JP2019197604A - ガラスハードディスク基板用研磨液組成物 - Google Patents
ガラスハードディスク基板用研磨液組成物 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019197604A JP2019197604A JP2018091696A JP2018091696A JP2019197604A JP 2019197604 A JP2019197604 A JP 2019197604A JP 2018091696 A JP2018091696 A JP 2018091696A JP 2018091696 A JP2018091696 A JP 2018091696A JP 2019197604 A JP2019197604 A JP 2019197604A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- component
- mass
- present disclosure
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C19/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by mechanical means
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
Abstract
Description
また、特許文献2では、(a)水、(b)リン酸エステル化合物、(c)研磨促進剤、(d)研磨材を含む研磨液組成物が提案されている。
さらに、特許文献3では、(A)リン酸、リン酸塩及びリン酸化合物から選ばれる少なくとも1種、(B)シリカ、(C)水を含む研磨液組成物が提案されている。
一般に、ガラス基板を酸性研磨すると、ガラス基板表面から金属イオンが溶出して、ガラス基板表面が脆弱化し、研磨されやすくなることが知られている。
本開示では、スルファミン酸とリン酸塩とを研磨液組成物中に含有させることで、金属イオンの溶出が促進され、研磨速度の向上と表面粗さの悪化抑制とを両立できると考えられる。
但し、本開示はこれらのメカニズムに限定して解釈されなくてもよい。
本開示の研磨液組成物に含まれる砥粒(以下、「成分A」ともいう)としては、研磨用に一般的に使用されている砥粒を使用することができ、金属、金属若しくは半金属の炭化物、窒化物、酸化物、又はホウ化物、ダイヤモンド等が挙げられる。金属又は半金属元素は、周期律表(長周期型)の2A、2B、3A、3B、4A、4B、5A、6A、7A又は8族由来のものである。成分Aの具体例としては、酸化珪素(以下、シリカという)、酸化アルミニウム(以下、アルミナという)、炭化珪素、ダイヤモンド、酸化マンガン、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化セリウム(以下、セリアという)、酸化ジルコニウム等が挙げられ、これらの1種以上を使用することは研磨速度を向上させる観点から好ましい。中でも、研磨速度を維持しつつ表面粗さの悪化を抑制する観点から、成分Aとしては、シリカ粒子、セリア粒子が好ましく、シリカ粒子がより好ましい。シリカ粒子としては、コロイダルシリカ、ヒュームドシリカ、粉砕シリカ、及びそれらを表面修飾したシリカ等が挙げられ、コロイダルシリカが好ましい。成分Aは、1種単独で用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。
本開示の研磨液組成物は、研磨速度を維持しつつ表面粗さの悪化を抑制する観点から、スルファミン酸(以下、「成分B」ともいう)を含む。
本開示の研磨液組成物は、研磨速度を維持しつつ表面粗さの悪化を抑制する観点から、リン酸塩(以下、「成分C」ともいう)を含む。成分Cは、研磨速度を維持しつつ表面粗さの悪化を抑制する観点から、pH2の水性媒体中で完全には遊離せず(完全にはH3PO4(aq)とならず)、塩の形態(イオン)で存在するリン酸塩が好ましい。一又は複数の実施形態において、pH2の水性媒体中で塩の形態(イオン)で存在する成分Cの割合は、pH2の水性媒体中に添加された成分Cの全量(100質量%)に対し、好ましくは10質量%以上、より好ましくは20質量%以上、更に好ましくは30質量%以上である。例えば、成分Cがリン酸二水素ナトリウムの場合、pH2の水性媒体に添加した成分Cの43質量%が塩の形態(イオン)で存在する。成分Cがピロリン酸二水素ナトリウムの場合、pH2の水性媒体に添加した成分Cの96質量%が塩の形態(イオン)で存在する。
