理装置5の間でウェハWを搬送する搬送ステーション6と、を接続した構成を有している。搬入ステーション2、搬送ステーション6、及び加工装置4は、X軸負方向側においてY軸方向にこの順で並べて配置されている。搬出ステーション3と後処理装置5は、X軸正方向側においてY軸方向にこの順で並べて配置されている。 The substrate processing system 1 stores the wafer W before processing in the cassette C, and carries in the wafer W after processing into the substrate processing system 1 from the outside in units of cassettes, and the wafer W after processing is in the cassette C. After the unloading station 3 that is stored in the wafer W and carries out a plurality of wafers W from the substrate processing system 1 to the outside in cassette units, the processing device 4 that processes the wafer W to thin it, and the wafer W after processing. It has a configuration in which a post-processing device 5 for processing and a transfer station 6 for transporting a wafer W between the carry-in station 2, the processing device 4, and the post-processing device 5 are connected. The carry-in station 2, the transfer station 6, and the processing apparatus 4 are arranged side by side in this order in the Y-axis direction on the negative side of the X-axis. The unloading station 3 and the post-processing device 5 are arranged side by side in this order in the Y-axis direction on the X-axis positive direction side.

搬入ステーション2には、カセット載置台10が設けられている。図示の例では、カセット載置台10には、複数、例えば2つのカセットCをX軸方向に一列に載置自在になっている。すなわち、カセット載置台10は、複数のウェハWを保有可能に構成されている。 The carry-in station 2 is provided with a cassette mounting table 10. In the illustrated example, a plurality of cassettes C, for example, two cassettes C can be freely mounted in a row in the X-axis direction on the cassette mounting table 10. That is, the cassette mounting table 10 is configured to be able to hold a plurality of wafers W.

搬出ステーション3も、搬入ステーション2と同様の構成を有している。搬出ステーション3にはカセット載置台20が設けられ、カセット載置台20には、例えば2つのカセットCをX軸方向に一列に載置自在になっている。すなわち、カセット載置台20は、複数のウェハWを保有可能に構成されている。なお、搬入ステーション2と搬出ステーション3は1つの搬入出ステーションに統合されてもよく、かかる場合、搬入出ステーションには共通のカセット載置台が設けられる。 The carry-out station 3 also has the same configuration as the carry-in station 2. The unloading station 3 is provided with a cassette mounting table 20, and for example, two cassettes C can be freely placed in a row on the cassette mounting table 20 in the X-axis direction. That is, the cassette mounting table 20 is configured to be able to hold a plurality of wafers W. The loading / unloading station 2 and the loading / unloading station 3 may be integrated into one loading / unloading station, and in such a case, a common cassette mounting stand is provided in the loading / unloading station.

加工装置4では、ウェハWに対して研削や洗浄などの加工処理が行われる。この加工装置4の構成は後述する。 In the processing apparatus 4, processing processing such as grinding and cleaning is performed on the wafer W. The configuration of this processing device 4 will be described later.

後処理装置5では、加工装置4で加工処理されたウェハWに対して後処理が行われる。後処理としては、例えばウェハWをダイシングテープを介してダイシングフレームに保持するマウント処理、ウェハWに貼り付けられた保護テープを剥離する剥離処理などが行われる。そして、後処理装置5は、後処理が行われダイシングフレームに保持されたウェハWを搬出ステーション3のカセットCに搬送する。後処理装置5で行われるマウント処理や剥離処理はそれぞれ、公知の装置が用いられる。 In the post-processing device 5, post-processing is performed on the wafer W processed by the processing device 4. As the post-treatment, for example, a mounting process for holding the wafer W on the dicing frame via the dicing tape, a peeling process for peeling off the protective tape attached to the wafer W, and the like are performed. Then, the post-processing device 5 transfers the wafer W, which has been post-processed and held in the dicing frame, to the cassette C of the unloading station 3. A known device is used for each of the mounting process and the peeling process performed by the post-processing device 5.

搬送ステーション6には、ウェハ搬送領域30が設けられている。ウェハ搬送領域30には、X軸方向に延伸する搬送路31上を移動自在なウェハ搬送装置32が設けられている。ウェハ搬送装置32は、ウェハWを保持するウェハ保持部として、搬送フォーク33と搬送パッド34を有している。これら搬送フォーク33と搬送パッド34はそれぞれ、水平方向、鉛直方向、水平軸回り及び鉛直軸周りに移動自在に構成されている。 The transfer station 6 is provided with a wafer transfer area 30. The wafer transfer region 30 is provided with a wafer transfer device 32 that is movable on a transfer path 31 extending in the X-axis direction. The wafer transfer device 32 has a transfer fork 33 and a transfer pad 34 as a wafer holding unit for holding the wafer W. The transport fork 33 and the transport pad 34 are configured to be movable in the horizontal direction, the vertical direction, around the horizontal axis, and around the vertical axis, respectively.

図2に示すように搬送フォーク33は、先端が2本の先端部33aに分岐している。また、搬送フォーク33の表面には、例えば3つのパッド33bが設けられている。各パッド33bは真空引きする吸引機構(図示せず)に接続され、ウェハWを吸引する。これにより搬送フォーク33は、パッド33bでウェハWを吸着保持する。なお、搬送フォーク33は、研削前のウェハWを搬送する。 As shown in FIG. 2, the tip of the transport fork 33 is branched into two tip portions 33a. Further, for example, three pads 33b are provided on the surface of the transport fork 33. Each pad 33b is connected to a suction mechanism (not shown) that draws a vacuum and sucks the wafer W. As a result, the transport fork 33 adsorbs and holds the wafer W on the pad 33b. The transfer fork 33 conveys the wafer W before grinding.

搬送パッド34は、平面視において、ウェハWの径より長い径を備えた円形状を有する。また、搬送パッド34は、その下面に複数の吸引口(図示せず)が形成され、各吸引口は真空引きする吸引機構(図示せず)に接続されている。これにより搬送パッド34は、ウェハWの加工面全面を吸着保持する。なお、搬送パッド34は、研削後のウェハW、すなわち薄化されたウェハWを搬送する。 The transport pad 34 has a circular shape having a diameter longer than the diameter of the wafer W in a plan view. Further, the transport pad 34 has a plurality of suction ports (not shown) formed on the lower surface thereof, and each suction port is connected to a suction mechanism (not shown) for evacuation. As a result, the transport pad 34 attracts and holds the entire surface of the machined surface of the wafer W. The transfer pad 34 conveys the ground wafer W, that is, the thinned wafer W.

図1に示すように基板処理システム1には、制御部40が設けられている。制御部40は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部(図示せず)を有している。プログラム格納部には、基板処理システム1におけるウェハWの処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、上述の各種処理装置や搬送装置などの駆動系の動作を制御して、基板処理システム1における後述のウェハ処理を実現させるためのプログラムも格納されている。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク(HD)、フレキシブルディスク(FD)、コンパクトディク(CD)、マグネットオプティカルデスク(MO)、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体Hに記録されていたものであって、その記憶媒体Hから制御部40にインストールされたものであってもよい。 As shown in FIG. 1, the substrate processing system 1 is provided with a control unit 40. The control unit 40 is, for example, a computer and has a program storage unit (not shown). The program storage unit stores a program that controls the processing of the wafer W in the substrate processing system 1. Further, the program storage unit also stores a program for controlling the operation of the drive system of the above-mentioned various processing devices and transfer devices to realize the wafer processing described later in the substrate processing system 1. The program is recorded on a computer-readable storage medium H such as a computer-readable hard disk (HD), flexible disk (FD), compact disk (CD), magnet optical desk (MO), or memory card. It may have been installed in the control unit 40 from the storage medium H.

次に、上述した加工装置4の構成について説明する。図3~図5に示すように加工装置4は、回転テーブル100、搬送部としての搬送ユニット110、アライメント部としてのアライメントユニット120、加工面洗浄部としての第1の洗浄ユニット130、非加工面洗浄部としての第2の洗浄ユニット140、第3の洗浄ユニット150、加工部としての粗研削ユニット160、加工部としての中研削ユニット170、及び加工部としての仕上研削ユニット180を有している。 Next, the configuration of the processing apparatus 4 described above will be described. As shown in FIGS. 3 to 5, the processing apparatus 4 includes a rotary table 100, a transfer unit 110 as a transfer unit, an alignment unit 120 as an alignment unit, a first cleaning unit 130 as a machined surface cleaning unit, and a non-machined surface. It has a second cleaning unit 140 as a cleaning unit, a third cleaning unit 150, a rough grinding unit 160 as a processing unit, a medium grinding unit 170 as a processing unit, and a finishing grinding unit 180 as a processing unit. ..

回転テーブル100は、回転機構(図示せず)によって回転自在に構成されている。回転テーブル100上には、ウェハWを吸着保持する第1の保持部としてのチャック101が4つ設けられている。チャック101は、回転テーブル100と同一円周上に均等、すなわち90度毎に配置されている。4つのチャック101は、回転テーブル100が回転することにより、受渡位置A0及び加工位置A1~A3に移動可能になっている。 The rotary table 100 is rotatably configured by a rotary mechanism (not shown). On the rotary table 100, four chucks 101 are provided as first holding portions for sucking and holding the wafer W. The chucks 101 are arranged evenly on the same circumference as the rotary table 100, that is, every 90 degrees. The four chucks 101 can be moved to the delivery position A0 and the processing positions A1 to A3 by rotating the rotary table 100.

本実施形態では、受渡位置A0は回転テーブル100のX軸正方向側且つY軸負方向側の位置であり、第3の洗浄ユニット150が配置される。受渡位置A0のY軸負方向側には、第2の洗浄ユニット140と、アライメントユニット120及び第1の洗浄ユニット130とが並べて配置される。すなわち、受渡位置A0、第2の洗浄ユニット140、アライメントユニット120、及び第1の洗浄ユニット130は、ウェハ搬送装置32が加工装置4にウェハWを搬送する方向(Y軸方向)に並べて配置される。また、アライメントユニット120と第1の洗浄ユニット130は上方からこの順で積層されて配置される。第1の加工位置A1は回転テーブル100のX軸正方向側且つY軸正方向側の位置であり、粗研削ユニット160が配置される。第2の加工位置A2は回転テーブル100のX軸負方向側且つY軸正方向側の位置であり、中研削ユニット170が配置される。第3の加工位置A3は回転テーブル100のX軸負方向側且つY軸負方向側の位置であり、仕上研削ユニット180が配置される。 In the present embodiment, the delivery position A0 is a position on the X-axis positive direction side and the Y-axis negative direction side of the rotary table 100, and the third cleaning unit 150 is arranged. The second cleaning unit 140, the alignment unit 120, and the first cleaning unit 130 are arranged side by side on the Y-axis negative direction side of the delivery position A0. That is, the delivery position A0, the second cleaning unit 140, the alignment unit 120, and the first cleaning unit 130 are arranged side by side in the direction (Y-axis direction) in which the wafer transfer device 32 transfers the wafer W to the processing device 4. To. Further, the alignment unit 120 and the first cleaning unit 130 are stacked and arranged in this order from above. The first machining position A1 is a position on the X-axis positive direction side and the Y-axis positive direction side of the rotary table 100, and the rough grinding unit 160 is arranged. The second machining position A2 is a position on the X-axis negative direction side and the Y-axis positive direction side of the rotary table 100, and the middle grinding unit 170 is arranged. The third machining position A3 is a position on the X-axis negative direction side and the Y-axis negative direction side of the rotary table 100, and the finish grinding unit 180 is arranged.

