JP2000021828A - Flattening work device for wafer - Google Patents

Flattening work device for wafer

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JP2000021828A
JP2000021828A JP11001318A JP131899A JP2000021828A JP 2000021828 A JP2000021828 A JP 2000021828A JP 11001318 A JP11001318 A JP 11001318A JP 131899 A JP131899 A JP 131899A JP 2000021828 A JP2000021828 A JP 2000021828A
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cleaning means
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a flattening work device of wafers, which can prevent damages of the wafer in a protective film peeling process. SOLUTION: A brush cleaning device 74 for cleaning the protective film of a wafer 26 is installed in a plane grinding device. The brush cleaning device 74 forcedly peels and removes sludge adhered to the protective film, and the protective film is cleaned. Since peeling tape is adhered to the protective film, from which sludge is removed in a protective peeling process, damages to the wafer owing to the adhesion of sludge can be prevented.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はウェーハの平面加工
装置に係り、特に半導体ウェーハの製造工程で半導体ウ
ェーハの裏面を研削加工するウェーハの平面加工装置に
関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a planar processing apparatus for a wafer, and more particularly to a planar processing apparatus for a wafer for grinding a back surface of a semiconductor wafer in a semiconductor wafer manufacturing process.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体ウェーハの裏面(一方面)を研削
する平面研削装置は、チャックテーブル、砥石、及び裏
面洗浄装置等を備えており、このチャックテーブルで半
導体ウェーハの表面(他方面)を吸着保持し、そして、
半導体ウェーハの裏面に砥石を押し付けると共に、チャ
ックテーブル及び研削砥石を回転させてウェーハの裏面
を研削する。そして、研削終了したウェーハをチャック
テーブルから取り外し、研削されたウェーハの裏面を裏
面洗浄装置で洗浄する。
2. Description of the Related Art A surface grinding apparatus for grinding the back surface (one surface) of a semiconductor wafer includes a chuck table, a grindstone, a back surface cleaning device, and the like, and the chuck table absorbs the front surface (the other surface) of the semiconductor wafer. Hold, and
The grindstone is pressed against the back surface of the semiconductor wafer and the chuck table and the grinding wheel are rotated to grind the back surface of the wafer. Then, the ground wafer is removed from the chuck table, and the back surface of the ground wafer is cleaned by the back surface cleaning device.

【0003】前記裏面洗浄装置としてスピン洗浄装置を
例示することができる。斯かるスピン洗浄装置によれ
ば、スピン洗浄装置のチャックテーブルでウェーハの表
面を吸着し、そして、前記チャックテーブルを回転させ
ながらウェーハの裏面に洗浄水を噴射して、ウェーハの
裏面に付着したスラッジ等の付着物を除去する。ところ
で、ウェーハの表面には、前工程でチップが既に形成さ
れているため、そのチップを保護するべく保護膜が貼り
付けられている。この保護膜が貼り付けられた状態でウ
ェーハは、平面研削装置において研削/洗浄された後、
次工程の保護膜剥離工程に移される。保護膜剥離工程で
は、例えば、前記保護膜にテープを貼り付けて、このテ
ープと共に保護膜をウェーハから剥がす手法が採用され
ている。
A spin cleaning device can be exemplified as the back surface cleaning device. According to such a spin cleaning device, the chuck table of the spin cleaning device adsorbs the surface of the wafer, and while rotating the chuck table, injects cleaning water to the back surface of the wafer, thereby causing sludge adhering to the back surface of the wafer. Remove the deposits such as. By the way, since a chip has already been formed in the previous step on the surface of the wafer, a protective film is attached to protect the chip. After the wafer is ground / cleaned by a surface grinding device in a state where the protective film is attached,
The process proceeds to the next step of removing the protective film. In the protective film peeling step, for example, a method is used in which a tape is attached to the protective film and the protective film is peeled off from the wafer together with the tape.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】ところで、最近の半導
体ウェーハは、ICの高集積化に伴って薄肉化の要求が
あるため、平面研削装置においてウェーハを薄肉に研削
している。しかしながら、ウェーハを薄肉に研削する
と、ウェーハの強度が低下するため、保護膜剥離工程で
保護膜を剥がす際に、ウェーハが損傷する場合があると
いう欠点がある。
By the way, recent semiconductor wafers are required to be reduced in thickness in accordance with high integration of ICs. Therefore, the wafers are thinly ground by a surface grinding apparatus. However, when the wafer is ground to a small thickness, the strength of the wafer is reduced, so that the wafer may be damaged when the protective film is peeled off in the protective film peeling step.

【0005】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たもので、保護膜剥離工程におけるウェーハ損傷を防止
することができるウェーハの平面加工装置を提供するこ
とを目的とする。
[0005] The present invention has been made in view of such circumstances, and has as its object to provide a wafer plane processing apparatus capable of preventing wafer damage in a protective film peeling step.

【0006】[0006]

【課題を解決する為の手段】本発明は、前記目的を達成
するために、ウェーハが保持されるテーブルと、ウェー
ハを加工する砥石若しくは研磨布と、前記砥石若しくは
研磨布と前記テーブルとを相対的に近づく方向に移動さ
せて砥石若しくは研磨布とウェーハとを押し当てると共
に、砥石若しくは研磨布とウェーハとを相対的に回転さ
せてウェーハの一方面を加工する駆動手段と、前記一方
面が加工された前記ウェーハの一方面を洗浄する第1洗
浄手段とを備えたウェーハの平面加工装置において、前
記一方面が加工された前記ウェーハの他方面を洗浄する
第2洗浄手段を設けたことを特徴とする。
According to the present invention, in order to achieve the above object, a table for holding a wafer, a grindstone or polishing cloth for processing a wafer, and a relative movement between the grindstone or polishing cloth and the table are provided. Driving means for moving one side of the wafer by moving the whetstone or polishing cloth and the wafer relative to each other by moving the whetstone or the polishing cloth and the wafer, and A first cleaning means for cleaning one surface of the processed wafer, wherein a second cleaning means for cleaning the other surface of the wafer having the one surface processed is provided. And

