JP2019220558A - テープ拡張装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】被加工物を適切に分割することが可能なテープ拡張装置を提供する。【解決手段】被加工物がエキスパンドテープを介して環状フレームに支持されたフレームユニットのエキスパンドテープを拡張するテープ拡張装置であって、環状フレームを保持するフレーム保持部と、フレーム保持部に囲繞され、エキスパンドテープを介して被加工物を保持する保持面を有するチャックテーブルと、被加工物の保持面に対する位置を調整する位置調整ユニットと、を備え、位置調整ユニットは、仮置き領域に仮置きされ、又は保持面で保持された被加工物の位置を検出する位置検出ユニットと、フレーム保持部に保持されるフレームユニットの環状フレームの外周部と接触する突き当て部、及び、位置検出ユニットによって検出された被加工物の位置に応じて突き当て部を移動させる移動機構を備える位置制御ユニットと、を備える。【選択図】図1

Description

本発明は、半導体ウェーハ等の被加工物に貼着されたエキスパンドテープを拡張するテープ拡張装置に関する。
IC(Integrated Circuit)、LSI(Large Scale Integration)等のデバイスが形成された半導体ウェーハに代表される板状の被加工物を分割予定ライン(ストリート)に沿って分割することにより、デバイスをそれぞれ含む複数のデバイスチップが得られる。この被加工物の分割は、例えば円環状の切削ブレードが装着された切削装置を用い、被加工物を切削ブレードによって分割予定ラインに沿って切削することにより行われる。
一方、被加工物の分割にレーザービームを利用する手法も提案されている。例えば特許文献1には、被加工物にレーザービームを照射することによって被加工物の内部に改質層(改質領域)を形成した後、被加工物に外力を付与することにより、改質層を起点として被加工物を切断する方法が開示されている。
改質層が形成された被加工物に対する外力の付与は、例えば、被加工物に貼着された拡張可能なテープ(エキスパンドテープ)を拡張することにより実施できる。特許文献2には、円形のエキスパンドテープが貼着された被加工物の内部に改質層を形成した後、エキスパンドテープを引っ張って拡張することにより被加工物に外力を付与し、被加工物を複数のデバイスチップに分割するワーク分割装置が開示されている。
特開2002−192370号公報 特開2010−206136号公報
上記のワーク分割装置を用いて被加工物を分割する際は、まず、エキスパンドテープの中央部に被加工物を貼着するとともに、エキスパンドテープの外周部に環状フレームを貼着する。これにより、被加工物がエキスパンドテープを介して環状フレームによって支持されたフレームユニットが得られる。そして、環状フレームを固定した状態でエキスパンドテープの中央部を押し上げることにより、エキスパンドテープが引っ張られて拡張し、被加工物にはエキスパンドテープの拡張方向に沿った外力が付与される。
上記のエキスパンドテープの押し上げ量は、被加工物のサイズや形状、分割予定ラインの数など種々の条件を考慮し、被加工物が適切に分割されるように設定される。ただし、このエキスパンドテープの押し上げ量は、被加工物がエキスパンドテープの所定の位置(例えばエキスパンドテープの中心)に貼着されていることを前提に決定される。そのため、被加工物がエキスパンドテープに貼着される位置がずれていると、被加工物の全体に意図した外力が付与されず、被加工物が適切に分割されない場合がある。
また、近年のデバイスチップの小型化に伴い、被加工物に含まれる分割予定ラインの本数も増加している。被加工物に含まれる分割予定ラインの数が多いと、エキスパンドテープを拡張した際、個々の分割予定ラインに被加工物を分断する隙間が形成されにくい。また、エキスパンドテープの拡張量には限界があり、分割予定ラインの増加に合わせてエキスパンドテープの拡張量を増やすことも困難である。そのため、分割予定ラインの本数が増加するほど被加工物は分割されにくくなる。
上記のように分割予定ラインの数が多く分割されにくい被加工物を分割する際、被加工物の貼着位置にずれがあり被加工物に意図した外力が付与されないと、被加工物の適切な分割がますます困難になり、被加工物に多数の未分割領域が残る可能性がある。このように、分割予定ラインの数が多い被加工物を分割する際には被加工物の位置ずれの影響がより深刻となる。
本発明はかかる問題に鑑みてなされたものであり、被加工物のエキスパンドテープに対する位置ずれがあっても、被加工物を適切に分割することが可能なテープ拡張装置を提供することを課題とする。
本発明の一態様によれば、分割予定ラインに沿って分割起点が形成された被加工物がエキスパンドテープを介して環状フレームに支持されたフレームユニットの該エキスパンドテープを拡張するテープ拡張装置であって、該環状フレームを保持するフレーム保持部と、該フレーム保持部に囲繞され、該エキスパンドテープを介して該被加工物を保持する保持面を有するチャックテーブルと、該チャックテーブルと該フレーム保持部とを該保持面と垂直な方向に相対的に移動させる移動ユニットと、複数の該フレームユニットを収容するカセットが載置されるカセット載置台と、該カセット載置台に載置された該カセットから搬出された該フレームユニットが仮置きされる仮置き領域と、該仮置き領域に仮置きされた該フレームユニットを該チャックテーブルに搬送する搬送ユニットと、該被加工物の該保持面に対する位置を調整する位置調整ユニットと、を備え、該位置調整ユニットは、該仮置き領域に仮置きされ、又は該保持面で保持された該被加工物の位置を検出する位置検出ユニットと、該フレーム保持部に保持される該フレームユニットの該環状フレームの外周部と接触する突き当て部、及び、位置検出ユニットによって検出された該被加工物の位置に応じて該突き当て部を移動させる移動機構を備える位置制御ユニットと、を備えるテープ拡張装置が提供される。