チャック101はチャックベース102に保持されている。チャック101及びチャックベース102は、回転機構(図示せず)によって回転可能に構成されている。 The chuck 101 is held by the chuck base 102. The chuck 101 and the chuck base 102 are configured to be rotatable by a rotation mechanism (not shown).

図6に示すように搬送ユニット110は、複数、例えば3つのアーム111~113を備えた多関節型のロボットである。3つのアーム111~113のうち、先端の第1のアーム111には、ウェハWを吸着保持する第2の保持部としての搬送パッド114が取り付けられている。また、基端の第3のアーム113は、アーム111~113を鉛直方向に移動させる鉛直移動機構115に取り付けられている。 As shown in FIG. 6, the transport unit 110 is an articulated robot provided with a plurality of, for example, three arms 111 to 113. Of the three arms 111 to 113, the first arm 111 at the tip is attached with a transport pad 114 as a second holding portion for sucking and holding the wafer W. Further, the third arm 113 at the base end is attached to a vertical movement mechanism 115 that moves the arms 111 to 113 in the vertical direction.

搬送パッド114は、平面視において、ウェハWの径より長い径を備えた円形状を有する。その下面に複数の吸引口(図示せず)が形成され、各吸引口は真空引きする吸引機構(図示せず)に接続されている。これにより搬送パッド114は、ウェハWの加工面全面を吸着保持する。また、搬送パッド114は、第1のアーム111の先端部に支持されている。第1のアーム111の先端部には回転部111aが内蔵され、回転部111aは例えばモータなどを備えている。この回転部111aにより、搬送パッド114は回転自在に構成されている。 The transport pad 114 has a circular shape having a diameter longer than the diameter of the wafer W in a plan view. A plurality of suction ports (not shown) are formed on the lower surface thereof, and each suction port is connected to a suction mechanism (not shown) for evacuation. As a result, the transport pad 114 attracts and holds the entire surface of the machined surface of the wafer W. Further, the transport pad 114 is supported by the tip end portion of the first arm 111. A rotating portion 111a is built in the tip end portion of the first arm 111, and the rotating portion 111a includes, for example, a motor or the like. The transport pad 114 is rotatably configured by the rotating portion 111a.

3つのアーム111~113は、それぞれ関節部112a、113aによって接続されている。すなわち、第1のアーム111の基端部と第2のアーム112の先端部は、当該第2のアーム112の先端部に内蔵された関節部112aで接続されている。関節部112aは例えばモータなどを備え、この関節部112aにより、第1のアーム111は基端部を中心に旋回自在に構成されている。同様に、第2のアーム112の基端部と第3のアーム113の先端部は、当該第3のアーム113の先端部に内蔵された関節部113aで接続されている。関節部113aも例えばモータなどを備え、この関節部113aにより、第2のアーム112は基端部を中心に旋回自在に構成されている。 The three arms 111 to 113 are connected by joint portions 112a and 113a, respectively. That is, the base end portion of the first arm 111 and the tip end portion of the second arm 112 are connected by a joint portion 112a incorporated in the tip end portion of the second arm 112. The joint portion 112a is provided with, for example, a motor or the like, and the first arm 111 is configured to be rotatable around a base end portion by the joint portion 112a. Similarly, the base end portion of the second arm 112 and the tip end portion of the third arm 113 are connected by a joint portion 113a incorporated in the tip end portion of the third arm 113. The joint portion 113a is also provided with, for example, a motor or the like, and the second arm 112 is configured to be rotatable around the base end portion by the joint portion 113a.

鉛直移動機構115は、鉛直方向に延伸するガイド115aを備え、第3のアーム113の基端部がガイド115aに取り付けられている。また、鉛直移動機構115には例えばモータなどを備えた駆動部(図示せず)が内蔵され、この駆動部により、第3のアーム113(アーム111~113)がガイド115aに沿って鉛直方向に移動自在に構成されている。 The vertical movement mechanism 115 includes a guide 115a extending in the vertical direction, and a base end portion of the third arm 113 is attached to the guide 115a. Further, the vertical movement mechanism 115 has a built-in drive unit (not shown) including, for example, a motor, and the drive unit causes the third arms 113 (arms 111 to 113) to move vertically along the guide 115a. It is configured to be movable.

ここで、図7に示すように加工位置A1~A3では、研削ユニット160、170、180でウェハWの加工面を研削する際、水を使用する。また、受渡位置A0では、第3の洗浄ユニット150によりウェハWの加工面を粗洗浄する際、洗浄液を使用する。さらに、第2の洗浄ユニット140によりウェハWの非加工面を洗浄する際も、洗浄液を使用する。このため、これら水や洗浄液を使用する領域は、湿気を含むウェット環境領域R1(図7中の斜線領域)となる。また、ウェット環境領域R1では、研削ユニット160、170、180でウェハWの加工面を研削する際に、削り屑も発生する。 Here, as shown in FIG. 7, at the machining positions A1 to A3, water is used when grinding the machined surface of the wafer W by the grinding units 160, 170, 180. Further, at the delivery position A0, a cleaning liquid is used when the machined surface of the wafer W is roughly cleaned by the third cleaning unit 150. Further, the cleaning liquid is also used when cleaning the non-processed surface of the wafer W by the second cleaning unit 140. Therefore, the region where these waters and cleaning liquids are used is the wet environment region R1 (hatched region in FIG. 7) containing moisture. Further, in the wet environment region R1, shavings are also generated when the machined surface of the wafer W is ground by the grinding units 160, 170, 180.

そこで、鉛直移動機構115は、ウェット環境領域R1から隔離されたドライ環境領域R2(図7中の点線領域)に配置するのが好ましい。具体的にドライ環境領域R2は、後述する仕上研削ユニット180の支柱184のY軸負方向側の領域である。かかる場合、鉛直移動機構115の駆動部が湿気などにさらされず、当該駆動部を適切に動作させることができる。また、鉛直移動機構115のガイド115aは開口しているが、この摺動部であるガイド115aを保護するためのシール機構などが不要になり、装置構成を簡略化することも可能となる。さらに、ドライ環境領域R2は搬送ステーション6側にあるため、当該搬送ステーション6からのアクセスがしやすく、鉛直移動機構115のメンテナンスを容易に行うことができる。 Therefore, it is preferable to arrange the vertical movement mechanism 115 in the dry environment region R2 (dotted line region in FIG. 7) isolated from the wet environment region R1. Specifically, the dry environment region R2 is a region on the Y-axis negative direction side of the support column 184 of the finish grinding unit 180, which will be described later. In such a case, the drive unit of the vertical movement mechanism 115 is not exposed to moisture or the like, and the drive unit can be operated appropriately. Further, although the guide 115a of the vertical movement mechanism 115 is open, a sealing mechanism or the like for protecting the guide 115a which is a sliding portion becomes unnecessary, and the device configuration can be simplified. Further, since the dry environment region R2 is on the transport station 6 side, it is easy to access from the transport station 6, and maintenance of the vertical movement mechanism 115 can be easily performed.

なお、上述した回転部111aと関節部112a、113aはそれぞれ、アーム111~113に内蔵されてシールされているため、ウェット環境領域R1においても、さらなる保護は不要である。 Since the rotating portion 111a and the joint portions 112a and 113a described above are built in and sealed in the arms 111 to 113, respectively, further protection is not required even in the wet environment region R1.

そして、かかる構成を備えた搬送ユニット110は、受渡位置A0、アライメントユニット120、第1の洗浄ユニット130、及び第2の洗浄ユニット140に対して、ウェハWを搬送できる。 Then, the transfer unit 110 having such a configuration can transfer the wafer W to the delivery position A0, the alignment unit 120, the first cleaning unit 130, and the second cleaning unit 140.

アライメントユニット120では、研削処理前のウェハWの水平方向の向きを調節する。図8に示すように、アライメントユニット120は処理容器121を有し、処理容器121の内部には基台122、スピンチャック123、及び検出部124が設けられている。スピンチャック123は、ウェハWを吸着保持し、回転機構(図示せず)によって回転自在に構成されている。検出部124は、例えばウェハWの外周部を撮像することでウェハWのノッチ部の位置を検出してもよいし、あるいはウェハWの周縁部にレーザ光を照射することでウェハWのノッチ部の位置を検出してもよい。そして、スピンチャック123に保持されたウェハWを回転させながら検出部124でウェハWのノッチ部の位置を検出することで、当該ノッチ部の位置を調節してウェハWの水平方向の向きを調節する。 The alignment unit 120 adjusts the horizontal orientation of the wafer W before the grinding process. As shown in FIG. 8, the alignment unit 120 has a processing container 121, and a base 122, a spin chuck 123, and a detection unit 124 are provided inside the processing container 121. The spin chuck 123 attracts and holds the wafer W and is rotatably configured by a rotation mechanism (not shown). The detection unit 124 may detect the position of the notch portion of the wafer W by, for example, imaging the outer peripheral portion of the wafer W, or the notch portion of the wafer W by irradiating the peripheral portion of the wafer W with a laser beam. The position of may be detected. Then, by detecting the position of the notch portion of the wafer W with the detection unit 124 while rotating the wafer W held by the spin chuck 123, the position of the notch portion is adjusted to adjust the horizontal orientation of the wafer W. do.

なお、アライメントユニット120の下方には第1の洗浄ユニット130が配置されるが、第1の洗浄ユニット130は後述するようにスピンチャック133を備えるため、洗浄時にスピンチャック133が高速回転することで振動する。アライメントユニット120に振動が伝わるとウェハWの水平方向の向きを適切に調節できないため、処理容器121は第1の洗浄ユニット130から独立して支持されるのが好ましい。処理容器121の支持方法は任意であるが、例えばウェット環境領域R1に設けられた支持部材に支持されてもよいし、あるいは加工装置4の筐体(側壁)に支持されていてもよいし、加工装置4の天井面から吊下げ支持されていてもよい。 Although the first cleaning unit 130 is arranged below the alignment unit 120, since the first cleaning unit 130 includes the spin chuck 133 as described later, the spin chuck 133 rotates at high speed during cleaning. Vibrate. Since the horizontal orientation of the wafer W cannot be adjusted appropriately when vibration is transmitted to the alignment unit 120, it is preferable that the processing container 121 is supported independently of the first cleaning unit 130. The method of supporting the processing container 121 is arbitrary, but it may be supported by, for example, a support member provided in the wet environment region R1, or may be supported by a housing (side wall) of the processing apparatus 4. It may be suspended and supported from the ceiling surface of the processing apparatus 4.