【0007】本発明は、まず、保護膜剥離工程における
ウェーハ損傷の原因を実験により確認したところ、保護
膜に付着しているスラッジがその原因であることを突き
止めた。即ち、保護膜にスラッジが付着していると、そ
の付着部分はテープが接着し難くなる。このような不完
全の接着状態でテープを剥がすと、剥がす力が保護膜に
均等に伝わらず、前記力が保護膜の一部分に集中する場
合があり、この集中した力によってウェーハが損傷する
ことが判明した。特に、保護膜の外周部に付着したスラ
ッジが、ウェーハ損傷に大きく影響を与えることも判明
した。
In the present invention, first, the cause of wafer damage in the protective film peeling step was confirmed by an experiment, and it was found that the cause was sludge adhering to the protective film. That is, if sludge is adhered to the protective film, it is difficult for the tape to adhere to the adhered portion. When the tape is peeled off in such an imperfect bonding state, the peeling force is not evenly transmitted to the protective film, and the force may concentrate on a part of the protective film, and the concentrated force may damage the wafer. found. In particular, it has been found that sludge attached to the outer peripheral portion of the protective film has a great effect on wafer damage.

【0008】そこで、請求項1記載の発明は、前記ウェ
ーハ損傷を防止するために第2洗浄手段を設け、この第
2洗浄手段でウェーハの他方面(表面)を、即ち、保護
膜を洗浄し、保護膜からスラッジを除去するようにし
た。これにより、本発明は、保護膜剥離工程におけるウ
ェーハ損傷を防止することができる。また、請求項2記
載の発明によれば、第2洗浄手段としてブラシ洗浄手段
を採用し、このブラシ洗浄手段によって保護膜に付着し
たスラッジを強制的に剥離除去したので、スラッジを確
実に除去することができる。
[0008] In view of the above, according to the first aspect of the present invention, a second cleaning means is provided to prevent the wafer from being damaged, and the second cleaning means cleans the other surface (front surface) of the wafer, that is, the protective film. The sludge was removed from the protective film. Accordingly, the present invention can prevent wafer damage in the protective film peeling step. According to the second aspect of the present invention, the brush cleaning means is employed as the second cleaning means, and the sludge adhered to the protective film is forcibly peeled off by the brush cleaning means, so that the sludge is reliably removed. be able to.

【0009】請求項3記載の発明によれば、平面加工終
了したウェーハを、ウェーハと略同径の吸着パッドで吸
着保持した後、この吸着パッドを搬送手段によって第2
洗浄手段に搬送し、ここでウェーハを洗浄するようにし
た。このように、ウェーハと略同径の吸着パッドでウェ
ーハを吸着保持すると、ウェーハはその全面が吸着保持
されるので、ウェーハを破損させることなく搬送するこ
とができるとともに、第2洗浄手段にウェーハ全面を均
等に押し付けて洗浄することができる。これに対して、
ウェーハの一部分を吸着保持した場合には、その吸着保
持部分にウェーハの重量が集中するので、極薄いウェー
ハがその搬送中に破損する場合ある。また、この吸着保
持状態でウェーハを洗浄手段に押し付けると、ウェーハ
の破損確率が高くなる。したがって、本発明の如く、ウ
ェーハと略同径の吸着パッドでウェーハを吸着保持させ
ることは、ウェーハの破損を防止する上で大きな効果が
ある。
According to the third aspect of the present invention, after the wafer having undergone the planar processing is suction-held by the suction pad having substantially the same diameter as the wafer, the suction pad is transferred to the second by the transfer means.
The wafer was transported to the cleaning means, where the wafer was cleaned. In this manner, when the wafer is sucked and held by the suction pad having substantially the same diameter as the wafer, the entire surface of the wafer is sucked and held, so that the wafer can be transported without being damaged, and the entire surface of the wafer is transferred to the second cleaning means. Can be washed by pressing evenly. On the contrary,
When a part of the wafer is sucked and held, the weight of the wafer is concentrated on the sucked and held part, so that an extremely thin wafer may be broken during the transfer. Further, when the wafer is pressed against the cleaning means in the suction holding state, the probability of breakage of the wafer increases. Therefore, as described in the present invention, sucking and holding a wafer with a suction pad having substantially the same diameter as the wafer has a great effect in preventing damage to the wafer.

【0010】請求項4記載の発明によれば、前記搬送手
段を平面加工装置本体に支持させる支持部に、ウェーハ
を第2洗浄手段のブラシに押し付けた時の反力に打ち勝
つ剛性を持たせたので、ウェーハが全面吸着されている
ことと相まって、ウェーハの他方面全面をブラシに均等
に当てることができる。したがって、ウェーハの他方面
全面を均一に洗浄することができる。これに対して、搬
送手段の支持部に緩衝部材が設けられていると、この緩
衝部材によって押し付け力が緩衝されるので、ウェーハ
に十分な押し付け力を与えることはできず、ウェーハの
他方面全面を均一に洗浄することができない。したがっ
て、本発明の如く、前記支持部に前記剛性を与えること
は、ウェーハを洗浄する上で大きな効果がある。
According to the fourth aspect of the present invention, the supporting portion for supporting the transfer means on the main body of the plane processing apparatus has rigidity to overcome a reaction force when the wafer is pressed against the brush of the second cleaning means. Therefore, the whole surface of the wafer can be evenly applied to the brush in combination with the fact that the entire surface of the wafer is sucked. Therefore, the entire other surface of the wafer can be uniformly cleaned. On the other hand, if the buffering member is provided on the support portion of the transfer means, the pressing force is buffered by the buffering member, so that a sufficient pressing force cannot be applied to the wafer, and the other surface of the wafer is entirely exposed. Cannot be uniformly washed. Therefore, providing the rigidity to the supporting portion as in the present invention has a great effect in cleaning the wafer.

