JP4850666B2 - Wafer processing equipment - Google Patents

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本発明は、ウエーハを研削あるいは研磨する加工装置に関する。 The present invention relates to a processing apparatus for grinding or polishing a wafer.
半導体ウエーハは、近年の各種電子機器の小型化・薄型化に伴い、より一層の薄化が求められている。そのため、半導体ウエーハの厚さが例えば100μm以下と薄くなった場合、チップ化した後の強度の維持が問題になっている。そこで、研削処理を行った後に加工面をポリッシュやエッチングすることで、研削処理による機械的ダメージを除去する技術が用いられている。また、口径の大きな薄いウエーハを安全に次工程に搬送するために、ウエーハと同径の吸着パッドを使用した搬送手段により搬送する技術も知られている。(特許文献1等参照)   Semiconductor wafers are required to be further thinned in accordance with recent downsizing and thinning of various electronic devices. For this reason, when the thickness of the semiconductor wafer is reduced to, for example, 100 μm or less, there is a problem of maintaining the strength after being formed into chips. Therefore, a technique for removing mechanical damage caused by the grinding process by polishing or etching the processed surface after the grinding process is used. In addition, in order to safely transport a thin wafer having a large diameter to the next process, a technique is also known in which the wafer is transported by a transport unit using a suction pad having the same diameter as the wafer. (See Patent Document 1 etc.)
特開2000−021952公報JP 2000-021952 A
上記特許文献1に記載されているように、ウエーハの加工装置に具備されるウエーハの搬送手段としては、材質がセラミックなどからなる多孔質ポーラスの真空吸着パッドが用いられている。ウエーハは吸着パッドの吸着面に空いている多数の孔に吸引されて吸着されるが、その孔(一般に0.1〜0.2mm程度の孔径)に引き込まれて局部的に弾性変形する場合がある。そうなると、ウエーハに局部的な応力が加えられ、結果的に得られる半導体チップの強度が劣化するおそれがあり、この問題はウエーハが薄ければ薄いほど顕著であった。   As described in Patent Document 1, a porous porous vacuum suction pad made of ceramic or the like is used as a wafer transfer means provided in a wafer processing apparatus. The wafer is sucked and sucked into a large number of holes that are vacant on the suction surface of the suction pad, but may be pulled into the hole (generally about 0.1 to 0.2 mm in diameter) and elastically deformed locally. is there. If so, local stress is applied to the wafer, and the strength of the resulting semiconductor chip may be deteriorated. This problem becomes more prominent as the wafer is thinner.
よって本発明は、加工を終えたウエーハを次工程へ搬送する際、ウエーハを変形させることなく搬送することによってウエーハの強度を維持することができる加工装置を提供することを目的としている。 Thus, the present invention is, in transporting the wafer having been subjected to machining to the next step, and its object is to provide a machining apparatus that can be maintained the strength of the wafer by conveying without deforming the wafer.
本発明のウエーハの加工装置は、ウエーハを保持する回転可能な保持手段と、保持手段に保持されたウエーハに所定の加工を施す加工手段と、加工手段により加工が施されたウエーハを、保持手段から所定の搬送先に搬送する搬送手段とを備えた加工装置であって、加工手段は、ウエーハの加工面を研削する研削加工手段、または研磨する研磨加工手段であり、搬送手段は、保持手段に保持されたウエーハの加工面に所定の手段で固化し保護膜となる液体を供給する液体供給手段と、保持手段に保持されたウエーハの加工面に形成された保護膜に押し当てられる吸着面を有する吸着パッドと、吸着パッドを保持手段から搬送先に移動させる移動手段とを備え、さらに搬送先で保護膜を除去する保護膜除去手段を備えることを特徴としている。 Processing device wafer of the present invention, a rotatable holding means for holding the window Eha, and processing means for performing predetermined processing on the wafer held by the holding means, the wafer processing has been performed by the processing means, the holding a machining apparatus having a conveying means for conveying the unit to a predetermined transport destination, the processing means is a grinding means or the polishing means for polishing, grinding the working surface of the wafer, the conveying means is maintained A liquid supply means for supplying a liquid to be a protective film which is solidified by a predetermined means to the processing surface of the wafer held by the means, and an adsorption which is pressed against the protective film formed on the processing surface of the wafer held by the holding means a suction pad having a surface, is characterized in that the suction pad and a moving means for moving the transport destination from the holding means, a protective film removing means for removing the protective film conveyance destination further.
本発明によれば、ウエーハの表面に除去可能な保護膜を形成し、保護膜の表面に吸着パッドを押し当て、ウエーハを吸着保持することができるものであり、保護膜が緩衝材となるので、ウエーハの変形は起こらず、このため、加工されたままの状態のウエーハの強度を維持しながら所定の搬送先まで安全に搬送することができる。この作用は、極めて薄いウエーハ(例えば厚さ100μm以下)を搬送する場合において特に有効である。保護膜はウエーハを搬送先へ搬送した後に除去することができるので、搬送後のウエーハに保護膜が残存することはない。 According to the present invention , a removable protective film can be formed on the surface of the wafer, the suction pad can be pressed against the surface of the protective film, and the wafer can be sucked and held. The wafer is not deformed, and therefore, the wafer can be safely transported to a predetermined transport destination while maintaining the strength of the processed wafer. This effect is particularly effective when a very thin wafer (for example, a thickness of 100 μm or less) is transported. Since the protective film can be removed after the wafer is transferred to the transfer destination, the protective film does not remain on the transferred wafer.
本発明によれば、ウエーハを吸着パッドに吸着させても、ウエーハが変形する恐れがないため、加工されたままの状態で強度を維持しながらウエーハを搬送することができるといった効果を奏する。   According to the present invention, even if the wafer is attracted to the suction pad, there is no possibility that the wafer is deformed. Therefore, there is an effect that the wafer can be conveyed while maintaining the strength in the processed state.
