JP3227448U - Substrate grinding system - Google Patents

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【課題】清浄度の高いエリアに洗浄装置を複数搭載し、且つ搭載数の増加による設置面積の増加を抑制できる基板研削システムを提供する。【解決手段】基板研削システムは、載置台20と、第1洗浄装置30と、第2洗浄装置40と、研削装置50と、第1搬送領域60と、第2搬送領域70と、を備える。第1搬送領域は、平面視で、載置台と第1洗浄装置と第2洗浄装置との隣に、載置台と第1洗浄装置と第2洗浄装置とで三方を囲まれるように配置される。第2搬送領域は、研削装置と第1洗浄装置と第2洗浄装置との隣に、研削装置と第1洗浄装置と第2洗浄装置とで三方を囲まれるように配置される。第1洗浄装置と第2洗浄装置を結ぶ線と、第1搬送領域と第2搬送領域とを結ぶ線とが交差する。第1洗浄装置と、研削装置とは、隔壁によって隔離される。【選択図】図1PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate grinding system in which a plurality of cleaning devices are mounted in an area of high cleanliness and an increase in installation area due to an increase in the number of mounting devices can be suppressed. A substrate grinding system includes a mounting table 20, a first cleaning device 30, a second cleaning device 40, a grinding device 50, a first transfer area 60, and a second transfer area 70. The first transport region is arranged next to the mounting table, the first cleaning device, and the second cleaning device in plan view so as to be surrounded on three sides by the mounting table, the first cleaning device, and the second cleaning device. .. The second transport region is arranged next to the grinding device, the first cleaning device, and the second cleaning device so as to be surrounded on three sides by the grinding device, the first cleaning device, and the second cleaning device. A line connecting the first cleaning device and the second cleaning device intersects with a line connecting the first transfer region and the second transfer region. The first cleaning device and the grinding device are separated by a partition. [Selection diagram] Figure 1

Description

本開示は、基板研削システムに関する。 The present disclosure relates to substrate grinding systems.

特許文献1に記載の加工装置は、第1搬送ユニットと、位置調整機構と、第2搬送ユニットと、ターンテーブルと、チャックテーブルと、加工ユニットと、洗浄機構とを備える。第1搬送ユニットは、カセットから位置調整機構に基板を搬送する。位置調整機構は、基板の位置を調整する。第2搬送ユニットは、位置調整機構からターンテーブル上のチャックテーブルに基板を搬送する。チャックテーブルが基板を吸引保持すると、ターンテーブルが回転し、基板が加工ユニットの下方に配置される。加工ユニットは、研削ホイールで基板を研削する。第2搬送ユニットは、研削後の基板を吸引保持して旋回し、洗浄機構に搬送する。洗浄機構は、研削後の基板を洗浄する。第1搬送ユニットは、洗浄後の基板を洗浄機構からカセットに搬送する。 The processing apparatus described in Patent Document 1 includes a first transfer unit, a position adjusting mechanism, a second transfer unit, a turntable, a chuck table, a processing unit, and a cleaning mechanism. The first transport unit transports the substrate from the cassette to the position adjusting mechanism. The position adjusting mechanism adjusts the position of the substrate. The second transfer unit transfers the substrate from the position adjusting mechanism to the chuck table on the turntable. When the chuck table sucks and holds the substrate, the turntable rotates and the substrate is placed below the processing unit. The processing unit grinds the substrate with a grinding wheel. The second transfer unit sucks and holds the ground substrate, rotates, and transfers the substrate to the cleaning mechanism. The cleaning mechanism cleans the substrate after grinding. The first transport unit transports the cleaned substrate from the cleaning mechanism to the cassette.

特開2019−185645号公報JP, 2019-185645, A

本開示の一態様は、清浄度の高いエリアに洗浄装置を複数搭載し、且つ搭載数の増加による設置面積の増加を抑制する、技術を提供する。 One aspect of the present disclosure provides a technique in which a plurality of cleaning devices are mounted in an area with high cleanliness and an increase in installation area due to an increase in the number of mounted devices is suppressed.

本開示の一態様に係る基板研削システムは、載置台と、第1洗浄装置と、第2洗浄装置と、研削装置と、第1搬送領域と、第1搬送装置と、第2搬送領域と、第2搬送装置と、を備える。前記載置台は、基板を収容するカセットが載置される。前記第1洗浄装置は、前記基板を洗浄する。前記第2洗浄装置も、前記基板を洗浄する。前記研削装置は、前記基板を研削する。前記第1搬送領域は、平面視で、前記載置台と前記第1洗浄装置と前記第2洗浄装置との隣に、前記載置台と前記第1洗浄装置と前記第2洗浄装置とで三方を囲まれるように配置される。前記第1搬送装置は、前記第1搬送領域にて前記基板を搬送する。前記第2搬送領域は、平面視で、前記研削装置と前記第1洗浄装置と前記第2洗浄装置との隣に、前記研削装置と前記第1洗浄装置と前記第2洗浄装置とで三方を囲まれるように配置される。前記第2搬送装置は、前記第2搬送領域にて前記基板を搬送する。平面視で、前記第1洗浄装置と前記第2洗浄装置を結ぶ線と、前記第1搬送領域と前記第2搬送領域とを結ぶ線とが交差する。前記第1洗浄装置と、前記研削装置とは、隔壁によって隔離される。 A substrate grinding system according to an aspect of the present disclosure includes a mounting table, a first cleaning device, a second cleaning device, a grinding device, a first transfer area, a first transfer device, and a second transfer area. A second transport device. A cassette that accommodates a substrate is placed on the placing table. The first cleaning device cleans the substrate. The second cleaning device also cleans the substrate. The grinding device grinds the substrate. In plan view, the first transport region is adjacent to the mounting table, the first cleaning device, and the second cleaning device on the three sides of the mounting table, the first cleaning device, and the second cleaning device. It is arranged so as to be surrounded. The first transfer device transfers the substrate in the first transfer area. In plan view, the second transfer area is adjacent to the grinding device, the first cleaning device, and the second cleaning device, and is located on three sides of the grinding device, the first cleaning device, and the second cleaning device. It is arranged so as to be surrounded. The second transfer device transfers the substrate in the second transfer area. In a plan view, a line connecting the first cleaning device and the second cleaning device intersects with a line connecting the first transfer region and the second transfer region. The first cleaning device and the grinding device are separated by a partition.