また、本発明の一態様において、該位置検出ユニットは、該被加工物の外周縁を撮影するカメラユニットであってもよい。
また、本発明の一態様において、該テープ拡張装置は、該エキスパンドテープの該環状フレーム及び該被加工物と重畳しない領域を加熱して収縮させることにより、該領域に生じた該エキスパンドテープの弛みを除去する加熱ユニットを更に備えていてもよい。
また、本発明の一態様において、該テープ拡張装置は、該フレーム保持部及び該チャックテーブルを収容する冷却チャンバーと、該冷却チャンバーに冷気を供給する冷気供給ユニットとを更に備え、該エキスパンドテープは、ダイアタッチフィルムを介して該被加工物に貼着されていてもよい。
本発明の一態様に係るテープ拡張装置は、被加工物の位置を検出し、検出された被加工物の位置に応じてフレームユニットの位置を調整する位置調整ユニットを備える。これにより、被加工物をチャックテーブル上の適切な位置に配置でき、エキスパンドテープの拡張によって被加工物を確実に分割することが可能となる。
テープ拡張装置を示す斜視図である。 図2(A)はフレームユニットを示す平面図であり、図2(B)はフレームユニットを示す断面図である。 テープ拡張ユニットを示す斜視図である。 位置制御ユニットを示す斜視図である。 フレームユニットを示す断面図である。
以下、添付図面を参照して本発明の実施形態を説明する。本実施形態は、半導体ウェーハに代表される板状の被加工物に貼着された拡張可能なテープ(エキスパンドテープ)を拡張するテープ貼着装置に関する。本実施形態に係るテープ貼着装置の構成例を、図1を参照して説明する。
図1は、テープ貼着装置2の構成例を示す斜視図である。テープ貼着装置2は、テープ貼着装置2を構成する各構成要素が搭載される基台4を備える。基台4の上面の前方側には、鉛直方向(Z軸方向)に沿って昇降するカセット載置台6が設けられており、カセット載置台6上には、被加工物が環状フレームによって支持されたフレームユニット11を収容するカセット8が搭載される。
カセット8に収容されるフレームユニット11の構成例を、図2を参照して説明する。図2(A)はフレームユニット11を示す平面図であり、図2(B)はフレームユニット11を示す断面図である。フレームユニット11は、被加工物13がエキスパンドテープ21を介して環状フレーム23によって支持されることによって構成される。
被加工物13は、シリコン等の材料によって円盤状に形成され、表面13a及び裏面13bを有する。被加工物13は、互いに交差するように格子状に配列された複数の分割予定ライン(ストリート)15によって複数の領域に区画されており、この複数の領域の表面13a側にはそれぞれIC(Integrated Circuit)、LSI(Large Scale Integration)等で構成されるデバイス17が形成されている。分割予定ライン15に沿って被加工物13を分割することにより、デバイス17をそれぞれ含む複数のデバイスチップが得られる。
なお、本実施形態ではシリコン等の材料でなる円盤状の被加工物13を用いるが、被加工物13の材質、形状、構造、大きさ等に制限はない。例えば、シリコン以外の半導体(GaAs、InP、GaN、SiC等)、ガラス、セラミックス、樹脂、金属等の材料でなるウェーハを用いることもできる。また、デバイス17の種類、数量、形状、構造、大きさ、配置等にも制限はない。
図2(B)に示すように、被加工物13の裏面13b側は、被加工物13よりも径の大きい円形のエキスパンドテープ21の中央部に貼着される。また、エキスパンドテープ21の外周部は、中央部に円形の開口23aを備える環状フレーム23に貼着される。これにより、被加工物13はエキスパンドテープ21を介して環状フレーム23に支持される。
エキスパンドテープ21は、外力の付与によって拡張可能な粘着テープである。例えばエキスパンドテープ21は、常温で伸縮性を有し所定の温度(例えば70℃)以上に加熱されると収縮する性質を有する基材と、基材の表面に形成された粘着層とによって構成される。基材としては、例えばポリ塩化ビニル、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリオレフィン等の合成樹脂シートを用いることができる。また、粘着層としては、紫外線の照射により硬化する紫外線硬化型の樹脂を用いることができる。
被加工物13には、分割予定ライン15に沿って分割起点が形成されている。この分割起点は、被加工物13の他の領域と比較して脆く、後の工程で被加工物13に外力が付与された際に被加工物13が分割される起点(きっかけ)となる領域である。なお、分割起点は分割予定ライン15に沿って線状に形成されてもよいし、分割予定ライン15に沿って点在していてもよい。
分割起点は、例えばレーザービームの照射によって形成できる。被加工物13に対して透過性を有する波長のレーザービームを被加工物13の内部で集光させると、被加工物13の内部には強度が低下した改質層が形成される。この改質層が分割予定ライン15に沿って形成された被加工物13に外力を付与すると、改質層が分割起点となって被加工物13の分割が進行し、被加工物が分割予定ライン15に沿って分割される。
また、分割起点は、被加工物13を切削することによっても形成できる。被加工物13の切削には、被加工物13を保持可能なチャックテーブルと、円環状の切削ブレードが装着されたスピンドルとを備えた切削装置を用いることができる。チャックテーブルによって被加工物13を保持した状態で切削ブレードを回転させ、分割予定ライン15に沿って切削ブレードを被加工物13の表面13a側から切り込ませることにより、被加工物13に直線状の溝が形成される。この溝が、被加工物13を分割する際の分割起点となる。
上記のような分割起点が形成された被加工物13がエキスパンドテープ21に貼着された状態で、エキスパンドテープ21を引っ張って拡張すると、分割起点を起点として被加工物13が分割予定ライン15に沿って分割される。