以下、図面を参照して本発明の一実施形態を説明する。
[1]半導体ウエーハ
図1の符号1は、裏面全面が研削されて目的厚さ(例えば50〜200μm)に薄化加工される円盤状の半導体ウエーハ(以下ウエーハと略称)を示している。このウエーハ1はシリコンウエーハ等であって、研削前の厚さは例えば800μm程度である。ウエーハ1の表面には、格子状の分割予定ライン3によって複数の矩形状の半導体チップ(デバイス)4が区画されており、これら半導体チップ4の表面には、ICやLSI等の図示せぬ電子回路が形成されている。ウエーハ1の外周縁は、角をなくして損傷しにくいようにするために断面半円弧状に面取り加工が施されている。
Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
[1] Semiconductor Wafer Reference numeral 1 in FIG. 1 indicates a disk-shaped semiconductor wafer (hereinafter abbreviated as a wafer) whose entire back surface is ground and thinned to a target thickness (for example, 50 to 200 μm). The wafer 1 is a silicon wafer or the like, and the thickness before grinding is, for example, about 800 μm. On the surface of the wafer 1, a plurality of rectangular semiconductor chips (devices) 4 are partitioned by lattice-shaped division planned lines 3. A circuit is formed. The outer peripheral edge of the wafer 1 is chamfered so as to have a semicircular cross section so as to eliminate corners and prevent damage.
複数の半導体チップ4は、ウエーハ1と同心の概ね円形状のデバイス形成領域5に形成されている。デバイス形成領域5はウエーハ1の大部分を占めており、このデバイス形成領域5の周囲のウエーハ外周部が、半導体チップ4が形成されない環状の外周余剰領域6とされている。また、ウエーハ1の周面の所定箇所には、半導体の結晶方位を示すV字状の切欠き(ノッチ)7が形成されている。このノッチ7は、外周余剰領域6内に形成されている。ウエーハ1は、最終的には分割予定ライン3に沿って切断、分割され、複数の半導体チップ4に個片化される。   The plurality of semiconductor chips 4 are formed in a substantially circular device formation region 5 concentric with the wafer 1. The device forming region 5 occupies most of the wafer 1, and the wafer outer peripheral portion around the device forming region 5 is an annular outer peripheral region 6 in which the semiconductor chip 4 is not formed. A V-shaped notch 7 indicating the crystal orientation of the semiconductor is formed at a predetermined location on the peripheral surface of the wafer 1. The notch 7 is formed in the outer peripheral surplus region 6. The wafer 1 is finally cut and divided along the division lines 3 and is divided into a plurality of semiconductor chips 4.
ウエーハ1を裏面研削する際には、電子回路を保護するなどの目的で、図1に示すように電子回路が形成された側の表面に保護テープ2が貼着される。保護テープ2は、例えば厚さ70〜200μm程度のポリオレフィン等の柔らかい樹脂製基材シートの片面に5〜20μm程度の粘着剤を塗布した構成のものが用いられ、その粘着剤を塗布した面とウエーハ1の表面とが相対するように貼り付けられる。   When the wafer 1 is back-ground, for the purpose of protecting the electronic circuit, a protective tape 2 is attached to the surface on which the electronic circuit is formed as shown in FIG. As the protective tape 2, for example, one having a configuration in which an adhesive of about 5 to 20 μm is applied to one side of a soft resin base sheet such as polyolefin having a thickness of about 70 to 200 μm is used. Affixed so that the surface of the wafer 1 faces.
[2]研削加工装置
次に、図1に示したウエーハ1の裏面を研削加工する一実施形態の研削加工装置を説明する。
図2は、その研削加工装置10の全体を示しており、該装置10は、上面が水平な直方体状の基台11を備えている。図2では、基台11の長手方向、幅方向および鉛直方向を、それぞれY方向、X方向およびZ方向で示している。基台11のY方向一端部には、X方向に並ぶコラム12が一対の状態で立設されている。基台11上には、Y方向のコラム12側にウエーハ1を研削加工する加工エリア11Aが設けられ、コラム12とは反対側には、加工エリア11Aに加工前のウエーハ1を供給し、かつ、加工後のウエーハ1を回収する着脱エリア11Bが設けられている。
以下、研削加工エリア11Aと着脱エリア11Bについて説明する。
[2] Grinding Device Next, a grinding device according to an embodiment for grinding the back surface of the wafer 1 shown in FIG. 1 will be described.
FIG. 2 shows the entire grinding apparatus 10, which includes a rectangular parallelepiped base 11 having a horizontal upper surface. In FIG. 2, the longitudinal direction, the width direction, and the vertical direction of the base 11 are shown as a Y direction, an X direction, and a Z direction, respectively. At one end portion of the base 11 in the Y direction, a column 12 arranged in the X direction is erected in a pair. On the base 11, a processing area 11A for grinding the wafer 1 is provided on the column 12 side in the Y direction, and the wafer 1 before processing is supplied to the processing area 11A on the side opposite to the column 12, and An attachment / detachment area 11B for collecting the processed wafer 1 is provided.
Hereinafter, the grinding area 11A and the attachment / detachment area 11B will be described.
(I)研削加工エリア
研削加工エリア11Aには、回転軸がZ方向と平行で上面が水平とされた円盤状のターンテーブル13が回転自在に設けられている。このターンテーブル13は、図示せぬ回転駆動機構によって矢印R方向に回転させられる。ターンテーブル13上の外周部には、回転軸がZ方向と平行で上面が水平とされた複数(この場合は3つ)の円盤状のチャックテーブル20が、周方向に等間隔をおいて回転自在に配置されている。
(I) Grinding area In the grinding area 11A, a disk-shaped turntable 13 whose rotation axis is parallel to the Z direction and whose upper surface is horizontal is rotatably provided. The turntable 13 is rotated in the direction of arrow R by a rotation drive mechanism (not shown). A plurality (three in this case) of disk-shaped chuck tables 20 whose rotation axis is parallel to the Z direction and whose upper surface is horizontal are rotated at equal intervals in the circumferential direction on the outer periphery of the turntable 13. Arranged freely.
これらチャックテーブル20は一般周知の真空チャック式であり、上面に載置されるウエーハ1を吸着、保持する。図3(b)に示すように、チャックテーブル20は、上面に多孔質のセラミックからなる円形の吸着エリア21を有しており、この吸着エリア21の上面21aにウエーハ1は吸着して保持されるようになっている。吸着エリア21の周囲には環状の枠体22が形成されており、この枠体22の上面22aは、吸着エリア21の上面21aと連続して同一平面をなしている。各チャックテーブル20は、それぞれがターンテーブル13内に設けられた図示せぬ回転駆動機構によって、一方向、または両方向に独自に回転すなわち自転するようになっており、ターンテーブル13が回転すると公転の状態になる。   These chuck tables 20 are of a generally known vacuum chuck type and suck and hold the wafer 1 placed on the upper surface. As shown in FIG. 3B, the chuck table 20 has a circular adsorption area 21 made of porous ceramic on the upper surface, and the wafer 1 is adsorbed and held on the upper surface 21a of the adsorption area 21. It has become so. An annular frame 22 is formed around the suction area 21, and an upper surface 22 a of the frame 22 is continuous with the upper surface 21 a of the suction area 21 and forms the same plane. Each chuck table 20 is independently rotated or rotated in one direction or both directions by a rotation drive mechanism (not shown) provided in the turntable 13, and revolves when the turntable 13 rotates. It becomes a state.