本開示の一態様によれば、清浄度の高いエリアに洗浄装置を複数搭載でき、且つ搭載数の増加による設置面積の増加を抑制できる。 According to one aspect of the present disclosure, a plurality of cleaning devices can be mounted in an area with high cleanliness, and an increase in installation area due to an increase in the number of mounted devices can be suppressed.

図1は、一実施形態に係る基板研削システムを示す平面図である。FIG. 1 is a plan view showing a substrate grinding system according to an embodiment. 図2は、図1の基板研削システムを示す側面図である。FIG. 2 is a side view showing the substrate grinding system of FIG. 図3は、変形例に係る基板研削システムを示す平面図である。FIG. 3 is a plan view showing a substrate grinding system according to a modification.

以下、本開示の実施形態について図面を参照して説明する。なお、各図面において同一の又は対応する構成には同一の符号を付し、説明を省略することがある。本明細書において、X軸方向、Y軸方向、Z軸方向は互いに垂直な方向である。X軸方向およびY軸方向は水平方向、Z軸方向は鉛直方向である。 Hereinafter, embodiments of the present disclosure will be described with reference to the drawings. In each drawing, the same or corresponding components are designated by the same reference numerals, and description thereof may be omitted. In this specification, the X-axis direction, the Y-axis direction, and the Z-axis direction are directions perpendicular to each other. The X-axis direction and the Y-axis direction are horizontal, and the Z-axis direction is the vertical direction.

先ず、図1及び図2を参照して基板研削システム10について説明する。なお、図2において、第1洗浄装置30と検出装置31と第3洗浄装置32との配置を図示すべく、図1に示す第2搬送装置71と隔壁82とシャッター88との図示を省略する。 First, the substrate grinding system 10 will be described with reference to FIGS. 1 and 2. Note that, in FIG. 2, in order to illustrate the arrangement of the first cleaning device 30, the detection device 31, and the third cleaning device 32, the illustration of the second transport device 71, the partition wall 82, and the shutter 88 shown in FIG. 1 is omitted. ..

基板研削システム10は、載置台20と、第1洗浄装置30と、第2洗浄装置40と、研削装置50と、第1搬送領域60と、第1搬送装置61と、第2搬送領域70と、第2搬送装置71と、制御装置90と、を備える。基板研削システム10は、検出装置31を更に備えてもよい。また、基板研削システム10は、第3洗浄装置32を更に備えてもよい。 The substrate grinding system 10 includes a mounting table 20, a first cleaning device 30, a second cleaning device 40, a grinding device 50, a first transfer area 60, a first transfer device 61, and a second transfer area 70. , The second transfer device 71 and the control device 90. The substrate grinding system 10 may further include a detection device 31. The substrate grinding system 10 may further include a third cleaning device 32.

載置台20は、カセットCが載置されるものである。カセットCは、基板Wを鉛直方向に間隔をおいて複数枚収容する。基板Wは、シリコンウェハ若しくは化合物半導体ウェハ等の半導体基板、又はガラス基板を含む。基板Wは、半導体基板又はガラス基板の表面に形成されるデバイス層を更に含んでもよい。デバイス層は、電子回路を含む。また、基板Wは、複数の基板を接合した重合基板であってもよい。載置台20は、Y軸方向に一列に配置される複数の載置板21を含む。複数の載置板21のそれぞれに、カセットCが載置される。なお、載置板21の数は特に限定されない。同様に、カセットCの数も特に限定されない。 The mounting table 20 is one on which the cassette C is mounted. The cassette C accommodates a plurality of substrates W at intervals in the vertical direction. The substrate W includes a semiconductor substrate such as a silicon wafer or a compound semiconductor wafer, or a glass substrate. The substrate W may further include a device layer formed on the surface of the semiconductor substrate or the glass substrate. The device layer includes electronic circuits. Further, the substrate W may be a superposed substrate obtained by joining a plurality of substrates. The mounting table 20 includes a plurality of mounting plates 21 arranged in a line in the Y-axis direction. The cassette C is placed on each of the plurality of placing plates 21. The number of the mounting plates 21 is not particularly limited. Similarly, the number of cassettes C is not particularly limited.

第1洗浄装置30は、基板Wを洗浄する。例えば、第1洗浄装置30は、研削装置50で研削された後の基板Wを擦り洗いする。第1洗浄装置30は、スポンジ又はブラシ等の洗浄体を含み、洗浄体で研削屑等のパーティクルを除去する。洗浄体は、基板Wの研削された上面を擦り洗いすればよく、基板Wの上方に配置される。但し、洗浄体は、基板Wの上下両方に配置されてもよく、基板Wの上下両面を洗浄してもよい。 The first cleaning device 30 cleans the substrate W. For example, the first cleaning device 30 scrubs and cleans the substrate W after being ground by the grinding device 50. The first cleaning device 30 includes a cleaning body such as a sponge or a brush, and the cleaning body removes particles such as grinding dust. The cleaning body only needs to scrub the ground upper surface of the substrate W and is disposed above the substrate W. However, the cleaning body may be arranged on both the upper and lower sides of the substrate W, and the upper and lower surfaces of the substrate W may be cleaned.

第2洗浄装置40も、基板Wを洗浄する。例えば、第2洗浄装置40は、研削装置50で研削された後の基板Wを薬液でエッチングする。第2洗浄装置40は、基板Wを保持するスピンチャックと、薬液を吐出するノズルとを含む。ノズルは、回転する基板Wの上面の中心に薬液を供給する。薬液は、遠心力によって基板Wの上面の中心から周縁に向けて濡れ広がる。薬液は、一般的なものであってよく、例えばフッ硝酸、又はアルカリ溶液等であってよい。薬液は、基板Wの研削された上面をエッチングし、研削痕を除去する。第2洗浄装置40は、基板Wの下面にも薬液を供給してもよく、基板Wの上下両面を洗浄してもよい。 The second cleaning device 40 also cleans the substrate W. For example, the second cleaning device 40 etches the substrate W after being ground by the grinding device 50 with a chemical solution. The second cleaning device 40 includes a spin chuck that holds the substrate W and a nozzle that discharges a chemical solution. The nozzle supplies the chemical liquid to the center of the upper surface of the rotating substrate W. The chemical solution wets and spreads from the center of the upper surface of the substrate W toward the peripheral edge by the centrifugal force. The chemical solution may be a general one, and may be, for example, hydrofluoric nitric acid or an alkaline solution. The chemical solution etches the ground upper surface of the substrate W to remove grinding marks. The second cleaning device 40 may supply the chemical liquid to the lower surface of the substrate W, or may clean the upper and lower surfaces of the substrate W.