第1の洗浄ユニット130では、研削処理後のウェハWの加工面を洗浄し、より具体的にはスピン洗浄する。 In the first cleaning unit 130, the machined surface of the wafer W after the grinding process is cleaned, and more specifically, spin cleaning is performed.

図9~図10に示すように、第1の洗浄ユニット130は矩形状の支持板131を有している。第1の洗浄ユニット130にはX軸正方向且つY軸正方向から、搬送ユニット110の第1のアーム111と搬送パッド114がアクセスする。このため、支持板131のX軸正方向且つY軸正方向はオープンにされている。 As shown in FIGS. 9 to 10, the first cleaning unit 130 has a rectangular support plate 131. The first arm 111 of the transport unit 110 and the transport pad 114 access the first cleaning unit 130 from both the X-axis positive direction and the Y-axis positive direction. Therefore, the X-axis positive direction and the Y-axis positive direction of the support plate 131 are open.

支持板131の周囲にはシャッタ132が設けられている。シャッタ132の上面と下面は開口している。シャッタ132は、昇降機構(図示せず)によって、支持板131の上方と下方に、鉛直方向に移動自在に構成されている。なお、シャッタ132の平面視における形状は、図示した矩形状に限定されず、支持板131の周囲を覆う形状、例えば円形状であってもよい。 A shutter 132 is provided around the support plate 131. The upper and lower surfaces of the shutter 132 are open. The shutter 132 is configured to be movable in the vertical direction above and below the support plate 131 by an elevating mechanism (not shown). The shape of the shutter 132 in a plan view is not limited to the rectangular shape shown in the figure, and may be a shape that covers the periphery of the support plate 131, for example, a circular shape.

図9(a)及び図10(a)に示すようにシャッタ132が支持板131の上方に位置する際、当該シャッタ132は、アライメントユニット120の処理容器121の底面と若干の隙間をあけて配置される。この隙間により、第1の洗浄ユニット130における洗浄処理時の振動が、アライメントユニット120に伝わるのを抑制できる。そして、支持板131、シャッタ132及び処理容器121で、処理空間Kが形成される。なお、処理容器121の底面には、シャッタ132の外方において、上述した処理容器121の底面とシャッタ132との隙間を覆うようにスカート121aが設けられている。このスカート121aにより、ウェハWの洗浄処理時に、洗浄液が外部に飛散することがない。 When the shutter 132 is located above the support plate 131 as shown in FIGS. 9A and 10A, the shutter 132 is arranged with a slight gap from the bottom surface of the processing container 121 of the alignment unit 120. Will be done. Due to this gap, it is possible to suppress the vibration of the first cleaning unit 130 during the cleaning process from being transmitted to the alignment unit 120. Then, the processing space K is formed by the support plate 131, the shutter 132, and the processing container 121. A skirt 121a is provided on the bottom surface of the processing container 121 so as to cover the gap between the bottom surface of the processing container 121 and the shutter 132 on the outside of the shutter 132. Due to this skirt 121a, the cleaning liquid does not scatter to the outside during the cleaning process of the wafer W.

一方、図9(b)及び図10(b)に示すようにシャッタ132が支持板131の下方に位置する際、処理空間Kが開放される。そして、搬送ユニット110によって処理空間KにウェハWが搬送される。また、開放された処理空間Kには、ウェハ搬送装置32の搬送パッド34が、搬送ユニット110とは異なる方向、すなわち搬送ステーション6側からアクセス可能である。 On the other hand, when the shutter 132 is located below the support plate 131 as shown in FIGS. 9 (b) and 10 (b), the processing space K is opened. Then, the wafer W is transferred to the processing space K by the transfer unit 110. Further, the transfer pad 34 of the wafer transfer device 32 can access the open processing space K from a direction different from that of the transfer unit 110, that is, from the transfer station 6 side.

処理空間Kの中央部には、ウェハWを保持して回転させるスピンチャック133が設けられている。スピンチャック133は、ウェハWを吸着保持する。スピンチャック133の下方には、例えばモータなどを備えた駆動部134が設けられている。スピンチャック133は、駆動部134により所定の速度に回転でき、また昇降自在になっている。スピンチャック133の周囲には、ウェハWから飛散又は落下する液体を受け止め、回収するカップ135が設けられている。 A spin chuck 133 that holds and rotates the wafer W is provided in the central portion of the processing space K. The spin chuck 133 attracts and holds the wafer W. Below the spin chuck 133, for example, a drive unit 134 equipped with a motor or the like is provided. The spin chuck 133 can be rotated to a predetermined speed by the drive unit 134, and can be raised and lowered. Around the spin chuck 133, a cup 135 that receives and collects the liquid scattered or dropped from the wafer W is provided.

洗浄液ノズル136はウェハWの加工面に洗浄液、例えば純水を供給する。また、洗浄液ノズル136は、移動機構137により水平方向及び鉛直方向に移動自在に構成されている。そして、スピンチャック133に保持されたウェハWを回転させながら、洗浄液ノズル136からウェハWの加工面に洗浄液を供給する。そうすると、供給された洗浄液はウェハWの加工面上を拡散し、当該加工面が洗浄される。 The cleaning liquid nozzle 136 supplies a cleaning liquid, for example, pure water, to the processed surface of the wafer W. Further, the cleaning liquid nozzle 136 is configured to be movable in the horizontal direction and the vertical direction by the moving mechanism 137. Then, while rotating the wafer W held by the spin chuck 133, the cleaning liquid is supplied from the cleaning liquid nozzle 136 to the machined surface of the wafer W. Then, the supplied cleaning liquid diffuses on the processed surface of the wafer W, and the processed surface is cleaned.

第2の洗浄ユニット140では、研削処理後のウェハWであって搬送ユニット110の搬送パッド114に保持されたウェハWの非加工面を洗浄すると共に、搬送パッド114を洗浄する。図11に示すように、第2の洗浄ユニット140は処理容器141を有し、処理容器141の内部には洗浄液ノズルを有するスポンジ洗浄具142、エアノズル143、ストーン洗浄具144(砥石)、及びブラシ洗浄具145が設けられている。スポンジ洗浄具142、エアノズル143、ストーン洗浄具144、及びブラシ洗浄具145はそれぞれ、昇降機構(図示せず)によって鉛直方向に移動自在に構成されている。 In the second cleaning unit 140, the unprocessed surface of the wafer W after the grinding process, which is held by the transfer pad 114 of the transfer unit 110, is cleaned, and the transfer pad 114 is also washed. As shown in FIG. 11, the second cleaning unit 140 has a processing container 141, and a sponge cleaning tool 142, an air nozzle 143, a stone cleaning tool 144 (grinding stone), and a brush having a cleaning liquid nozzle inside the processing container 141. A cleaning tool 145 is provided. The sponge cleaning tool 142, the air nozzle 143, the stone cleaning tool 144, and the brush cleaning tool 145 are each configured to be movable in the vertical direction by an elevating mechanism (not shown).

スポンジ洗浄具142は、例えばウェハWの径より長く延伸するスポンジを有し、スポンジには洗浄液、例えば純水を供給可能であり、当該非加工面、より詳細には非加工面に貼り付けられた保護テープを洗浄する。エアノズル143は、ウェハWの非加工面にエアを噴射して、当該非加工面を乾燥させる。これらスポンジ及び洗浄液による非加工面の洗浄と、エアによる非加工面の乾燥はそれぞれ、搬送パッド114でウェハWを保持した状態、且つ回転部111aによって搬送パッド114(ウェハW)を回転させながら行われる。これにより、ウェハWの非加工面全面が洗浄される。 The sponge cleaning tool 142 has, for example, a sponge that extends longer than the diameter of the wafer W, and a cleaning liquid such as pure water can be supplied to the sponge, and is attached to the non-processed surface, more specifically, the non-processed surface. Clean the protective tape. The air nozzle 143 injects air onto the non-processed surface of the wafer W to dry the non-processed surface. Cleaning of the non-processed surface with the sponge and the cleaning liquid and drying of the non-processed surface with air are performed while the wafer W is held by the transport pad 114 and the transport pad 114 (wafer W) is rotated by the rotating portion 111a. Will be. As a result, the entire surface of the unprocessed surface of the wafer W is cleaned.

ストーン洗浄具144とブラシ洗浄具145はそれぞれ、例えば搬送ユニット110の搬送パッド114におけるウェハWの吸着面の径より長く延伸し、当該吸着面に接触して洗浄する。そして、ストーン洗浄具144とブラシ洗浄具145による搬送パッド114の洗浄は、回転部111aによって搬送パッド114を回転させながら行われる。これにより搬送パッド114の全面が洗浄される。 Each of the stone cleaning tool 144 and the brush cleaning tool 145 is stretched longer than the diameter of the suction surface of the wafer W in the transfer pad 114 of the transfer unit 110, and is in contact with the suction surface for cleaning. Then, the transfer pad 114 is cleaned by the stone cleaning tool 144 and the brush cleaning tool 145 while rotating the transport pad 114 by the rotating portion 111a. As a result, the entire surface of the transport pad 114 is washed.

第3の洗浄ユニット150では、研削処理後のウェハWの加工面とチャック101を洗浄する。図3及び図4に示すように第3の洗浄ユニット150は、洗浄液ノズル151、ストーン洗浄具152(砥石)、及び移動機構153を有している。洗浄液ノズル151とストーン洗浄具152はそれぞれ、移動機構153によって、水平方向及び鉛直方向に移動自在に構成されている。 The third cleaning unit 150 cleans the machined surface of the wafer W and the chuck 101 after the grinding process. As shown in FIGS. 3 and 4, the third cleaning unit 150 has a cleaning liquid nozzle 151, a stone cleaning tool 152 (grinding stone), and a moving mechanism 153. The cleaning liquid nozzle 151 and the stone cleaning tool 152 are configured to be movable in the horizontal direction and the vertical direction by the moving mechanism 153, respectively.

洗浄液ノズル151はウェハWの加工面に洗浄液、例えば純水を供給する。そして、チャック101に保持されたウェハWを回転させながら、洗浄液ノズル151からウェハWの加工面に洗浄液を供給する。そうすると、供給された洗浄液はウェハWの加工面上を拡散し、当該加工面が洗浄される。 The cleaning liquid nozzle 151 supplies a cleaning liquid, for example, pure water, to the processed surface of the wafer W. Then, while rotating the wafer W held by the chuck 101, the cleaning liquid is supplied from the cleaning liquid nozzle 151 to the machined surface of the wafer W. Then, the supplied cleaning liquid diffuses on the processed surface of the wafer W, and the processed surface is cleaned.

