JP2019204945A - 結合インダクタおよびスイッチング回路 - Google Patents

Abstract

【課題】小型であり、磁束漏れによる巻線での発熱の少ない結合インダクタを提供する。【解決手段】結合インダクタ１は、コア２と、互いに磁気結合した２つの巻線３１，３２とを有する。コア２には、一対のコア本体２１，２２と、コア本体２１，２２の間に配置された中央コア２３とが設けられる。コア本体２１，２２は、巻線３１，３２の内周に挿入される中芯部４と、中芯部４から巻線３１，３２の外周と対向する領域まで延びた外殻部５とを有する。一方のコア本体２１の中芯部４および外殻部５と、中央コア２３とでエアギャップのない第１磁束経路Ｍ１を形成し、他方のコア本体２２の中芯部４および外殻部５と中央コア２３とでエアギャップのない第２磁束経路Ｍ２を形成する。中央コア２３の初透磁率はコア本体２１，２２の初透磁率よりも小さくする。【選択図】図２

Description

本発明は、結合インダクタおよび当該結合インダクタを有するスイッチング回路に関する。

近年、蓄電池を内蔵した輸送機器（例えばハイブリッドカー、電気自動車、燃料電池車等）や電子機器（例えばスマートフォン、パーソナルコンピュータ等）の電力変換回路は高出力を維持した上で小型軽量化、すなわち高電力密度化が求められている。

高電力密度化を実現する回路方式としてインターリーブ方式が注目されている。インターリーブ方式は電源を複数系統に分けて各相に位相差を持たせ、リップルなどを互いに打ち消し合う制御方式である。例えば２相のインターリーブ方式では、電流位相に１８０°の位相差をもたせてリップルを相殺する。インターリーブ方式を採用することにより、出力平滑コンデンサの小型軽量化やリップルの低減を図ることができる。

その一方で、インターリーブ方式では、インダクタの部品点数が増加するため、高電力密度化には限界がある。そこで、インターリーブ方式に加えて、各相のインダクタを磁気的に結合して利用する結合インダクタを採用することが検討されている。結合インダクタを使用する事で以下の効果が期待される。

（１）従来のインターリーブ方式では並列化させた相数に等しい数のインダクタが増加することになるが、結合インダクタを用いることで、各相の巻線を単一の磁性体コアに集約させることができるため、部品点数の削減が可能となる。

（２）一般的にコアサイズはコア内の最大磁束が大きく関係するが、逆結合で磁気的に結合させた結合インダクタでは、巻線の直流電流から発生する直流磁束を互いに打ち消す一方で、並列化させた回路間で発生する交流磁束を共有できるため、コア内の磁束を低減でき、インダクタのサイズ低減を図ることができる。

以上に述べた結合インダクタの一例として、二つのＥ形状コアと、二つのＥ形状コアで挟まれ、二つのコイルが巻回されたＩ形状コアと、一方のＥ形状コアの中央脚とＩ形状コアとの間に設けられた第１ギャップと、他方のＥ形状コアの中央脚とＩ形状コアとの間に設けられた第２ギャップとを有する結合トランス（特許第５９３４００１号）が知られている。

特許第５９３４００１号公報

しかしながら、特許文献１に記載された結合トランスでは、エアギャップを有するため、磁束漏れが発生する。磁束漏れが生じることで、巻線に渦電流が発生し、巻線が発熱源となる問題がある。また、磁束漏れによりインダクタンスが低下して重畳特性が悪化することとなる。そのため、狙った動作（例えば昇圧）を行うためにインダクタを大型化する必要がある。近年では、インターリーブ回路のスイッチング周波数がさらに高周波となる傾向にあり、かかる問題点が顕在化している。

そこで、本発明は、小型であり、磁束漏れによる巻線での発熱の少ない結合インダクタを提供することを目的とする。

以上の課題を解決するため、本発明は、インターリーブ方式の２相のスイッチング回路に用いられ、コアと、互いに磁気結合した２つの巻線とを有する結合インダクタにおいて、前記コアが、一対のコア本体と、前記一対のコア本体の間に配置された中央コアとを有し、前記一対のコア本体のそれぞれが、前記巻線の内周に挿入される中芯部と、当該中芯部から前記巻線の外周と対向する領域まで延びた外殻部とを有し、前記一対のコア本体のうち、一方のコア本体の中芯部および外殻部と前記中央コアとでエアギャップのない第１磁束経路が形成されると共に、他方のコア本体の中芯部および外殻部と前記中央コアとでエアギャップのない第２磁束経路が形成され、前記中央コアの初透磁率を前記一対のコア本体の初透磁率よりも小さくしたことを特徴とする。

