JP3227448U - Substrate grinding system - Google Patents
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Abstract
【課題】清浄度の高いエリアに洗浄装置を複数搭載し、且つ搭載数の増加による設置面積の増加を抑制できる基板研削システムを提供する。【解決手段】基板研削システムは、載置台20と、第1洗浄装置30と、第2洗浄装置40と、研削装置50と、第1搬送領域60と、第2搬送領域70と、を備える。第1搬送領域は、平面視で、載置台と第1洗浄装置と第2洗浄装置との隣に、載置台と第1洗浄装置と第2洗浄装置とで三方を囲まれるように配置される。第2搬送領域は、研削装置と第1洗浄装置と第2洗浄装置との隣に、研削装置と第1洗浄装置と第2洗浄装置とで三方を囲まれるように配置される。第1洗浄装置と第2洗浄装置を結ぶ線と、第1搬送領域と第2搬送領域とを結ぶ線とが交差する。第1洗浄装置と、研削装置とは、隔壁によって隔離される。【選択図】図1PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate grinding system in which a plurality of cleaning devices are mounted in an area of high cleanliness and an increase in installation area due to an increase in the number of mounting devices can be suppressed. A substrate grinding system includes a mounting table 20, a first cleaning device 30, a second cleaning device 40, a grinding device 50, a first transfer area 60, and a second transfer area 70. The first transport region is arranged next to the mounting table, the first cleaning device, and the second cleaning device in plan view so as to be surrounded on three sides by the mounting table, the first cleaning device, and the second cleaning device. .. The second transport region is arranged next to the grinding device, the first cleaning device, and the second cleaning device so as to be surrounded on three sides by the grinding device, the first cleaning device, and the second cleaning device. A line connecting the first cleaning device and the second cleaning device intersects with a line connecting the first transfer region and the second transfer region. The first cleaning device and the grinding device are separated by a partition. [Selection diagram] Figure 1
Description
本開示は、基板研削システムに関する。 The present disclosure relates to substrate grinding systems.
特許文献1に記載の加工装置は、第1搬送ユニットと、位置調整機構と、第2搬送ユニットと、ターンテーブルと、チャックテーブルと、加工ユニットと、洗浄機構とを備える。第1搬送ユニットは、カセットから位置調整機構に基板を搬送する。位置調整機構は、基板の位置を調整する。第2搬送ユニットは、位置調整機構からターンテーブル上のチャックテーブルに基板を搬送する。チャックテーブルが基板を吸引保持すると、ターンテーブルが回転し、基板が加工ユニットの下方に配置される。加工ユニットは、研削ホイールで基板を研削する。第2搬送ユニットは、研削後の基板を吸引保持して旋回し、洗浄機構に搬送する。洗浄機構は、研削後の基板を洗浄する。第1搬送ユニットは、洗浄後の基板を洗浄機構からカセットに搬送する。 The processing apparatus described in Patent Document 1 includes a first transfer unit, a position adjusting mechanism, a second transfer unit, a turntable, a chuck table, a processing unit, and a cleaning mechanism. The first transport unit transports the substrate from the cassette to the position adjusting mechanism. The position adjusting mechanism adjusts the position of the substrate. The second transfer unit transfers the substrate from the position adjusting mechanism to the chuck table on the turntable. When the chuck table sucks and holds the substrate, the turntable rotates and the substrate is placed below the processing unit. The processing unit grinds the substrate with a grinding wheel. The second transfer unit sucks and holds the ground substrate, rotates, and transfers the substrate to the cleaning mechanism. The cleaning mechanism cleans the substrate after grinding. The first transport unit transports the cleaned substrate from the cleaning mechanism to the cassette.
本開示の一態様は、清浄度の高いエリアに洗浄装置を複数搭載し、且つ搭載数の増加による設置面積の増加を抑制する、技術を提供する。 One aspect of the present disclosure provides a technique in which a plurality of cleaning devices are mounted in an area with high cleanliness and an increase in installation area due to an increase in the number of mounted devices is suppressed.