ストーン洗浄具152は、チャック101の表面に接触して洗浄する。この際、ノズル(図示せず)からチャック101の表面に洗浄液、例えば純水を供給してもよい。 The stone cleaning tool 152 comes into contact with the surface of the chuck 101 for cleaning. At this time, a cleaning liquid, for example, pure water may be supplied from a nozzle (not shown) to the surface of the chuck 101.

粗研削ユニット160では、ウェハWの加工面を粗研削する。粗研削ユニット160は環状形状の粗研削砥石161を有している。粗研削砥石161には、スピンドル162を介して駆動部163が設けられている。駆動部163は例えばモータ(図示せず)を内蔵し、粗研削砥石161を回転させると共に、支柱164に沿って鉛直方向及び水平方向(X軸方向)に移動させる。そして、チャック101に保持されたウェハWを粗研削砥石161の円弧の一部に当接させた状態で、チャック101と粗研削砥石161をそれぞれ回転させることによって、ウェハWの裏面を粗研削する。またこのとき、ウェハWの裏面に研削液、例えば水が供給される。 In the rough grinding unit 160, the machined surface of the wafer W is roughly ground. The rough grinding unit 160 has an annularly shaped rough grinding wheel 161. The rough grinding wheel 161 is provided with a drive unit 163 via a spindle 162. The drive unit 163 incorporates, for example, a motor (not shown), rotates the rough grinding wheel 161 and moves it in the vertical direction and the horizontal direction (X-axis direction) along the support column 164. Then, the back surface of the wafer W is roughly ground by rotating the chuck 101 and the rough grinding wheel 161 in a state where the wafer W held by the chuck 101 is in contact with a part of the arc of the rough grinding wheel 161. .. At this time, a grinding fluid, for example, water is supplied to the back surface of the wafer W.

中研削ユニット170では、ウェハWの裏面を中研削する。図3及び図5に示すように中研削ユニット170の構成は粗研削ユニット160の構成とほぼ同様であり、中研削砥石171スピンドル172、駆動部173、及び支柱174を有している。なお、中研削砥石171の粒度は、粗研削砥石161の粒度より小さい。そして、チャック101に保持されたウェハWの裏面に研削液を供給しながら、裏面を中研削砥石171の円弧の一部に当接させた状態で、チャック101と中研削砥石171をそれぞれ回転させることによってウェハWの裏面を研削する。 In the medium grinding unit 170, the back surface of the wafer W is medium ground. As shown in FIGS. 3 and 5, the configuration of the medium grinding unit 170 is substantially the same as the configuration of the rough grinding unit 160, and includes a medium grinding wheel 171 spindle 172, a drive unit 173, and a support column 174. The grain size of the medium grinding wheel 171 is smaller than the grain size of the coarse grinding wheel 161. Then, while supplying the grinding fluid to the back surface of the wafer W held by the chuck 101, the chuck 101 and the medium grinding wheel 171 are rotated while the back surface is in contact with a part of the arc of the medium grinding wheel 171. This grinds the back surface of the wafer W.

仕上研削ユニット180では、ウェハWの裏面を仕上研削する。仕上研削ユニット180の構成は粗研削ユニット160、中研削ユニット170の構成とほぼ同様であり、仕上研削砥石181スピンドル182、駆動部183、及び支柱184を有している。なお、仕上研削砥石181の粒度は、中研削砥石171の粒度より小さい。そして、チャック101に保持されたウェハWの裏面に研削液を供給しながら、裏面を仕上研削砥石181の円弧の一部に当接させた状態で、チャック101と仕上研削砥石181をそれぞれ回転させることによってウェハWの裏面を研削する。 The finish grinding unit 180 finish grinds the back surface of the wafer W. The configuration of the finish grinding unit 180 is substantially the same as the configuration of the rough grinding unit 160 and the medium grinding unit 170, and includes a finishing grinding wheel 181 spindle 182, a drive unit 183, and a support column 184. The particle size of the finishing grinding wheel 181 is smaller than the particle size of the medium grinding wheel 171. Then, while supplying the grinding fluid to the back surface of the wafer W held by the chuck 101, the chuck 101 and the finishing grinding wheel 181 are rotated while the back surface is in contact with a part of the arc of the finishing grinding wheel 181. This grinds the back surface of the wafer W.

次に、以上のように構成された基板処理システム1を用いて行われるウェハ処理について説明する。 Next, the wafer processing performed by using the substrate processing system 1 configured as described above will be described.

先ず、複数のウェハWを収納したカセットCが、搬入ステーション2のカセット載置台10に載置される。カセットCには、保護テープが変形するのを抑制するため、当該保護テープが貼り付けられたウェハWの表面が上側を向くようにウェハWが収納されている。 First, the cassette C containing the plurality of wafers W is placed on the cassette mounting table 10 of the carry-in station 2. In order to prevent the protective tape from being deformed, the cassette C houses the wafer W so that the surface of the wafer W to which the protective tape is attached faces upward.

次に、ウェハ搬送装置32の搬送フォーク33によりカセットC内のウェハWが取り出され、加工装置4に搬送される。この際、搬送フォーク33によりウェハWの加工面が上側に向くように、表裏面が反転される。 Next, the wafer W in the cassette C is taken out by the transfer fork 33 of the wafer transfer device 32 and transferred to the processing device 4. At this time, the front and back surfaces are inverted so that the processed surface of the wafer W faces upward by the transport fork 33.

加工装置4に搬送されたウェハWは、アライメントユニット120のスピンチャック123に受け渡される。そして、当該アライメントユニット120において、ウェハWの水平方向の向きが調節される(図12のステップS1)。 The wafer W conveyed to the processing apparatus 4 is delivered to the spin chuck 123 of the alignment unit 120. Then, in the alignment unit 120, the horizontal orientation of the wafer W is adjusted (step S1 in FIG. 12).

次に、図13(a)及び(b)に示すようにウェハWは搬送ユニット110によって、アライメントユニット120から受渡位置A0に搬送され、当該受渡位置A0のチャック101に受け渡される。その後、回転テーブル100を反時計回りに90度回転させ、チャック101を第1の加工位置A1に移動させる。そして、粗研削ユニット160によって、ウェハWの加工面が粗研削される(図12のステップS2)。 Next, as shown in FIGS. 13A and 13B, the wafer W is conveyed from the alignment unit 120 to the delivery position A0 by the transfer unit 110, and is delivered to the chuck 101 at the delivery position A0. After that, the rotary table 100 is rotated 90 degrees counterclockwise to move the chuck 101 to the first machining position A1. Then, the machined surface of the wafer W is roughly ground by the rough grinding unit 160 (step S2 in FIG. 12).

なお、このステップS2においてウェハWがチャック101に保持される前に、チャック101は第3の洗浄ユニット150のストーン洗浄具152を用いて洗浄されている(図12のステップT1)。チャック101の洗浄は、ステップS2までの任意のタイミングで行われる。 Before the wafer W is held by the chuck 101 in this step S2, the chuck 101 is cleaned by using the stone cleaning tool 152 of the third cleaning unit 150 (step T1 in FIG. 12). Cleaning of the chuck 101 is performed at an arbitrary timing up to step S2.

次に、回転テーブル100を反時計回りに90度回転させ、チャック101を第2の加工位置A2に移動させる。そして、中研削ユニット170によって、ウェハWの裏面が中研削される(図12のステップS3)。 Next, the rotary table 100 is rotated 90 degrees counterclockwise to move the chuck 101 to the second machining position A2. Then, the back surface of the wafer W is medium-ground by the medium-grinding unit 170 (step S3 in FIG. 12).

次に、回転テーブル100を反時計回りに90度回転させ、チャック101を第3の加工位置A3に移動させる。そして、仕上研削ユニット180によって、ウェハWの裏面が仕上研削される(図12のステップS4)。 Next, the rotary table 100 is rotated 90 degrees counterclockwise to move the chuck 101 to the third machining position A3. Then, the back surface of the wafer W is finish-ground by the finish grinding unit 180 (step S4 in FIG. 12).

次に、回転テーブル100を反時計回りに90度回転させ、又は回転テーブル100を時計回りに270度回転させて、チャック101を受渡位置A0に移動させる。そして、第3の洗浄ユニット150の洗浄液ノズル151を用いて、ウェハWの加工面が洗浄液によって粗洗浄される(図12のステップS5)。このステップS5では、加工面の汚れをある程度まで落とす洗浄が行われる。 Next, the rotary table 100 is rotated 90 degrees counterclockwise, or the rotary table 100 is rotated 270 degrees clockwise to move the chuck 101 to the delivery position A0. Then, the machined surface of the wafer W is roughly cleaned by the cleaning liquid using the cleaning liquid nozzle 151 of the third cleaning unit 150 (step S5 in FIG. 12). In this step S5, cleaning is performed to remove stains on the machined surface to some extent.

次に、図13(c)に示すようにウェハWは搬送ユニット110によって受渡位置A0から第2の洗浄ユニット140に搬送される。この際、ウェハWは薄化されているが、搬送パッド114はウェハWの加工面を全面で吸着保持する。そして、第2の洗浄ユニット140では、ウェハWが搬送パッド114に回転保持された状態で、スポンジ洗浄具142によってウェハWの非加工面が洗浄される(図12のステップS6)。その後さらに、ウェハWが搬送パッド114に回転保持された状態で、エアノズル143から非加工面にエアが噴射され、当該非加工面が乾燥される。 Next, as shown in FIG. 13 (c), the wafer W is transferred from the delivery position A0 to the second cleaning unit 140 by the transfer unit 110. At this time, although the wafer W is thinned, the transport pad 114 sucks and holds the processed surface of the wafer W on the entire surface. Then, in the second cleaning unit 140, the unprocessed surface of the wafer W is cleaned by the sponge cleaning tool 142 while the wafer W is rotationally held by the transport pad 114 (step S6 in FIG. 12). After that, with the wafer W being rotationally held by the transport pad 114, air is ejected from the air nozzle 143 to the non-processed surface to dry the non-processed surface.

なお、このステップS6においてウェハWが搬送ユニット110によって搬送される前に、搬送ユニット110の搬送パッド114は、第2の洗浄ユニット140のストーン洗浄具144とブラシ洗浄具145を用いて洗浄されている(図12のステップT2)。ストーン洗浄具144とブラシ洗浄具145による搬送パッド114の洗浄は、回転部111aによって搬送パッド114を回転させながら行われる。また、搬送パッド114の洗浄は、ステップS6までの任意のタイミングで行われる。 Before the wafer W is conveyed by the transfer unit 110 in this step S6, the transfer pad 114 of the transfer unit 110 is cleaned by using the stone cleaning tool 144 and the brush cleaning tool 145 of the second cleaning unit 140. (Step T2 in FIG. 12). Cleaning of the transport pad 114 by the stone cleaning tool 144 and the brush cleaning tool 145 is performed while rotating the transport pad 114 by the rotating portion 111a. Further, the washing of the transport pad 114 is performed at an arbitrary timing up to step S6.