【0011】請求項5記載の発明によれば、ブラシ洗浄
手段のブラシは、ウェーハの径よりも長いローラ状に形
成され、ローラの軸と該軸に直交する軸とを中心に回転
駆動されるので、ウェーハ側を回転させることなく、ウ
ェーハの他方面全面を洗浄することができる。
According to the fifth aspect of the present invention, the brush of the brush cleaning means is formed in a roller shape longer than the diameter of the wafer, and is driven to rotate about the axis of the roller and the axis orthogonal to the axis. Therefore, the entire other surface of the wafer can be cleaned without rotating the wafer.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】以下添付図面に従って本発明に係
るウェーハの平面加工装置の好ましい実施の形態につい
て詳説する。図1は、本発明が適用された半導体ウェー
ハの平面研削装置の斜視図であり、図2は平面図であ
る。図1に示すように平面研削装置10の本体12に
は、カセット収納ステージ14、アライメントステージ
16、粗研削ステージ18、仕上げ研削ステージ20、
及び洗浄ステージ22が設けられている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A preferred embodiment of a wafer plane processing apparatus according to the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a perspective view of a semiconductor wafer surface grinding apparatus to which the present invention is applied, and FIG. 2 is a plan view. As shown in FIG. 1, a main body 12 of the surface grinding apparatus 10 includes a cassette housing stage 14, an alignment stage 16, a rough grinding stage 18, a finish grinding stage 20,
And a cleaning stage 22.

【0013】前記カセット収納ステージ14には、2台
のカセット24、24が着脱自在にセットされ、これら
のカセット24、24には裏面研削前のウェーハ26が
多数枚収納されている。このウェーハ26は、搬送用ロ
ボット28によって1枚ずつ保持されて、次工程である
アライメントステージ16に順次搬送される。前記搬送
用ロボット28は、本体12に立設されたビーム30に
昇降装置32を介して吊り下げ支持される。また、前記
昇降装置32は、ビーム30に内蔵された図示しない送
りねじ装置に連結されており、この送りねじ装置で前記
昇降装置32を送り移動させると、前記搬送用ロボット
28が、ビーム30の配設方向に沿って図1、図2上矢
印A、B方向に往復移動することができる。この搬送用
ロボット28の前記移動と、搬送用ロボット28の動作
によって、前記ウェーハ26が平面研削装置10内で予
め設定された順路に従って順次搬送される。
Two cassettes 24, 24 are removably set on the cassette storage stage 14, and these cassettes 24, 24 store a large number of wafers 26 before back grinding. The wafers 26 are held one by one by a transfer robot 28 and sequentially transferred to the alignment stage 16 which is the next step. The transfer robot 28 is suspended and supported by a beam 30 erected on the main body 12 via an elevating device 32. The elevating device 32 is connected to a feed screw device (not shown) built in the beam 30. When the elevating device 32 is moved by the feed screw device, the transport robot 28 It can reciprocate in the directions indicated by the arrows A and B in FIGS. 1 and 2 along the arrangement direction. By the movement of the transfer robot 28 and the operation of the transfer robot 28, the wafers 26 are sequentially transferred in the surface grinding apparatus 10 according to a preset route.

【0014】本実施の形態の如く搬送用ロボット28を
吊り下げ支持すると、カセット収納ステージ14とアラ
イメントステージ16との間隔を狭くすることができる
ので、平面研削装置10を小型化することができる。即
ち、搬送用ロボット28を装置本体12の上面に設置す
ると、ウェーハ26を搬送する関係上、搬送用ロボット
28をカセット収納ステージ14とアライメントステー
ジ16との間のスペースに設置しなければならない。こ
のため、前記スペースの分だけ平面研削装置10が無用
に大型化する。これに対して、本実施の形態の平面研削
装置10は、装置本体12の上方空間を搬送用ロボット
28の設置スペース及び動作スペースとして有効利用し
たので、装置の小型化を図ることができる。
When the transfer robot 28 is suspended and supported as in the present embodiment, the distance between the cassette housing stage 14 and the alignment stage 16 can be reduced, so that the size of the surface grinding apparatus 10 can be reduced. That is, when the transfer robot 28 is installed on the upper surface of the apparatus main body 12, the transfer robot 28 must be installed in the space between the cassette storage stage 14 and the alignment stage 16 because of the transfer of the wafer 26. For this reason, the surface grinding device 10 is unnecessarily increased in size by the space. On the other hand, in the surface grinding apparatus 10 of the present embodiment, the space above the apparatus main body 12 is effectively used as an installation space and an operation space for the transfer robot 28, so that the apparatus can be downsized.

【0015】前記ロボット28は、汎用の産業用ロボッ
トであり、その構成はウェーハ26を吸着保持する馬蹄
形のアーム34、及び3本のリンク36、38、40等
から成っている。前記アーム34の先端には、ウェーハ
26を吸着する吸着パッド35、35が設けられる。ま
た、アーム34は、リンク36にその基端部が軸芯を中
心に回転自在に支持され、図示しないモータからの駆動
力で軸芯を中心に回転することができる。前記リンク3
6は、リンク38に軸42を介して回動自在に連結さ
れ、図示しないモータからの駆動力で軸42を中心に回
転することができる。また、リンク38は、軸44を介
してリンク40に回動自在に連結され、図示しないモー
タからの駆動力で軸44を中心に回転することができ
る。さらに、リンク40は、軸46を介して図示しない
モータの出力軸に連結されているので、モータを駆動す
ることにより軸46を中心に回転することができる。ま
た、モータは、昇降装置32の図示しない昇降ロッドに
連結されている。したがって、前記ロボット28によれ
ば、アーム34及び3本のリンク36、38、40の動
作を各々のモータで制御すると共に、昇降装置32の昇
降ロッドの収縮動作を制御することにより、前記カセッ
ト24に収納されたウェーハ26を取り出してアライメ
ントステージ16に搬送することができる。
The robot 28 is a general-purpose industrial robot having a horseshoe-shaped arm 34 for sucking and holding the wafer 26, and three links 36, 38, 40 and the like. At the tip of the arm 34, suction pads 35, 35 for sucking the wafer 26 are provided. The base end of the arm 34 is rotatably supported by a link 36 about an axis, and can be rotated about the axis by a driving force from a motor (not shown). Link 3
6 is rotatably connected to the link 38 via a shaft 42, and can rotate around the shaft 42 by a driving force from a motor (not shown). The link 38 is rotatably connected to the link 40 via a shaft 44, and can rotate around the shaft 44 by a driving force from a motor (not shown). Further, since the link 40 is connected to an output shaft of a motor (not shown) via the shaft 46, the link 40 can be rotated around the shaft 46 by driving the motor. The motor is connected to a lifting rod (not shown) of the lifting device 32. Therefore, according to the robot 28, the operation of the arm 34 and the three links 36, 38, and 40 is controlled by the respective motors, and the retracting operation of the lifting rod of the lifting device 32 is controlled. Can be taken out and transferred to the alignment stage 16.