本開示の研磨液組成物は、媒体として水を含有する。水としては、例えば、蒸留水、イオン交換水、純水、超純水等が挙げられる。本開示の研磨液組成物中の水の含有量は、成分A、成分B、成分C及び後述する任意成分を除いた残余とすることができる。具体的には、本開示の研磨液組成物中の水の含有量は、研磨液組成物の取扱いがさらに容易になるため、55質量%以上が好ましく、70質量%以上がより好ましく、80質量%以上が更に好ましく、85質量%以上が更に好ましく、そして、研磨速度向上の観点から、99質量%以下が好ましく、98質量%以下がより好ましく、97質量%以下が更に好ましい。したがって、水の含有量は、55質量%以上99質量%以下が好ましく、70質量%以上98質量%以下がより好ましく、80質量%以上97質量%以下が更に好ましく、85質量%以上97質量%以下が更に好ましい。
本開示の研磨液組成物は、一又は複数の実施形態において、必要に応じてさらにその他の成分を含有することができる。その他の成分としては、例えば、成分B及びC以外の酸又はその塩、酸化剤、複素環芳香族化合物、脂肪族アミン化合物、脂環式アミン化合物、水溶性高分子、増粘剤、分散剤、防錆剤、塩基性物質、界面活性剤、可溶化剤等が挙げられる。本開示の研磨液組成物中の前記その他の成分の含有量は、0質量%以上が好ましく、0質量%超がより好ましく、0.1質量%以上が更に好ましく、そして、10質量%以下が好ましく、5質量%以下がより好ましい。より具体的には、その他の成分の含有量は、0質量%以上10質量%以下が好ましく、0質量%超10質量%以下がより好ましく、0.1質量%以上5質量%以下が更に好ましい。
また、本開示の研磨液組成物は、一又は複数の実施形態において、成分A、成分B、成分C及び水からなる研磨液組成物であってもよい。
本開示の研磨液組成物のpHは、研磨速度を維持しつつ表面粗さの悪化を抑制する観点から、0.9以上が好ましく、1以上がより好ましく、1.5以上が更に好ましく、そして、同様の観点から、6以下が好ましく、5以下がより好ましく、4.5以下が更に好ましい。より具体的には、本開示の研磨液組成物のpHは、0.9以上6以下が好ましく、1以上5以下がより好ましく、1.5以上4.5以下が更に好ましい。pHは、上述した成分B及び成分Cや公知のpH調整剤等を用いて調整することができる。本開示において、上記pHは、25℃における研磨液組成物のpHであり、pHメータを用いて測定でき、例えば、pHメータの電極を研磨液組成物へ浸漬して2分後の数値とすることができる。
本開示の研磨液組成物は、一又は複数の実施形態において、成分A、成分B、成分C及び水を配合してなる、ガラスハードディスク基板用研磨液組成物とすることができる。例えば、本開示の研磨液組成物は、成分A、成分B、成分C及び水と、さらに所望により、その他の成分とを公知の方法で配合することにより製造できる。すなわち、本開示は、その他の態様において、少なくとも成分A、成分B、成分C及び水を配合する工程を含む、研磨液組成物の製造方法(以下、「本開示の研磨液組成物の製造方法」ともいう)に関する。本開示において「配合する」とは、成分A、成分B、成分C及び水、並びに必要に応じてその他の成分を同時に又は任意の順に混合することを含む。成分Aの砥粒は、濃縮されたスラリーの状態で混合されてもよいし、水等で希釈してから混合されてもよい。成分Aが複数種類の砥粒からなる場合、複数種類の砥粒は、同時に又はそれぞれ別々に配合できる。成分Cが複数種類のリン酸塩からなる場合、複数種類のリン酸塩は、同時に又はそれぞれ別々に配合できる。前記配合は、例えば、ホモミキサー、ホモジナイザー、超音波分散機及び湿式ボールミル等の混合器を用いて行うことができる。本開示の研磨液組成物の製造方法における各成分の好ましい配合量は、上述した本開示の研磨液組成物中の各成分の好ましい含有量と同じとすることができる。