図1に示すカセット8には、例えば上記のフレームユニット11が収容される。そして、複数のフレームユニット11が収容されたカセット8がカセット載置台6上に搭載される。
カセット載置台6の近傍には、フレームユニット11を搬送する第1搬送ユニット10が設けられている。カセット8に収容されたフレームユニット11は、第1搬送ユニット10によってカセット8から搬出される。第1搬送ユニット10は例えば、フレームユニット11の環状フレーム23を把持するクランプを備え、フレームユニット11を把持した状態でY軸方向に沿って移動することによりフレームユニット11を搬送する。
カセット載置台6の後方には、フレームユニット11が仮置きされる第1仮置き領域12が確保されており、第1仮置き領域12にはフレームユニット11の位置合わせを行う第1仮置きユニット14が設けられている。
第1仮置きユニット14は、Y軸方向に沿って概ね平行に配置された一対の第1ガイドレール14a,14bによって構成される。第1ガイドレール14a,14bは、X軸方向に沿って互いに接近、離隔するように移動する。また、第1ガイドレール14a,14bはそれぞれ、フレームユニット11を支持する概ね水平な支持面と、支持面に対して概ね垂直な挟持面とを備える。
第1搬送ユニット10によってカセット8から引き出されたフレームユニット11は、第1ガイドレール14a,14b上に搬送され、第1ガイドレール14a,14bの支持面によって支持される。そして、第1ガイドレール14a,14bがX軸方向に沿って互いに接近することにより、フレームユニット11が第1ガイドレール14a,14bの挟持面によって挟み込まれ、フレームユニット11の位置合わせが行われる。
第1仮置き領域12の近傍には、フレームユニット11を搬送する第2搬送ユニット16が設けられている。第2搬送ユニット16は、鉛直方向に移動するとともに水平面内で旋回するアーム18と、アーム18の先端に装着された負圧吸着式の吸着パッド20とを備える。吸着パッド20によってフレームユニット11の環状フレーム23を吸引保持した状態でアーム18を旋回させると、フレームユニット11が所定の位置まで搬送される。
また、第1仮置き領域12に隣接する位置には、フレームユニット11が仮置きされる第2仮置き領域22が確保されている。第2仮置き領域22にはフレームユニット11の位置合わせを行う第2仮置きユニット24が設けられており、第2仮置きユニット24は一対の第2ガイドレール24a,24bによって構成されている。なお、第2ガイドレール24a,24bの構成及び機能は第1ガイドレール14a,14bと同様である。
第1ガイドレール14a,14b上に配置されたフレームユニット11は、第2搬送ユニット16によって第2ガイドレール24a,24b上に搬送され、第2ガイドレール24a,24bの支持面によって支持される。そして、第2ガイドレール24a,24bがX軸方向に沿って互いに接近することにより、フレームユニット11が第2ガイドレール24a,24bの挟持面によって挟み込まれ、フレームユニット11の位置合わせが行われる。
第2仮置き領域22の近傍には、フレームユニット11を搬送する第3搬送ユニット26が設けられている。第3搬送ユニット26は例えば、フレームユニット11の環状フレーム23を把持するクランプを備え、フレームユニット11を把持した状態でY軸方向に沿って移動することによりフレームユニット11を搬送する。
第2仮置き領域22の前方には、被加工物13に貼着されたエキスパンドテープ21(図2参照)を拡張するテープ拡張ユニット28が配置されている。第2ガイドレール24a,24b上に配置されたフレームユニット11は、第3搬送ユニット26によってテープ拡張ユニット28へと搬送される。そして、テープ拡張ユニット28によって被加工物13に貼着されたエキスパンドテープ21が拡張される。これにより、被加工物13に対してエキスパンドテープ21の拡張方向に沿った外力が付与され、被加工物13が分割予定ライン15に沿って分割される。
テープ拡張ユニット28の構成例について、図3を参照して説明する。図3は、テープ拡張ユニット28を示す斜視図である。テープ拡張ユニット28は、柱状に形成された4組の支持構造52を備え、これらの支持構造52の上端部にはフレームユニット11の環状フレーム23を支持する支持テーブル54が固定されている。支持構造52は、例えばピストンロッド等によって構成され、支持テーブル54を鉛直方向に移動させる機能を備える。
支持テーブル54は、上面54a及び下面54bを備え、平面視で概ね正方形状に形成されている。また、支持テーブル54の中央部には、支持テーブル54を上面54aから下面54bに貫通する円形の開口54cが形成されている。この開口54cの形状は、被加工物13を支持する環状フレーム23の開口23a(図2参照)の形状に対応しており、例えば開口54cは開口23aと概ね同径に形成される。
支持テーブル54の上方には、支持テーブル54によって支持された環状フレーム23を上側から固定する固定プレート56が設けられている。固定プレート56は平面視で概ね正方形状に形成されており、固定プレート56の中央部には、固定プレート56を上下に貫通する円形の開口56aが形成されている。この開口56aの形状は、支持テーブル54の開口54cの形状に対応しており、例えば開口56aは開口54cと概ね同径に形成される。
支持テーブル54の上面54aに環状フレーム23が接するようにフレームユニット11を配置すると、支持テーブル54によって環状フレーム23が支持される。この状態で支持テーブル54と固定プレート56とを鉛直方向に沿って相対的に移動させ、支持テーブル54の上面54aを覆うように固定プレート56を配置すると、環状フレーム23が支持テーブル54と固定プレート56とによって挟まれて固定される。このように、支持テーブル54と固定プレート56とによって、フレームユニット11の環状フレーム23を保持するフレーム保持部50が構成される。