一対のコア本体は、磁性粉末を主体として形成するのが好ましい。中芯部と外殻部は、磁性粉末を使用したものであれば、同一材料で形成してもよいし、異なる材料で形成してもよい。

中央コアは、磁性粉末と樹脂粉末を主体として形成するのが好ましい。

以上に述べた結合インダクタは、前記コアを設置するための設置面に対し、前記巻線軸が前記設置面と平行になるように配置されるのが好ましい。

前記コア本体の外殻部に、当該外殻部を前記設置面に取り付けるための取り付け部材と係合する係合部を設けるのが好ましい。

各巻線は、巻線軸が冷却領域と平行となるように配置するのが好ましい。

以上に述べた結合インダクタを使用して、インターリーブ方式の２相のスイッチング回路を形成するのが好ましい。

本発明によれば、小型であり、磁束漏れによる巻線での発熱の少ない結合インダクタを提供することができる。

結合インダクタの断面図である。 結合インダクタの斜視図であって、巻線軸に沿って半割した状態を示す図である。 インターリーブ方式を採用した昇圧チョッパ回路を示す回路図である。 中央コア付近における磁束経路を示す断面図である。 比較例１の斜視図であって、巻線軸に沿って半割した状態を示す図である。 確認試験１の試験結果を示す表である。 確認試験１の試験結果を示す表である。 確認試験２の試験結果を示す表である。 確認試験２の試験結果を示す表である。 設置面に設置した結合インダクタを示す斜視図である。 取り付け部材を用いて設置面に取り付けた結合インダクタを示す斜視図である。 （ａ）図は設置面に設置した結合インダクタを示す斜視図であり、（ｂ）図はこの結合インダクタを巻線軸方向から見た正面図である。 取り付け部材を用いて設置面に取り付けた結合インダクタを示す斜視図である。 コア本体の他例を示す斜視図である。 コア本体の他例を示す斜視図である。 ファンにより強制冷却している結合インダクタを示す側面図である。

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。

図１は、本実施形態に係る結合インダクタ１の巻線軸に沿った方向での断面図であり 、図２は、この結合インダクタの斜視図であって、巻線軸に沿って半割した状態を示す 図である。図１および図２に示すように、この結合インダクタ１は、コア２と、２つの 巻線３１，３２を有する。

コア２は、それぞれに巻線３１，３２を保持した一対のコア本体２１，２２と、一対のコア本体２１，２２の間に配置された中央コア２３とを有する。コア本体２１，２２の構成は共通するので、以下の説明では、主に一方のコア本体２１の構成を説明し、特に必要がない限り他方のコア本体２２の説明は省略する。

コア本体２１は巻線軸方向（図１の上下方向）に延びる中芯部４と、中芯部４の一端（基端）から、巻線軸方向と直交する方向で中芯部４と対向する領域まで延びた外殻部５とを有する。

外殻部５は、巻線軸方向に延びて巻線３１，３２の外周と対向する外側部５１と、巻線軸と直交する方向に延びて、中芯部４の一端(基端)と外側部５１の一端（基端）とを連結する連結部５２とを有する。本実施形態では、外殻部５を有底円筒状としたポット形のコア本体２１，２２を使用する場合を例示している。そのため、外側部５１は円筒状に形成され、底部となる連結部５２は円板状に形成されている。また、中芯部４は円柱状に形成されている。２つの巻線３１，３２のうち一方の巻線３１（第１巻線）は、一方のコア本体２１の中芯部４に巻回され、外側部５１の内径側に収容される。他方の巻線３２（第２巻線）も同様に、他方のコア本体２２の中芯部４に巻回され、外側部５１の内径側に収容される。

第１巻線３１および第２巻線３２は、コア２内で巻線軸方向に離間して配置される。第１巻線３１および第２巻線３２の巻き数は同じであり、同じ導電材料で形成され、かつ同じ断面寸法を有する。従って、第１巻線３１および第２巻線３２は等しいインダクタンスを有する。また、第１巻線３１および第２巻線３２は逆極性となるように接続される。具体的には、第１巻線３１および第２巻線３２の巻線方向は逆であり、図２に示すように、両巻線３１，３２に直流電流Ｉ₁，Ｉ₂を流した際には、各中芯部４を通る磁束φ１，φ２が互いに打ち消し合う方向となるように両巻線３１，３２が接続される。