図2に示すように2つのチャックテーブル20がコラム12側でX方向に並んだ状態において、それらチャックテーブル20の直上には、研削ユニット30がそれぞれ配されている。各チャックテーブル20は、ターンテーブル13の回転によって、各研削ユニット30の下方の研削位置と、着脱エリア11Bに最も近付いた着脱位置との3位置にそれぞれ位置付けられるようになっている。研削位置は2箇所あり、これら研削位置ごとに研削ユニット30が配備されている。この場合、ターンテーブル13の回転によるチャックテーブル20の矢印Rで示す移送方向上流側(図2で奥側)の研削位置が一次研削位置、下流側の研削位置が二次研削位置とされている。   As shown in FIG. 2, in a state where two chuck tables 20 are arranged in the X direction on the column 12 side, grinding units 30 are respectively disposed immediately above the chuck tables 20. Each chuck table 20 is positioned at three positions, that is, a grinding position below each grinding unit 30 and an attachment / detachment position closest to the attachment / detachment area 11 </ b> B by rotation of the turntable 13. There are two grinding positions, and a grinding unit 30 is provided for each of these grinding positions. In this case, the grinding position on the upstream side (back side in FIG. 2) in the transfer direction indicated by the arrow R of the chuck table 20 by the rotation of the turntable 13 is the primary grinding position, and the downstream grinding position is the secondary grinding position. .
各研削ユニット30は、コラム12に昇降自在に取り付けられたスライダ40に固定されている。スライダ40は、Z方向に延びるガイドレール41に摺動自在に装着されており、サーボモータ42によって駆動されるボールねじ式の送り機構43によってZ方向に移動可能とされている。各研削ユニット30は、送り機構43によってZ方向に昇降し、下降してチャックテーブル20に接近する送り動作により、チャックテーブル20に保持されたウエーハ1の露出面を研削する。   Each grinding unit 30 is fixed to a slider 40 attached to the column 12 so as to be movable up and down. The slider 40 is slidably mounted on a guide rail 41 extending in the Z direction, and can be moved in the Z direction by a ball screw type feed mechanism 43 driven by a servo motor 42. Each grinding unit 30 is moved up and down in the Z direction by the feed mechanism 43 and lowered to grind the exposed surface of the wafer 1 held by the chuck table 20 by a feed operation that approaches the chuck table 20.
研削ユニット30は、図3に示すように、軸方向がZ方向に延びる円筒状のスピンドルハウジング31と、このスピンドルハウジング31内に同軸的、かつ回転自在に支持されたスピンドルシャフト32と、スピンドルハウジング31の上端部に固定されてスピンドルシャフト32を回転駆動するモータ33と、スピンドルシャフト32の下端に同軸的に固定された円盤状のフランジ34とを具備している。そしてフランジ34には、カップホイール35がねじ止め等の取付手段によって着脱自在に取り付けられる。   As shown in FIG. 3, the grinding unit 30 includes a cylindrical spindle housing 31 whose axial direction extends in the Z direction, a spindle shaft 32 coaxially and rotatably supported in the spindle housing 31, and a spindle housing. The motor 33 is fixed to the upper end of 31 and rotationally drives the spindle shaft 32, and the disk-shaped flange 34 is coaxially fixed to the lower end of the spindle shaft 32. A cup wheel 35 is detachably attached to the flange 34 by attachment means such as screwing.
カップホイール35は、環状のフレーム36の下端面に、該下端面の外周部全周にわたって複数の砥石37が環状に配列されて固着されたものである。一次研削位置の上方に配された一次研削用の研削ユニット30のフランジ34には、砥石37が例えば♯320〜♯400の砥粒を含むカップホイール35が取り付けられる。また、二次研削位置の上方に配された二次研削用の研削ユニット30のフランジ34には、砥石37が例えば♯2000〜♯8000以上の砥粒を含むカップホイール35が取り付けられる。フランジ34およびカップホイール35には、研削面の冷却や潤滑あるいは研削屑の排出のための研削水を供給する研削水供給機構(図示省略)が設けられ、該機構には給水ラインが接続されている。カップホイール35の研削外径、すなわち複数の砥石37の外周縁の直径は、少なくともウエーハ1の半径と同等以上で、一般的にはウエーハの直径に等しい大きさに設定されている。   The cup wheel 35 is configured such that a plurality of grindstones 37 are annularly arranged and fixed to the lower end surface of an annular frame 36 over the entire outer periphery of the lower end surface. A cup wheel 35 including a grindstone 37 containing abrasive grains # 320 to # 400 is attached to the flange 34 of the grinding unit 30 for primary grinding disposed above the primary grinding position. Further, a cup wheel 35 having a grinding wheel 37 containing abrasive grains of, for example, # 2000 to # 8000 or more is attached to the flange 34 of the grinding unit 30 for secondary grinding disposed above the secondary grinding position. The flange 34 and the cup wheel 35 are provided with a grinding water supply mechanism (not shown) for supplying grinding water for cooling and lubrication of the grinding surface or discharging grinding scraps, and a water supply line is connected to the mechanism. Yes. The grinding outer diameter of the cup wheel 35, that is, the diameter of the outer peripheral edge of the plurality of grindstones 37 is at least equal to or larger than the radius of the wafer 1 and is generally set to a size equal to the diameter of the wafer.
