JP2019201406A - 絶縁システム、基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、絶縁システムの一例を示す図である。絶縁システム10は、デジタルアイソレータを有する絶縁部11、出力部14及び制御部12を備えている。以下、それぞれの構成について説明する。
絶縁部11には、例えば入出力間の絶縁素子としてデジタルアイソレータを用いる。絶縁部11の中央の破線の右側と左側とは、電気的には絶縁されているがデータの授受は可能となっている。フォトカプラを使用する従来システムではデータレートが10Mbps程度に限定され、かつ、高速動作に伴いデューティー比が20%前後に劣化してしまうことがある。それに対してデジタルアイソレータは例えば100Mbps以上の高データレートと例えば50%程度の良好なデューティー比を実現できる。例えばデジタルアイソレータを1つ又は複数のICで構成することができる。
出力部14は、入力端子14a、制御端子14b及び出力端子14cを有している。入力端子14aはデジタルアイソレータの出力に接続されている。したがって、出力部14の入力信号は絶縁部11からの出力信号である。制御端子14bは、制御部12に接続されている。制御端子14bは、入力端子14aから出力端子14cへの信号の通過可否を決める信号を制御部12から受ける。つまり、制御端子14bは出力部14のイネーブル端子ENbとして機能する。
制御部12は、出力部14の制御端子14bに第2電源Vdd2の電圧状態を反映させるさまざまな構成を採用し得る。第2電源Vdd2の電圧が正常であるときと異常であるときの制御端子14bの信号レベルを相違させることで、出力部14において信号の通過可否を判定することができる。
(A)正常動作
図5は、正常動作の例を示すタイミングチャートである。第1電源Vdd1と第2電源Vdd2が両方とも正常に給電されると、高データレートかつ良好なデューティー比で入力Vinから出力Voutに信号が伝達される。その際、スイッチング素子Q1はオンであり、制御端子14bは接地端子GND2と接続している。
図6Aは、電源投入時に第1電源Vdd1が不定の場合の動作例を示すタイミングチャートである。図6Aの左端から時刻t1までの期間は、第1電源Vdd1が無給電である。デジタルアイソレータのフェールセーフアウトプット機能により、出力Voutは固定されている。この例ではLレベルに固定されている。
図7Aは、電源投入時に第2電源Vdd2が不定の場合の動作例を示すタイミングチャートである。図7Aの左端から時刻t1までの期間は、第2電源Vdd2が無給電である。この期間では、図2の真理値表に示すように、デジタルアイソレータの出力Vo_tmpは不定状態になってしまう。この場合、図4の制御部12では第2電源Vdd2から分圧されたVtrも無給電となるので、スイッチング素子Q1はオフとなる。そうすると、制御端子14bは第3抵抗R3を介して第2電源Vdd2と接続し、同じく無給電となる。これによって、制御端子14bがHレベルとなり、出力Voutは電気的に絶縁又はハイインピーダンスとなる。絶縁又はハイインピーダンス状態では、出力Voutは、HighでもLowでもなく、出力端子の内部の出力回路と切り離されたのとほぼ同等の状態になる。
Vtr=Vdd2×R2/(R1+R2)
Vref=Iref×R4
そして、第2電源Vdd2の電源投入時には、Vtr>Vref+Vhysとなると、コンパレータ22の出力VocがHレベルとなり、スイッチング素子Q1がオンする。これにより、出力部14が出力Vo_tempを出力Voutから出力するようになる。
他方、第2電源Vdd2の電源遮断時には、Vtr<Vref−Vhysとなると、コンパレータ22の出力VocがLレベルとなり、スイッチング素子Q1がオフする。これにより、出力Voutは絶縁又はハイインピーダンス状態となる。
Claims (8)
- 入力側で第1電源の供給を受け、出力側で第2電源の供給を受けるデジタルアイソレータと、
前記第2電源の供給を受け、前記第2電源の電圧が所定電圧より大きいときに前記デジタルアイソレータの出力をそのまま出力し、前記第2電源の電圧が前記所定電圧以下のときに前記デジタルアイソレータの出力にかかわらずデータ出力を停止する出力調整部と、を備えたことを特徴とする絶縁システム。 - 前記出力調整部は、
入力端子、制御端子及び出力端子を有し、前記入力端子が前記デジタルアイソレータの出力に接続された出力部と、
前記制御端子に前記第2電源の電圧状態を反映させる制御部と、を備えたことを特徴とする請求項1に記載の絶縁システム。 - 前記出力部は3ステートバッファであり、
前記制御部は、前記第2電源の電圧が前記所定電圧より大きくなると前記制御端子にグランドを接続し、前記第2電源の電圧が前記所定電圧以下になると前記制御端子を抵抗を介して前記第2電源に接続することを特徴とする請求項2に記載の絶縁システム。 - 前記制御部は、前記第2電源と前記グランドに直列に接続された第1抵抗と第2抵抗と、前記第1抵抗と前記第2抵抗の中点にゲートが接続されたスイッチング素子と、前記第2電源と前記第1抵抗の中点と前記スイッチング素子のドレインを接続する第3抵抗と、を備え、
前記スイッチング素子のソースはグランドに接続され、
前記スイッチング素子の閾値は、前記デジタルアイソレータの動作電圧より大きいことを特徴とする請求項3に記載の絶縁システム。 - 前記出力部は3ステートバッファであり、
前記制御部は、前記第2電源の電圧が第1閾値より大きくなると前記制御端子をグランドに接続し、前記第2電源の電圧が前記第1閾値より小さい第2閾値より小さくなると前記制御端子を抵抗を介して前記第2電源に接続することを特徴とする請求項2に記載の絶縁システム。 - モジュールコントローラと、
前記モジュールコントローラからの指令を受けるIOボードと、
前記IOボードからの指令に基づいて動作するデバイスと、を備え、
前記IOボードは、入力側で第1電源の供給を受け、出力側で第2電源の供給を受けるデジタルアイソレータと、前記第2電源の供給を受け、前記第2電源の電圧が所定電圧より大きいときに前記デジタルアイソレータの出力をそのまま出力し、前記第2電源の電圧が前記所定電圧以下のときに前記デジタルアイソレータの出力にかかわらずデータ出力を停止する出力調整部と、を備えたことを特徴とする基板処理装置。 - 前記デバイスは基板にガスを供給するガス供給装置であり、前記IOボードからの指令によって前記ガス供給装置のオンオフが制御されることを特徴とする請求項6に記載の基板処理装置。
- 前記デバイスは基板にプラズマ処理を施すRF発生器であり、前記IOボードからの指令によって前記RF発生器のオンオフが制御されることを特徴とする請求項6に記載の基板処理装置。
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