以上に述べた中芯部４と外殻部５（外側部５１および連結部５２を含む）を有するコア本体２１，２２は、同一材料で一体に形成される。例えば、軟磁性粉末（磁性粉末）を圧縮成形した後、焼鈍処理を施すことでコア本体２１，２２が形成される。軟磁性粉末としては、純鉄系、アモルファス系、軟磁性合金系、ナノ結晶系等の軟磁性金属粉末に樹脂等からなる絶縁被膜をコーティングしたものが使用される。中芯部４と外殻部５は、同一材料で形成する他、異なる材料で形成してもよい。

コア本体２１，２２の間に介在する中央コア２３は、コア本体２１，２２と別材料により、コア本体２１，２２と別体の板状に形成される。中央コア２３を巻線軸方向から見た時の輪郭は、コア本体２１，２２の外殻部５を巻線軸方向から見た時の輪郭と一致させる。

中央コア２３の初透磁率（初透磁率は、磁界０ A/m時の比透磁率を意味する）は、空気の初透磁率よりは大きいが、コア本体２１，２２の初透磁率よりも小さくする。この中央コア２３は、例えば上述した軟磁性金属粉末にフェノール樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂等の樹脂粉末を混合し、これを圧縮成形して焼鈍処理を施すことで形成される。このように中央コア２３を磁性粉末と樹脂粉末を主体として形成することで、磁性粉末を主体として形成されるコア本体２１，２２よりも初透磁率を低くすることができる。

以上に述べたコア本体２１，２２を、中央コア２３を間に挟んで突き合わせるように配置し、接着等の固定手段により中央コア２３と一体化することで、結合インダクタ１が完成する。この一体化に際しては、コア本体２１，２２の中芯部４の他端（先端）同士、およびコア本体２１，２２の外殻部５（本実施形態では外側部５２）の他端（先端）同士が巻線軸方向で対向するように二つのコア本体２１，２２が配置され、各中芯部４の先端同士の間および外側部５１の先端同士の間に中央コア２３が配置される。この時、各コア本体２１，２２の中芯部４の先端および外側部５１の先端は、何れも中央コア２３に接触させる。

以上に述べた結合インダクタ１は、図３に示す、インターリーブ方式を採用した２相のスイッチング回路に配置される。ここでいうスイッチング回路は、スイッチングに伴って高周波電流が流れる回路を意味する。図３では、スイッチング回路の一例として、ＤＣ−ＤＣ昇圧チョッパ回路の概略構成を示している。

図３に示すように、電源Ｅは、結合インダクタ１における第１巻線３１の一端、および第２巻線３２の一端と接続される。第１巻線３１の他端は、第１ダイオードＤ１のアノードおよび第１スイッチング素子Ｑ１の一端と接続され、第２巻線３２の他端は、第２ダイオードＤ２のアノードおよび第２スイッチング素子Ｑ２の一端と接続される。第１スイッチング素子Ｑ１の他端、および第２スイッチング素子Ｑ２の他端は接地側に接続される。第１スイッチング素子Ｑ１および第２スイッチング素子Ｑ２は、図示しない制御装置からの制御信号により一定周期で開閉動作を繰り返す。この時、第２スイッチング素子Ｑ２は、第１スイッチング素子Ｑ１から１８０°位相をずらして開閉動作を繰り返す。

第１ダイオードＤ１のカソード、および第２ダイオードＤ２のカソードから出力された電圧および電流は平滑用コンデンサＣにより平滑化され、負荷Ｒにより消費される。

昇圧チョッパ回路を単体で構成するシングルフェーズ方式の場合、出力側の平滑用コンデンサに送られる電流が断続的となるため、平滑用コンデンサは激しい充電と放電を繰り返す。そのため、平滑用コンデンサに大きな容量が必要となり、平滑用コンデンサが大型化する。これに対し、昇圧チョッパ回路を並列化して動作させる図３のインターリーブ方式（マルチフェーズ方式）では、各相を交互にスイッチングさせるように制御を行うため、平滑用コンデンサＣの蓄積電荷変動が低減され、平滑用コンデンサＣの小型化を達成することができる。