本開示の一態様に係る基板研削システムは、載置台と、第1洗浄装置と、第2洗浄装置と、研削装置と、第1搬送領域と、第1搬送装置と、第2搬送領域と、第2搬送装置と、を備える。前記載置台は、基板を収容するカセットが載置される。前記第1洗浄装置は、前記基板を洗浄する。前記第2洗浄装置も、前記基板を洗浄する。前記研削装置は、前記基板を研削する。前記第1搬送領域は、平面視で、前記載置台と前記第1洗浄装置と前記第2洗浄装置との隣に、前記載置台と前記第1洗浄装置と前記第2洗浄装置とで三方を囲まれるように配置される。前記第1搬送装置は、前記第1搬送領域にて前記基板を搬送する。前記第2搬送領域は、平面視で、前記研削装置と前記第1洗浄装置と前記第2洗浄装置との隣に、前記研削装置と前記第1洗浄装置と前記第2洗浄装置とで三方を囲まれるように配置される。前記第2搬送装置は、前記第2搬送領域にて前記基板を搬送する。平面視で、前記第1洗浄装置と前記第2洗浄装置を結ぶ線と、前記第1搬送領域と前記第2搬送領域とを結ぶ線とが交差する。前記第1洗浄装置と、前記研削装置とは、隔壁によって隔離される。 A substrate grinding system according to an aspect of the present disclosure includes a mounting table, a first cleaning device, a second cleaning device, a grinding device, a first transfer area, a first transfer device, and a second transfer area. A second transport device. A cassette that accommodates a substrate is placed on the placing table. The first cleaning device cleans the substrate. The second cleaning device also cleans the substrate. The grinding device grinds the substrate. In plan view, the first transport region is adjacent to the mounting table, the first cleaning device, and the second cleaning device on the three sides of the mounting table, the first cleaning device, and the second cleaning device. It is arranged so as to be surrounded. The first transfer device transfers the substrate in the first transfer area. In plan view, the second transfer area is adjacent to the grinding device, the first cleaning device, and the second cleaning device, and is located on three sides of the grinding device, the first cleaning device, and the second cleaning device. It is arranged so as to be surrounded. The second transfer device transfers the substrate in the second transfer area. In a plan view, a line connecting the first cleaning device and the second cleaning device intersects with a line connecting the first transfer region and the second transfer region. The first cleaning device and the grinding device are separated by a partition.
本開示の一態様によれば、清浄度の高いエリアに洗浄装置を複数搭載でき、且つ搭載数の増加による設置面積の増加を抑制できる。 According to one aspect of the present disclosure, a plurality of cleaning devices can be mounted in an area with high cleanliness, and an increase in installation area due to an increase in the number of mounted devices can be suppressed.
以下、本開示の実施形態について図面を参照して説明する。なお、各図面において同一の又は対応する構成には同一の符号を付し、説明を省略することがある。本明細書において、X軸方向、Y軸方向、Z軸方向は互いに垂直な方向である。X軸方向およびY軸方向は水平方向、Z軸方向は鉛直方向である。 Hereinafter, embodiments of the present disclosure will be described with reference to the drawings. In each drawing, the same or corresponding components are designated by the same reference numerals, and description thereof may be omitted. In this specification, the X-axis direction, the Y-axis direction, and the Z-axis direction are directions perpendicular to each other. The X-axis direction and the Y-axis direction are horizontal, and the Z-axis direction is the vertical direction.