研削装置50は、基板Wを研削する。研削は、研磨を含む。研削に用いる砥粒は、固定砥粒、及び遊離砥粒のいずれでもよい。研削装置50は、例えば、テーブル51と、4つのチャック52と、3つの研削機構53と、を有する。 The grinding device 50 grinds the substrate W. Grinding includes polishing. Abrasive grains used for grinding may be fixed abrasive grains or free abrasive grains. The grinding device 50 includes, for example, a table 51, four chucks 52, and three grinding mechanisms 53.

テーブル51は、回転中心線R1の周りに4つのチャック52を等間隔で保持し、回転中心線R1を中心に回転する。4つのチャック52のそれぞれは、テーブル51と共に回転し、搬入出位置A0と、1次研削位置A1と、2次研削位置A2と、3次研削位置A3と、搬入出位置A0とにこの順番で移動する。 The table 51 holds the four chucks 52 at equal intervals around the rotation center line R1 and rotates about the rotation center line R1. Each of the four chucks 52 rotates together with the table 51, and moves to the loading/unloading position A0, the primary grinding position A1, the secondary grinding position A2, the tertiary grinding position A3, and the loading/unloading position A0 in this order. Moving.

搬入出位置A0は、基板Wの搬入が行われる位置と、基板Wの搬出が行われる位置とを兼ねる。なお、本実施形態では搬入位置と搬出位置とは同じ位置であるが、搬入位置と搬出位置とは異なる位置であってもよい。1次研削位置A1は、基板Wの1次研削が行われる位置である。2次研削位置A2は、基板Wの2次研削が行われる位置である。3次研削位置A3は、基板Wの3次研削が行われる位置である。 The carry-in/carry-out position A0 serves both as a position for carrying in the substrate W and a position for carrying out the substrate W. Although the carry-in position and the carry-out position are the same position in the present embodiment, the carry-in position and the carry-out position may be different positions. The primary grinding position A1 is a position where the primary grinding of the substrate W is performed. The secondary grinding position A2 is a position where the secondary grinding of the substrate W is performed. The tertiary grinding position A3 is a position where the tertiary grinding of the substrate W is performed.

4つのチャック52は、それぞれの回転中心線を中心に回転自在に、テーブル51に取り付けられる。1次研削位置A1、2次研削位置A2および3次研削位置A3において、チャック52はそれぞれの回転中心線を中心に回転する。 The four chucks 52 are attached to the table 51 so as to be rotatable about their respective rotation center lines. At the primary grinding position A1, the secondary grinding position A2 and the tertiary grinding position A3, the chuck 52 rotates about the respective rotation center lines.

1つの研削機構53は、1次研削位置A1にて、基板Wを1次研削する。別の研削機構53は、2次研削位置A2にて、基板Wを2次研削する。残りの研削機構53は、3次研削位置A3にて、基板Wを3次研削する。 The one grinding mechanism 53 primarily grinds the substrate W at the primary grinding position A1. Another grinding mechanism 53 secondarily grinds the substrate W at the second grinding position A2. The remaining grinding mechanism 53 thirdly grinds the substrate W at the third grinding position A3.

なお、研削機構53の数は、1つ以上であればよい。また、チャック52の数は、研削機構53の数よりも多ければよい。但し、テーブル51が無くてもよい。テーブル51が無い場合、チャック52の数は、研削機構53の数と同数であってもよく、1つであってもよい。 The number of grinding mechanisms 53 may be one or more. Further, the number of chucks 52 may be larger than the number of grinding mechanisms 53. However, the table 51 may be omitted. When the table 51 is not provided, the number of chucks 52 may be the same as the number of grinding mechanisms 53 or may be one.

第1搬送領域60は、平面視(Z軸方向視)で、載置台20と第1洗浄装置30と第2洗浄装置40との隣に、載置台20と第1洗浄装置30と第2洗浄装置40とで三方を囲まれるように配置される。具体的には、載置台20は第1搬送領域60のX軸方向負側に配置され、第1洗浄装置30は第1搬送領域60のX軸方向正側に配置され、第2洗浄装置40は第1搬送領域60のY軸方向負側に配置される。 The first transport region 60 is adjacent to the mounting table 20, the first cleaning device 30, and the second cleaning device 40 in plan view (Z-axis direction), and is next to the mounting table 20, the first cleaning device 30, and the second cleaning device 40. The device 40 and the device 40 are arranged so as to be surrounded on three sides. Specifically, the mounting table 20 is arranged on the X axis direction negative side of the first transfer region 60, the first cleaning device 30 is arranged on the X axis direction positive side of the first transfer region 60, and the second cleaning device 40. Is arranged on the Y axis direction negative side of the first transport region 60.

第1搬送装置61は、第1搬送領域60にて基板Wを搬送する。つまり、第1搬送装置61は、第1搬送領域60の隣に配置される複数の装置間で、基板Wを搬送する。第1搬送装置61は、独立に移動する第1搬送アーム61aと第2搬送アーム61bとを有する。第1搬送アーム61aと、第2搬送アーム61bは、それぞれ、水平方向(X軸方向およびY軸方向の両方向)および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする回転が可能である。第1搬送アーム61aと、第2搬送アーム61bは、それぞれ、基板Wを下方から保持する。 The first transfer device 61 transfers the substrate W in the first transfer area 60. That is, the first transfer device 61 transfers the substrate W between the plurality of devices arranged next to the first transfer area 60. The first transfer device 61 has a first transfer arm 61a and a second transfer arm 61b that move independently. The first transfer arm 61a and the second transfer arm 61b can move in the horizontal direction (both directions of the X-axis direction and the Y-axis direction) and the vertical direction, and can rotate about the vertical axis, respectively. The first transfer arm 61a and the second transfer arm 61b each hold the substrate W from below.