本開示は、その他の態様において、本開示の研磨液組成物を製造するためのキット(以下、「本開示の研磨液キット」ともいう)に関する。本開示の研磨液キットの一実施形態としては、例えば、成分A及び水を含む砥粒分散液と、成分B及び成分Cを含む添加剤水溶液と、を相互に混合されない状態で含む、研磨液キット(2液型研磨液組成物)が挙げられる。前記砥粒分散液と前記添加剤水溶液とは、使用時に混合され、必要に応じて水を用いて希釈される。前記砥粒分散液及び前記添加剤水溶液にはそれぞれ必要に応じて、上述したその他の成分をさらに含有させることができる。本開示の研磨液キットによれば、研磨速度を維持しつつ、洗浄後の表面粗さの悪化を抑制できる研磨液組成物が得られうる。
本開示の研磨液組成物を用いて研磨される被研磨ガラス基板は、一又は複数の実施形態において、ガラスハードディスク基板の製造工程で使用されるガラス基板である。前記ガラス基板の材質としては、例えば、石英ガラス、ソーダライムガラス、アルミノシリケートガラス、ボロシリケートガラス、アルミノボロシリケートガラス、無アルカリガラス、結晶化ガラス等が挙げられる。本開示の研磨液組成物は、一又は複数の実施形態において、アルミノシリケートガラス基板やアルミノボロシリケートガラス基板の研磨に好適に用いられる。本開示の被研磨ガラス基板は、一又は複数の実施形態において、水平磁気記録用基板、垂直磁気記録用基板、熱アシスト記録(HAMR)用基板のいずれにも用いることができる。
一般に、ガラスハードディスク基板は、溶融ガラスの型枠プレス又はシートガラスから切り出す方法によってガラス基材を得る工程から、形状加工工程、端面研磨工程、粗研削工程、精研削工程、粗研磨工程、仕上げ研磨工程、化学強化工程を経て製造される。化学強化工程は仕上げ研磨工程の前に施しても良い。また各工程の間には洗浄工程が含まれることがある。研磨工程後のガラスハードディスク基板は、磁性膜の形成を含む記録部形成工程を経ることで磁気ディスク化されたガラスハードディスク基板となる。本開示の研磨液組成物は、仕上げ研磨工程における研磨(仕上げ研磨)に使用されることが好ましい。
本開示の研磨液組成物を用いた研磨工程は、一又は複数の実施形態において、被研磨ガラス基板の研磨対象面に本開示の研磨液組成物を供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、所定の圧力(荷重)をかけながら、研磨パッド及び被研磨基板の少なくとも一方を動かして研磨する工程である。また、本開示の研磨液組成物を用いた研磨工程は、その他の一又は複数の実施形態において、不織布状の有機高分子系研磨布等の研磨パッドを貼り付けた定盤で被研磨基板を挟み込み、本開示の研磨液組成物を研磨機に供給しながら、定盤や被研磨基板を動かして被研磨基板を研磨する工程である。
本開示の基板製造方法は、一又は複数の実施形態において、本開示の研磨液組成物を用いた研磨が施されたガラス基板(被洗浄基板)を、上述の洗浄剤組成物を用いて洗浄する工程(以下、「洗浄工程」ともいう)を含む。洗浄工程における被洗浄基板には、本開示の研磨液組成物を使用した研磨工程の直後のガラス基板や、研磨工程後に乾燥を防ぐための水等への浸漬工程、予備洗浄として水洗浄工程や酸洗浄工程等を経たガラス基板が含まれる。この洗浄工程は、一又は複数の実施形態において、(a)被洗浄基板を洗浄剤組成物に浸漬すること、及び/又は、(b)洗浄剤組成物を射出して被洗浄基板の表面上に洗浄剤組成物を供給することにより行われる。
本開示の基板製造方法は、一又は複数の実施形態において、被研磨ガラス基板の研磨工程及び洗浄工程後のガラス基板上に磁性膜を形成する工程、或いは、磁性膜の形成を含む記録部形成工程を有してもよい。
本開示は、その他の態様として、本開示の研磨液組成物を用いて被研磨ガラス基板を研磨することを含む、ガラス基板の研磨方法(以下、「本開示の研磨方法」ともいう)に関する。本開示の研磨方法を使用することにより、高品質の磁気ディスク基板を高収率で、生産性よく製造できるという効果が奏されうる。本開示の研磨方法における被研磨ガラス基板としては、上述のとおり、ガラスハードディスク基板の製造に使用されるものが挙げられる。具体的な研磨の方法及び条件は、上述した本開示の基板製造方法と同じ方法及び条件とすることができる。
成分A(コロイダルシリカ、平均粒径20nm)、成分B(スルファミン酸)又は非成分B(表1に示す酸)、成分C(表1に示すリン酸塩)及びイオン交換水を、表1に記載の割合(質量%)で配合して撹拌することにより、実施例1〜10及び比較例1〜7の研磨液組成物を調製した。