【0016】前記アライメントステージ16は、カセッ
ト24から搬送されたウェーハ26を所定の位置に位置
合わせするステージである。このアライメントステージ
16で位置合わせされたウェーハ26は、前記搬送用ロ
ボット28の吸着パッド35、35に再度吸着保持され
た後、空のチャックテーブル48に向けて搬送され、こ
のチャックテーブル48の所定の位置に吸着保持され
る。
The alignment stage 16 is a stage for aligning the wafer 26 transferred from the cassette 24 to a predetermined position. The wafer 26 aligned by the alignment stage 16 is sucked and held by the suction pads 35 of the transfer robot 28 again, and then transferred toward an empty chuck table 48. It is sucked and held at the position.

【0017】前記チャックテーブル48は、ターンテー
ブル50に設置され、また、同機能を備えたチャックテ
ーブル52、54がターンテーブル50に所定の間隔を
もって設置されている。前記チャックテーブル52は、
粗研削ステージ18に位置されており、吸着したウェー
ハ26がここで粗研削される。また、前記チャックテー
ブル54は、仕上げ研削ステージ20に位置され、吸着
したウェーハ26がここで仕上げ研削(精研削、スパー
クアウト)される。なお、図1、図2では図示していな
いが、前記チャックテーブル48、52、54は、その
下面に回転用モータのスピンドルが各々連結されてお
り、これらのモータの駆動力によって回転される。
The chuck table 48 is installed on a turntable 50, and chuck tables 52 and 54 having the same function are installed on the turntable 50 at predetermined intervals. The chuck table 52 includes:
The wafer 26 that has been positioned on the rough grinding stage 18 and has been attracted is roughly ground here. The chuck table 54 is located on the finish grinding stage 20, and the attracted wafer 26 is subjected to finish grinding (fine grinding, spark out). Although not shown in FIGS. 1 and 2, the chuck tables 48, 52, and 54 each have a lower surface connected to a spindle of a rotation motor, and are rotated by the driving force of these motors.

【0018】前記チャックテーブル48に吸着保持され
たウェーハ26は、図示しない測定ゲージによってその
厚みが測定される。厚みが測定されたウェーハ26は、
ターンテーブル52の図1、図2上矢印C方向の回動で
粗研削ステージ18に位置し、粗研削ステージ18のカ
ップ型砥石56によってウェーハ26の裏面が粗研削さ
れる。このカップ型砥石56は図1に示すように、モー
タ58の図示しない出力軸に連結され、また、モータ5
8のサポート用ケーシング60を介して砥石送り装置6
2に取り付けられている。前記砥石送り装置62は、カ
ップ型砥石56をモータ58と共に昇降移動させるもの
で、この下降移動によりカップ型砥石56がウェーハ2
6の裏面に押し付けられる。これにより、ウェーハ26
の裏面粗研削が行われる。カップ型砥石56の下降移動
量は、即ち、カップ型砥石56による研削量は、予め登
録されたカップ型砥石56の基準位置と、ウェーハ26
の厚みとに基づいて設定される。
The thickness of the wafer 26 sucked and held on the chuck table 48 is measured by a measuring gauge (not shown). The wafer 26 whose thickness has been measured is
1 and 2, the turntable 52 is positioned on the coarse grinding stage 18 by turning in the direction of the arrow C in FIG. 1 and FIG. 2, and the back surface of the wafer 26 is roughly ground by the cup-type grindstone 56 of the coarse grinding stage 18. The cup-shaped grindstone 56 is connected to an output shaft (not shown) of a motor 58 as shown in FIG.
8 the grinding wheel feeder 6 via the supporting casing 60
2 attached. The grindstone feeding device 62 moves the cup-shaped grindstone 56 up and down together with the motor 58, and the cup-shaped grindstone 56 moves the wafer 2
6 is pressed against the back surface. Thereby, the wafer 26
Back grinding is performed. The amount of downward movement of the cup-type grindstone 56, that is, the amount of grinding by the cup-type grindstone 56, is based on the reference position of the cup-type grindstone 56 registered in advance and the wafer 26.
Is set based on the thickness.

【0019】粗研削ステージ18で裏面が粗研削された
ウェーハ26は、ウェーハ26からカップ型砥石58が
退避移動した後に、図示しない厚み測定ゲージによって
その厚みが測定される。厚みが測定されたウェーハ26
は、ターンテーブル50の同方向の回動で仕上げ研削ス
テージ20に位置し、仕上げ研削ステージ20の図2に
示すカップ型砥石64によって精研削、スパークアウト
される。この仕上げ研削ステージ20の構造は、粗研削
ステージ18の構造と同一なので、ここではその説明を
省略する。
The thickness of the wafer 26 whose back surface has been roughly ground by the rough grinding stage 18 is measured by a thickness measuring gauge (not shown) after the cup-shaped grindstone 58 is retreated from the wafer 26. Wafer 26 with measured thickness
Are positioned on the finish grinding stage 20 by the rotation of the turntable 50 in the same direction, and are finely ground and sparked out by the cup-type grindstone 64 of the finish grinding stage 20 shown in FIG. The structure of the finish grinding stage 20 is the same as the structure of the rough grinding stage 18, and a description thereof will be omitted.

【0020】仕上げ研削ステージ20で仕上げ研削され
たウェーハ26は、ウェーハ26からカップ型砥石86
が退避移動した後に、ターンテーブル50の同方向の回
動で図1に示した空のチャックテーブル48の位置に搬
送される。そして、前記ウェーハは、搬送アーム(搬送
手段に相当)66の先端に設けた、ウェーハと略同径の
吸着パッド68に吸着された後、搬送アーム66の図1
上矢印D方向の回動で洗浄ステージ22に搬送され、こ
こで洗浄される。この洗浄ステージ22については後述
する。
The wafer 26 finish-ground by the finish grinding stage 20 is separated from the wafer 26 by a cup-shaped grindstone 86.
Is moved to the position of the empty chuck table 48 shown in FIG. 1 by turning the turntable 50 in the same direction. The wafer is sucked by a suction pad 68 provided at the tip of a transfer arm (corresponding to transfer means) 66 and having substantially the same diameter as the wafer.
The wafer is conveyed to the cleaning stage 22 by rotation in the direction of the arrow D, and is cleaned there. The cleaning stage 22 will be described later.