なお、固定プレート56は第2仮置き領域22(図1参照)の下方の空間に収容される。フレームユニット11をフレーム保持部50によって保持する際、固定プレート56は該空間から移動し、支持テーブル54の上方に位置付けられる。
フレームユニット11の被加工物13は、支持テーブル54の開口54c及び固定プレート56の開口56aと重畳するように配置される。そのため、フレーム保持部50によって環状フレーム23を固定しても、支持テーブル54及び固定プレート56は被加工物13と接触しない。
4組の支持構造52の内側には、シリンダケース62と、下端側がシリンダケース62に挿入されたピストンロッド64とを備える移動ユニット60が設けられている。ピストンロッド64は、鉛直方向(上下方向)に移動可能な態様でシリンダケース64に支持されている。
また、ピストンロッド64の上端側には、フレームユニット11の被加工物13(図2参照)を保持する円盤状のチャックテーブル66が固定されている。このチャックテーブル66の上面は、被加工物13を保持する保持面66aを構成する。保持面66aは概ね水平に形成されており、チャックテーブル66の内部に設けられた吸引路(不図示)等を介してエジェクタ等の吸引源(不図示)に接続されている。図1に示す第2仮置き領域22に仮置きされたフレームユニット11は、第3搬送ユニット26によってチャックテーブル66の保持面66a上に搬送される。
なお、チャックテーブル66の径は、支持テーブル54の開口54c及び固定プレート56の開口56aの径よりも小さく、チャックテーブル66は開口54c及び開口56aと重畳する位置に配置されている。また、チャックテーブル66は、保持面66aと支持テーブル54の上面54aとが概ね同じ高さとなる初期位置に配置され、フレーム保持部50に囲繞されている。
フレームユニット11の環状フレーム23を支持テーブル54と固定プレート56とで挟んだ状態で移動ユニット60のピストンロッド64を上側に移動させると、チャックテーブル66が開口54c及び開口56aの内部を通じて固定プレート56の上側から突出するように上昇する。つまり、フレーム保持部50とチャックテーブル66の保持面66aとが、保持面66aと垂直な方向(鉛直方向)に相対的に離隔するように移動する。
上記のテープ拡張ユニット28によって、フレームユニット11のエキスパンドテープ21が拡張され、分割起点が形成された被加工物13が分割予定ライン15に沿って分割される。以下、テープ拡張ユニット28の動作の具体例について説明する。
まず、第2仮置き領域22(図1参照)に仮置きされたフレームユニット11を、第3搬送ユニット26によって支持テーブル54及びチャックテーブル66上に配置する。具体的には、被加工物13がエキスパンドテープ21を介してチャックテーブル66の保持面66aに支持され、環状フレーム23が支持テーブル54の上面54aによって支持されるようにフレームユニット11を配置する。
このとき、エキスパンドテープ21のうち被加工物13及び環状フレーム23と重畳しない領域(図2(B)における領域21a)の少なくとも一部は、チャックテーブル66の保持面66aと支持テーブル54の上面54aとの間に位置する環状の隙間と重畳するように配置される。
次に、支持テーブル54と固定プレート56とを鉛直方向に沿って相対的に移動させ、固定プレート56を環状フレーム23に押し付ける。その結果、環状フレーム23は支持テーブル54と固定プレート56とによって挟まれ、フレーム保持部50によって保持される。
フレーム保持部50で環状フレーム23を保持した状態で、移動ユニット60のピストンロッド64を上昇させ、チャックテーブル66を上昇させる。これによりチャックテーブル66は、固定プレート56の開口56aから上側に突出するように移動する。
このとき、エキスパンドテープ21にはその中心から外周部に向かう方向に外力が付与され、エキスパンドテープ21が拡張する。また、エキスパンドテープ21の拡張によって、エキスパンドテープ21に貼着された被加工物13には、被加工物13の径方向外側に向かう方向に外力が付与される。その結果、被加工物13は分割予定ライン15に沿って形成された分割起点を起点として分割される。
その後、チャックテーブル66を下降させ、初期位置まで移動させる。なお、チャックテーブル66を下降させる際、チャックテーブル66の保持面66aに吸引源の負圧を作用させ、エキスパンドテープ21を介して被加工物13をチャックテーブル66によって吸引保持することにより、分割された被加工物13の配置の変動を防止できる。
エキスパンドテープ21を拡張させる際のチャックテーブル66の上昇距離は、チャックテーブル66の保持面66aの中心位置と被加工物13の中心位置とが一致していることを前提として、被加工物13の全体に適切な外力が付与されるように設定されている。そのため、チャックテーブル66によって保持された被加工物13の位置がずれていると、エキスパンドテープ21を拡張した際に被加工物13に意図した外力が付与されず、被加工物13の分割が不完全になることがある。
例えば、被加工物13のエキスパンドテープ21に対する貼着位置がずれている場合、環状フレーム23を支持テーブル54の上面54aの適切な位置に配置しても、被加工物13のチャックテーブル66に対する位置のずれが生じる。この状態でチャックテーブル66を上昇させると、被加工物13に付与される外力に誤差が生じ、被加工物13が適切に分割されない領域(未分割領域)が残される恐れがある。この未分割領域は、分割予定ライン15の本数が多い被加工物13では特に生じやすい。
本実施形態に係るテープ拡張ユニット28は、被加工物13の位置を検出し、検出された被加工物13の位置に応じてフレームユニット11の位置を調整する位置調整ユニットを備える。これにより、被加工物13をチャックテーブル66上の適切な位置に配置でき、エキスパンドテープ21の拡張によって被加工物13を確実に分割することが可能となる。