第1搬送アーム61aは、カセットCから基板Wを取り出す。一方、第2搬送アーム61bは、基板WをカセットCに収める。第1搬送アーム61aと第2搬送アーム61bとが別々に設けられるので、カセットCからの基板Wの取出と、カセットCへの基板Wの収容とを相次いで速やかに実施できる。また、第1搬送アーム61aと第2搬送アーム61bとが別々に設けられるので、研削前の基板Wと研削後の基板W間での、第1搬送装置61を介したパーティクルの移動を防止できる。第1搬送アーム61aは洗浄前の基板Wを保持するのに対し、第2搬送アーム61bは洗浄後の基板Wを保持する。第2搬送アーム61bが第1搬送アーム61aの上方に配置されれば、洗浄後の基板Wが洗浄前の基板Wの上方に配置される。その結果、洗浄前の基板Wから洗浄後の基板Wへのパーティクルの落下を防止できる。 The first transfer arm 61a takes out the substrate W from the cassette C. On the other hand, the second transfer arm 61b stores the substrate W in the cassette C. Since the first transfer arm 61a and the second transfer arm 61b are separately provided, the extraction of the substrate W from the cassette C and the accommodation of the substrate W in the cassette C can be successively performed. Further, since the first transfer arm 61a and the second transfer arm 61b are provided separately, it is possible to prevent the movement of particles between the substrate W before grinding and the substrate W after grinding via the first transfer device 61. .. The first transfer arm 61a holds the substrate W before cleaning, while the second transfer arm 61b holds the substrate W after cleaning. When the second transfer arm 61b is arranged above the first transfer arm 61a, the substrate W after cleaning is arranged above the substrate W before cleaning. As a result, it is possible to prevent particles from falling from the substrate W before cleaning to the substrate W after cleaning.

第2搬送領域70は、平面視で、研削装置50と第1洗浄装置30と第2洗浄装置40との隣に、研削装置50と第1洗浄装置30と第2洗浄装置40とで三方を囲まれるように配置される。具体的には、研削装置50は第2搬送領域70のX軸方向正側に配置され、第1洗浄装置30は第2搬送領域70のY軸方向正側に配置され、第2洗浄装置40は第2搬送領域70のX軸方向負側に配置される。 The second transport region 70 is adjacent to the grinding device 50, the first cleaning device 30, and the second cleaning device 40 in plan view, and is located on three sides of the grinding device 50, the first cleaning device 30, and the second cleaning device 40. It is arranged so as to be surrounded. Specifically, the grinding device 50 is arranged on the X-axis direction positive side of the second transfer region 70, the first cleaning device 30 is arranged on the Y-axis direction positive side of the second transfer region 70, and the second cleaning device 40. Is arranged on the negative side in the X-axis direction of the second transport region 70.

第2搬送装置71は、第2搬送領域70にて基板Wを搬送する。つまり、第2搬送装置71は、第2搬送領域70の隣に配置される複数の装置間で、基板Wを搬送する。第2搬送装置71は、基板Wを保持する吸着パッド71aを含む。吸着パッド71aは、水平方向(X軸方向およびY軸方向の両方向)および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする回転が可能である。吸着パッド71aは、基板Wを上方から吸着保持する。 The second transfer device 71 transfers the substrate W in the second transfer area 70. That is, the second transfer device 71 transfers the substrate W between the plurality of devices arranged next to the second transfer area 70. The second transfer device 71 includes a suction pad 71a that holds the substrate W. The suction pad 71a can move in the horizontal direction (both directions of the X-axis direction and the Y-axis direction) and the vertical direction, and can rotate about the vertical axis. The suction pad 71a sucks and holds the substrate W from above.

検出装置31は、研削装置50で研削される前の基板Wの中心を検出する。平面視にて、研削装置50のチャック52の中心と基板Wの中心とを位置合わせできる。検出装置31は、基板Wの中心に加えて、基板Wの結晶方位を検出してもよく、具体的には基板Wの結晶方位を表すノッチ又はオリエンテーションフラットを検出してもよい。チャック52と共に回転する回転座標系において、基板Wの結晶方位を所望の方位に位置合わせできる。 The detection device 31 detects the center of the substrate W before being ground by the grinding device 50. The center of the chuck 52 of the grinding device 50 and the center of the substrate W can be aligned with each other in a plan view. The detection device 31 may detect the crystal orientation of the substrate W in addition to the center of the substrate W, and specifically may detect a notch or an orientation flat representing the crystal orientation of the substrate W. In the rotating coordinate system that rotates together with the chuck 52, the crystal orientation of the substrate W can be aligned with a desired orientation.

検出装置31は、基板研削システム10の設置面積を低減すべく、第1洗浄装置30に対して鉛直方向に積層されてもよい。なお、検出装置31は第1洗浄装置30の上方に配置されるが、検出装置31と第1洗浄装置30の配置は逆でもよく、検出装置31は第1洗浄装置30の下方に配置されてもよい。 The detection device 31 may be vertically stacked on the first cleaning device 30 in order to reduce the installation area of the substrate grinding system 10. Although the detection device 31 is arranged above the first cleaning device 30, the detection device 31 and the first cleaning device 30 may be arranged in reverse, and the detection device 31 is arranged below the first cleaning device 30. Good.

第3洗浄装置32は、第1洗浄装置30及び第2洗浄装置40とは異なり、研削装置50で研削される前の基板Wを洗浄する。清浄な基板Wを研削装置50のチャック52に載置でき、異物の噛み込み等を抑制できるので、基板Wの研削品質を向上できる。 Unlike the first cleaning device 30 and the second cleaning device 40, the third cleaning device 32 cleans the substrate W before being ground by the grinding device 50. Since a clean substrate W can be placed on the chuck 52 of the grinding device 50 and foreign matter can be prevented from being caught, the grinding quality of the substrate W can be improved.