【0021】洗浄ステージ22で洗浄されたウェーハ2
6は、前記搬送用ロボット28によって吸着保持されて
カセット収納ステージ14に搬送され、所定のカセット
24の所定の棚に収納される。以上が、本実施の形態の
平面研削装置10によるウェーハ処理工程の流れであ
る。次に、前記洗浄ステージ22について説明する。
The wafer 2 cleaned in the cleaning stage 22
6 is suction-held by the transfer robot 28, transferred to the cassette storage stage 14, and stored in a predetermined shelf of a predetermined cassette 24. The above is the flow of the wafer processing step by the surface grinding apparatus 10 of the present embodiment. Next, the cleaning stage 22 will be described.

【0022】図1、図2に示すように前記洗浄ステージ
22は、そのシンク70内に第1洗浄装置であるスピン
洗浄装置72が設置されると共に、スピン洗浄装置72
とターンテーブル50との間に第2洗浄装置であるブラ
シ洗浄装置74が並設されている。前記スピン洗浄装置
72は図3に示すように、ウェーハ26と略同径の吸着
パッド76を有し、この吸着パッド76の下面には、モ
ータ78のスピンドル80が連結されている。また、前
記吸着パッド76の上方には、洗浄水を噴射するノズル
82が設けられている。したがって、このスピン洗浄装
置72によれば、吸着パッド76で吸着されたウェーハ
26を前記モータ78で回転させながら、前記ノズル8
2からウェーハ26の裏面26Aに向けて洗浄水を噴射
する。これにより、ウェーハ26の裏面26Aに付着し
ているスラッジ等の付着物が除去される。
As shown in FIGS. 1 and 2, the washing stage 22 includes a sink 70 having a spin cleaning device 72 as a first cleaning device and a spin cleaning device 72.
A brush cleaning device 74, which is a second cleaning device, is provided between the turntable 50 and the turntable 50. As shown in FIG. 3, the spin cleaning device 72 has a suction pad 76 having substantially the same diameter as the wafer 26, and a lower surface of the suction pad 76 is connected to a spindle 80 of a motor 78. Above the suction pad 76, a nozzle 82 for injecting cleaning water is provided. Therefore, according to the spin cleaning device 72, while rotating the wafer 26 sucked by the suction pad 76 with the motor 78, the nozzle 8
Cleaning water is sprayed from 2 toward the back surface 26 </ b> A of the wafer 26. As a result, deposits such as sludge attached to the back surface 26A of the wafer 26 are removed.

【0023】前記ブラシ洗浄装置74は、ブラシ84が
植設された円盤状のプレート86を有し、このプレート
86の下面にモータ88のスピンドル90が連結されて
いる。したがって、このブラシ洗浄装置74によれば、
モータ88でブラシ84を回転させ、このブラシ84
に、前記搬送アーム66の吸着パッド68で吸着された
ウェーハ26の表面26Bを押し付ける。これにより、
ウェーハ26の保護膜に付着しているスラッジ等の付着
物が除去される。
The brush cleaning device 74 has a disk-shaped plate 86 on which a brush 84 is implanted, and a spindle 90 of a motor 88 is connected to a lower surface of the plate 86. Therefore, according to the brush cleaning device 74,
The brush 84 is rotated by a motor 88, and the brush 84 is rotated.
Then, the surface 26B of the wafer 26 sucked by the suction pad 68 of the transfer arm 66 is pressed. This allows
Deposits such as sludge adhering to the protective film of the wafer 26 are removed.

【0024】なお、ブラシ84にウェーハ26を押し付
けるにあたり、ブラシ洗浄装置74側を上昇移動させて
押し付けても良く、搬送アーム66側を下降移動させて
押し付けても良い。この時、ウェーハ26の全面をブラ
シ84に均等に押し当てるために、搬送アーム66の支
持部67(図1参照)に所定の剛性を持たせる必要があ
る。この剛性とは、ウェーハ26をブラシ84に押し付
けた時の反力に打ち勝つ剛性である。これにより、本実
施の形態では、ウェーハ26が吸着パッド68によって
全面吸着されていることと相まって、ウェーハ26の表
面26B全面をブラシ84に均等に当てることができ
る。したがって、ウェーハ26の表面26B全面を均一
に洗浄することができる。
In pressing the wafer 26 against the brush 84, the brush cleaning device 74 may be moved upward and pressed, or the transfer arm 66 may be moved downward and pressed. At this time, in order to evenly press the entire surface of the wafer 26 against the brush 84, the support portion 67 (see FIG. 1) of the transfer arm 66 needs to have a predetermined rigidity. The rigidity is a rigidity that overcomes the reaction force when the wafer 26 is pressed against the brush 84. Thus, in the present embodiment, the entire surface 26B of the wafer 26 can be evenly applied to the brush 84, in combination with the fact that the entire surface of the wafer 26 is sucked by the suction pad 68. Therefore, the entire surface 26B of the wafer 26 can be uniformly cleaned.

【0025】また、ウェーハ26の保護膜全面を隈なく
洗浄するために、吸着パッド68を回転させても良く、
また、ブラシ洗浄装置74若しくは吸着パッド68を水
平方向に揺動させても良い。更に、ウェーハ26に形成
されているチップは、保護膜で保護されてはいるが、物
理的な衝撃に対する耐久性は高くない。したがって、保
護膜に対するブラシ84の押付力を高めに設定すると、
チップにダメージを与える場合があるので、ブラシ84
の押付力は極力低めに設定することが好ましく、また、
ブラシ84の材質も極力軟質でこしの強いものが好まし
い。
In order to clean the entire surface of the protective film of the wafer 26, the suction pad 68 may be rotated.
Further, the brush cleaning device 74 or the suction pad 68 may be swung in the horizontal direction. Further, the chips formed on the wafer 26 are protected by a protective film, but are not high in durability against physical impact. Therefore, if the pressing force of the brush 84 against the protective film is set to be high,
The brush 84 may damage the chip.
Is preferably set as low as possible, and
The material of the brush 84 is preferably as soft and strong as possible.