次に、図13(d)に示すようにウェハWは搬送ユニット110によって、第2の洗浄ユニット140から第1の洗浄ユニット130に搬送される。ウェハWの搬送時、第1の洗浄ユニット130では、シャッタ132が支持板131の下方に位置し、処理空間Kが開放されている。その後、ウェハWがスピンチャック133に受け渡され、搬送ユニット110が退出すると、シャッタ132を昇降させて、当該シャッタ132を支持板131の上方に配置し、処理空間Kが形成される。その後、スピンチャック133に保持されたウェハWを回転させながら、洗浄液ノズル136からウェハWの加工面に洗浄液を供給し、当該加工面が仕上洗浄される(図12のステップS7)。このステップS7では、ウェハWの加工面が所望の清浄度まで洗浄し乾燥される。そして、ウェハWの加工面の仕上洗浄と乾燥が終了すると、シャッタ132を下降させて、当該シャッタ132を支持板131の下方に配置し、処理空間Kが開放される。 Next, as shown in FIG. 13D, the wafer W is transferred from the second cleaning unit 140 to the first cleaning unit 130 by the transfer unit 110. When the wafer W is transferred, in the first cleaning unit 130, the shutter 132 is located below the support plate 131, and the processing space K is open. After that, when the wafer W is handed over to the spin chuck 133 and the transport unit 110 exits, the shutter 132 is moved up and down, the shutter 132 is arranged above the support plate 131, and the processing space K is formed. Then, while rotating the wafer W held by the spin chuck 133, the cleaning liquid is supplied from the cleaning liquid nozzle 136 to the processed surface of the wafer W, and the processed surface is finished and cleaned (step S7 in FIG. 12). In this step S7, the machined surface of the wafer W is washed and dried to a desired cleanliness. Then, when the finish cleaning and drying of the processed surface of the wafer W are completed, the shutter 132 is lowered, the shutter 132 is arranged below the support plate 131, and the processing space K is opened.

その後、ウェハWはウェハ搬送装置32によって、第1の洗浄ユニット130から後処理装置5に搬送される。この際、ウェハWは薄化されているが、搬送パッド34はウェハWの加工面を全面で吸着保持する。そして、後処理装置5では、ウェハWをダイシングフレームに保持するマウント処理や、ウェハWに貼り付けられた保護テープを剥離する剥離処理などの後処理が行われる(図12のステップS8)。 After that, the wafer W is transferred from the first cleaning unit 130 to the post-processing device 5 by the wafer transfer device 32. At this time, although the wafer W is thinned, the transport pad 34 sucks and holds the processed surface of the wafer W on the entire surface. Then, the post-processing apparatus 5 performs post-processing such as a mounting process for holding the wafer W on the dicing frame and a peeling process for peeling off the protective tape attached to the wafer W (step S8 in FIG. 12).

その後、すべての処理が施されたウェハWは、搬出ステーション3のカセット載置台20のカセットCに搬送される。こうして、基板処理システム1における一連のウェハ処理が終了する。 After that, the wafer W to which all the processing has been performed is transferred to the cassette C of the cassette mounting table 20 of the unloading station 3. In this way, a series of wafer processing in the substrate processing system 1 is completed.

なお、一連のウェハ処理において加工装置4では、搬送ユニット110が動作を停止している際、当該搬送ユニット110の搬送パッド114は待機位置である、第2の洗浄ユニット140の上方に配置されている。この待機の際、搬送パッド114は回転テーブル100のチャック101(受渡位置A0及び加工位置A1~A3)より高い位置に配置されるのが好ましい。上述したステップS2~S4において研削ユニット160、170、180でウェハWの加工面を研削する際、削り屑が発生し、この削り屑を含む汚染空気がチャック101側から流れてくる。そこで、搬送パッド114の待機時に搬送パッド114をチャック101より高く配置することで、当該搬送パッド114が汚染空気によって汚染されるのを抑制することができる。 In the processing apparatus 4, when the transfer unit 110 is stopped in the series of wafer processing, the transfer pad 114 of the transfer unit 110 is arranged above the second cleaning unit 140, which is the standby position. There is. At the time of this standby, it is preferable that the transport pad 114 is arranged at a position higher than the chuck 101 (delivery position A0 and processing positions A1 to A3) of the rotary table 100. When the machined surface of the wafer W is ground by the grinding units 160, 170, 180 in steps S2 to S4 described above, shavings are generated, and contaminated air containing the shavings flows from the chuck 101 side. Therefore, by arranging the transport pad 114 higher than the chuck 101 while the transport pad 114 is on standby, it is possible to prevent the transport pad 114 from being contaminated by contaminated air.

以上の実施形態によれば、加工装置4において、搬送ユニット110は、3つのアーム111~113を備えた多関節型のロボットであり、各アーム111~113を独立して移動させることができるので、搬送パッド114が受渡位置A0、アライメントユニット120、第1の洗浄ユニット130、及び第2の洗浄ユニット140にアクセスすることができる。そして、このように1つの搬送ユニット110で、受渡位置A0及び各ユニット120、130、140にウェハWを搬送することができるので、当該搬送ユニット110の移動自由度を高くすることができる。さらに、ウェハWの搬送手段が1つであるため、加工装置4の装置構成を簡略化することもできる。したがって、ウェハ処理を効率よく行うことができる。 According to the above embodiment, in the processing apparatus 4, the transport unit 110 is an articulated robot provided with three arms 111 to 113, and each arm 111 to 113 can be moved independently. , The transport pad 114 can access the delivery position A0, the alignment unit 120, the first cleaning unit 130, and the second cleaning unit 140. Since the wafer W can be conveyed to the delivery position A0 and the units 120, 130, and 140 by one transfer unit 110 in this way, the degree of freedom of movement of the transfer unit 110 can be increased. Further, since there is only one transfer means for the wafer W, the apparatus configuration of the processing apparatus 4 can be simplified. Therefore, the wafer processing can be efficiently performed.

また、加工装置4において、受渡位置A0、第2の洗浄ユニット140、アライメントユニット120、及び第1の洗浄ユニット130は、Y軸方向に並べて配置されているので、搬送ユニット110のアクセス範囲を小さくすることができ、ウェハWを効率よく搬送することができる。 Further, in the processing apparatus 4, the delivery position A0, the second cleaning unit 140, the alignment unit 120, and the first cleaning unit 130 are arranged side by side in the Y-axis direction, so that the access range of the transport unit 110 is reduced. And the wafer W can be efficiently transported.

また、加工装置4においてアライメントユニット120と第1の洗浄ユニット130が積層されているので、加工装置4のフットプリントを小さくすることができる。その結果、加工装置4の設置自由度が向上する。また、このようにアライメントユニット120と第1の洗浄ユニット130を積層することで、これら各ユニット120、130のメンテナンスも容易に行うことができる。 Further, since the alignment unit 120 and the first cleaning unit 130 are laminated in the processing device 4, the footprint of the processing device 4 can be reduced. As a result, the degree of freedom in installing the processing device 4 is improved. Further, by stacking the alignment unit 120 and the first cleaning unit 130 in this way, maintenance of each of these units 120 and 130 can be easily performed.

さらに、アライメントユニット120と第1の洗浄ユニット130は上方からこの順で積層されており、すなわち液処理を行う第1の洗浄ユニット130がアライメントユニット120の下層に設けられている。かかる場合、第1の洗浄ユニット130における排液を第1の洗浄ユニット130の下部から容易に行うことができ、また第1の洗浄ユニット130で発生したパーティクルがアライメントユニット120に侵入することがない。但し、アライメントユニット120と第1の洗浄ユニット130の積層順はこれに限定されるものではない。 Further, the alignment unit 120 and the first cleaning unit 130 are laminated in this order from above, that is, the first cleaning unit 130 for performing liquid treatment is provided in the lower layer of the alignment unit 120. In such a case, the drainage in the first cleaning unit 130 can be easily performed from the lower part of the first cleaning unit 130, and the particles generated in the first cleaning unit 130 do not invade the alignment unit 120. .. However, the stacking order of the alignment unit 120 and the first cleaning unit 130 is not limited to this.

また、本実施形態によれば、一の基板処理システム1において、一連の処理を複数のウェハWに対して連続して行うことができ、スループットを向上させることができる。 Further, according to the present embodiment, in one substrate processing system 1, a series of processing can be continuously performed on a plurality of wafers W, and the throughput can be improved.

なお、基板処理システム1の構成は、上記実施形態に限定されるものではない。例えば加工装置4において、アライメントユニット120と第1の洗浄ユニット130は積層されていたが、水平方向に並べて配置してもよい。但し、フットプリントを小さくする観点からは、積層した方が好ましい。また、第1の洗浄ユニット130は、加工装置4の外部、例えば加工装置4と後処理装置5の間に設けられてもよい。 The configuration of the substrate processing system 1 is not limited to the above embodiment. For example, in the processing apparatus 4, the alignment unit 120 and the first cleaning unit 130 are laminated, but they may be arranged side by side in the horizontal direction. However, from the viewpoint of reducing the footprint, it is preferable to stack them. Further, the first cleaning unit 130 may be provided outside the processing device 4, for example, between the processing device 4 and the post-processing device 5.

また、加工装置4において、第2の洗浄ユニット140は、アライメントユニット120及び第1の洗浄ユニット130と水平方向に並べて配置されていたが、これらアライメントユニット120と第1の洗浄ユニット130に積層されて設けられていてもよい。但し、搬送ユニット110の搬送パッド114には、必ず待機位置が必要になるため、その待機位置に第2の洗浄ユニット140を配置するのがレイアウトとしては効率がよい。 Further, in the processing apparatus 4, the second cleaning unit 140 was arranged side by side in the horizontal direction with the alignment unit 120 and the first cleaning unit 130, but the alignment unit 120 and the first cleaning unit 130 are laminated. It may be provided. However, since the transport pad 114 of the transport unit 110 always requires a standby position, it is efficient as a layout to arrange the second cleaning unit 140 at the standby position.

また、加工装置4において、搬送ユニット110の鉛直移動機構115はドライ環境領域R2に固定して設けられていたが、例えば図1のY軸方向に移動自在に構成されていてもよい。かかる場合、3つのアーム111~113のうち、いずれか1つのアームを省略してもよい。 Further, in the processing device 4, the vertical movement mechanism 115 of the transport unit 110 is fixedly provided in the dry environment region R2, but may be configured to be movable in the Y-axis direction of FIG. 1, for example. In such a case, any one of the three arms 111 to 113 may be omitted.