図3の符号50は、基準側ハイトゲージ51とウエーハ側ハイトゲージ52との組み合わせで構成される厚さ測定ゲージである。基準側ハイトゲージ51は、揺動する基準プローブ51aの先端が、ウエーハ1で覆われないチャックテーブル20の枠体22の上面22aに接触し、該上面22aの高さ位置を検出するものである。ウエーハ側ハイトゲージ52は、揺動する変動プローブ52aの先端がチャックテーブル20に保持されたウエーハ1の上面すなわち被研削面に接触することで、ウエーハ1の上面の高さ位置を検出するものである。厚さ測定ゲージ50によれば、ウエーハ側ハイトゲージ52の測定値から基準側ハイトゲージ51の測定値を引いた値に基づいてウエーハ1の厚さが測定される。   A reference numeral 50 in FIG. 3 is a thickness measurement gauge constituted by a combination of a reference side height gauge 51 and a wafer side height gauge 52. The reference-side height gauge 51 detects the height position of the upper surface 22a by the tip of the swinging reference probe 51a contacting the upper surface 22a of the frame 22 of the chuck table 20 that is not covered with the wafer 1. The wafer-side height gauge 52 detects the height position of the upper surface of the wafer 1 by contacting the tip of the oscillating variable probe 52a with the upper surface of the wafer 1 held by the chuck table 20, that is, the surface to be ground. . According to the thickness measurement gauge 50, the thickness of the wafer 1 is measured based on the value obtained by subtracting the measurement value of the reference side height gauge 51 from the measurement value of the wafer side height gauge 52.
ウエーハ1は、最初に一次研削位置で研削ユニット30により一次研削された後、ターンテーブル13が図2に示すR方向に回転することにより二次研削位置に移送され、ここで研削ユニット30により二次研削される。   The wafer 1 is first ground by the grinding unit 30 at the primary grinding position, and then transferred to the secondary grinding position by the turntable 13 rotating in the R direction shown in FIG. Next is ground.
(II)着脱エリア
図2に示すように、着脱エリア11Bの中央には、上下移動する2節リンク式のピックアップロボット70が設置されている。そして、このピックアップロボット70の周囲には、上から見て反時計回りに、供給カセット71、位置合わせ台72、供給手段73、回収手段76、スピンナ式洗浄装置81(保護膜除去手段)、回収カセット82が、それぞれ配置されている。供給手段73は、多孔質材料で形成され、水平な下面にウエーハ1を真空作用で吸着する吸着パッド74と、この吸着パッド74が先端に固定された水平旋回式の供給アーム75とにより構成されている。カセット71,82は、複数のウエーハ1を水平な姿勢で、かつ上下方向に一定間隔をおいて積層状態で収容するもので、基台11上の所定位置にセットされる。
(II) Attachment / Removal Area As shown in FIG. 2, a two-bar link pickup robot 70 that moves up and down is installed at the center of the attachment / detachment area 11B. Around the pickup robot 70, a supply cassette 71, an alignment table 72, a supply unit 73, a recovery unit 76, a spinner type cleaning device 81 (protective film removing unit), a recovery unit, counterclockwise as viewed from above. Cassettes 82 are respectively arranged. The supply means 73 is made of a porous material, and includes a suction pad 74 that sucks the wafer 1 by a vacuum action on a horizontal lower surface, and a horizontal swivel-type supply arm 75 having the suction pad 74 fixed to the tip. ing. The cassettes 71 and 82 accommodate a plurality of wafers 1 in a horizontal posture and in a stacked state at regular intervals in the vertical direction, and are set at predetermined positions on the base 11.
回収手段76は、図2および図4に示す水供給ノズル77および液体供給ノズル78と、図2および図5(a)に示す吸着パッド79および水平旋回式の回収アーム80との組み合わせにより構成されている。液体供給ノズル78は、着脱位置に位置付けられたチャックテーブル20上のウエーハ1の表面の中央部付近に、水溶性レジストなどの、水溶性で乾燥することにより固化および膜化する液体Lが供給されるようになっている。液体Lの具体例としては、例えば、イソプロピルアルコールに純水を加えた水溶性を有するアクリル系の樹脂(特開平10−341012公報参照)などが好適に用いられる。なお、本発明の保護膜形成用の液体材料としては、水溶性レジストのような、水溶性で乾燥することにより固化して膜となり、膜化した後には、水洗浄などによって容易に除去可能という条件を満たすものから、適宜に選択される。そして、液体供給ノズル78は図示しないモータなどによって旋回可能に保持され、適宜、チャックテーブル20上から退避することができるようになっている。吸着パッド79は、着脱位置に位置付けられたウエーハ1の表面に水平な下面である吸着面79aを押し当て、ウエーハ1を吸着し、回収アーム80が水平に旋回することにより、ウエーハ1を、その着脱位置からスピンナ式洗浄装置81まで搬送する。吸着パッド79は真空チャック式であり、吸着面79aは多孔質体83で形成されている。   The recovery means 76 is configured by a combination of the water supply nozzle 77 and the liquid supply nozzle 78 shown in FIGS. 2 and 4, the suction pad 79 and the horizontal swivel type recovery arm 80 shown in FIGS. 2 and 5A. ing. The liquid supply nozzle 78 is supplied with a liquid L that is solidified and formed into a film by being water-soluble and drying, such as a water-soluble resist, in the vicinity of the center of the surface of the wafer 1 on the chuck table 20 positioned at the attachment / detachment position. It has become so. As a specific example of the liquid L, for example, a water-soluble acrylic resin obtained by adding pure water to isopropyl alcohol (see Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-341012) is preferably used. The liquid material for forming the protective film of the present invention is a water-soluble resist, such as a water-soluble resist, which is solidified by drying to form a film, and can be easily removed by washing with water after the film is formed. It is appropriately selected from those satisfying the conditions. The liquid supply nozzle 78 is rotatably held by a motor (not shown) or the like, and can be retracted from the chuck table 20 as appropriate. The suction pad 79 presses the suction surface 79a, which is a horizontal lower surface, against the surface of the wafer 1 positioned at the attachment / detachment position, sucks the wafer 1, and the collection arm 80 rotates horizontally, whereby the wafer 1 is It is transported from the attachment / detachment position to the spinner type cleaning device 81. The suction pad 79 is a vacuum chuck type, and the suction surface 79 a is formed of a porous body 83.
以上が本実施形態の研削加工装置10の構成であり、次に該装置10の動作を説明する。
研削加工されるウエーハ1は、はじめにピックアップロボット70によって供給カセット71内から取り出され、位置合わせ台72上に載置されて一定の位置に決められる。次いでウエーハ1は、供給アーム73によって位置合わせ台72から取り上げられ、着脱位置で待機しているチャックテーブル20上に被研削面(半導体チップ4が形成されていない裏面)を上に向けて載置される。ウエーハ1はターンテーブル13のR方向への回転によって一次研削位置と二次研削位置にこの順で移送され、これら研削位置で、研削ユニット30により上記のようにして表面が研削される。ウエーハ1の研削にあたっては、いずれの研削位置においても、厚さ測定ゲージ50によってウエーハ1の厚さを逐一測定しながら研削量が制御される。二次研削が終了したウエーハ1は、さらにターンテーブル13がR方向に回転することにより着脱位置に戻される。
The above is the configuration of the grinding apparatus 10 of the present embodiment. Next, the operation of the apparatus 10 will be described.