【0026】次に、前記の如く構成された洗浄ステージ
22の作用について説明する。まず、図3に示すよう
に、仕上げ研削終了したウェーハ26は、チャックテー
ブル54に裏面26Aを上に向けた状態で保持されてい
る。即ち、ウェーハ26の表面26Bに貼り付けられた
保護膜が吸着パッド55に吸着されている。このウェー
ハ26の裏面26Aを、搬送アーム66の吸着パッド6
8で吸着する。そして、チャックテーブル54側の吸着
を解除した後、前記搬送アーム66を回動して洗浄ステ
ージ22にウェーハ26を搬送する。この時、ウェーハ
26の全面が吸着パッド68に吸着保持されているの
で、ウェーハ26がその搬送中に破損することはなく、
また、洗浄時においてもウェーハ26は破損しない。
Next, the operation of the cleaning stage 22 configured as described above will be described. First, as shown in FIG. 3, the wafer 26 that has been finish-ground is held on the chuck table 54 with the back surface 26A facing upward. That is, the protective film attached to the surface 26 </ b> B of the wafer 26 is adsorbed on the suction pad 55. The back surface 26A of the wafer 26 is attached to the suction pad 6 of the transfer arm 66.
Adsorb at 8. Then, after the suction on the chuck table 54 side is released, the transfer arm 66 is rotated to transfer the wafer 26 to the cleaning stage 22. At this time, since the entire surface of the wafer 26 is sucked and held by the suction pad 68, the wafer 26 is not damaged during the transfer.
Further, the wafer 26 is not damaged during cleaning.

【0027】洗浄ステージ22に搬送されたウェーハ2
6は、まず、吸着パッド68に吸着保持された状態で、
その表面26Bに貼り付けられた保護膜が、ブラシ洗浄
装置74のブラシ84に所定の押付力で押し当てられ
る。そして、ブラシ84を回転させると共に、ブラシ8
4とウェーハ26とを相対的に水平揺動させる。これに
よって、保護膜全面にブラシ84が接触するので、保護
膜に付着したスラッジ等の付着物を強制的に剥離除去す
ることができる。
The wafer 2 transferred to the cleaning stage 22
6 is, first, in a state of being suction-held by the suction pad 68,
The protective film attached to the surface 26B is pressed against the brush 84 of the brush cleaning device 74 with a predetermined pressing force. Then, the brush 84 is rotated and the brush 8 is rotated.
4 and the wafer 26 are relatively horizontally swung. As a result, the brush 84 comes into contact with the entire surface of the protective film, so that it is possible to forcibly peel off and remove attached matter such as sludge adhered to the protective film.

【0028】保護膜の洗浄が終了すると、ウェーハ26
は、搬送アーム66の回動動作でスピン洗浄装置72に
移載される。その後、ウェーハ26は、スピン洗浄装置
72の吸着パッド76によって保護膜が吸着保持され
る。そして、モータ78でウェーハ26を回転させると
共に、ノズル82から洗浄水をウェーハ26の裏面26
Aに向けて噴射して裏面26Aを洗浄する。そして、所
定時間経過後にスピン洗浄装置72を停止する。以上で
洗浄ステージ22によるウェーハ26の洗浄が終了し、
この洗浄ステージ22でウェーハ26は両面とも洗浄さ
れ、その後に乾燥される。
When the cleaning of the protective film is completed, the wafer 26
Is transferred to the spin cleaning device 72 by the rotation operation of the transfer arm 66. Thereafter, the protection film of the wafer 26 is suction-held by the suction pad 76 of the spin cleaning device 72. Then, while rotating the wafer 26 with the motor 78, the cleaning water is supplied from the nozzle 82 to the back surface 26 of the wafer 26.
A is sprayed toward A to clean the back surface 26A. Then, after a predetermined time has elapsed, the spin cleaning device 72 is stopped. Thus, the cleaning of the wafer 26 by the cleaning stage 22 is completed.
In the cleaning stage 22, both surfaces of the wafer 26 are cleaned and then dried.

【0029】このように、本実施の形態は、保護膜を洗
浄するブラシ洗浄装置74を平面研削装置10に設け、
このブラシ洗浄装置74によって保護膜に付着したスラ
ッジを剥離除去したので、保護膜剥離工程におけるウェ
ーハ損傷を防止することができる。また、本実施の形態
は、保護膜洗浄用の洗浄装置として、ブラシ洗浄装置7
4を採用し、保護膜に付着したスラッジを強制的に剥離
除去したので、スラッジを確実に除去することができ
る。
As described above, in the present embodiment, the brush cleaning device 74 for cleaning the protective film is provided in the surface grinding device 10,
Since the sludge adhering to the protective film is peeled and removed by the brush cleaning device 74, it is possible to prevent wafer damage in the protective film peeling step. In the present embodiment, a brush cleaning device 7 is used as a cleaning device for cleaning a protective film.
4, sludge adhering to the protective film is forcibly peeled off and removed, so that sludge can be reliably removed.

【0030】図4は、保護膜洗浄用洗浄装置の第2の実
施の形態を示す要部側面図である。同図に示す洗浄装置
100は、図3の洗浄装置と同様にブラシ型洗浄装置を
採用したものであるが、特にこの洗浄装置100は、保
護膜27の外周部に付着したスラッジがウェーハ26の
損傷に大きく影響することに鑑みて、保護膜27の外周
部に付着したスラッジのみ、小型のブラシ洗浄装置10
2で剥離除去するように構成したものである。
FIG. 4 is a side view showing a main part of a second embodiment of the cleaning apparatus for cleaning a protective film. The cleaning apparatus 100 shown in FIG. 3 employs a brush-type cleaning apparatus similarly to the cleaning apparatus shown in FIG. 3. In particular, this cleaning apparatus 100 has sludge adhering to the outer peripheral portion of the protective film 27. In consideration of the great effect on the damage, only the sludge adhering to the outer peripheral portion of the protective film 27 is used for the small brush cleaning device 10.
2 is configured to be peeled off.