また、基板処理システム1において、例えば加工装置4と後処理装置5の間に別のウェハ搬送装置が設けられていてもよい。このウェハ搬送装置は、例えば第1の洗浄ユニット130から後処理装置5にウェハWを搬送する。 Further, in the substrate processing system 1, for example, another wafer transfer device may be provided between the processing device 4 and the post-processing device 5. This wafer transfer device transfers the wafer W from, for example, the first cleaning unit 130 to the aftertreatment device 5.

また、基板処理システム1において、後処理装置5では、マウント処理や剥離処理が行われていたが、ウェハWに対するダイシング処理を行ってもよい。あるいは、基板処理システム1は、加工装置4と後処理装置5に加えて、ダイシング処理を行うダイシング装置を別途有していてもよい。このようなダイシング処理は、加工装置4における研削処理の前に行われてもよいし、研削処理の後で行われてもよい。さらに、基板処理システム1は後処理装置5を省略し、マウント処理や剥離処理、ダイシング処理を基板処理システム1の外部で行ってもよい。かかる場合、加工装置4で研削処理されたウェハWは、ウェハ搬送装置32の搬送パッド34により、第1の洗浄ユニット130からカセット載置台10に搬送される。 Further, in the substrate processing system 1, the post-processing apparatus 5 has performed mounting processing and peeling processing, but dicing processing may be performed on the wafer W. Alternatively, the substrate processing system 1 may separately have a dicing device for performing dicing processing in addition to the processing device 4 and the post-processing device 5. Such a dicing process may be performed before the grinding process in the processing apparatus 4, or may be performed after the grinding process. Further, the substrate processing system 1 may omit the post-processing device 5 and perform mounting processing, peeling processing, and dicing processing outside the substrate processing system 1. In such a case, the wafer W ground by the processing device 4 is transferred from the first cleaning unit 130 to the cassette mounting table 10 by the transfer pad 34 of the wafer transfer device 32.

次に、上記実施形態の基板処理システム1の加工装置4における、搬送ユニット110の構成についてより詳細に説明する。すなわち、搬送ユニット110の搬送パッド114は、側面視において傾動自在にする場合と、この側面視における傾動を固定する場合を、切り替え自在に構成されている。搬送パッド114を傾動自在にする機構(以下、傾動機構という)と固定する機構(以下、固定機構という)は、それぞれ任意の構成を取り得るが、以下、その例を説明する。 Next, the configuration of the transport unit 110 in the processing apparatus 4 of the substrate processing system 1 of the above embodiment will be described in more detail. That is, the transport pad 114 of the transport unit 110 is configured to be freely switchable between a case where the tilt is movable in the side view and a case where the tilt is fixed in the side view. The mechanism for making the transport pad 114 tiltable (hereinafter referred to as a tilting mechanism) and the mechanism for fixing the transport pad 114 (hereinafter referred to as a fixing mechanism) may each have an arbitrary configuration, and examples thereof will be described below.

図14は、搬送パッド114の傾動機構200の構成の概略を示す説明図であり、(a)は平面図であり、(b)は側面図である。傾動機構200は、支持プレート201と付勢部202を有している。支持プレート201は円板形状を有し、搬送パッド114の上方において、当該搬送パッド114と同心円状に設けられている。また、支持プレート201は、第1のアーム111に支持されている。 14A and 14B are explanatory views showing an outline of the configuration of the tilting mechanism 200 of the transport pad 114, where FIG. 14A is a plan view and FIG. 14B is a side view. The tilting mechanism 200 has a support plate 201 and an urging portion 202. The support plate 201 has a disk shape and is provided concentrically with the transport pad 114 above the transport pad 114. Further, the support plate 201 is supported by the first arm 111.

付勢部202は、支持プレート201に対して搬送パッド114を離間方向に付勢する。付勢部202は、支持プレート201の同一円周上を等間隔に複数、例えば3箇所に設けられている。この3つの付勢部202によって、搬送パッド114は、その鉛直方向の中心軸Cを中心に傾動可能に構成されている。 The urging portion 202 urges the transport pad 114 with respect to the support plate 201 in the separating direction. The urging portions 202 are provided at a plurality of, for example, three locations on the same circumference of the support plate 201 at equal intervals. The transport pad 114 is configured to be tiltable about the central axis C in the vertical direction by the three urging portions 202.

図15に示すように付勢部202は、ボルト203、ばね204、及びケース205を有している。ボルト203の先端部203aは、搬送パッド114に固定して設けられている。一方、ボルト203のボルトヘッド203bは、支持プレート201の上面側で上下動可能になっている。ボルト203の外周面には、ばね204が設けられている。ばね204は、ケース205に収容されている。かかる構成により、付勢部202は、支持プレート201に対して搬送パッド114を付勢できる。 As shown in FIG. 15, the urging portion 202 has a bolt 203, a spring 204, and a case 205. The tip portion 203a of the bolt 203 is fixedly provided to the transport pad 114. On the other hand, the bolt head 203b of the bolt 203 can move up and down on the upper surface side of the support plate 201. A spring 204 is provided on the outer peripheral surface of the bolt 203. The spring 204 is housed in the case 205. With such a configuration, the urging unit 202 can urge the transport pad 114 against the support plate 201.

図16は、搬送パッド114の固定機構210の構成の概略を示す側面図である。固定機構210は、各付勢部202の上方に設けられている。固定機構210は、ロック部材211とシリンダ212を有している。ロック部材211はボルト203の上方において、鉛直方向に延伸して設けられている。シリンダ212はロック部材211を鉛直方向に移動させる。かかる構成により、固定機構210は、ロック部材211をボルト203のボルトヘッド203bに当接させることで、搬送パッド114の上下動を固定することができる。一方、固定機構210は、ロック部材211をボルト203と当接させないように上方に配置することで、搬送パッド114を上下動させることができる。 FIG. 16 is a side view showing an outline of the configuration of the fixing mechanism 210 of the transport pad 114. The fixing mechanism 210 is provided above each urging portion 202. The fixing mechanism 210 has a lock member 211 and a cylinder 212. The lock member 211 is provided above the bolt 203 so as to extend in the vertical direction. The cylinder 212 moves the lock member 211 in the vertical direction. With such a configuration, the fixing mechanism 210 can fix the vertical movement of the transport pad 114 by bringing the lock member 211 into contact with the bolt head 203b of the bolt 203. On the other hand, the fixing mechanism 210 can move the transport pad 114 up and down by arranging the lock member 211 upward so as not to come into contact with the bolt 203.

次に、以上の傾動機構200と固定機構210の動作について、上述した基板処理システム1におけるウェハ処理に即して説明する。なお、以下の説明において、搬送パッド114を傾動自在にさせるとは、固定機構210のロック部材211を傾動機構200のボルト203に当接させず、傾動機構200の機能によって、搬送パッド114の傾動がフリーな状態になっていることをいう。また、搬送パッド114の傾動を固定させるとは、ロック部材211をボルト203に当接させ、搬送パッド114の上下動がロックされている状態をいう。 Next, the operations of the tilting mechanism 200 and the fixing mechanism 210 will be described in line with the wafer processing in the substrate processing system 1 described above. In the following description, making the transport pad 114 tiltable means that the lock member 211 of the fixing mechanism 210 is not brought into contact with the bolt 203 of the tilt mechanism 200, and the transport pad 114 is tilted by the function of the tilt mechanism 200. Is in a free state. Further, fixing the tilt of the transport pad 114 means a state in which the lock member 211 is brought into contact with the bolt 203 and the vertical movement of the transport pad 114 is locked.

先ず、ステップS1においてアライメントユニット120でウェハWの水平方向の向きが調節された後、搬送ユニット110によってアライメントユニット120からウェハWを取り出す際には、搬送パッド114を傾動自在させる。これにより、例えばスピンチャック123に保持されたウェハWが水平でない場合でも、その傾きにそって搬送パッド114を傾動させることができ、ウェハWを適切に受け取ることができる。 First, after the horizontal orientation of the wafer W is adjusted by the alignment unit 120 in step S1, when the wafer W is taken out from the alignment unit 120 by the transfer unit 110, the transfer pad 114 is tilted freely. Thereby, for example, even if the wafer W held by the spin chuck 123 is not horizontal, the transport pad 114 can be tilted along the inclination, and the wafer W can be appropriately received.

その後、搬送ユニット110によって、アライメントユニット120から受渡位置A0にウェハWを搬送する際には、搬送パッド114の傾動を固定する。これにより、搬送中にウェハWが不規則に上下動することを抑制することができる。 After that, when the wafer W is transferred from the alignment unit 120 to the delivery position A0 by the transfer unit 110, the tilt of the transfer pad 114 is fixed. As a result, it is possible to prevent the wafer W from moving up and down irregularly during transportation.

その後、搬送ユニット110によって、受渡位置A0のチャック101にウェハWを受け渡す際には、搬送パッド114を傾動自在させる。これにより、例えば図17に示すようにチャック101が平坦(水平)でない場合でも、その傾きにそって搬送パッド114を傾動させることができ、ウェハWを適切に受け渡すことができる。 After that, when the wafer W is delivered to the chuck 101 at the delivery position A0 by the transfer unit 110, the transfer pad 114 is tilted freely. Thereby, for example, even when the chuck 101 is not flat (horizontal) as shown in FIG. 17, the transport pad 114 can be tilted along the inclination, and the wafer W can be appropriately delivered.

その後、ステップS2~S5の研削処理が終了し、搬送ユニット110によって受渡位置A0のチャック101からウェハWを受け取る際には、搬送パッド114を傾動自在させる。 After that, when the grinding process in steps S2 to S5 is completed and the wafer W is received from the chuck 101 at the delivery position A0 by the transfer unit 110, the transfer pad 114 is tilted freely.

その後、搬送ユニット110によって、受渡位置A0から第2の洗浄ユニット140にウェハWを搬送する際には、搬送パッド114の傾動を固定する。 After that, when the wafer W is transferred from the delivery position A0 to the second cleaning unit 140 by the transfer unit 110, the tilt of the transfer pad 114 is fixed.

その後、ステップS6において、搬送パッド114に保持されたウェハWの非加工面を洗浄する際には、搬送パッド114の傾動を固定する。これにより、ウェハWが不規則に上下動しないので、非加工面を適切に洗浄することができる。 After that, in step S6, when cleaning the non-processed surface of the wafer W held by the transfer pad 114, the tilt of the transfer pad 114 is fixed. As a result, the wafer W does not move up and down irregularly, so that the non-processed surface can be appropriately cleaned.