図3に示すように、テープ拡張ユニット28は、チャックテーブル66の保持面66aに対する被加工物13の位置を調整する位置調整ユニット70を備える。位置調整ユニット70は、チャックテーブル66の保持面66aで保持された被加工物13の位置を検出する位置検出ユニット72と、環状フレーム23の外周部と接触してフレームユニット11の位置を制御する位置制御ユニット74とを備える。
位置検出ユニット72は、チャックテーブル66の上方に配置されており、チャックテーブル66によって保持された被加工物13の水平方向における位置を検出する。位置検出ユニット72は、被加工物13を撮影可能なカメラを備えたカメラユニット等によって構成され、例えば被加工物13の外周縁を撮影する。なお、位置検出ユニット72は移動機構(不図示)と接続されており、この移動機構によって位置検出ユニット72の水平方向及び鉛直方向における位置が制御される。
また、支持テーブル54には4組の位置制御ユニット74が装着されている。図4は、位置制御ユニット74を示す斜視図である。位置制御ユニット74は、上面視でL字状に形成された基台76と、基台76の位置を制御するボールネジ式の移動機構78とを備える。
移動機構78は、基台76に螺合されたボールねじ80と、ボールねじ80の端部に接続されたパルスモータ82とを備える。パルスモータ82によってボールねじ80を回転させると、基台76がボールねじ80の長さ方向(矢印Aで示す方向)に沿って移動する。
また、基台76には棒状の支持部84が固定されている。支持部84は、その長さ方向がボールねじ80の長さ方向(矢印Aで示す方向)と垂直な方向に沿うように配置されている。この支持部84の上面側には、2本の円柱状の突き当て部86が支持部84の長さ方向に沿って配列されている。突き当て部86は、その長さ方向が鉛直方向に沿うように支持部84に固定されている。なお、突き当て部86の長さは、支持テーブル54(図3参照)の厚さよりも大きい。
移動機構78によって基台76を移動させると、基台76に連動して突き当て部86がボールねじ80の長さ方向(矢印Aで示す方向)に沿って移動する。つまり、パルスモータ82によってボールねじ80の回転を制御することにより、突き当て部86を任意の位置に移動させることができる。
また、図3に示すように支持テーブル54には、支持テーブル54を上面54aから下面54bに貫通する長孔88a,88bが設けられている。なお、長孔88aと長孔88bとの間隔は、位置制御ユニット74が備える2本の突き当て部86の間隔と概ね等しい。また、長孔88a,88bの長手方向における長さは突き当て部86の径よりも大きく、長孔88a,88bの長手方向と垂直な方向における長さは突き当て部86の径と概ね等しい。
位置制御ユニット74は、支持テーブル54の下面54b側に装着される。位置制御ユニット74が支持テーブル54に装着されると、2本の突き当て部86の一方が長孔88aに、他方が長孔88bにそれぞれ挿入され、突き当て部86はそれぞれ先端が支持テーブル54の上面54aから上側に突出するように配置される。
図3に示すテープ拡張ユニット28では、支持テーブル54の上面54aの4辺に沿って4組の長孔88a,88bが、開口54cを囲むように形成されている。また、支持テーブル54の下面54b側に4組の位置制御ユニット74が装着されており(不図示)、位置制御ユニット74が備える2本の突き当て部86がそれぞれ長孔88a,88bに挿入されている。
支持テーブル54及びチャックテーブル66上にフレームユニット11を配置した状態で、パルスモータ82によってボールねじ80を回転させると、突き当て部86は長孔88a,88bの長手方向に沿って移動して環状フレーム23の外周部と接触し、フレームユニット11を押す。これにより、フレームユニット11の水平方向における位置が調整される。
なお、位置検出ユニット72及び位置制御ユニット74は、これらの動作を制御する制御部(不図示)と接続されており、位置検出ユニット72によって検出された被加工物13の位置に関する情報は制御部に入力される。そして、制御部は検出された被加工物13の位置に基づき、被加工物13が適切な位置に配置されるように4組の位置制御ユニット74がそれぞれ備える移動機構78の動作を制御する。
その結果、突き当て部86の位置が移動機構78によって制御され、被加工物13の位置が調整される。移動機構78は例えば、被加工物13の中心位置とチャックテーブル66の保持面66aの中心位置とが一致する位置にフレームユニット11が配置されるように、突き当て部86を移動させる。
このように、被加工物13の位置を位置検出ユニット72によって直接的に検出し、検出された被加工物13の位置に基づいてフレームユニット11の位置を調整することにより、例えば被加工物13のエキスパンドテープ21に対する貼着位置がずれていても、被加工物13の位置を正確に調整できる。
なお、支持テーブル54の上方に設けられた固定プレート56には、支持テーブル54に形成された長孔88a,88bに対応する位置に、固定プレート56を上下に貫通する一対の長孔90a,90bが設けられている。長孔90a,90bは、長孔88a,88bと同様の寸法で形成されている。
固定プレート56と支持テーブル54とを接近させると、支持テーブル54の上面54aから上側に突出した突き当て部86の先端が長孔90a,90bに挿入される。そのため、環状フレーム23が支持テーブル54と固定プレート56によって挟まれた状態でも、突き当て部86の移動が妨げられることはない。
そして、突き当て部86によってフレームユニット11の位置を調整した後、支持テーブル54と固定プレート56とによって環状フレーム23を保持してエキスパンドテープ21を拡張する。これにより、被加工物13に適切な外力を付与し、被加工物13を確実に分割できる。