第3洗浄装置32は、例えば、第1洗浄装置30と同様に、基板Wを擦り洗いする。第3洗浄装置32は、スポンジ又はブラシ等の洗浄体を含み、洗浄体で異物を除去する。洗浄体は、基板Wを研削装置50のチャック52に載置する際に異物の噛み込みを抑制すべく、基板Wの下面を擦り洗いすればよく、基板Wの下方に配置される。但し、洗浄体は、基板Wの上下両方に配置されてもよく、基板Wの上下両面を洗浄してもよい。 The third cleaning device 32 scrubs and cleans the substrate W, similar to the first cleaning device 30, for example. The third cleaning device 32 includes a cleaning body such as a sponge or a brush, and removes foreign matter with the cleaning body. The cleaning body only needs to scrub and wash the lower surface of the substrate W in order to prevent foreign matter from being caught when the substrate W is mounted on the chuck 52 of the grinding device 50, and is disposed below the substrate W. However, the cleaning body may be arranged on both the upper and lower sides of the substrate W, or both the upper and lower sides of the substrate W may be cleaned.

第3洗浄装置32は、基板研削システム10の設置面積を低減すべく、第1洗浄装置30に対して鉛直方向に積層されてもよい。なお、第3洗浄装置32は第1洗浄装置30の上方に配置されるが、第3洗浄装置32と第1洗浄装置30の配置は逆でもよく、第3洗浄装置32は第1洗浄装置30の下方に配置されてもよい。第3洗浄装置32は図2では第1洗浄装置30と検出装置31の間に配置されるが、これらの順番は特に限定されない。 The third cleaning device 32 may be vertically stacked on the first cleaning device 30 in order to reduce the installation area of the substrate grinding system 10. Although the third cleaning device 32 is arranged above the first cleaning device 30, the arrangement of the third cleaning device 32 and the first cleaning device 30 may be reversed, and the third cleaning device 32 may be the first cleaning device 30. May be disposed below. The third cleaning device 32 is arranged between the first cleaning device 30 and the detection device 31 in FIG. 2, but their order is not particularly limited.

制御装置90は、例えばコンピュータであり、CPU(Central Processing Unit)91と、メモリ等の記憶媒体92とを備える。記憶媒体92には、基板研削システム10において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御装置90は、記憶媒体92に記憶されたプログラムをCPU91に実行させることにより、基板研削システム10の動作を制御する。 The control device 90 is, for example, a computer, and includes a CPU (Central Processing Unit) 91 and a storage medium 92 such as a memory. The storage medium 92 stores programs that control various processes executed in the substrate grinding system 10. The controller 90 controls the operation of the substrate grinding system 10 by causing the CPU 91 to execute the program stored in the storage medium 92.

次に、基板研削システム10の動作について説明する。下記の動作は、制御装置90による制御下で実施される。 Next, the operation of the substrate grinding system 10 will be described. The following operation is performed under the control of the control device 90.

先ず、第1搬送装置61が、カセットCから基板Wを取り出し、取り出した基板Wを第3洗浄装置32に搬送する。この間、基板Wは、第1搬送アーム61aによって保持される。 First, the first transfer device 61 takes out the substrate W from the cassette C and transfers the taken-out substrate W to the third cleaning device 32. During this time, the substrate W is held by the first transfer arm 61a.

次に、第3洗浄装置32が、研削装置50で研削する前の基板Wを洗浄する。清浄な基板Wを研削装置50のチャック52に載置でき、異物の噛み込み等を抑制できる。それゆえ、基板Wを平坦に研削でき、基板Wの厚み偏差の悪化を抑制できる。第3洗浄装置32は、基板Wの下面を洗浄する。第3洗浄装置32は、基板Wの上下両面を洗浄してもよい。基板Wの乾燥後、第1搬送装置61が第3洗浄装置32から検出装置31に基板Wを搬送する。この間、基板Wは、第1搬送アーム61aによって保持される。 Next, the third cleaning device 32 cleans the substrate W before being ground by the grinding device 50. A clean substrate W can be placed on the chuck 52 of the grinding device 50, and foreign matter can be prevented from being caught. Therefore, the substrate W can be ground flat, and the deterioration of the thickness deviation of the substrate W can be suppressed. The third cleaning device 32 cleans the lower surface of the substrate W. The third cleaning device 32 may clean both upper and lower surfaces of the substrate W. After the substrate W is dried, the first transfer device 61 transfers the substrate W from the third cleaning device 32 to the detection device 31. During this time, the substrate W is held by the first transfer arm 61a.

なお、未研削の基板Wが清浄な場合、又は研削装置50が未研削の基板Wを洗浄する機構を有する場合、第3洗浄装置32は無くてもよい。その場合、第1搬送装置61は、カセットCから検出装置31に基板Wを搬送する。 The third cleaning device 32 may be omitted when the unground substrate W is clean or when the grinding device 50 has a mechanism for cleaning the unground substrate W. In that case, the first transfer device 61 transfers the substrate W from the cassette C to the detection device 31.

次に、検出装置31が、基板Wの中心を検出する。検出装置31は、基板Wの結晶方位をも検出してもよく、具体的にはノッチ等をも検出してもよい。その後、第2搬送装置71が、検出装置31から研削装置50のチャック52に基板Wを搬送する。この間、制御装置90は、検出装置31の検出結果に基づき第2搬送装置71を制御し、チャック52の中心と基板Wの中心とを位置合わせする。また、制御装置90は、検出装置31の検出結果に基づき第2搬送装置71を制御し、チャック52と共に回転する回転座標系において、基板Wの結晶方位を所望の方位に位置合わせする。 Next, the detection device 31 detects the center of the substrate W. The detection device 31 may detect the crystal orientation of the substrate W, and specifically may detect notches and the like. After that, the second transfer device 71 transfers the substrate W from the detection device 31 to the chuck 52 of the grinding device 50. During this time, the control device 90 controls the second transfer device 71 based on the detection result of the detection device 31 to align the center of the chuck 52 with the center of the substrate W. Further, the control device 90 controls the second transfer device 71 based on the detection result of the detection device 31, and aligns the crystal orientation of the substrate W to a desired orientation in the rotation coordinate system that rotates together with the chuck 52.