また、結合インダクタ１を使用することで、各相のインダクタを磁気的に相互結合し等価的に一つのインダクタで昇圧動作を行っているので、各相で励磁された直流成分の磁束および交流成分の磁束のうち、直流成分の磁束が結合によって相互に打ち消し合う（交流成分の磁束は共有され、あるいは強め合う）。そのため、高インダクタンスが保たれ、インダクタ電流のリプルが低減される。また、インダクタンスを小さくすることができ、インダクタの小型化を図ることができる。

図４に本実施形態の結合インダクタ１の中央コア２３付近における磁束の流れを示す。図示のように、巻線３１，３２で生じる磁束φ１，φ２のうち、直流成分φ１ａ，φ２ａが中央コア２３付近で互いに打ち消し合う。また、磁束φ１，φ２のうちの交流成分φ１ｂ，φ２ｂが中央コア２３に分流し、外殻部５の外側部５１、および連結部５２を介して中芯部４に還流する。つまりコア２には、第１コア本体２１の中芯部４並びに外殻部５(外側部５１および連結部５２)と、中央コア２３とからなる第１磁束経路Ｍ１が形成されると共に、第２コア本体２２の中芯部４並びに外殻部５(外側部５１および連結部５２)と、中央コア２３とからなる第２磁束経路Ｍ２が形成される。また、各磁束経路Ｍ１，Ｍ２は、それぞれ２つのループ状の磁束経路を有する。中央コア２３の初透磁率がコア本体２１，２２の初透磁率よりも低いため、第１磁束経路Ｍ１および第２磁束経路Ｍ２を通る磁束の量は磁束φ１，φ２の量よりも小さい。

このように、直流成分による磁束を低減できる一方で、交流成分の磁束φ１ｂ，φ２ｂが循環する第１磁束経路Ｍ１および第２磁束経路Ｍ２が形成されるため、結合インダクタ１のインダクタンスが大きくなる。従って、コア２に発生する磁束を減らしてコア２を小型化することができる。これによりリプル幅を小さくすると共に、重畳特性を良化することができる。

また、第１磁束経路Ｍ１および第２磁束経路Ｍ２にエアギャップが形成されていないため、漏れ磁束が小さくなる。従って、この漏れ磁束が第１巻線３１および第２巻線３２に到達し、各巻線で渦電流を生じることによる両巻線３１，３２の発熱を防止することができる。またインダクタンスの低下も防止することができる。これにより小型でありながら巻線３１，３２での発熱の小さい結合インダクタ１を提供することが可能となる。

次に本実施形態に係る結合インダクタ１について、その効果を確認する確認試験を行ったので、その詳細および結果を説明する。

［確認試験１］
実施例として図２に示す結合インダクタを使用した。また、比較例１として、図５に示すように、実施例の結合インダクタ１のうち、一方の巻線（第２巻線）を省略したものを使用した。実施例については２つの巻線に位相差１８０°の電圧を印加した時の通電電流よりインダクタンス値を測定した。比較例１については、交流電流を通電した時のインダクタンス値を測定した。また、それぞれ直流重畳電流を与えない時（重畳電流０Ａ）と３７．５Ａの直流重畳電流を与えた時のインダクタンス値、および重畳電流０Ａと３７．５Ａの時のインダクタンスの変化率を測定した。なお、実施例および比較例１におけるコア本体２１，２２はアモルファス系圧粉磁性材（初透磁率７０）で形成し、中央コア２３はアモルファス系圧粉磁性材と樹脂材の混合材（初透磁率１３）で形成している。

なお、巻線２つに位相差１８０°の電流を通電させる際に、ＬＣＲメータで測定されるインダクタンス値が回路動作時にそのまま作用するわけではない。そこで、この確認試験１（下記の確認試験２も含む）では、下記の式１および式２から求めたインダクタンスＬの値を比較対象としている。両式におけるＶ_inおよびＶ_outは、実施例および比較例のインダクタにおける入力電圧および出力電圧を表す。また、ｄはデューティ比、ΔＩはリプル電流幅、ｆはスイッチング周波数（５０ｋＨｚ）を表す。

ｄ＝１−Ｖ_in／Ｖ_out …式１
Ｌ＝（Ｖ_in／ΔＩ）×（１／ｆ）×ｄ …式２

実施例および比較例１について、重畳電流を０Ａおよび３７．５Ａとした時のインダクタンス値を図６に示し、重畳電流を０Ａから３７．５Ａに変化させた時のインダクタンスの変化率を図７に示す。