スルファミン酸[サンケミカル社製](成分B)
硫酸[和光純薬工業社製](非成分B)
リン酸[和光純薬工業社製](非成分B)
クエン酸[磐田化学工業社製](非成分B)
酒石酸[和光純薬工業社製](非成分B)
酸性ピロリン酸ソーダ[ピロリン酸二水素二ナトリウム、燐化学工業社製](成分C)
リン酸二水素カリウム[和光純薬工業社製](成分C)
硫酸ナトリウム[和光純薬工業社製](非成分C)
[シリカ粒子(成分A)の平均粒径の測定方法]
コロイダルシリカ粒子を含む試料を、透過型電子顕微鏡「JEM−2000FX」(80kV、1〜5万倍、日本電子社製)により当該製造業者が添付した説明書に従って試料を観察し、TEM(Transmission Electron Microscope)像を写真撮影した。この写真をスキャナで画像データとしてパソコンに取り込み、解析ソフト「WinROOF ver.3.6」(販売元:三谷商事)を用いて、個々のシリカ粒
子の円相当径を計測し、粒子径を求めた。このようにして、1000個のシリカ粒子の粒子径を求めた後、これらの平均値を算出し、この平均値を平均粒径とした。
研磨液組成物のpHは、pHメータ(東亜ディーケーケー社製)を用いて25℃にて測定し、電極を研磨液組成物へ浸漬して2分後の数値を採用した。測定結果を表1に示した。
セリア砥粒を含有する研磨液組成物であらかじめ粗研磨したアルミノホウ珪酸ガラス基板を被研磨基板として用意した。基板中に含まれる構成元素は、Siの含有量は24質量%、Alの含有量は8質量%、Bの含有量は1質量%であった。構成元素は、ESCA(Electron Spectroscopy for Chemical Analysis)法を用い以下の測定条件で測定した。
<ESCA測定条件>
(1)試料作製
アルミノホウ珪酸ガラス基板を1cm×1cmに切断し、カーボン製両面テープ上に乗せ固定した。表面のゴミ等を除くためにArスパッタを加速電圧2kVで6分間かけ、ESCA測定を実施した。
(2)測定条件
機器:アルバックファイ製 PHI Quantera SXM
X線源:単色化AlKα線、1486.6eV、25W、15kV
ビーム径:100μm
X線入射角:45°
測定範囲:1000×1000(μm2)
Pass energy:280.0(survey)、112.0eV(narrow)
Step size:1.00(survey)、0.200eV(narrow)
測定元素:C,O,Mg,Al,Si,Ca,Sr,Sn,Ba
帯電補正:Neutralizer及びAr+照射
実施例1〜10及び比較例1〜7の研磨液組成物を用いて、以下に示す研磨条件にて上記被研磨基板を研磨した。
研磨試験機:スピードファム社製「両面9B研磨機」
研磨パッド:スエードタイプ(厚さ0.9mm、平均開孔径30μm、材質:発泡ウレタン)
研磨液組成物供給量:100mL/分(被研磨基板1cm2あたりの供給速度:約0.3mL/分)
下定盤回転数:24rpm
研磨荷重:4.9kPa
キャリア:アラミド製、厚さ0.5mm
研磨時間:30分
被研磨基板:アルミノボロシリケートガラス基板(外径95mm、内径25mm、厚さ0.65mm)
投入基板枚数:5枚
[研磨速度の評価]
研磨前後の各基板1枚当たりの重さを計り(Sartorius社製、「BP−210S」)を用いて測定し、各基板の質量変化から質量減少量を求めた。全5枚の平均の質量減少量を研磨時間で割った値を研磨速度とし、下記式により算出した。実施例1〜10、比較例1、3〜7の研磨速度の測定結果を、下記表1に、比較例2を100とした相対値として示す。
質量減少量(g)={研磨前の質量(g)− 研磨後の質量(g)}
研磨速度(mg/min)=質量減少量(mg)/ 研磨時間(min)
研磨後の基板を、20ppmのKOH水溶液からなるpH12のアルカリ洗浄剤組成物(温度:25℃)の入った槽内に1時間浸漬する。浸漬後の基板を、イオン交換水で60秒間すすぎを行った後、基板表面を完全に乾燥させる。そして、各々の基板の両面を、下記測定条件にて、AFM(Bruker製 Dimension Icon)を用いて表面粗さを測定し、平均値を算出した。表面粗さ(AFM−Ra)の結果を、下記表1に、比較例2を100とした相対値として示す。
<AFMの測定条件>
Mode: Tapping mode
Area: 1×1μm