次に、研削装置50が、基板Wの上面を研削する。基板Wは、テーブル51と共に回転し、搬入出位置A0と、1次研削位置A1と、2次研削位置A2と、3次研削位置A3と、搬入出位置A0とにこの順番で移動する。この間、1次研削と、2次研削と、3次研削とが実施される。その後、第2搬送装置71が、研削装置50のチャック52から第1洗浄装置30に基板Wを搬送する。 Next, the grinding device 50 grinds the upper surface of the substrate W. The substrate W rotates together with the table 51 and moves to the loading/unloading position A0, the primary grinding position A1, the secondary grinding position A2, the tertiary grinding position A3, and the loading/unloading position A0 in this order. During this, primary grinding, secondary grinding, and tertiary grinding are performed. Then, the second transfer device 71 transfers the substrate W from the chuck 52 of the grinding device 50 to the first cleaning device 30.

次に、第1洗浄装置30は、基板Wの上面を洗浄し、研削屑等のパーティクルを除去する。第1洗浄装置30は、基板Wの上下両面を洗浄してもよい。基板Wの乾燥後、第1搬送装置61が、第1洗浄装置30から第2洗浄装置40に基板Wを搬送する。この間、基板Wは、第1搬送アーム61aによって保持されてもよいし、第2搬送アーム61bによって保持されてもよい。 Next, the first cleaning device 30 cleans the upper surface of the substrate W to remove particles such as grinding dust. The first cleaning device 30 may clean both upper and lower surfaces of the substrate W. After drying the substrate W, the first transfer device 61 transfers the substrate W from the first cleaning device 30 to the second cleaning device 40. During this time, the substrate W may be held by the first transfer arm 61a or the second transfer arm 61b.

次に、第2洗浄装置40は、基板Wの上面をエッチングし、研削痕を除去する。第2洗浄装置40は、基板Wの上下両面を洗浄してもよい。基板Wの乾燥後、第1搬送装置61が、第2洗浄装置40からカセットCに基板Wを搬送し、カセットCに基板Wを収める。この間、基板Wは、第2搬送アーム61bによって保持される。その後、今回の処理が終了する。 Next, the second cleaning device 40 etches the upper surface of the substrate W to remove grinding marks. The second cleaning device 40 may clean both upper and lower surfaces of the substrate W. After the substrate W is dried, the first transfer device 61 transfers the substrate W from the second cleaning device 40 to the cassette C and stores the substrate W in the cassette C. During this time, the substrate W is held by the second transfer arm 61b. Then, the process of this time is completed.

ところで、図1に示すように、平面視で、載置台20と研削装置50との間にて、第1洗浄装置30と第2洗浄装置40と第1搬送領域60と第2搬送領域70とが行列状に配置される。平面視で、第1洗浄装置30と第2洗浄装置40を結ぶ線と、第1搬送領域60と第2搬送領域70とを結ぶ線とが交差する。 By the way, as shown in FIG. 1, in plan view, between the mounting table 20 and the grinding device 50, the first cleaning device 30, the second cleaning device 40, the first transfer area 60, and the second transfer area 70 are provided. Are arranged in a matrix. In a plan view, a line connecting the first cleaning device 30 and the second cleaning device 40 and a line connecting the first transfer area 60 and the second transfer area 70 intersect.

本実施形態によれば、本実施形態とは異なり第1搬送領域60がX軸方向正側に隔壁81まで延長される場合に比べて、第1搬送領域60のX軸方向寸法が短縮されており、その短縮によって空いた領域に第1洗浄装置30が配置される。従って、洗浄装置の搭載数の増加による、基板研削システム10の設置面積の増加を抑制できる。 According to the present embodiment, unlike the present embodiment, the dimension of the first transport region 60 in the X-axis direction is shortened compared to the case where the first transport region 60 is extended to the partition 81 on the X-axis direction positive side. The first cleaning device 30 is arranged in the empty area due to the shortening. Therefore, it is possible to suppress an increase in the installation area of the substrate grinding system 10 due to an increase in the number of cleaning devices installed.

また、本実施形態によれば、載置台20と第1搬送領域60が隣り合う。それゆえ、本実施形態とは異なり載置台20と第1搬送領域60との間に、基板Wを一時的に保管するトランジション装置と、平面視でトランジション装置と載置台20とで挟まれる第3搬送領域と、第3搬送領域にて基板Wを搬送する第3搬送装置とが設けられる場合に比べて、基板研削システム10の設置面積を低減できる。 Further, according to the present embodiment, the mounting table 20 and the first transfer area 60 are adjacent to each other. Therefore, unlike the present embodiment, between the mounting table 20 and the first transfer area 60, a transition device for temporarily storing the substrate W and a third device sandwiched between the transition device and the mounting table 20 in plan view. The installation area of the substrate grinding system 10 can be reduced as compared with the case where the transport region and the third transport device that transports the substrate W in the third transport region are provided.

ところで、図1に示すように、第1洗浄装置30は研削装置50と第2搬送領域70の両方の隣に配置され、第2搬送領域70は研削装置50の隣に配置される。基板Wは、研削装置50にて研削された後、第2搬送領域70を介して研削装置50から第1洗浄装置30に搬送される。第1洗浄装置30と研削装置50とは、隔壁81、82によって隔離される。 By the way, as shown in FIG. 1, the first cleaning device 30 is arranged next to both the grinding device 50 and the second transfer region 70, and the second transfer region 70 is arranged next to the grinding device 50. The substrate W is ground by the grinding device 50 and then transferred from the grinding device 50 to the first cleaning device 30 via the second transfer area 70. The first cleaning device 30 and the grinding device 50 are separated by the partition walls 81 and 82.

隔壁81は、互いに隣り合う第1洗浄装置30と研削装置50の間に配置される。一方、隔壁82は、互いに隣り合う第1洗浄装置30と第2搬送領域70の間に配置される。隔壁81、82は、研削装置50にて生じた研削屑等のパーティクルが研削装置50から第1洗浄装置30へ流出するのを抑制する。 The partition wall 81 is arranged between the first cleaning device 30 and the grinding device 50 which are adjacent to each other. On the other hand, the partition wall 82 is arranged between the first cleaning device 30 and the second transfer area 70 which are adjacent to each other. The partition walls 81 and 82 prevent particles such as grinding dust generated in the grinding device 50 from flowing out of the grinding device 50 to the first cleaning device 30.