なお、このステップS6においてウェハWが搬送ユニット110によって搬送される前に、ステップT2において、第2の洗浄ユニット140のストーン洗浄具144とブラシ洗浄具145を用いて搬送パッド114が洗浄される。この搬送パッド114の洗浄の際には、図18に示すように搬送パッド114の傾動を固定する。これにより、搬送パッド114が不規則に上下動しないので、当該搬送パッド114を適切に洗浄することができる。 Before the wafer W is transported by the transport unit 110 in step S6, the transport pad 114 is cleaned by using the stone cleaning tool 144 and the brush cleaning tool 145 of the second cleaning unit 140 in step T2. When cleaning the transport pad 114, the tilt of the transport pad 114 is fixed as shown in FIG. As a result, the transport pad 114 does not move up and down irregularly, so that the transport pad 114 can be appropriately cleaned.

その後、搬送ユニット110によって、第2の洗浄ユニット140から第1の洗浄ユニット130にウェハWを搬送する際には、搬送パッド114の傾動を固定する。 After that, when the wafer W is transferred from the second cleaning unit 140 to the first cleaning unit 130 by the transfer unit 110, the tilt of the transfer pad 114 is fixed.

その後、搬送ユニット110によって、第1の洗浄ユニット130のスピンチャック133にウェハWを受け渡す際には、搬送パッド114を傾動自在させる。これにより、スピンチャック133が平坦(水平)でない場合でも、その傾きにそって搬送パッド114を傾動させることができ、ウェハWを適切に受け渡すことができる。 After that, when the wafer W is handed over to the spin chuck 133 of the first cleaning unit 130 by the transport unit 110, the transport pad 114 is tilted freely. As a result, even when the spin chuck 133 is not flat (horizontal), the transport pad 114 can be tilted along the inclination of the spin chuck 133, and the wafer W can be appropriately delivered.

その後、ステップS8が行われるが、搬送ユニット110を用いない処理であるため、説明を省略する。 After that, step S8 is performed, but since it is a process that does not use the transport unit 110, the description thereof will be omitted.

以上の実施形態によれば、搬送ユニット110を用いたウェハWの受け渡し時(受け取り時)には、搬送パッド114を傾動自在にしている。このため、例えば受け渡す側のチャックが平坦(水平)でない場合でも、その傾きにそって搬送パッド114を傾動させることができ、ウェハWを適切に受け渡すことができる。 According to the above embodiment, when the wafer W is delivered (received) using the transport unit 110, the transport pad 114 is tilted freely. Therefore, for example, even if the chuck on the delivery side is not flat (horizontal), the transfer pad 114 can be tilted along the inclination, and the wafer W can be appropriately delivered.

一方、ウェハWの受け渡し以外の時、例えばウェハWの搬送時や洗浄時、搬送パッド114の洗浄時には、搬送パッド114の傾動を固定しているので、当該搬送や洗浄を適切に行うことができる。 On the other hand, since the tilt of the transfer pad 114 is fixed at times other than the transfer of the wafer W, for example, during transfer or cleaning of the wafer W, or during cleaning of the transfer pad 114, the transfer or cleaning can be performed appropriately. ..

このように、搬送パッド114の傾動と固定を切り替えることでウェハ処理を適切に行うことができる。 In this way, the wafer processing can be appropriately performed by switching between tilting and fixing of the transport pad 114.

なお、以上の基板処理システム1は、搬送ユニット110の搬送パッド114に保持されたウェハWに対し、保護テープの厚みを計測する厚み計測器(図示せず)を有していてもよい。厚み計測器は公知の計測器を用いることができるが、例えば分光干渉計を用いることができる。 The substrate processing system 1 described above may have a thickness measuring instrument (not shown) for measuring the thickness of the protective tape with respect to the wafer W held by the transfer pad 114 of the transfer unit 110. As the thickness measuring instrument, a known measuring instrument can be used, but for example, a spectroscopic interferometer can be used.

ここで、ウェハWに貼り付けられた保護テープは、テープ自体の厚みが面内でばらつく場合がある。また、保護テープをウェハWに貼り付ける際に張力が不均一になるために、保護テープの厚みが面内でばらつく場合もある。そして、このようにテープの厚みが不均一な状態で研削処理を行うと、当該研削がウェハ面内で均一になってしまう。 Here, in the protective tape attached to the wafer W, the thickness of the tape itself may vary in the plane. Further, when the protective tape is attached to the wafer W, the tension becomes non-uniform, so that the thickness of the protective tape may vary in the plane. If the grinding process is performed in such a state that the thickness of the tape is not uniform, the grinding becomes uniform in the wafer surface.

そこで、例えばステップS1においてアライメントユニット120でウェハWの水平方向の向きが調節された後、搬送ユニット110によって受渡位置A0にウェハWを搬送する際、搬送パッド114に保持されたウェハWに対し、厚み計測器によって保護テープの厚みを計測する。そして、ステップS2~S4の研削処理では、保護テープの厚みの計測結果に基づいて、ウェハWの加工面に対する研削ユニット160、170、180(研削砥石161、171、181)の当接の仕方を調節する。そうすると、ウェハ面内で均一な厚みにウェハWを研削して薄化することができる。 Therefore, for example, after the horizontal orientation of the wafer W is adjusted by the alignment unit 120 in step S1, when the wafer W is transferred to the delivery position A0 by the transfer unit 110, the wafer W held by the transfer pad 114 is transferred to the wafer W. Measure the thickness of the protective tape with a thickness measuring instrument. Then, in the grinding process of steps S2 to S4, the method of contacting the grinding units 160, 170, 180 (grinding grindstones 161, 171 and 181) with the machined surface of the wafer W is determined based on the measurement result of the thickness of the protective tape. Adjust. Then, the wafer W can be ground and thinned to a uniform thickness in the wafer surface.

このような保護テープの厚み計測を行う場合、搬送パッド114の傾動を固定する。これにより、保護テープの厚みを適切に計測することができる。 When measuring the thickness of such a protective tape, the tilt of the transport pad 114 is fixed. This makes it possible to appropriately measure the thickness of the protective tape.

なお、搬送パッド114の傾動機構と固定機構の構成は、上記実施形態に限定されるものではない。 The configuration of the tilting mechanism and the fixing mechanism of the transport pad 114 is not limited to the above embodiment.

例えば図19に示すように固定機構220は、水平方向に延伸するロック部材221と、ロック部材221を水平方向に移動させるシリンダ222を有している。かかる構成により、固定機構220は、ロック部材221をボルト203に当接させることで、搬送パッド114の上下動を固定することができる。一方、固定機構220は、ロック部材221をボルト203と当接させないように側方に配置することで、搬送パッド114を上下動させることができる。 For example, as shown in FIG. 19, the fixing mechanism 220 has a lock member 221 extending in the horizontal direction and a cylinder 222 for moving the lock member 221 in the horizontal direction. With such a configuration, the fixing mechanism 220 can fix the vertical movement of the transport pad 114 by bringing the lock member 221 into contact with the bolt 203. On the other hand, the fixing mechanism 220 can move the transport pad 114 up and down by arranging the lock member 221 laterally so as not to come into contact with the bolt 203.

また、例えば図20に示すように固定機構230は、回転自在のロック部材231を有していてもよい。ロック部材231は、中心から径方向に延伸するアーム231aを3本有し、各アーム231aは傾動機構200のボルト203に対応するように設けられている。かかる構成により、固定機構230は、ロック部材231を回転させてアーム231aをボルト203に当接させることで、搬送パッド114の上下動を固定することができる。一方、固定機構230は、アーム231aをボルト203と当接させないように配置することで、搬送パッド114を上下動させることができる。 Further, for example, as shown in FIG. 20, the fixing mechanism 230 may have a rotatable lock member 231. The lock member 231 has three arms 231a extending radially from the center, and each arm 231a is provided so as to correspond to the bolt 203 of the tilting mechanism 200. With such a configuration, the fixing mechanism 230 can fix the vertical movement of the transport pad 114 by rotating the lock member 231 to bring the arm 231a into contact with the bolt 203. On the other hand, the fixing mechanism 230 can move the transport pad 114 up and down by arranging the arm 231a so as not to come into contact with the bolt 203.

また、例えば図21に示すように搬送ユニット110は、傾動機構と固定機構が複合した機構240(以下、複合機構240という)を有していてもよい。複合機構240は、搬送パッド114を支持する支持球体241と、支持球体241を真空引きして吸着する吸着体242とを有している。吸着体242の下面には、支持球体241の球形状に沿った湾曲部242aが形成されている。支持球体241は、湾曲部242aに沿って回転自在に構成されている。この支持球体241によって、搬送パッド114は、その鉛直方向の中心軸Cを中心に傾動可能に構成されている。また、湾曲部242aには複数の吸引口(図示せず)が形成され、各吸引口は真空引きする吸引機構(図示せず)に接続されている。 Further, for example, as shown in FIG. 21, the transport unit 110 may have a mechanism 240 (hereinafter referred to as a composite mechanism 240) in which a tilting mechanism and a fixing mechanism are combined. The composite mechanism 240 has a support sphere 241 that supports the transport pad 114, and an adsorbent 242 that evacuates and sucks the support sphere 241. A curved portion 242a along the spherical shape of the support sphere 241 is formed on the lower surface of the adsorbent 242. The support sphere 241 is rotatably configured along the curved portion 242a. The support sphere 241 allows the transport pad 114 to be tilted about the central axis C in the vertical direction. Further, a plurality of suction ports (not shown) are formed in the curved portion 242a, and each suction port is connected to a suction mechanism (not shown) for evacuation.

かかる構成により、複合機構240は、吸着体242の湾曲部242aが支持球体241を真空引きして吸着保持する。これにより、支持球体241の回転が固定され、搬送パッド114の傾動を固定することができる。一方、吸着体242の湾曲部242aによる支持球体241の真空引きを停止することで、支持球体241は自由に回転することができる。そして、このように支持球体241が回転することで、搬送パッド114を、中心軸Cを中心に傾動させることができる。 With such a configuration, in the composite mechanism 240, the curved portion 242a of the adsorbent 242 evacuates the support sphere 241 to adsorb and hold the support sphere 241. As a result, the rotation of the support sphere 241 is fixed, and the tilt of the transport pad 114 can be fixed. On the other hand, by stopping the evacuation of the support sphere 241 by the curved portion 242a of the adsorbent 242, the support sphere 241 can rotate freely. Then, by rotating the support sphere 241 in this way, the transport pad 114 can be tilted about the central axis C.

なお、以上の実施形態の傾動機構200と固定機構210、220、230(複合機構240)は、搬送ユニット110の搬送パッド114に限らず、ウェハWを吸着保持して搬送するものであれば適用できる。例えば傾動機構200と固定機構210、220、230(複合機構240)は、ウェハ搬送装置32の搬送パッド34にも適用できる。 The tilting mechanism 200 and the fixing mechanisms 210, 220, 230 (composite mechanism 240) of the above embodiment are not limited to the transport pad 114 of the transport unit 110, and are applicable as long as the wafer W is sucked and held and transported. can. For example, the tilting mechanism 200 and the fixing mechanisms 210, 220, 230 (composite mechanism 240) can also be applied to the transfer pad 34 of the wafer transfer device 32.