先ず、図1及び図2を参照して基板研削システム10について説明する。なお、図2において、第1洗浄装置30と検出装置31と第3洗浄装置32との配置を図示すべく、図1に示す第2搬送装置71と隔壁82とシャッター88との図示を省略する。
First, the
基板研削システム10は、載置台20と、第1洗浄装置30と、第2洗浄装置40と、研削装置50と、第1搬送領域60と、第1搬送装置61と、第2搬送領域70と、第2搬送装置71と、制御装置90と、を備える。基板研削システム10は、検出装置31を更に備えてもよい。また、基板研削システム10は、第3洗浄装置32を更に備えてもよい。
The
載置台20は、カセットCが載置されるものである。カセットCは、基板Wを鉛直方向に間隔をおいて複数枚収容する。基板Wは、シリコンウェハ若しくは化合物半導体ウェハ等の半導体基板、又はガラス基板を含む。基板Wは、半導体基板又はガラス基板の表面に形成されるデバイス層を更に含んでもよい。デバイス層は、電子回路を含む。また、基板Wは、複数の基板を接合した重合基板であってもよい。載置台20は、Y軸方向に一列に配置される複数の載置板21を含む。複数の載置板21のそれぞれに、カセットCが載置される。なお、載置板21の数は特に限定されない。同様に、カセットCの数も特に限定されない。
The mounting table 20 is one on which the cassette C is mounted. The cassette C accommodates a plurality of substrates W at intervals in the vertical direction. The substrate W includes a semiconductor substrate such as a silicon wafer or a compound semiconductor wafer, or a glass substrate. The substrate W may further include a device layer formed on the surface of the semiconductor substrate or the glass substrate. The device layer includes electronic circuits. Further, the substrate W may be a superposed substrate obtained by joining a plurality of substrates. The mounting table 20 includes a plurality of
第1洗浄装置30は、基板Wを洗浄する。例えば、第1洗浄装置30は、研削装置50で研削された後の基板Wを擦り洗いする。第1洗浄装置30は、スポンジ又はブラシ等の洗浄体を含み、洗浄体で研削屑等のパーティクルを除去する。洗浄体は、基板Wの研削された上面を擦り洗いすればよく、基板Wの上方に配置される。但し、洗浄体は、基板Wの上下両方に配置されてもよく、基板Wの上下両面を洗浄してもよい。
The
第2洗浄装置40も、基板Wを洗浄する。例えば、第2洗浄装置40は、研削装置50で研削された後の基板Wを薬液でエッチングする。第2洗浄装置40は、基板Wを保持するスピンチャックと、薬液を吐出するノズルとを含む。ノズルは、回転する基板Wの上面の中心に薬液を供給する。薬液は、遠心力によって基板Wの上面の中心から周縁に向けて濡れ広がる。薬液は、一般的なものであってよく、例えばフッ硝酸、又はアルカリ溶液等であってよい。薬液は、基板Wの研削された上面をエッチングし、研削痕を除去する。第2洗浄装置40は、基板Wの下面にも薬液を供給してもよく、基板Wの上下両面を洗浄してもよい。
The
研削装置50は、基板Wを研削する。研削は、研磨を含む。研削に用いる砥粒は、固定砥粒、及び遊離砥粒のいずれでもよい。研削装置50は、例えば、テーブル51と、4つのチャック52と、3つの研削機構53と、を有する。
The
テーブル51は、回転中心線R1の周りに4つのチャック52を等間隔で保持し、回転中心線R1を中心に回転する。4つのチャック52のそれぞれは、テーブル51と共に回転し、搬入出位置A0と、1次研削位置A1と、2次研削位置A2と、3次研削位置A3と、搬入出位置A0とにこの順番で移動する。
The table 51 holds the four
搬入出位置A0は、基板Wの搬入が行われる位置と、基板Wの搬出が行われる位置とを兼ねる。なお、本実施形態では搬入位置と搬出位置とは同じ位置であるが、搬入位置と搬出位置とは異なる位置であってもよい。1次研削位置A1は、基板Wの1次研削が行われる位置である。2次研削位置A2は、基板Wの2次研削が行われる位置である。3次研削位置A3は、基板Wの3次研削が行われる位置である。 The carry-in/carry-out position A0 serves both as a position for carrying in the substrate W and a position for carrying out the substrate W. Although the carry-in position and the carry-out position are the same position in the present embodiment, the carry-in position and the carry-out position may be different positions. The primary grinding position A1 is a position where the primary grinding of the substrate W is performed. The secondary grinding position A2 is a position where the secondary grinding of the substrate W is performed. The tertiary grinding position A3 is a position where the tertiary grinding of the substrate W is performed.