なお、図3では位置検出ユニット72がチャックテーブル66の上方に設けられた例について説明したが、位置検出ユニット72は図1に示す第2仮置き領域22の上方に設けられていてもよい。この場合、位置検出ユニット72は第2仮置き領域22に仮置きされた被加工物13の位置を検出する。
第3搬送ユニット26がフレームユニット11をチャックテーブル66に搬送する際の移動距離は、予め所定の値に決められている。そのため、搬送前に第2仮置き領域22に仮置きされた被加工物13の位置情報を検出しておけば、該位置情報と第3搬送ユニット26の移動距離とに基づいて、フレームユニット11がチャックテーブル66上に搬送された後の被加工物13の位置を算出できる。そして、算出された被加工物13の位置に応じて、位置制御ユニット74がフレームユニット11の位置を調整する。
上記のように、本実施形態に係るテープ拡張ユニット28は、被加工物13の位置を検出し、検出された被加工物13の位置に応じてフレームユニット11の位置を調整する位置調整ユニット70を備える。これにより、被加工物13をチャックテーブル66上の適切な位置に配置でき、エキスパンドテープ21の拡張によって被加工物13を確実に分割することが可能となる。
なお、チャックテーブル66を上昇させてエキスパンドテープ21を拡張した後、チャックテーブル66を下降させて元の位置に戻すと、エキスパンドテープ21の伸びによって特に領域21a(図2(B)参照)の周辺で弛みが生じる。この弛みはフレームユニット11の搬送時におけるデバイスチップ同士の接触などの原因となるため、解消されることが好ましい。
図1に示すように、テープ拡張ユニット28の上方にはテープ拡張ユニット28によって拡張されたエキスパンドテープ21を加熱して収縮させる加熱ユニット30が配置されている。加熱ユニット30はヒータ等によって構成され、被加工物13に貼着されたエキスパンドテープ21を加熱する機能を備える。
具体的には、加熱ユニット30はロッド100の下端に固定された円盤状のフランジ部102と、フランジ部102の下面側にフランジ部102の外周に沿って固定された環状の加熱体104とを備える。
フランジ部102は、チャックテーブル66と支持テーブル54との間に位置する環状の隙間と概ね同径に形成されており、チャックテーブル66と重畳するように配置されている。また、加熱体104は例えば、赤外線を下方に向けて照射して対称物を加熱するように構成される。
支持テーブル54及びチャックテーブル66上に配置されたフレームユニット11に加熱ユニット30を接近させると、被加工物13及び環状フレーム23と重畳しないエキスパンドテープ21の領域21a(図2(B)参照)の近傍に加熱体104が配置される。この状態で加熱体104を発熱させ、エキスパンドテープ21を加熱する。これにより、エキスパンドテープ21の特に領域21aの周辺が加熱されて収縮し、テープ拡張ユニット28による拡張で生じたエキスパンドテープ21の弛みが解消される。
第2仮置き領域22の後方には冷却チャンバー32が設けられている。テープ拡張装置2は、この冷却チャンバー32の内部にも図3に示すテープ拡張ユニット28を有する。冷却チャンバー32の内部に設けられたテープ貼着ユニット28は、ダイアタッチフィルム(DAF)が貼着された被加工物13の分割に用いられる。
図5は、被加工物13にダイアタッチフィルム(DAF)19が貼着されたフレームユニット11を示す断面図である。図5に示すように、被加工物13の裏面13b側には、樹脂等の材料でなり被加工物13と概ね同径に形成された円形のDAF19が貼着されていてもよい。
DAF19は、表面19aが被加工物13の裏面13bと接し、裏面19b側がエキスパンドテープ21の中央部と接するように貼着される。DAF19は、被加工物13を複数のデバイスチップに分割した後、デバイスチップを所定の対象物に固着させる際の接着層として機能する。
被加工物13にDAFが貼着されたフレームユニット11は、第3搬送ユニット26によって第2仮置き領域22から冷却チャンバー32の内部に設けられたテープ拡張ユニット28へと搬送される。そして、テープ拡張ユニット28によってエキスパンドテープ21を引っ張って拡張すると、被加工物13及びDAF19が分割予定ライン15(図2(A)参照)に沿って分割される。これにより、DAF19の一片がそれぞれ付着した複数のデバイスチップが得られる。
DAF19を備えたフレームユニット11のエキスパンドテープ21を拡張する際には、DAF19を冷却することによって硬化させ、DAF19を容易に破断可能な状態とすることが好ましい。DAF19の冷却は、図1に示す冷却チャンバー32に冷気を供給することによって行うことができる。
冷却チャンバー32には、冷却チャンバー32の内部に冷却されたドライエアー等の冷気を導入する冷気供給ユニット(不図示)が接続されている。冷気供給ユニットは例えば、冷気の供給源と、該供給源と冷却チャンバー32の内部とをつなぐ配管とを備える。冷気の供給源は例えば、高分子材料でなる中空糸膜(高分子分離膜)を通じて水分が除去されたエアー(ドライエアー)を熱交換等の方法で−20℃以上−10℃以下程度に冷却して冷気を生成する。この冷気が、配管を介して冷却チャンバー32の内部に供給される。
冷却チャンバー32の内部に設置されたテープ拡張ユニット28によってフレームユニット11が保持された状態で、冷気供給ユニットによって冷却チャンバー32の内部の処理空間に冷気を導入する。これにより、冷却チャンバー32の内部の処理空間が冷却されてDAF19が硬化し、エキスパンドテープ21を拡張した際にDAF19が破断しやすくなる。
そして、DAF19が冷却された状態で、エキスパンドテープ21をテープ拡張ユニット28によって拡張し、被加工物13及びDAF19を分割する。なお、DAF19が貼着された被加工物13を分割する際には、エキスパンドテープ21の拡張量が比較的小さく、エキスパンドテープ21の弛みは生じにくい。そのため、冷却チャンバー32の内部には加熱ユニット30が設置されていなくてもよい。