隔壁82には、基板Wの通過する搬送口82aが形成される。搬送口82aには、搬送口82aを開閉するシャッター88が設けられる。シャッター88は、基本的に搬送口82aを閉塞しており、基板Wの通過時に搬送口82aを開放する。搬送口82aが常時開放されている場合に比べて、搬送口82aを介した研削装置50から第1洗浄装置30へのパーティクルの流出を抑制できる。 A transfer port 82a through which the substrate W passes is formed in the partition wall 82. The transfer port 82a is provided with a shutter 88 that opens and closes the transfer port 82a. The shutter 88 basically closes the transfer port 82a and opens the transfer port 82a when the substrate W passes through. It is possible to suppress the outflow of particles from the grinding device 50 to the first cleaning device 30 via the transfer port 82a, as compared with the case where the transfer port 82a is always open.

隔壁83は、互いに隣り合う第2洗浄装置40と第2搬送領域70の間に配置され、第2洗浄装置40と第2搬送領域70を隔離し、ひいては第2洗浄装置40と研削装置50とを隔離する。隔壁83は、研削装置50にて生じた研削屑等のパーティクルが研削装置50から第2洗浄装置40へ流出するのを抑制する。 The partition wall 83 is arranged between the second cleaning device 40 and the second transfer region 70 which are adjacent to each other, separates the second cleaning device 40 and the second transfer region 70 from each other, and by extension, the second cleaning device 40 and the grinding device 50. Isolate. The partition wall 83 suppresses particles such as grinding dust generated in the grinding device 50 from flowing from the grinding device 50 to the second cleaning device 40.

隔壁81、82、83を基準として、研削装置50とは反対側(X軸方向負側)に、清浄度の高いエリアが形成される。清浄度の高いエリアに、複数の洗浄装置、例えば第1洗浄装置30と第2洗浄装置40と第3洗浄装置32とを搭載できる。従って、洗浄装置の搭載数が多く、洗浄性能を向上できる。また、清浄度の高いエリアに洗浄装置を搭載するので、洗浄後の基板Wが汚れるのを抑制できる。 An area having a high degree of cleanliness is formed on the side opposite to the grinding device 50 (negative side in the X-axis direction) with the partition walls 81, 82, 83 as a reference. A plurality of cleaning devices, for example, the first cleaning device 30, the second cleaning device 40, and the third cleaning device 32 can be mounted in an area of high cleanliness. Therefore, the number of cleaning devices mounted is large, and the cleaning performance can be improved. Further, since the cleaning device is mounted in the area of high cleanliness, it is possible to prevent the substrate W after cleaning from being contaminated.

次に、図3を参照して、変形例に係る基板研削システム10について説明する。以下、本変形例と上記実施形態との相違点について主に説明する。本変形例では、上記実施形態の隔壁82の代わりに、隔壁84が設けられる。隔壁84は、互いに隣り合う第2搬送領域70と研削装置50の間に配置される。 Next, a substrate grinding system 10 according to a modified example will be described with reference to FIG. Hereinafter, differences between the present modification and the above embodiment will be mainly described. In this modification, a partition 84 is provided instead of the partition 82 of the above embodiment. The partition wall 84 is arranged between the second transfer region 70 and the grinding device 50 which are adjacent to each other.

隔壁81、84は、研削装置50にて生じた研削屑等のパーティクルが研削装置50から第1洗浄装置30へ流出するのを抑制する。また、隔壁81、84は、研削装置50にて生じた研削屑等のパーティクルが研削装置50から第2洗浄装置40へ流出するのを抑制する。 The partition walls 81 and 84 suppress particles such as grinding dust generated in the grinding device 50 from flowing out from the grinding device 50 to the first cleaning device 30. In addition, the partition walls 81 and 84 suppress particles such as grinding dust generated in the grinding device 50 from flowing out from the grinding device 50 to the second cleaning device 40.

隔壁84には、基板Wの通過する搬送口84aが形成される。搬送口84aには、搬送口84aを開閉するシャッター89が設けられる。シャッター89は、基本的に搬送口84aを閉塞しており、基板Wの通過時に搬送口84aを開放する。搬送口84aを介した研削装置50から第1洗浄装置30へのパーティクルの流出を抑制できる。 A transfer port 84 a through which the substrate W passes is formed in the partition wall 84. The transfer port 84a is provided with a shutter 89 that opens and closes the transfer port 84a. The shutter 89 basically closes the transfer opening 84a and opens the transfer opening 84a when the substrate W passes through. It is possible to suppress the outflow of particles from the grinding device 50 to the first cleaning device 30 via the transfer port 84a.

隔壁81、84を基準として、研削装置50とは反対側(X軸方向負側)に、清浄度の高いエリアが形成される。清浄度の高いエリアに、複数の洗浄装置、例えば第1洗浄装置30と第2洗浄装置40と第3洗浄装置32とを搭載できる。従って、洗浄装置の搭載数が多く、洗浄性能を向上できる。また、清浄度の高いエリアに洗浄装置を搭載するので、洗浄後の基板Wが汚れるのを抑制できる。 An area of high cleanliness is formed on the side opposite to the grinding device 50 (negative side in the X-axis direction) with the partition walls 81 and 84 as a reference. A plurality of cleaning devices, for example, the first cleaning device 30, the second cleaning device 40, and the third cleaning device 32 can be mounted in an area of high cleanliness. Therefore, the number of cleaning devices mounted is large, and the cleaning performance can be improved. Further, since the cleaning device is mounted in the area of high cleanliness, it is possible to prevent the substrate W after cleaning from being contaminated.

なお、本変形例では上記実施形態の隔壁82の代わりに隔壁84が設けられるが、本変形例の隔壁84と上記実施形態の隔壁82との両方が設けられてもよい。 In this modification, the partition 84 is provided instead of the partition 82 of the above embodiment, but both the partition 84 of this modification and the partition 82 of the above embodiment may be provided.