The wafer 1 to be ground is first taken out from the supply cassette 71 by the pickup robot 70, placed on the alignment table 72, and determined at a certain position. Next, the wafer 1 is picked up from the alignment table 72 by the supply arm 73 and placed on the chuck table 20 waiting at the attachment / detachment position with the surface to be ground (the back surface on which the semiconductor chip 4 is not formed) facing upward. Is done. The wafer 1 is transferred to the primary grinding position and the secondary grinding position in this order by the rotation of the turntable 13 in the R direction, and the surface is ground as described above by the grinding unit 30 at these grinding positions. When grinding the wafer 1, the grinding amount is controlled while measuring the thickness of the wafer 1 by the thickness measurement gauge 50 at any grinding position. The wafer 1 for which the secondary grinding has been completed is returned to the attaching / detaching position by further rotating the turntable 13 in the R direction.
着脱位置に戻ったチャックテーブル20上のウエーハ1は、回収手段76により、次のようにしてスピンナ式洗浄装置81に搬送される。まず、図4(b)に示すように、水供給ノズル77から、チャックテーブル20上のウエーハ1の上面に純水などの水Wが一様に供給される。さらに、水Wが供給されたウエーハ1の上面の中央部付近に、上記液体Lが液体供給ノズル78から滴下される。次に、ウエーハ1をチャックテーブル20により回転させ、ウエーハ1の上面に供給された水Wと液体Lを混合させる。さらに、チャックテーブル20の回転を続けることにより、混合された液体が乾燥し、ウエーハ1の上面に膜圧が2〜3μm程度の保護膜8が形成される(図5参照)。保護膜8は水溶性であるため、再度、純水などを供給することによって、除去することが可能である。また、乾燥時間は毎分100〜300回転の速度で10〜60秒程度維持することで十分である(保護膜形成工程)。   The wafer 1 on the chuck table 20 returned to the attachment / detachment position is conveyed to the spinner type cleaning device 81 by the recovery means 76 as follows. First, as shown in FIG. 4B, water W such as pure water is uniformly supplied from the water supply nozzle 77 to the upper surface of the wafer 1 on the chuck table 20. Further, the liquid L is dropped from the liquid supply nozzle 78 in the vicinity of the center of the upper surface of the wafer 1 to which the water W is supplied. Next, the wafer 1 is rotated by the chuck table 20 to mix the water W and the liquid L supplied to the upper surface of the wafer 1. Further, by continuing to rotate the chuck table 20, the mixed liquid is dried, and a protective film 8 having a film pressure of about 2 to 3 μm is formed on the upper surface of the wafer 1 (see FIG. 5). Since the protective film 8 is water-soluble, it can be removed by supplying pure water again. Further, it is sufficient to maintain the drying time at a speed of 100 to 300 revolutions per minute for about 10 to 60 seconds (protective film forming step).
ウエーハ1の表面に保護膜8が形成された後、液体供給ノズル78を旋回させ、チャックテーブル20上から退避させる。この後、図5(a)に示すように、保護膜上面8aに吸着パッド79の下面79aを押し当て、保護膜8を吸引することによりウエーハ1の吸着を行う。吸着パッド79によりウエーハ1を吸着保持できたら、チャックテーブル20によるウエーハ1の吸着を終了させる(ウエーハ吸着工程)。そして、吸着パッド79により吸着保持されたウエーハ1は、回収アーム80を旋回させることで搬送先であるスピンナ式洗浄装置81に移動し、吸着パッド79の吸着を終了させる(ウエーハ搬送工程)。   After the protective film 8 is formed on the surface of the wafer 1, the liquid supply nozzle 78 is turned and retracted from the chuck table 20. Thereafter, as shown in FIG. 5A, the lower surface 79a of the suction pad 79 is pressed against the upper surface 8a of the protective film, and the protective film 8 is sucked to suck the wafer 1. When the wafer 1 can be sucked and held by the suction pad 79, the suction of the wafer 1 by the chuck table 20 is terminated (wafer suction step). Then, the wafer 1 sucked and held by the suction pad 79 is moved to the spinner type cleaning device 81 as a transport destination by turning the recovery arm 80, and the suction of the suction pad 79 is finished (wafer transport process).
次に、スピンナ式洗浄装置81によりウエーハ1の洗浄を行う。ウエーハ1をスピンナ式洗浄装置81で洗浄することにより、ウエーハ1の上面に純水などが供給され、ウエーハ1の上面に形成された保護膜8が除去される。保護膜8は、スピンナ式洗浄装置81において30〜60秒程度の洗浄によって十分除去される(保護膜除去工程)。   Next, the wafer 1 is cleaned by the spinner type cleaning device 81. By cleaning the wafer 1 with the spinner type cleaning device 81, pure water or the like is supplied to the upper surface of the wafer 1, and the protective film 8 formed on the upper surface of the wafer 1 is removed. The protective film 8 is sufficiently removed by cleaning for about 30 to 60 seconds in the spinner type cleaning device 81 (protective film removing step).
この後、ウエーハ1はスピンナ式洗浄装置81内で乾燥処理され、次いで、ピックアップロボット70によって回収カセット82内に移送、収容される。以上が本実施形態の研削加工装置10の全体動作であり、この動作が繰り返し行われて多数のウエーハ1が連続的に研削加工される。   Thereafter, the wafer 1 is dried in the spinner type cleaning device 81 and then transferred and accommodated in the collection cassette 82 by the pickup robot 70. The above is the overall operation of the grinding apparatus 10 of the present embodiment, and this operation is repeated to grind a number of wafers 1 continuously.