4つのチャック52は、それぞれの回転中心線を中心に回転自在に、テーブル51に取り付けられる。1次研削位置A1、2次研削位置A2および3次研削位置A3において、チャック52はそれぞれの回転中心線を中心に回転する。
The four chucks 52 are attached to the table 51 so as to be rotatable about their respective rotation center lines. At the primary grinding position A1, the secondary grinding position A2 and the tertiary grinding position A3, the
1つの研削機構53は、1次研削位置A1にて、基板Wを1次研削する。別の研削機構53は、2次研削位置A2にて、基板Wを2次研削する。残りの研削機構53は、3次研削位置A3にて、基板Wを3次研削する。
The one
なお、研削機構53の数は、1つ以上であればよい。また、チャック52の数は、研削機構53の数よりも多ければよい。但し、テーブル51が無くてもよい。テーブル51が無い場合、チャック52の数は、研削機構53の数と同数であってもよく、1つであってもよい。
The number of grinding
第1搬送領域60は、平面視(Z軸方向視)で、載置台20と第1洗浄装置30と第2洗浄装置40との隣に、載置台20と第1洗浄装置30と第2洗浄装置40とで三方を囲まれるように配置される。具体的には、載置台20は第1搬送領域60のX軸方向負側に配置され、第1洗浄装置30は第1搬送領域60のX軸方向正側に配置され、第2洗浄装置40は第1搬送領域60のY軸方向負側に配置される。
The
第1搬送装置61は、第1搬送領域60にて基板Wを搬送する。つまり、第1搬送装置61は、第1搬送領域60の隣に配置される複数の装置間で、基板Wを搬送する。第1搬送装置61は、独立に移動する第1搬送アーム61aと第2搬送アーム61bとを有する。第1搬送アーム61aと、第2搬送アーム61bは、それぞれ、水平方向(X軸方向およびY軸方向の両方向)および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする回転が可能である。第1搬送アーム61aと、第2搬送アーム61bは、それぞれ、基板Wを下方から保持する。
The
第1搬送アーム61aは、カセットCから基板Wを取り出す。一方、第2搬送アーム61bは、基板WをカセットCに収める。第1搬送アーム61aと第2搬送アーム61bとが別々に設けられるので、カセットCからの基板Wの取出と、カセットCへの基板Wの収容とを相次いで速やかに実施できる。また、第1搬送アーム61aと第2搬送アーム61bとが別々に設けられるので、研削前の基板Wと研削後の基板W間での、第1搬送装置61を介したパーティクルの移動を防止できる。第1搬送アーム61aは洗浄前の基板Wを保持するのに対し、第2搬送アーム61bは洗浄後の基板Wを保持する。第2搬送アーム61bが第1搬送アーム61aの上方に配置されれば、洗浄後の基板Wが洗浄前の基板Wの上方に配置される。その結果、洗浄前の基板Wから洗浄後の基板Wへのパーティクルの落下を防止できる。
The
第2搬送領域70は、平面視で、研削装置50と第1洗浄装置30と第2洗浄装置40との隣に、研削装置50と第1洗浄装置30と第2洗浄装置40とで三方を囲まれるように配置される。具体的には、研削装置50は第2搬送領域70のX軸方向正側に配置され、第1洗浄装置30は第2搬送領域70のY軸方向正側に配置され、第2洗浄装置40は第2搬送領域70のX軸方向負側に配置される。
The
第2搬送装置71は、第2搬送領域70にて基板Wを搬送する。つまり、第2搬送装置71は、第2搬送領域70の隣に配置される複数の装置間で、基板Wを搬送する。第2搬送装置71は、基板Wを保持する吸着パッド71aを含む。吸着パッド71aは、水平方向(X軸方向およびY軸方向の両方向)および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする回転が可能である。吸着パッド71aは、基板Wを上方から吸着保持する。
The