図６および図７の表から明らかなように、重畳電流０Ａの時、実施例のインダクタンス値は比較例とほぼ同等となる。その一方で、重畳電流を与えた時には実施例の方が比較例１よりもインダクタンス値が大きくなり、インダクタンスの変化率も実施例の方が比較例１よりも小さい。従って、実施例は、比較例１に比べて十分なリプル電流の抑制効果を有しつつ重畳特性の良化を達成できることが確認された。

［確認試験２］
次に、確認試験１で使用した実施例と、当該実施例において、中央コア２３をコア本体２１，２２と同一材料で形成した結合インダクタ（中央コア２３とコア本体２１，２２の初透磁率が等しい）を比較例２として、それぞれについて重畳電流の有無によるインダクタンス値およびインダクタンスの変化率を測定した。測定結果を図８および図９に示す。

図８および図９に示す結果から、中央コア２３の初透磁率をコア本体２１，２２の初透磁率よりも小さくした実施例では、比較例２よりも０Ａ重畳時のインダクタンス値が小さいが、重畳電流の有無によるインダクタンスの変化率が比較例２よりは小さい。従って、実施例では、比較例２に比べ、重畳特性の更なる良化を達成できることが確認された。

次に以上に述べた結合インダクタ１の設置構造を説明する。
これまで、巻線の周りにコアを配置した形態のインダクタ（ポット形、ＰＱ形、ＥＥ形等）は、巻線軸方向が設置面と直交するような向きに配置する場合が多い。本実施形態のように、巻線軸方向に二つの巻線３１，３２を配置した結合インダクタ１において、設置面からインダクタの放熱を行う際に、これまでと同様に巻線軸方向が設置面と直交するような向きに結合インダクタ１を配置すると、設置面から離れた巻線と設置面に近い巻線とで、放熱性の差異から温度上昇量に差を生じ、設置面から離れた巻線での温度上昇幅が大きくなる。そのため、二つの巻線の磁気特性がばらつくおそれがある。

放熱性を確保するため、ヒートシンク等の放熱用の別部品を使用すれば、結合インダクタ全体の体格の大型化を招き、小型化を達成することが困難となる。

以上に述べた課題を解決して、結合インダクタの小型化および特性の安定化を図るため、図１０に示すように、結合インダクタ１は、基板等に設けた設置面６０に対し、巻線軸が設置面６０と平行となるような姿勢で設置するのが好ましい。なお、以下に説明する設置構造では、結合インダクタ１の外殻部５を、巻線３１，３２の外周面と対峙する対向二面を開口させた形態（例えばＰＱ形）に形成した場合を例示している。この場合、冷却効果を高めるため、外殻部５の開口部を設置面６０に向けるのが好ましい。

独立した二つの巻線３１，３２を有する結合インダクタ１においては、各巻線３１，３２を流れる電流に与える特性、例えばリプル電流抑制効果を一致させなければならない。従って、二つの巻線における温度上昇量を一致させる必要がある。図１０に示すような設置姿勢を採用することにより、二つの巻線３１，３２の各部と設置面６０の間の距離が巻線軸方向で一定となり、二つの巻線３１，３２の放熱性が均一化されるため、巻線３１，３２の温度上昇幅を均一化して磁気特性のばらつき、例えば各巻線３１，３２におけるリプル電流抑制効果のばらつきを抑えることができる。また、放熱用の別部品の設置が不要となるので、結合インダクタ１全体の体格も小型化することができる。

設置面６０は自然空冷させる他、水冷を行い、あるいはファンによって強制空冷することもできる。

この他、設置面６０以外の領域を自然空冷、強制空冷、あるいは水冷により冷却することもできる。例えば図１６の上側に示すように、設置面６０と対向して配置されたファン７１からの送風で結合インダクタ１を冷却することも可能である。この場合、結合インダクタ１のうち、ファン７１に面した領域（外殻部５の開口部）が最も熱引きの大きい領域、すなわち冷却領域７０となる。このように設置面６０と対向する領域以外が冷却領域７０となる場合、各巻線３１，３２は、各巻線軸Ｏが当該冷却領域７０と平行となる向きに配置するのが好ましい。各巻線軸Ｏと冷却領域７０の間の距離は等しくする。図１６の右側に示すように、送風方向が設置面６０と平行となるようにファンを配置した場合も（この場合のファンを符号７１’で示す）、送風方向と平行な外殻部５の領域（外殻部５の開口部）が最も熱引きの大きい冷却領域７０となる限り、各巻線３１，３２は、その巻線軸Ｏが冷却領域７０と平行になるように配置するのが好ましい。