本実施形態によれば、図5(b)に示すように、ウエーハ1が吸着パッド79に吸着されても保護膜8を介しているので、従来のように吸着パッド79に吸着される際に生じる応力でウエーハ1が変形するといったことがない。このため、ウエーハ1を、加工されたままの状態の強度を維持しながらスピンナ式洗浄装置81まで安全に搬送することができる。そして、スピンナ式洗浄装置81でウエーハ1の表面に形成された保護膜8を除去するので、保護膜8がウエーハ1に残存することはない。   According to the present embodiment, as shown in FIG. 5B, even when the wafer 1 is adsorbed to the adsorption pad 79, the protective film 8 is interposed, so that when the wafer 1 is adsorbed to the adsorption pad 79 as in the prior art. The wafer 1 is not deformed by the generated stress. For this reason, the wafer 1 can be safely transported to the spinner cleaning device 81 while maintaining the strength of the processed state. Then, since the protective film 8 formed on the surface of the wafer 1 is removed by the spinner type cleaning device 81, the protective film 8 does not remain on the wafer 1.
図6(a)は、従来の搬送手段を示しており、本実施形態と同一構成要素には同一の符合を付してある。従来の搬送手段は、真空チャック式の吸着パッド79が回収アーム80に取り付けられ、吸着パッド79の吸着面79aは多孔質体83で形成されている。その吸着面79aにウエーハ1が真空作用で吸着されると、図6(b)に示すようにウエーハ1は多孔質体83の吸着面79aに空いている多数の孔に吸引されて局部的に弾性変形させられる。その結果、ウエーハ1に局部的な応力が加わり、ウエーハの強度が劣化するおそれがあったわけである。   FIG. 6A shows a conventional conveying unit, and the same reference numerals are given to the same components as in the present embodiment. In the conventional conveying means, a vacuum chuck type suction pad 79 is attached to the recovery arm 80, and the suction surface 79 a of the suction pad 79 is formed of a porous body 83. When the wafer 1 is adsorbed to the adsorbing surface 79a by a vacuum action, the wafer 1 is attracted by a large number of holes vacant in the adsorbing surface 79a of the porous body 83 as shown in FIG. Elastically deformed. As a result, local stress is applied to the wafer 1 and the strength of the wafer may be deteriorated.
本実施形態では、吸着パッド79の吸着面79aにはウエーハ1を直接吸着させず、ウエーハ1の表面に保護膜8を形成し、保護膜の上面8aを吸着パッド79で吸着することでウエーハ1を吸着パッド79に吸着保持するものである。このため、従来のようにウエーハが多孔質体の孔に吸引されて変形するといったことは生じず、強度の維持が図られるのである。   In the present embodiment, the wafer 1 is not directly adsorbed on the adsorption surface 79 a of the adsorption pad 79, the protective film 8 is formed on the surface of the wafer 1, and the upper surface 8 a of the protective film is adsorbed by the adsorption pad 79. Is sucked and held on the suction pad 79. For this reason, the wafer is not sucked into the pores of the porous body and deformed unlike the conventional case, and the strength can be maintained.
上記実施形態は、本発明を研削加工装置に適用したものであるが、本発明は図7に示すような研磨加工装置にも適用可能である。なお、図7で図2と同一構成要素には同一の符合を付してあり、それらについては簡略的に説明する。   In the above embodiment, the present invention is applied to a grinding apparatus, but the present invention is also applicable to a polishing apparatus as shown in FIG. In FIG. 7, the same components as those in FIG. 2 are denoted by the same reference numerals, and will be described briefly.
この研磨加工装置14は、上記研削加工装置10で研削加工されたウエーハ1の裏面を研磨して仕上げるものであり、コラム12は1つ設けられ、このコラム12に、研磨ユニット60が昇降可能に装着されている。研磨ユニット60は、図8に示すように、上記研削ユニット30と同様のスピンドルハウジング31、スピンドルシャフト32、モータ33およびフランジ34とを具備しており、フランジ34に、研磨工具62が取り付けられる。研磨工具62は、環状のフレーム63の下面に、シリカなどの酸化金属砥粒を含浸した研磨布64が固着されてなるもので、フレーム63がフランジ34にねじ止め等の手段によって着脱自在に取り付けられるようになっている。   The polishing apparatus 14 is for polishing and finishing the back surface of the wafer 1 ground by the grinding apparatus 10, and one column 12 is provided on which the polishing unit 60 can be moved up and down. It is installed. As shown in FIG. 8, the polishing unit 60 includes a spindle housing 31, a spindle shaft 32, a motor 33, and a flange 34 similar to those of the grinding unit 30. A polishing tool 62 is attached to the flange 34. The polishing tool 62 is formed by fixing a polishing cloth 64 impregnated with metal oxide abrasive grains such as silica to the lower surface of an annular frame 63, and the frame 63 is detachably attached to the flange 34 by means such as screwing. It is supposed to be.
基台11の加工エリア11Aには、テーブルベース17がY方向に移動自在に設けられおり、このテーブルベース17上に、回転式のチャックテーブル20が取り付けられている。テーブルベース17の移動方向両端部には蛇腹状のカバー19A,19Bの一端がそれぞれ取り付けられており、これらカバー19A,19Bの他端は、コラム12と、コラム12に対向するピット18の内壁面に、それぞれ取り付けられている。これら、カバー19A,19Bは、テーブルベース17の移動路を覆い、その移動路に研磨屑等が落下することを防ぐもので、テーブルベース17の移動に伴って伸縮する。   A table base 17 is provided in the processing area 11 </ b> A of the base 11 so as to be movable in the Y direction, and a rotary chuck table 20 is mounted on the table base 17. One end of bellows-shaped covers 19A and 19B is attached to both ends of the table base 17 in the moving direction. The other ends of these covers 19A and 19B are the column 12 and the inner wall surface of the pit 18 facing the column 12, respectively. Are attached to each. These covers 19 </ b> A and 19 </ b> B cover the moving path of the table base 17 and prevent the polishing dust and the like from falling on the moving path, and expand and contract as the table base 17 moves.