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到しうることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。 Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to such examples. It is clear that a person skilled in the art can come up with various modifications or amendments within the scope of the technical idea described in the claims, and of course, the technical scope of the present invention also includes them. It is understood that it belongs to.

例えば、以上の実施形態では、ウェハWの表面にはデバイスを保護するために保護テープが貼り付けられていたが、デバイスの保護材はこれに限定されない。例えばウェハの表面には、支持ウェハやガラス基板などの支持基板が貼り合せられていてもよく、かかる場合でも本発明を適用することができる。 For example, in the above embodiment, a protective tape is attached to the surface of the wafer W to protect the device, but the protective material for the device is not limited to this. For example, a support substrate such as a support wafer or a glass substrate may be bonded to the surface of the wafer, and the present invention can be applied even in such a case.

1 基板処理システム
2 搬入ステーション
3 搬出ステーション
4 加工装置
5 後処理装置
6 搬送ステーション
10、20 カセット載置台
32 ウェハ搬送装置
33 搬送フォーク
34 搬送パッド
40 制御部
100 回転テーブル
101 チャック
110 搬送ユニット
111~113 アーム
111a 回転部
112a、113a 関節部
114 搬送パッド
115 鉛直移動機構
120 アライメントユニット
130 第1の洗浄ユニット
140 第2の洗浄ユニット
150 第3の洗浄ユニット
160 粗研削ユニット
170 中研削ユニット
180 仕上研削ユニット
200 傾動機構
210、220、230 固定機構
240 複合機構
A0 受渡位置
A1~A3 加工位置
R1 ウェット環境領域
R2 ドライ環境領域
W ウェハ
1 Board processing system 2 Import station 3 Import station 4 Processing equipment 5 Post-processing equipment 6 Transfer station 10, 20 Cassette mounting table 32 Wafer transfer device 33 Transfer fork 34 Transfer pad 40 Control unit 100 Rotating table 101 Chuck 110 Transfer unit 111 to 113 Arm 111a Rotating part 112a, 113a Joint part 114 Transport pad 115 Vertical movement mechanism 120 Alignment unit 130 First cleaning unit 140 Second cleaning unit 150 Third cleaning unit 160 Rough grinding unit 170 Medium grinding unit 180 Finishing grinding unit 200 Tilt mechanism 210, 220, 230 Fixing mechanism 240 Composite mechanism A0 Delivery position A1 to A3 Machining position R1 Wet environment area R2 Dry environment area W Wafer

Claims (14)

基板を処理する基板処理システムであって、
基板を保持する第1の保持部と、
前記第1の保持部に保持された基板の加工面に当接して研削加工する加工部と、
前記第1の保持部に保持される前の基板のノッチ部の位置により水平方向の向きを調節するアライメント部と、
前記アライメント部でノッチ部の位置が調節されて前記加工部で加工された基板であって、加工面を第2の保持部に保持された基板の、加工面と反対側の非加工面を洗浄する非加工面洗浄部と、
前記第2の保持部を備え、当該第2の保持部で基板を保持して搬送し、且つ前記第1の保持部に前記アライメント部でノッチ部の位置が調節された基板を受け渡す受渡位置、前記アライメント部及び前記非加工面洗浄部に対し、基板を搬送する搬送部と、を有することを特徴とする、基板処理システム。
It is a board processing system that processes boards.
The first holding part that holds the substrate,
A machined portion that abuts on the machined surface of the substrate held by the first holding portion and grinds the substrate,
An alignment portion that adjusts the horizontal orientation according to the position of the notch portion of the substrate before being held by the first holding portion.
The non-machined surface on the opposite side of the machined surface of the substrate whose notch position is adjusted by the alignment part and whose machined surface is held by the second holding part is washed. Non-processed surface cleaning part and
A delivery position provided with the second holding portion, the substrate is held and conveyed by the second holding portion, and the substrate whose notch position is adjusted by the alignment portion is delivered to the first holding portion. , A substrate processing system comprising a transport portion for transporting a substrate to the alignment portion and the non-processed surface cleaning portion.
前記搬送部は、複数のアームと、前記複数のアームを接続する複数の関節部とを有し、
前記複数のアームのうち先端のアームは、前記第2の保持部を支持し、
前記関節部は前記アームを旋回させることを特徴とする、請求項1に記載の基板処理システム。
The transport portion has a plurality of arms and a plurality of joint portions connecting the plurality of arms.
The arm at the tip of the plurality of arms supports the second holding portion.
The substrate processing system according to claim 1, wherein the joint portion rotates the arm.
前記搬送部は、前記先端のアームに設けられ、前記第2の保持部を回転させる回転部を有することを特徴とする、請求項2に記載の基板処理システム。 The substrate processing system according to claim 2, wherein the transport unit is provided on the arm at the tip end and has a rotating unit for rotating the second holding unit. 前記搬送部は、前記複数のアームを鉛直方向に移動させる移動機構を有し、
前記加工部はウェット環境領域に設けられ、
前記移動機構は、前記ウェット環境領域から隔離されたドライ環境領域に設けられていることを特徴とする、請求項2又は3に記載の基板処理システム。
The transport unit has a moving mechanism for moving the plurality of arms in the vertical direction.
The processed portion is provided in a wet environment area and is provided.
The substrate processing system according to claim 2 or 3, wherein the moving mechanism is provided in a dry environment region isolated from the wet environment region .
前記移動機構は、前記搬送部の動作を停止している際、前記第2の保持部が前記受渡位置よりも高く位置するように、前記複数のアームを移動させることを特徴とする、請求項4に記載の基板処理システム。 The moving mechanism is characterized in that, when the operation of the transport unit is stopped, the plurality of arms are moved so that the second holding unit is located higher than the delivery position. 4. The substrate processing system according to 4. 前記第1の保持部を複数備え、前記受渡位置と前記加工部による加工が行われる加工位置との間で、複数の前記第1の保持部を回転させて移動させる回転テーブルを有することを特徴とする、請求項1~5のいずれか一項に記載の基板処理システム。 It is characterized by having a plurality of the first holding portions and having a rotary table for rotating and moving the plurality of the first holding portions between the delivery position and the machining position where the machining by the machining section is performed. The substrate processing system according to any one of claims 1 to 5. 前記加工部で加工された基板の加工面を洗浄する加工面洗浄部を有し、
前記搬送部は、前記加工面洗浄部に対し基板を搬送することを特徴とする、請求項1~6のいずれか一項に記載の基板処理システム。
It has a machined surface cleaning part that cleans the machined surface of the substrate machined by the machined part.
The substrate processing system according to any one of claims 1 to 6, wherein the transport unit transports a substrate to the machined surface cleaning unit.
前記アライメント部と前記加工面洗浄部は、鉛直方向に積層して設けられていることを特徴とする、請求項7に記載の基板処理システム。 The substrate processing system according to claim 7, wherein the alignment portion and the machined surface cleaning portion are provided so as to be laminated in the vertical direction. 前記アライメント部は、前記加工面洗浄部の上層に設けられていることを特徴とする、請求項8に記載の基板処理システム。 The substrate processing system according to claim 8, wherein the alignment portion is provided on an upper layer of the machined surface cleaning portion. 前記加工面洗浄部は、前記搬送部が基板を搬送可能に構成されていると共に、前記搬送部による基板の搬送方向と異なる方向から他の搬送部が基板を搬送可能に構成されていることを特徴とする、請求項7~9のいずれか一項に記載の基板処理システム。 The machined surface cleaning unit is configured such that the transport unit can transport the substrate and that another transport unit can transport the substrate from a direction different from the transport direction of the substrate by the transport unit. The substrate processing system according to any one of claims 7 to 9, wherein the substrate processing system is characterized. 前記加工面洗浄部は、当該加工面洗浄部の内部と外部を隔てるシャッタと、前記シャッタを昇降させる昇降機構とを有することを特徴とする、請求項7~10のいずれか一項に記載の基板処理システム。 The machined surface cleaning unit according to any one of claims 7 to 10, wherein the machined surface cleaning unit has a shutter that separates the inside and the outside of the machined surface cleaning unit, and an elevating mechanism that raises and lowers the shutter. Board processing system. 基板の非加工面には、デバイスが形成されるとともに、当該デバイスを保護する保護材が設けられ、
前記非加工面洗浄部は、前記保護材を洗浄することを特徴とする、請求項1~11のいずれか一項に記載の基板処理システム。
A device is formed on the non-processed surface of the substrate, and a protective material for protecting the device is provided.
The substrate processing system according to any one of claims 1 to 11, wherein the non-processed surface cleaning unit cleans the protective material.
前記第1の保持部、前記加工部、前記アライメント部、前記非加工面洗浄部及び前記搬送部を備える加工装置と、
基板を複数保有可能な載置台と、
前記載置台と前記加工装置に対し基板を搬送する搬送装置と、を有することを特徴とする、請求項1~12のいずれか一項に記載の基板処理システム。
A processing apparatus including the first holding unit, the processed unit, the alignment unit, the non-processed surface cleaning unit, and the transport unit.
A mounting table that can hold multiple boards and
The substrate processing system according to any one of claims 1 to 12, wherein the substrate processing system comprises the above-mentioned stand and a transfer device for transporting a substrate to the processing apparatus.
前記受渡位置、前記アライメント部及び前記非加工面洗浄部は、前記搬送装置が前記加工装置に基板を搬送する方向と同じ方向に配置されていることを特徴とする、請求項13に記載の基板処理システム。 13. The substrate according to claim 13, wherein the delivery position, the alignment unit, and the non-processed surface cleaning unit are arranged in the same direction as the direction in which the transfer device conveys the substrate to the processing device. Processing system.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR102582770B1 (en) * 2021-03-03 2023-09-27 (주)미래컴퍼니 Polishing Apparatus

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002343756A (en) 2001-05-21 2002-11-29 Tokyo Seimitsu Co Ltd Water planarizing apparatus
JP2007027577A (en) 2005-07-20 2007-02-01 Disco Abrasive Syst Ltd Processing device and method
JP2011124249A (en) 2009-12-08 2011-06-23 Okamoto Machine Tool Works Ltd Processing device and method for flattening semiconductor substrate
US20140209239A1 (en) 2013-01-31 2014-07-31 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for post-chemical mechanical planarization substrate cleaning
JP2019021859A (en) 2017-07-21 2019-02-07 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing system

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002343756A (en) 2001-05-21 2002-11-29 Tokyo Seimitsu Co Ltd Water planarizing apparatus
JP2007027577A (en) 2005-07-20 2007-02-01 Disco Abrasive Syst Ltd Processing device and method
JP2011124249A (en) 2009-12-08 2011-06-23 Okamoto Machine Tool Works Ltd Processing device and method for flattening semiconductor substrate
US20140209239A1 (en) 2013-01-31 2014-07-31 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for post-chemical mechanical planarization substrate cleaning
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