コア２を結合インダクタ１の設置面６０に固定する際の固定構造としては、図１１に示すように、金具等の取り付け部材６１を、コア本体２１，２２の対向する外側部５１間に掛け渡すと共に、両外側部５１の表面に沿わせ、取り付け部材６１の両端を設置面６０にねじ止め等により固定する構造が考えられる。この場合、図１０に示すように、コア本体２１，２２の一部、例えば外側部５１の端面５１ａに取り付け部材６１が嵌合する溝６２を設けるのが好ましい。これにより、溝６２の側壁が係合部となって取り付け部材６１と係合するため、結合インダクタ１の固定力が高まる。

また、図１２（ａ）（ｂ）に示すように、連結部５２の端面５２ａの下端にねじ孔６３を設け、図１３に示すように取り付け部材６４をこのねじ孔６３にねじ固定して、さらに取り付け部材６４を設置面６０にねじ等で固定することも考えられる。この場合も連結部５２に設けたねじ孔が取り付け部材と係合する係合部となるため、結合インダクタ１の固定力が高まる。ねじ孔６３は、外側部５１の外側面５１ｂに形成してもよい。ねじ孔６３は、ねじ孔６３にねじ込んだねじが巻線３１，３２と接触しないような位置に設ける。

以上の説明では、コア本体２１，２２の形状としてポット形（図１、図２、図４、図５）やＰＱ形（図１０〜図１３）を例示したが、コア本体２１，２２の形状は以上の例示には限定されず、巻線３１，３２を券回した中芯部４と、中芯部４から巻線３１，３２の外周と対向する領域まで延びた外殻部５とを有するものであれば、他の形態のものも採用することができる。例えばコア本体２１，２２として、図１４に示すＥ形コアや図１５に示すＥＲ形コアを使用することもできる。なお、以上に述べたポット形、ＰＱ形、Ｅ形、ＥＲ形等の用語は、ＪＩＳ Ｃ２５６０−１の規定に準拠するものである。

また、以上の説明では、結合インダクタ１を昇圧チョッパ回路に配置する場合を例示したが、以上に述べた結合インダクタ１は、インターリーブ方式の二相のスイッチング回路を有するものであれば任意の回路に使用できる。例えば、ＰＦＣ（power factor correction）回路、コンバータ回路、インバータ回路等における変圧用途、インバータ用途、コンバータ用途等に使用することができる。

１ 結合インダクタ
２ コア
４ 中芯部
５ 外殻部
３１ 第１巻線
３２ 第２巻線
５１ 外側部
５２ 連結部
６０ 設置面
６１ 取り付け部材
６２ 溝（係合部）
６３ ねじ孔（係合部）
６４ 取り付け部材
７０ 冷却領域
Ｏ 巻線軸

Claims (7)

1. インターリーブ方式の２相のスイッチング回路に用いられ、コアと、互いに磁気結合した２つの巻線とを有する結合インダクタにおいて、
   前記コアが、一対のコア本体と、前記一対のコア本体の間に配置された中央コアとを有し、
   前記一対のコア本体のそれぞれが、前記巻線の内周に挿入される中芯部と、当該中芯部から前記巻線の外周と対向する領域まで延びた外殻部とを有し、
   前記一対のコア本体のうち、一方のコア本体の中芯部および外殻部と前記中央コアとでエアギャップのない第１磁束経路が形成されると共に、他方のコア本体の中芯部および外殻部と前記中央コアとでエアギャップのない第２磁束経路が形成され、
   前記中央コアの初透磁率を前記一対のコア本体の初透磁率よりも小さくしたことを特徴とする結合インダクタ。
2. 前記一対のコア本体が、磁性粉末を主体として形成されている請求項１に記載の結合インダクタ。
3. 前記中央コアが、磁性粉末と樹脂粉末を主体として形成されている請求項１または２に記載の結合インダクタ。
4. 前記コアを設置するための設置面に対し、前記巻線軸が前記設置面と平行になるように配置される請求項１〜３何れか１項に記載の結合インダクタ。
5. 前記コア本体の外殻部に、当該外殻部を前記設置面に取り付けるための取り付け部材と係合する係合部を設けた請求項４に記載の結合インダクタ。
6. 巻線軸が冷却領域と平行となるように前記各巻線を配置した請求項１〜５の何れか１項に記載の結合インダクタ。
7. 請求項１〜６に記載した結合インダクタを有する、インターリーブ方式の２相のスイッチング回路。

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