【0031】また、前記洗浄装置100は、保護膜27
の中央部を吸着する吸着パッド104を有し、この吸着
パッド104をスピンドル106で回転させるように構
成されている。また、前記ブラシ洗浄装置102にもス
ピンドル108が設けられ、ブラシ103を回転させる
ように構成されている。したがって、前記洗浄装置10
0によれば、スピンドル106でウェーハ26を回転さ
せながらスピンドル108でブラシ103を回転させ
て、このブラシ103を保護膜27の外周部に押し付け
ることにより、保護膜27の外周部に付着したスラッジ
を剥離除去することができる。
In addition, the cleaning device 100 includes a protective film 27.
And a suction pad 104 for sucking the central portion of the suction pad 104. The suction pad 104 is configured to be rotated by a spindle 106. The brush cleaning device 102 is also provided with a spindle 108 to rotate the brush 103. Therefore, the cleaning device 10
According to 0, the brush 103 is rotated by the spindle 108 while rotating the wafer 26 by the spindle 106, and the brush 103 is pressed against the outer peripheral portion of the protective film 27, thereby removing sludge adhering to the outer peripheral portion of the protective film 27. It can be peeled off.

【0032】図5は、保護膜洗浄用洗浄装置の第3の実
施の形態を示す要部断面図である。同図に示す洗浄装置
110は、ウェーハ26の径よりも長尺に形成されたロ
ーラ状のブラシ112を用いて、保護膜27に付着した
スラッジを剥離除去する洗浄装置である。前記ブラシ1
12の両端部には、水平方向に延びた軸116、118
が突出さされ、これらの軸116、118が凹状に形成
されたフレーム114に軸支されている。したがって、
前記ブラシ112は、フレーム114に回転自在に支持
されている。また、前記軸116には、モータ120の
図示しないスピンドルが連結されているので、モータ1
20を駆動すると、ブラシ112は軸116、118を
中心に回転する。
FIG. 5 is a sectional view of a principal part showing a third embodiment of the cleaning apparatus for cleaning a protective film. The cleaning device 110 shown in the figure is a cleaning device that removes sludge attached to the protective film 27 by using a roller-shaped brush 112 formed longer than the diameter of the wafer 26. The brush 1
12 have shafts 116 and 118 extending horizontally.
Are projected, and these shafts 116 and 118 are supported by a frame 114 formed in a concave shape. Therefore,
The brush 112 is rotatably supported by a frame 114. Further, since a spindle (not shown) of the motor 120 is connected to the shaft 116, the motor 1
Driving 20 causes brush 112 to rotate about axes 116 and 118.

【0033】更に、前記フレーム114の下面には、鉛
直方向に配設されたスピンドル122が連結されてい
る。したがって、このスピンドル122を回転させる
と、前記ブラシ112は、スピンドル122の軸芯を中
心に回転(旋回)する。一方、ウェーハ26は、ウェー
ハ26と略同径の吸着パッド124によって、その裏面
26Aが吸着保持されている。
Further, a spindle 122 disposed in a vertical direction is connected to the lower surface of the frame 114. Therefore, when the spindle 122 is rotated, the brush 112 rotates (turns) about the axis of the spindle 122. On the other hand, the back surface 26A of the wafer 26 is suction-held by suction pads 124 having substantially the same diameter as the wafer 26.

【0034】したがって、前記の如く構成された洗浄装
置110によれば、モータ120でブラシ112を回転
させると共にスピンドル122でブラシ112を旋回さ
せる。そして、回転運動と旋回運動をしているブラシ1
22に保護膜27を押し付ける。これにより、ウェーハ
26を回転させることなく、保護膜27の全面に付着し
たスラッジをブラシ112で剥離除去することができ
る。
Therefore, according to the cleaning device 110 configured as described above, the brush 112 is rotated by the motor 120 and the brush 112 is turned by the spindle 122. And the brush 1 which makes a rotating motion and a turning motion
The protective film 27 is pressed against the substrate 22. Thus, the sludge attached to the entire surface of the protective film 27 can be removed by the brush 112 without rotating the wafer 26.

【0035】なお、本実施の形態では、保護膜洗浄用洗
浄装置(第2洗浄手段)としてブラシ洗浄装置74、1
00、110を適用した例について説明したが、これに
限られるものではない。例えば、高圧水を保護膜に噴射
して保護膜を洗浄するスプレー洗浄装置、スポンジ等の
軟質部材を保護膜に擦り付けて保護膜を洗浄する洗浄装
置等他の洗浄装置を適用しても良い。
In this embodiment, the brush cleaning devices 74, 1 are used as the cleaning device (second cleaning means) for cleaning the protective film.
Although an example in which 00 and 110 are applied has been described, the present invention is not limited to this. For example, other cleaning devices such as a spray cleaning device that sprays high-pressure water onto the protective film to clean the protective film, and a cleaning device that cleans the protective film by rubbing a soft member such as a sponge on the protective film may be applied.

【0036】また、本実施の形態では、ウェーハの裏面
を研削する平面研削装置について説明したが、カップ型
砥石の代わりに研磨布を使用してウェーハを加工するC
MP装置、カップ型砥石の代わりにブレードを使用して
ウェーハをダイス状に切断するダイシング装置に本発明
を適用しても良い。
Further, in this embodiment, the surface grinding apparatus for grinding the back surface of the wafer has been described.
The present invention may be applied to a dicing apparatus that cuts a wafer into dice using a blade instead of an MP apparatus or a cup-type grindstone.

【0037】[0037]

【発明の効果】以上説明したように本発明に係るウェー
ハの平面加工装置によれば、ウェーハの保護膜を洗浄す
る洗浄手段を設けたので、保護膜剥離工程におけるウェ
ーハ損傷を防止することができる。また、本発明は、保
護膜洗浄用の洗浄装置として、保護膜に付着したスラッ
ジを強制的に剥離除去するブラシ洗浄手段を採用したの
で、スラッジを確実に除去することができる。
As described above, according to the planar processing apparatus for a wafer according to the present invention, since the cleaning means for cleaning the protective film of the wafer is provided, the wafer can be prevented from being damaged in the protective film peeling step. . Further, the present invention employs, as a cleaning device for cleaning the protective film, a brush cleaning means for forcibly removing and removing the sludge attached to the protective film, so that the sludge can be surely removed.