検出装置31は、研削装置50で研削される前の基板Wの中心を検出する。平面視にて、研削装置50のチャック52の中心と基板Wの中心とを位置合わせできる。検出装置31は、基板Wの中心に加えて、基板Wの結晶方位を検出してもよく、具体的には基板Wの結晶方位を表すノッチ又はオリエンテーションフラットを検出してもよい。チャック52と共に回転する回転座標系において、基板Wの結晶方位を所望の方位に位置合わせできる。
The
検出装置31は、基板研削システム10の設置面積を低減すべく、第1洗浄装置30に対して鉛直方向に積層されてもよい。なお、検出装置31は第1洗浄装置30の上方に配置されるが、検出装置31と第1洗浄装置30の配置は逆でもよく、検出装置31は第1洗浄装置30の下方に配置されてもよい。
The
第3洗浄装置32は、第1洗浄装置30及び第2洗浄装置40とは異なり、研削装置50で研削される前の基板Wを洗浄する。清浄な基板Wを研削装置50のチャック52に載置でき、異物の噛み込み等を抑制できるので、基板Wの研削品質を向上できる。
Unlike the
第3洗浄装置32は、例えば、第1洗浄装置30と同様に、基板Wを擦り洗いする。第3洗浄装置32は、スポンジ又はブラシ等の洗浄体を含み、洗浄体で異物を除去する。洗浄体は、基板Wを研削装置50のチャック52に載置する際に異物の噛み込みを抑制すべく、基板Wの下面を擦り洗いすればよく、基板Wの下方に配置される。但し、洗浄体は、基板Wの上下両方に配置されてもよく、基板Wの上下両面を洗浄してもよい。
The
第3洗浄装置32は、基板研削システム10の設置面積を低減すべく、第1洗浄装置30に対して鉛直方向に積層されてもよい。なお、第3洗浄装置32は第1洗浄装置30の上方に配置されるが、第3洗浄装置32と第1洗浄装置30の配置は逆でもよく、第3洗浄装置32は第1洗浄装置30の下方に配置されてもよい。第3洗浄装置32は図2では第1洗浄装置30と検出装置31の間に配置されるが、これらの順番は特に限定されない。
The
制御装置90は、例えばコンピュータであり、CPU(Central Processing Unit)91と、メモリ等の記憶媒体92とを備える。記憶媒体92には、基板研削システム10において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御装置90は、記憶媒体92に記憶されたプログラムをCPU91に実行させることにより、基板研削システム10の動作を制御する。
The
次に、基板研削システム10の動作について説明する。下記の動作は、制御装置90による制御下で実施される。
Next, the operation of the
先ず、第1搬送装置61が、カセットCから基板Wを取り出し、取り出した基板Wを第3洗浄装置32に搬送する。この間、基板Wは、第1搬送アーム61aによって保持される。
First, the
次に、第3洗浄装置32が、研削装置50で研削する前の基板Wを洗浄する。清浄な基板Wを研削装置50のチャック52に載置でき、異物の噛み込み等を抑制できる。それゆえ、基板Wを平坦に研削でき、基板Wの厚み偏差の悪化を抑制できる。第3洗浄装置32は、基板Wの下面を洗浄する。第3洗浄装置32は、基板Wの上下両面を洗浄してもよい。基板Wの乾燥後、第1搬送装置61が第3洗浄装置32から検出装置31に基板Wを搬送する。この間、基板Wは、第1搬送アーム61aによって保持される。
Next, the
なお、未研削の基板Wが清浄な場合、又は研削装置50が未研削の基板Wを洗浄する機構を有する場合、第3洗浄装置32は無くてもよい。その場合、第1搬送装置61は、カセットCから検出装置31に基板Wを搬送する。
The
次に、検出装置31が、基板Wの中心を検出する。検出装置31は、基板Wの結晶方位をも検出してもよく、具体的にはノッチ等をも検出してもよい。その後、第2搬送装置71が、検出装置31から研削装置50のチャック52に基板Wを搬送する。この間、制御装置90は、検出装置31の検出結果に基づき第2搬送装置71を制御し、チャック52の中心と基板Wの中心とを位置合わせする。また、制御装置90は、検出装置31の検出結果に基づき第2搬送装置71を制御し、チャック52と共に回転する回転座標系において、基板Wの結晶方位を所望の方位に位置合わせする。