この研磨加工装置14では、テーブルベース17のY方向の移動により、チャックテーブル20に保持されたウエーハは、着脱エリア11Bに近接した着脱位置と研磨ユニット60の下方の加工位置との間を往復移動させられ、加工位置で研磨ユニット60により裏面が研磨される。そして、研磨加工が終了して着脱位置に位置付けられたウエーハ1は、上記実施形態と同様にして回収手段76の吸着パッド79に保護膜8を介して吸着保持され、回収アーム80が旋回することによりスピンナ式洗浄装置81内まで搬送され、該洗浄装置81内で洗浄と同時に保護膜8が除去される。   In this polishing apparatus 14, the wafer held by the chuck table 20 reciprocates between the attaching / detaching position close to the attaching / detaching area 11 </ b> B and the processing position below the polishing unit 60 by the movement of the table base 17 in the Y direction. The back surface is polished by the polishing unit 60 at the processing position. Then, the wafer 1 that has been polished and positioned at the attachment / detachment position is sucked and held by the suction pad 79 of the recovery means 76 via the protective film 8 in the same manner as in the above-described embodiment, and the recovery arm 80 rotates. Is carried into the spinner type cleaning device 81, and the protective film 8 is removed simultaneously with the cleaning in the cleaning device 81.
上記の研削加工装置および研磨加工装置のいずれの実施形態においても、液体Lは液体供給ノズル78より滴下することでウエーハ1の表面に供給されていたが、図9に示すペイントローラ式液体塗布手段84のペイントローラ85に液体Lを染み込ませ、該ローラ85をウエーハ1の表面に押圧し、ペイントローラ85を移動させ、液体Lをウエーハ1の表面に塗布することで供給することも可能である。なお、図9で図4と同一構成要素には同一の符号を付してあり、それらについては簡略的に説明する。   In any of the embodiments of the grinding apparatus and the polishing apparatus described above, the liquid L is supplied to the surface of the wafer 1 by dropping from the liquid supply nozzle 78, but the paint roller type liquid applying means shown in FIG. It is also possible to supply the liquid L by impregnating the 84 paint roller 85 with the liquid L, press the roller 85 against the surface of the wafer 1, move the paint roller 85, and apply the liquid L to the surface of the wafer 1. . In FIG. 9, the same components as those in FIG. 4 are denoted by the same reference numerals, and will be described briefly.
ペイントローラ式液体塗布手段84は、ウエーハ1の着脱位置近傍に配設されたスタンド91を有している。このスタンド91の上面には、ガイド90がウエーハ1の着脱位置上やや横側に突き出すように水平に配設されている。ガイド90内には、送り機構89によって駆動される送りねじ88が配されている。送りねじ88には、ローラ押し付け機構92が装着されており、ローラ押し付け機構92は、送り機構89により水平方向に移動が可能である。ローラ押し付け機構92の下面にはローラフレーム86が、ローラ押し付け機構92の移動方向に対して垂直に配設されており、ローラフレーム86は両端でローラ軸87を支持している。そして、ローラ軸87を回転軸として水平なペイントローラ85が回転自在に装着されている。ペイントローラ85は、ローラ押し付け機構92により昇降することが可能であり、ウエーハ1の表面に液体Lを十分に供給できる幅を備えている。   The paint roller type liquid applying means 84 has a stand 91 disposed in the vicinity of the mounting / demounting position of the wafer 1. On the upper surface of the stand 91, a guide 90 is horizontally disposed so as to protrude slightly on the side where the wafer 1 is attached and detached. A feed screw 88 driven by a feed mechanism 89 is disposed in the guide 90. A roller pressing mechanism 92 is attached to the feed screw 88, and the roller pressing mechanism 92 can be moved in the horizontal direction by the feeding mechanism 89. A roller frame 86 is disposed on the lower surface of the roller pressing mechanism 92 perpendicular to the moving direction of the roller pressing mechanism 92, and the roller frame 86 supports the roller shaft 87 at both ends. A horizontal paint roller 85 is rotatably mounted with the roller shaft 87 as a rotation axis. The paint roller 85 can be moved up and down by a roller pressing mechanism 92 and has a width that can sufficiently supply the liquid L to the surface of the wafer 1.
ペイントローラ式液体塗布手段84によれば、上記実施形態と同様に水供給ノズル77から水Wが供給されたウエーハ1の表面に、ローラ押し付け機構92によりペイントローラ85を下降させ押し当てる。なお、ペイントローラ85には液体Lをあらかじめ染み込ませておく。そして、送り機構89によりペイントローラ85をウエーハ1の表面に沿って水平方向に移動させる。ペイントローラ85はローラ軸87を軸として転がり、ウエーハ1の表面に液体Lが塗布される。ウエーハ1の表面に液体Lが塗布されたら、押し付け機構92によりペイントローラ85を上昇させ、液体Lの塗布を完了させる。この後、上記実施形態と同様に、チャックテーブル20を回転させ、水Wと液体Lを混合し、乾燥、固化させウエーハ1の表面に保護膜8を形成させる。   According to the paint roller liquid application unit 84, the paint roller 85 is lowered and pressed against the surface of the wafer 1 to which the water W is supplied from the water supply nozzle 77 by the roller pressing mechanism 92 as in the above embodiment. The paint roller 85 is preliminarily impregnated with the liquid L. Then, the paint roller 85 is moved in the horizontal direction along the surface of the wafer 1 by the feed mechanism 89. The paint roller 85 rolls around the roller shaft 87 and the liquid L is applied to the surface of the wafer 1. When the liquid L is applied to the surface of the wafer 1, the paint roller 85 is raised by the pressing mechanism 92 to complete the application of the liquid L. Thereafter, similarly to the above embodiment, the chuck table 20 is rotated, the water W and the liquid L are mixed, dried and solidified to form the protective film 8 on the surface of the wafer 1.
次に、本発明の加工装置による搬送方法の効果を実証するために、抗折強度を測定した実施例を示す。
まず、厚さ200μmまで研削加工して薄化処理したウエーハを、上記実施形態と同様の搬送方法で搬送した後、それらのウエーハから20mm角に切り出したチップの抗折強度を、球抗折測定法によって測定した。一方、図6(a)で示したような従来の真空チャック式の吸着パッドにウエーハを吸着、保持して搬送したウエーハと、研削加工後に吸着パッド等に吸着、保持せず、そのままの状態のウエーハに対しても、同様にして抗折強度を測定した。なお、測定サンプル数は、それぞれ61個とした。これらウエーハの抗折強度の最高値、最低値ならびに平均値を、図10に示す。
Next, in order to demonstrate the effect of the conveyance method by the processing apparatus of the present invention, an example in which the bending strength is measured will be shown.
First, after wafers that were ground and thinned to a thickness of 200 μm were conveyed by the same conveyance method as in the above embodiment , the bending strength of chips cut into 20 mm squares from these wafers was measured by ball bending measurement. Measured by the method. On the other hand, as shown in FIG. 6 (a), the wafer is sucked and held on the conventional vacuum chuck type suction pad, and the wafer is not sucked and held on the suction pad after grinding. The bending strength was measured in the same manner for the wafer. The number of measurement samples was 61 for each. The maximum value, minimum value, and average value of the bending strength of these wafers are shown in FIG.