そして、テープ拡張ユニット28によって被加工物13が分割されたフレームユニット11は、第2搬送ユニット16によって第1仮置き領域12に設けられた洗浄ユニット34に搬送される。
洗浄ユニット34は、回転駆動機構(不図示)の動力によって回転する円盤状のスピンナテーブル36を備えている。スピンナテーブル36の上面は、フレームユニット11の被加工物13を保持する保持面を構成する。この保持面は概ね水平に形成されており、スピンナテーブル36の内部に設けられた吸引路(不図示)等を介してエジェクタ等の吸引源(不図示)に接続されている。
また、スピンナテーブル36の外周部には、フレームユニット11の環状フレーム23を把持する複数のクランプ38が設けられている。フレームユニット11が洗浄ユニット34に搬送されると、環状フレーム23が複数のクランプ38によって把持されるとともに、被加工物13がエキスパンドテープ21を介してスピンナテーブル36に吸引保持される。
また、洗浄ユニット34は、スピンナテーブル36によって保持された被加工物13に、洗浄水および乾燥エアーを噴出する噴出部(不図示)を有する。被加工物13を洗浄する際は、被加工物13を吸引保持したスピンナテーブル36を所定の速度で回転させるとともに、上記の噴出部から被加工物13に向かって純水等の洗浄水を噴出させる。これにより、被加工物13に付着した加工屑等が洗い流される。
洗浄が完了すると、噴出部からの洗浄水の供給が停止される。そして、スピンナテーブル36の回転が維持されたまま、噴出部から被加工物13に向かって乾燥エアーが吹き付けられる。これにより、被加工物13に付着した洗浄液が吹き飛ばされ、被加工物13の乾燥処理が行われる。被加工物13の洗浄及び乾燥が完了すると、フレームユニット11は第2搬送ユニット16によって第1ガイドレール14a,14b上に載置される。
また、第1仮置き領域12の後方にはチャンバー40が設けられており、このチャンバー40の内部にはフレームユニット11に紫外線を照射するUV照射ユニットが配置されている。洗浄ユニット34から第1ガイドレール14a,14b上に搬送されたフレームユニット11は、第1搬送ユニット10によってUV照射ユニットに搬送される。
UV照射ユニットは、第1搬送ユニット10によって搬送されたフレームユニット11を支持する支持テーブル(不図示)と、支持テーブルに支持されたフレームユニット11のエキスパンドテープ21に紫外線を照射するUVランプ(不図示)とを備える。エキスパンドテープ21の粘着層は紫外線硬化型の樹脂によって構成されており、UVランプからエキスパンドテープ21に紫外線が照射されると、エキスパンドテープ21の粘着層が硬化する。
このように、エキスパンドテープ21の粘着層を硬化させることにより、被加工物13の分割によって得られたデバイスチップをエキスパンドテープ21から剥離させやすくなる。そのため、後の工程でデバイスチップをエキスパンドテープ21から剥離して所定の対象物に固着させるボンディング作業を円滑に行うことができる。
UV照射ユニットによる紫外線の照射が完了すると、フレームユニット11は第1搬送ユニット10によって第1ガイドレール14a,14b上に載置される。その後、フレームユニット11は第1搬送ユニット10によってカセット8に収納される。
以上のように、本実施形態に係るテープ貼着装置2は、被加工物13に貼着されたエキスパンドテープ21を拡張するテープ拡張ユニット28を備える。そして、テープ拡張ユニット28は、被加工物13の位置を検出し、検出された被加工物13の位置に応じてフレームユニット11の位置を調整する位置調整ユニット70を備える。これにより、被加工物13をチャックテーブル66上の適切な位置に配置でき、エキスパンドテープ21の拡張によって被加工物13を確実に分割することが可能となる。
その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。
11 フレームユニット
13 被加工物
13a 表面
13b 裏面
15 分割予定ライン
17 デバイス
19 ダイアタッチフィルム(DAF)
21 エキスパンドテープ
21a 領域
23 環状フレーム
23a 開口
2 テープ拡張装置
4 基台
6 カセット載置台
8 カセット
10 第1搬送ユニット
12 第1仮置き領域
14 第1仮置きユニット
14a,14b 第1ガイドレール
16 第2搬送ユニット
18 アーム
20 吸着パッド
22 第2仮置き領域
24 第2仮置きユニット
24a,24b 第2ガイドレール
26 第3搬送ユニット
28 テープ拡張ユニット
30 加熱ユニット
32 冷却チャンバー
34 洗浄ユニット
36 スピンナテーブル
38 クランプ
40 チャンバー
50 フレーム保持部
52 支持構造
54 支持テーブル
54a 上面
54b 下面
54c 開口
56 固定プレート
56a 開口
60 移動ユニット
62 シリンダケース
64 ピストンロッド
66 チャックテーブル
66a 保持面
70 位置調整ユニット
72 位置検出ユニット
74 位置制御ユニット
76 基台
78 移動機構
80 ボールねじ
82 パルスモータ
84 支持部
86 突き当て部
88a,88b 長孔
90a,90b 長孔
100 ロッド
102 フランジ部
104 加熱体

Claims (4)

  1. 分割予定ラインに沿って分割起点が形成された被加工物がエキスパンドテープを介して環状フレームに支持されたフレームユニットの該エキスパンドテープを拡張するテープ拡張装置であって、
    該環状フレームを保持するフレーム保持部と、
    該フレーム保持部に囲繞され、該エキスパンドテープを介して該被加工物を保持する保持面を有するチャックテーブルと、
    該チャックテーブルと該フレーム保持部とを該保持面と垂直な方向に相対的に移動させる移動ユニットと、
    複数の該フレームユニットを収容するカセットが載置されるカセット載置台と、