Next, the
次に、研削装置50が、基板Wの上面を研削する。基板Wは、テーブル51と共に回転し、搬入出位置A0と、1次研削位置A1と、2次研削位置A2と、3次研削位置A3と、搬入出位置A0とにこの順番で移動する。この間、1次研削と、2次研削と、3次研削とが実施される。その後、第2搬送装置71が、研削装置50のチャック52から第1洗浄装置30に基板Wを搬送する。
Next, the grinding
次に、第1洗浄装置30は、基板Wの上面を洗浄し、研削屑等のパーティクルを除去する。第1洗浄装置30は、基板Wの上下両面を洗浄してもよい。基板Wの乾燥後、第1搬送装置61が、第1洗浄装置30から第2洗浄装置40に基板Wを搬送する。この間、基板Wは、第1搬送アーム61aによって保持されてもよいし、第2搬送アーム61bによって保持されてもよい。
Next, the
次に、第2洗浄装置40は、基板Wの上面をエッチングし、研削痕を除去する。第2洗浄装置40は、基板Wの上下両面を洗浄してもよい。基板Wの乾燥後、第1搬送装置61が、第2洗浄装置40からカセットCに基板Wを搬送し、カセットCに基板Wを収める。この間、基板Wは、第2搬送アーム61bによって保持される。その後、今回の処理が終了する。
Next, the
ところで、図1に示すように、平面視で、載置台20と研削装置50との間にて、第1洗浄装置30と第2洗浄装置40と第1搬送領域60と第2搬送領域70とが行列状に配置される。平面視で、第1洗浄装置30と第2洗浄装置40を結ぶ線と、第1搬送領域60と第2搬送領域70とを結ぶ線とが交差する。
By the way, as shown in FIG. 1, in plan view, between the mounting table 20 and the grinding
本実施形態によれば、本実施形態とは異なり第1搬送領域60がX軸方向正側に隔壁81まで延長される場合に比べて、第1搬送領域60のX軸方向寸法が短縮されており、その短縮によって空いた領域に第1洗浄装置30が配置される。従って、洗浄装置の搭載数の増加による、基板研削システム10の設置面積の増加を抑制できる。
According to the present embodiment, unlike the present embodiment, the dimension of the
また、本実施形態によれば、載置台20と第1搬送領域60が隣り合う。それゆえ、本実施形態とは異なり載置台20と第1搬送領域60との間に、基板Wを一時的に保管するトランジション装置と、平面視でトランジション装置と載置台20とで挟まれる第3搬送領域と、第3搬送領域にて基板Wを搬送する第3搬送装置とが設けられる場合に比べて、基板研削システム10の設置面積を低減できる。
Further, according to the present embodiment, the mounting table 20 and the
ところで、図1に示すように、第1洗浄装置30は研削装置50と第2搬送領域70の両方の隣に配置され、第2搬送領域70は研削装置50の隣に配置される。基板Wは、研削装置50にて研削された後、第2搬送領域70を介して研削装置50から第1洗浄装置30に搬送される。第1洗浄装置30と研削装置50とは、隔壁81、82によって隔離される。
By the way, as shown in FIG. 1, the
隔壁81は、互いに隣り合う第1洗浄装置30と研削装置50の間に配置される。一方、隔壁82は、互いに隣り合う第1洗浄装置30と第2搬送領域70の間に配置される。隔壁81、82は、研削装置50にて生じた研削屑等のパーティクルが研削装置50から第1洗浄装置30へ流出するのを抑制する。
The
隔壁82には、基板Wの通過する搬送口82aが形成される。搬送口82aには、搬送口82aを開閉するシャッター88が設けられる。シャッター88は、基本的に搬送口82aを閉塞しており、基板Wの通過時に搬送口82aを開放する。搬送口82aが常時開放されている場合に比べて、搬送口82aを介した研削装置50から第1洗浄装置30へのパーティクルの流出を抑制できる。
A