図10で明らかなように、上記実施形態の搬送方法で搬送させたウエーハは、搬送させなかったウエーハと比較してもあまり抗折強度に大きな変化は見られず、高い強度が維持されていることが判る。一方、従来の搬送方法で搬送させたウエーハは抗折強度が格段に低下しており、最高値でも上記実施形態の搬送方法で搬送されたウエーハの最低値より約1000MPa高い値しか示しておらず、本発明の場合は平均値で従来方法の7〜8倍の強度の差が生じている。したがって従来の搬送方法ではかなりの強度を失っていたが、上記実施形態の搬送方法では加工されたままの状態のウエーハの強度を維持することができるということが実証された。 As is apparent from FIG. 10, the wafer conveyed by the conveyance method of the above embodiment does not show much change in the bending strength even when compared with the wafer not conveyed, and the high strength is maintained. I understand that. On the other hand, the bending strength of the wafer conveyed by the conventional conveying method is remarkably reduced, and even the highest value shows only about 1000 MPa higher than the lowest value of the wafer conveyed by the conveying method of the above embodiment. In the case of the present invention, the difference in intensity is 7 to 8 times that of the conventional method in average value. Accordingly, it has been proved that the strength of the wafer as it is processed can be maintained by the transport method of the above embodiment , although the conventional transport method has lost considerable strength.
本発明の一実施形態で研削加工されるウエーハの(a)斜視図、(b)側面図である。It is the (a) perspective view and (b) side view of the wafer ground by one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る研削加工装置の斜視図である。1 is a perspective view of a grinding apparatus according to an embodiment of the present invention. 図2の研削加工装置が備える研削ユニットによりウエーハを研削している状態を示す(a)斜視図、(b)側面図である。It is the (a) perspective view and the (b) side view which show the state which grinds the wafer with the grinding unit with which the grinding-work apparatus of FIG. 2 is equipped. 一実施形態の研削加工装置の液体供給ノズルを示す(a)斜視図、(b)側面図である。It is the (a) perspective view and (b) side view which show the liquid supply nozzle of the grinding-work apparatus of one Embodiment. (a)は本発明の一実施形態の回収手段を示す側面図、(b)は図5(a)の手段でウエーハを吸着している部分の拡大側面図である。(A) is a side view which shows the collection | recovery means of one Embodiment of this invention, (b) is an enlarged side view of the part which has adsorb | sucked the wafer by the means of Fig.5 (a). (a)は従来の回収手段を示す側面図、(b)は図6(a)の手段でウエーハを吸着している部分の拡大側面図である。(A) is a side view which shows the conventional collection | recovery means, (b) is an enlarged side view of the part which has adsorb | sucked the wafer by the means of Fig.6 (a). 本発明の他の実施形態を示す研磨加工装置の斜視図である。It is a perspective view of the grinding | polishing processing apparatus which shows other embodiment of this invention. 図7の研磨加工装置が備える研磨ユニットによりウエーハを研磨している状態を示す側面図である。It is a side view which shows the state which grind | polishes the wafer with the grinding | polishing unit with which the grinding | polishing processing apparatus of FIG. 7 is equipped. 本発明の他の実施形態を示すペイントローラ式液体供給手段の(a)斜視図、(b)側面図である。It is the (a) perspective view of the paint roller type liquid supply means which shows other embodiments of the present invention, and (b) the side view. 実施例で行った抗折強度試験の測定結果を示す線図である。It is a diagram which shows the measurement result of the bending strength test done in the Example.
符号の説明Explanation of symbols
1…半導体ウエーハ
8…保護膜
8a…保護膜表面
10…研削加工装置(加工装置)
14…研磨加工装置(加工装置)
20…チャックテーブル(保持手段)
77…水供給ノズル(液体供給手段)
78…液体供給ノズル(液体供給手段)
79…吸着パッド
79a…吸着面
80…回収アーム(移動手段)
81…スピンナ式洗浄装置(保護膜除去手段)
L…液体
W…水
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Semiconductor wafer 8 ... Protective film 8a ... Protective film surface 10 ... Grinding processing apparatus (processing apparatus)
14 ... Polishing device (processing device)
20 ... Chuck table (holding means)
77 ... Water supply nozzle (liquid supply means)
78 ... Liquid supply nozzle (liquid supply means)
79 ... Adsorption pad 79a ... Adsorption surface 80 ... Recovery arm (moving means)
81 ... Spinner type cleaning device (protective film removing means)
L ... Liquid W ... Water

Claims (1)

  1. ウエーハを保持する回転可能な保持手段と、
    該保持手段に保持されたウエーハに所定の加工を施す加工手段と、
    該加工手段により加工が施されたウエーハを、前記保持手段から所定の搬送先に搬送する搬送手段とを備えた加工装置であって、
    前記加工手段は、前記ウエーハの加工面を研削する研削加工手段、または研磨する研磨加工手段であり、
    前記搬送手段は、
    前記保持手段に保持されたウエーハの加工面に所定の手段で固化し保護膜となる液体を供給する液体供給手段と、
    前記保持手段に保持されたウエーハの加工面に形成された保護膜に押し当てられる吸着面を有する吸着パッドと、
    該吸着パッドを前記保持手段から前記搬送先に移動させる移動手段とを備え、
    さらに該加工装置は、搬送先で前記保護膜を除去する保護膜除去手段を備えることを特徴とするウエーハの加工装置。
    Rotatable holding means for holding the wafer;
    Processing means for applying predetermined processing to the wafer held by the holding means;
    A processing apparatus comprising: a transport unit configured to transport the wafer processed by the processing unit from the holding unit to a predetermined transport destination;
    The processing means is a grinding means for grinding a processed surface of the wafer, or a polishing means for polishing.
    The conveying means is
    A liquid supply means for supplying a liquid which is solidified by a predetermined means to the processed surface of the wafer held by the holding means and serves as a protective film;
    A suction pad having a suction surface pressed against a protective film formed on the processed surface of the wafer held by the holding means;
    Moving means for moving the suction pad from the holding means to the transport destination;
    The processing apparatus further includes a protective film removing unit that removes the protective film at a transport destination.
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