以上、本開示に係る基板研削システムについて説明したが、本開示は上記実施形態などに限定されない。実用新案登録請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更、修正、置換、付加、削除、および組み合わせが可能である。それらについても当然に本開示の技術的範囲に属する。 Although the substrate grinding system according to the present disclosure has been described above, the present disclosure is not limited to the above embodiment and the like. Various changes, modifications, substitutions, additions, deletions, and combinations are possible within the scope described in the utility model registration claim. Naturally, they also belong to the technical scope of the present disclosure.

10 基板研削システム
20 載置台
30 第1洗浄装置
40 第2洗浄装置
50 研削装置
60 第1搬送領域
61 第1搬送装置
70 第2搬送領域
71 第2搬送装置
10 Substrate Grinding System 20 Mounting Table 30 First Cleaning Device 40 Second Cleaning Device 50 Grinding Device 60 First Transfer Area 61 First Transfer Device 70 Second Transfer Area 71 Second Transfer Device

Claims (9)

基板を収容するカセットが載置される載置台と、
前記基板を洗浄する第1洗浄装置と、
前記基板を洗浄する第2洗浄装置と、
前記基板を研削する研削装置と、
平面視で、前記載置台と前記第1洗浄装置と前記第2洗浄装置との隣に、前記載置台と前記第1洗浄装置と前記第2洗浄装置とで三方を囲まれるように配置される第1搬送領域と、
前記第1搬送領域にて前記基板を搬送する第1搬送装置と、
平面視で、前記研削装置と前記第1洗浄装置と前記第2洗浄装置との隣に、前記研削装置と前記第1洗浄装置と前記第2洗浄装置とで三方を囲まれるように配置される第2搬送領域と、
前記第2搬送領域にて前記基板を搬送する第2搬送装置と、を備え、
平面視で、前記第1洗浄装置と前記第2洗浄装置とを結ぶ線と、前記第1搬送領域と前記第2搬送領域とを結ぶ線とが交差し、
前記第1洗浄装置と、前記研削装置とは、隔壁によって隔離される、基板研削システム。
A mounting table on which a cassette for housing the substrate is mounted,
A first cleaning device for cleaning the substrate;
A second cleaning device for cleaning the substrate;
A grinding device for grinding the substrate,
In plan view, it is arranged next to the mounting table, the first cleaning device, and the second cleaning device so as to be surrounded on three sides by the mounting table, the first cleaning device, and the second cleaning device. A first transport area,
A first transfer device that transfers the substrate in the first transfer region;
The grinding device, the first cleaning device, and the second cleaning device are arranged next to the grinding device, the first cleaning device, and the second cleaning device so as to be surrounded on three sides in a plan view. A second transport area,
A second transfer device that transfers the substrate in the second transfer region,
In a plan view, a line connecting the first cleaning device and the second cleaning device and a line connecting the first transfer region and the second transfer region intersect with each other,
A substrate grinding system in which the first cleaning device and the grinding device are separated by a partition.
前記第2洗浄装置と、前記第2搬送領域とは、隔壁によって隔離される、請求項1に記載の基板研削システム。 The substrate grinding system according to claim 1, wherein the second cleaning device and the second transfer region are separated by a partition. 前記第1搬送装置は、独立に移動する第1搬送アームと第2搬送アームとを有し、前記第1搬送アームで前記カセットから前記基板を取り出し、前記第2搬送アームで前記基板を前記カセットに収める、請求項1又は2に記載の基板研削システム。 The first transfer device has a first transfer arm and a second transfer arm that move independently. The first transfer arm takes out the substrate from the cassette, and the second transfer arm moves the substrate to the cassette. The substrate grinding system according to claim 1 or 2, wherein the substrate grinding system is housed in. 前記第1洗浄装置と前記第2搬送領域との間に配置される隔壁には、前記基板の通過する搬送口が形成され、
当該搬送口には、当該搬送口を開閉するシャッターが設けられる、請求項1〜3のいずれか1項に記載の基板研削システム。
A transfer port through which the substrate passes is formed in a partition wall disposed between the first cleaning device and the second transfer region,
The substrate grinding system according to claim 1, wherein the transfer port is provided with a shutter that opens and closes the transfer port.
前記研削装置で研削される前の前記基板の中心を検出する検出装置を備え、
前記検出装置と前記第1洗浄装置とは、鉛直方向に積層される、請求項1〜4のいずれか1項に記載の基板研削システム。
A detection device for detecting the center of the substrate before being ground by the grinding device;
The substrate grinding system according to claim 1, wherein the detection device and the first cleaning device are stacked in a vertical direction.
前記第1洗浄装置に積層して配置される第3洗浄装置を備え、
前記第1洗浄装置は、前記研削装置で研削された後の前記基板を、前記第1搬送装置で前記第2洗浄装置に搬送する前に洗浄し、
前記第3洗浄装置は、前記研削装置で研削される前の前記基板を洗浄する、請求項1〜5のいずれか1項に記載の基板研削システム。
A third cleaning device stacked on the first cleaning device;
The first cleaning device cleans the substrate after being ground by the grinding device before being transferred to the second cleaning device by the first transfer device,
The substrate grinding system according to claim 1, wherein the third cleaning device cleans the substrate before being ground by the grinding device.
前記第2洗浄装置は、前記研削装置で研削された後の前記基板を薬液でエッチングする、請求項1〜6のいずれか1項に記載の基板研削システム。 7. The substrate grinding system according to claim 1, wherein the second cleaning device etches the substrate after being ground by the grinding device with a chemical solution. 前記第2搬送装置は、前記基板を上方から吸着保持し、
前記第1搬送装置は、前記基板を下方から保持する、請求項1〜7のいずれか1項に記載の基板研削システム。
The second transfer device sucks and holds the substrate from above,
The substrate grinding system according to claim 1, wherein the first transfer device holds the substrate from below.
前記研削装置と前記第2搬送領域との間に配置される隔壁には、前記基板の通過する搬送口が形成され、
当該搬送口には、当該搬送口を開閉するシャッターが設けられる、請求項1〜8のいずれか1項に記載の基板研削システム。
A transfer port through which the substrate passes is formed in a partition wall disposed between the grinding device and the second transfer region,
The substrate grinding system according to claim 1, wherein the transfer port is provided with a shutter that opens and closes the transfer port.
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