隔壁83は、互いに隣り合う第2洗浄装置40と第2搬送領域70の間に配置され、第2洗浄装置40と第2搬送領域70を隔離し、ひいては第2洗浄装置40と研削装置50とを隔離する。隔壁83は、研削装置50にて生じた研削屑等のパーティクルが研削装置50から第2洗浄装置40へ流出するのを抑制する。
The
隔壁81、82、83を基準として、研削装置50とは反対側(X軸方向負側)に、清浄度の高いエリアが形成される。清浄度の高いエリアに、複数の洗浄装置、例えば第1洗浄装置30と第2洗浄装置40と第3洗浄装置32とを搭載できる。従って、洗浄装置の搭載数が多く、洗浄性能を向上できる。また、清浄度の高いエリアに洗浄装置を搭載するので、洗浄後の基板Wが汚れるのを抑制できる。
An area having a high degree of cleanliness is formed on the side opposite to the grinding device 50 (negative side in the X-axis direction) with the
次に、図3を参照して、変形例に係る基板研削システム10について説明する。以下、本変形例と上記実施形態との相違点について主に説明する。本変形例では、上記実施形態の隔壁82の代わりに、隔壁84が設けられる。隔壁84は、互いに隣り合う第2搬送領域70と研削装置50の間に配置される。
Next, a
隔壁81、84は、研削装置50にて生じた研削屑等のパーティクルが研削装置50から第1洗浄装置30へ流出するのを抑制する。また、隔壁81、84は、研削装置50にて生じた研削屑等のパーティクルが研削装置50から第2洗浄装置40へ流出するのを抑制する。
The
隔壁84には、基板Wの通過する搬送口84aが形成される。搬送口84aには、搬送口84aを開閉するシャッター89が設けられる。シャッター89は、基本的に搬送口84aを閉塞しており、基板Wの通過時に搬送口84aを開放する。搬送口84aを介した研削装置50から第1洗浄装置30へのパーティクルの流出を抑制できる。
A
隔壁81、84を基準として、研削装置50とは反対側(X軸方向負側)に、清浄度の高いエリアが形成される。清浄度の高いエリアに、複数の洗浄装置、例えば第1洗浄装置30と第2洗浄装置40と第3洗浄装置32とを搭載できる。従って、洗浄装置の搭載数が多く、洗浄性能を向上できる。また、清浄度の高いエリアに洗浄装置を搭載するので、洗浄後の基板Wが汚れるのを抑制できる。
An area of high cleanliness is formed on the side opposite to the grinding device 50 (negative side in the X-axis direction) with the
なお、本変形例では上記実施形態の隔壁82の代わりに隔壁84が設けられるが、本変形例の隔壁84と上記実施形態の隔壁82との両方が設けられてもよい。
In this modification, the
以上、本開示に係る基板研削システムについて説明したが、本開示は上記実施形態などに限定されない。実用新案登録請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更、修正、置換、付加、削除、および組み合わせが可能である。それらについても当然に本開示の技術的範囲に属する。 Although the substrate grinding system according to the present disclosure has been described above, the present disclosure is not limited to the above embodiment and the like. Various changes, modifications, substitutions, additions, deletions, and combinations are possible within the scope described in the utility model registration claim. Naturally, they also belong to the technical scope of the present disclosure.
