JP2019212836A - 窒化物半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
3:基板
4:ドリフト層
5:ボディ領域
6:ソース領域
7、7a、7b、7c、7d:トレンチ
8:底部p型領域
13:ゲート絶縁膜
14:ゲート電極
15:ソース電極
16:ボディ電極
17:ドレイン電極
21:AlN層
22:AlN保護層
TC:トレンチ底角部
Claims (4)
- 窒化物半導体装置の製造方法であり、
基板の上にn型の窒化物半導体層であるドリフト層を形成するドリフト層形成工程と、
前記ドリフト層の上にp型のボディ領域を形成するボディ領域形成工程と、
前記ボディ領域を二分するように前記ドリフト層に達するトレンチを形成するトレンチ形成工程と、
前記ボディ領域を800℃以上に加熱して前記トレンチの側面に露出している前記ボディ領域のp型の半導体物質を前記トレンチの底へ移動させるマストランスポート工程と、
アルカリ水溶液で前記トレンチの側面をエッチングして平坦化するアルカリエッチング工程と、
を備えている、窒化物半導体装置の製造方法。 - 前記ボディ領域形成工程と前記トレンチ形成工程の間に、前記ボディ領域の上に窒化アルミニウム層を形成するAlN層形成工程をさらに備えている、請求項1に記載の製造方法。
- 前記窒化アルミニウム層の上に、窒化物半導体層を形成するAlN保護層形成工程をさらに備えている、請求項2に記載の製造方法。
- 前記アルカリ水溶液は、水酸化テトラメチルアンモニウムを主成分として含んでいる、請求項1から3のいずれか1項に記載の製造方法。
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