【0038】更に、本発明は、平面加工終了した極薄い
ウェーハを、ウェーハと略同径の吸着パッドで吸着保持
させて、ウェーハを第2洗浄手段に搬送するようにした
ので、ウェーハの搬送中の破損、及び洗浄時の破損を防
止することができる。また、本発明は、搬送手段を平面
加工装置に支持させる支持部に、ウェーハを第2洗浄手
段のブラシに押し付けた時の反力に打ち勝つ剛性を持た
せたので、ウェーハが全面吸着されていることと相まっ
て、ウェーハの他方面全面を均一に洗浄することができ
る。
Further, according to the present invention, an extremely thin wafer that has been planarized is suction-held by a suction pad having substantially the same diameter as the wafer, and the wafer is transferred to the second cleaning means. Can be prevented, and damage during cleaning can be prevented. Further, according to the present invention, the supporting portion for supporting the transfer means on the planar processing apparatus has rigidity to overcome the reaction force when the wafer is pressed against the brush of the second cleaning means, so that the wafer is entirely absorbed. Accordingly, the entire other surface of the wafer can be uniformly cleaned.

【0039】更に、本発明は、ブラシ洗浄手段のブラシ
をウェーハの径よりも長いローラ状に形成し、このロー
ラの軸と該軸に直交する軸とを中心にブラシを回転駆動
させたので、ウェーハ側を回転させることなく、ウェー
ハの他方面全面を洗浄することができる。
Further, according to the present invention, the brush of the brush cleaning means is formed in a roller shape longer than the diameter of the wafer, and the brush is driven to rotate about the axis of this roller and the axis orthogonal to the axis. The entire other surface of the wafer can be cleaned without rotating the wafer.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態に係る半導体ウェーハの平
面研削装置の全体斜視図
FIG. 1 is an overall perspective view of a surface grinding apparatus for a semiconductor wafer according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1に示した平面研削装置の平面図FIG. 2 is a plan view of the surface grinding apparatus shown in FIG. 1;

【図3】ウェーハの保護膜洗浄装置の第1の実施の形態
を含む洗浄工程説明図
FIG. 3 is an explanatory view of a cleaning step including the first embodiment of the wafer protective film cleaning apparatus.

【図4】ウェーハの保護膜洗浄装置の第2の実施の形態
を示す側面図
FIG. 4 is a side view showing a second embodiment of the wafer protective film cleaning apparatus.

【図5】ウェーハの保護膜洗浄装置の第3の実施の形態
を示す側面図
FIG. 5 is a side view showing a third embodiment of the wafer protective film cleaning apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10…平面研削装置 12…本体 14…カセット収納ステージ 16…アライメントステージ 18…粗研削ステージ 20…仕上げ研削ステージ 22…洗浄ステージ 26…ウェーハ 72…スピン洗浄装置 74、100、110…ブラシ洗浄装置 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Surface grinding device 12 ... Main body 14 ... Cassette storage stage 16 ... Alignment stage 18 ... Rough grinding stage 20 ... Finish grinding stage 22 ... Cleaning stage 26 ... Wafer 72 ... Spin cleaning device 74, 100, 110 ... Brush cleaning device

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】ウェーハが保持されるテーブルと、ウェー
ハを加工する砥石若しくは研磨布と、前記砥石若しくは
研磨布と前記テーブルとを相対的に近づく方向に移動さ
せて砥石若しくは研磨布とウェーハとを押し当てると共
に、砥石若しくは研磨布とウェーハとを相対的に回転さ
せてウェーハの一方面を加工する駆動手段と、前記一方
面が加工された前記ウェーハの一方面を洗浄する第1洗
浄手段とを備えたウェーハの平面加工装置において、 前記一方面が加工された前記ウェーハの他方面を洗浄す
る第2洗浄手段を設けたことを特徴とするウェーハの平
面加工装置。
1. A table on which a wafer is held, a grindstone or a polishing cloth for processing the wafer, and the grindstone or the polishing cloth and the wafer are moved by moving the grindstone or the polishing cloth and the table relatively closer to each other. While pressing, a driving means for processing one surface of the wafer by relatively rotating the grindstone or polishing cloth and the wafer, and a first cleaning means for cleaning one surface of the wafer having the one surface processed. A planar processing apparatus for a wafer, comprising: a second cleaning means for cleaning the other surface of the wafer having the one surface processed.
【請求項2】前記第2洗浄手段は、前記ウェーハの他方
面に接触して該他方面に付着した付着物を強制的に剥離
除去するブラシ洗浄手段であることを特徴とする請求項
1記載のウェーハの平面加工装置。
2. The brush cleaning means according to claim 1, wherein said second cleaning means is a brush cleaning means which comes into contact with the other surface of said wafer and forcibly peels off and removes the adhered matter attached to said other surface. Wafer processing equipment.
【請求項3】前記ウェーハの平面加工装置には、前記ウ
ェーハと略同径の吸着パッドを備えた搬送手段が設けら
れ、該搬送手段の吸着パッドで前記ウェーハの一方面を
吸着保持した状態で、該ウェーハの他方面を前記第2洗
浄手段で洗浄することを特徴とする請求項1、又は2記
載のウェーハの平面加工装置。
3. The wafer processing apparatus according to claim 1, further comprising a transfer unit having a suction pad having substantially the same diameter as the wafer, wherein the suction pad of the transfer unit holds one surface of the wafer by suction. 3. The apparatus according to claim 1, wherein the other surface of the wafer is cleaned by the second cleaning unit.
【請求項4】前記搬送手段を前記平面加工装置の本体に
支持させる支持部は、前記ウェーハの他方面を前記第2
洗浄手段に押し付けた時の反力に打ち勝つ剛性を有して
いることを特徴とする請求項3記載のウェーハの平面加
工装置。
4. A supporting portion for supporting said transfer means on a main body of said planar processing apparatus, said supporting portion supporting the other surface of said wafer by said second surface.
4. The apparatus according to claim 3, wherein the apparatus has a rigidity to overcome a reaction force when pressed against the cleaning means.
【請求項5】前記ブラシ洗浄手段のブラシは、前記ウェ
ーハの径よりも長いローラ状に形成され、該ブラシはロ
ーラの軸と該軸に直交する軸とを中心に回転駆動される
ことを特徴とする請求項2、3又は4記載のウェーハの
平面加工装置。
5. The brush of the brush cleaning means is formed in a roller shape longer than the diameter of the wafer, and the brush is driven to rotate about a roller axis and an axis perpendicular to the axis. 5. The apparatus for processing a flat surface of a wafer according to claim 2, 3 or 4.
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