10 基板研削システム
20 載置台
30 第1洗浄装置
40 第2洗浄装置
50 研削装置
60 第1搬送領域
61 第1搬送装置
70 第2搬送領域
71 第2搬送装置
10
Claims (9)
前記基板を洗浄する第1洗浄装置と、
前記基板を洗浄する第2洗浄装置と、
前記基板を研削する研削装置と、
平面視で、前記載置台と前記第1洗浄装置と前記第2洗浄装置との隣に、前記載置台と前記第1洗浄装置と前記第2洗浄装置とで三方を囲まれるように配置される第1搬送領域と、
前記第1搬送領域にて前記基板を搬送する第1搬送装置と、
平面視で、前記研削装置と前記第1洗浄装置と前記第2洗浄装置との隣に、前記研削装置と前記第1洗浄装置と前記第2洗浄装置とで三方を囲まれるように配置される第2搬送領域と、
前記第2搬送領域にて前記基板を搬送する第2搬送装置と、を備え、
平面視で、前記第1洗浄装置と前記第2洗浄装置とを結ぶ線と、前記第1搬送領域と前記第2搬送領域とを結ぶ線とが交差し、
前記第1洗浄装置と、前記研削装置とは、隔壁によって隔離される、基板研削システム。 A mounting table on which a cassette for housing the substrate is mounted,
A first cleaning device for cleaning the substrate;
A second cleaning device for cleaning the substrate;
A grinding device for grinding the substrate,
In plan view, it is arranged next to the mounting table, the first cleaning device, and the second cleaning device so as to be surrounded on three sides by the mounting table, the first cleaning device, and the second cleaning device. A first transport area,
A first transfer device that transfers the substrate in the first transfer region;
The grinding device, the first cleaning device, and the second cleaning device are arranged next to the grinding device, the first cleaning device, and the second cleaning device so as to be surrounded on three sides in a plan view. A second transport area,
A second transfer device that transfers the substrate in the second transfer region,
In a plan view, a line connecting the first cleaning device and the second cleaning device and a line connecting the first transfer region and the second transfer region intersect with each other,
A substrate grinding system in which the first cleaning device and the grinding device are separated by a partition.
当該搬送口には、当該搬送口を開閉するシャッターが設けられる、請求項1〜3のいずれか1項に記載の基板研削システム。 A transfer port through which the substrate passes is formed in a partition wall disposed between the first cleaning device and the second transfer region,
The substrate grinding system according to claim 1, wherein the transfer port is provided with a shutter that opens and closes the transfer port.
前記検出装置と前記第1洗浄装置とは、鉛直方向に積層される、請求項1〜4のいずれか1項に記載の基板研削システム。 A detection device for detecting the center of the substrate before being ground by the grinding device;
The substrate grinding system according to claim 1, wherein the detection device and the first cleaning device are stacked in a vertical direction.
前記第1洗浄装置は、前記研削装置で研削された後の前記基板を、前記第1搬送装置で前記第2洗浄装置に搬送する前に洗浄し、
前記第3洗浄装置は、前記研削装置で研削される前の前記基板を洗浄する、請求項1〜5のいずれか1項に記載の基板研削システム。 A third cleaning device stacked on the first cleaning device;
The first cleaning device cleans the substrate after being ground by the grinding device before being transferred to the second cleaning device by the first transfer device,
The substrate grinding system according to claim 1, wherein the third cleaning device cleans the substrate before being ground by the grinding device.
前記第1搬送装置は、前記基板を下方から保持する、請求項1〜7のいずれか1項に記載の基板研削システム。 The second transfer device sucks and holds the substrate from above,
The substrate grinding system according to claim 1, wherein the first transfer device holds the substrate from below.
当該搬送口には、当該搬送口を開閉するシャッターが設けられる、請求項1〜8のいずれか1項に記載の基板研削システム。 A transfer port through which the substrate passes is formed in a partition wall disposed between the grinding device and the second transfer region,
The substrate grinding system according to claim 1, wherein the transfer port is provided with a shutter that opens and closes the transfer port.
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2020
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2021
- 2021-04-22 CN CN202120833527.8U patent/CN215342516U/en active Active
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CN215342516U (en) | 2021-12-28 |
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