    該カセット載置台に載置された該カセットから搬出された該フレームユニットが仮置きされる仮置き領域と、
    該仮置き領域に仮置きされた該フレームユニットを該チャックテーブルに搬送する搬送ユニットと、
    該被加工物の該保持面に対する位置を調整する位置調整ユニットと、を備え、
    該位置調整ユニットは、
    該仮置き領域に仮置きされ、又は該保持面で保持された該被加工物の位置を検出する位置検出ユニットと、
    該フレーム保持部に保持される該フレームユニットの該環状フレームの外周部と接触する突き当て部、及び、位置検出ユニットによって検出された該被加工物の位置に応じて該突き当て部を移動させる移動機構を備える位置制御ユニットと、を備えることを特徴とするテープ拡張装置。
  2. 該位置検出ユニットは、該被加工物の外周縁を撮影するカメラユニットであることを特徴とする請求項1記載のテープ拡張装置。
  3. 該エキスパンドテープの該環状フレーム及び該被加工物と重畳しない領域を加熱して収縮させることにより、該領域に生じた該エキスパンドテープの弛みを除去する加熱ユニットを更に備えることを特徴とする請求項1又は2記載のテープ拡張装置。
  4. 該フレーム保持部及び該チャックテーブルを収容する冷却チャンバーと、該冷却チャンバーに冷気を供給する冷気供給ユニットとを更に備え、
    該エキスパンドテープは、ダイアタッチフィルムを介して該被加工物に貼着されていることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載のテープ拡張装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023209901A1 (ja) * 2022-04-27 2023-11-02 ヤマハ発動機株式会社 エキスパンド装置、半導体チップの製造方法および半導体チップ

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113510610A (zh) * 2021-07-30 2021-10-19 深圳市诺泰芯装备有限公司 一种晶圆盘自动上料及扩膜设备

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07211766A (ja) * 1994-01-14 1995-08-11 Disco Abrasive Syst Ltd 中心合わせ装置
JPH07306153A (ja) * 1994-05-12 1995-11-21 Olympus Optical Co Ltd 基板外観検査装置
JP2010034250A (ja) * 2008-07-29 2010-02-12 Disco Abrasive Syst Ltd テープ拡張装置
JP2011077482A (ja) * 2009-10-02 2011-04-14 Disco Abrasive Syst Ltd テープ拡張装置
JP2018067668A (ja) * 2016-10-20 2018-04-26 株式会社ディスコ シート拡張装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3408805B2 (ja) 2000-09-13 2003-05-19 浜松ホトニクス株式会社 切断起点領域形成方法及び加工対象物切断方法
JP4256214B2 (ja) * 2003-06-27 2009-04-22 株式会社ディスコ 板状物の分割装置
JP2006054246A (ja) * 2004-08-10 2006-02-23 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分離方法
JP5791866B2 (ja) * 2009-03-06 2015-10-07 株式会社ディスコ ワーク分割装置
JP4896236B2 (ja) * 2010-01-21 2012-03-14 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置及び基板搬送方法
JP6425435B2 (ja) * 2014-07-01 2018-11-21 株式会社ディスコ チップ間隔維持装置
JP6671794B2 (ja) * 2016-05-11 2020-03-25 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP6731793B2 (ja) * 2016-06-08 2020-07-29 株式会社ディスコ ウェーハ加工システム

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07211766A (ja) * 1994-01-14 1995-08-11 Disco Abrasive Syst Ltd 中心合わせ装置
JPH07306153A (ja) * 1994-05-12 1995-11-21 Olympus Optical Co Ltd 基板外観検査装置
JP2010034250A (ja) * 2008-07-29 2010-02-12 Disco Abrasive Syst Ltd テープ拡張装置
JP2011077482A (ja) * 2009-10-02 2011-04-14 Disco Abrasive Syst Ltd テープ拡張装置
JP2018067668A (ja) * 2016-10-20 2018-04-26 株式会社ディスコ シート拡張装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023209901A1 (ja) * 2022-04-27 2023-11-02 ヤマハ発動機株式会社 エキスパンド装置、半導体チップの製造方法および半導体チップ

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