Scan rate: 1.0Hz
Cantilever: OTESPA−R3
Line: 256×256
Claims (9)
- 砥粒、スルファミン酸、リン酸塩、及び水を含有する、ガラスハードディスク基板用研磨液組成物。
- pHが0.9以上6以下である、請求項1に記載の研磨液組成物。
- 砥粒がシリカ粒子である、請求項1又は2に記載の研磨液組成物。
- 研磨液組成物中のスルファミン酸の含有量は、0.05質量%以上10質量%以下である、請求項1から3のいずれかに記載の研磨液組成物。
- 研磨液組成物中のリン酸塩の含有量は、0.3質量%以上10質量%以下である、請求項1から4のいずれかに記載の研磨液組成物。
- 研磨液組成物中のスルファミン酸とリン酸塩との質量比(スルファミン酸の含有量/リン酸塩の含有量)は、0.01以上50以下である、請求項1から5のいずれかに記載の研磨液組成物。
- ガラスハードディスク基板が、アルミノボロシリケートガラス基板である、請求項1から6のいずれかに記載の研磨液組成物。
- 請求項1から7のいずれかに記載の研磨液組成物を用いて被研磨ガラス基板を研磨する工程を含む、ガラスハードディスク基板の製造方法。
- 請求項1から7のいずれかに記載の研磨液組成物を用いて被研磨ガラス基板を研磨することを含む、ガラス基板の研磨方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018091696A JP7158889B2 (ja) | 2018-05-10 | 2018-05-10 | ガラスハードディスク基板用研磨液組成物 |
PCT/JP2019/017242 WO2019216205A1 (ja) | 2018-05-10 | 2019-04-23 | ガラスハードディスク基板用研磨液組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018091696A JP7158889B2 (ja) | 2018-05-10 | 2018-05-10 | ガラスハードディスク基板用研磨液組成物 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019197604A true JP2019197604A (ja) | 2019-11-14 |
JP2019197604A5 JP2019197604A5 (ja) | 2021-04-30 |
JP7158889B2 JP7158889B2 (ja) | 2022-10-24 |
Family
ID=68468259
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018091696A Active JP7158889B2 (ja) | 2018-05-10 | 2018-05-10 | ガラスハードディスク基板用研磨液組成物 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7158889B2 (ja) |
WO (1) | WO2019216205A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111085901B (zh) * | 2019-12-23 | 2021-12-21 | 江西沃格光电股份有限公司 | 玻璃面板的抛光方法及玻璃面板 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004027042A (ja) * | 2002-06-26 | 2004-01-29 | Yuka Sangyo Kk | 微粒子分散ゲル化体及びそれから得られた微粒子分散液 |
JP2014141667A (ja) * | 2012-12-27 | 2014-08-07 | Sanyo Chem Ind Ltd | 電子材料用研磨液 |
JP2014203503A (ja) * | 2013-04-10 | 2014-10-27 | 株式会社オハラ | ハードディスク用基板の製造方法 |
JP2014217904A (ja) * | 2013-05-07 | 2014-11-20 | コニカミノルタ株式会社 | ガラス物品の製造方法 |
-
2018
- 2018-05-10 JP JP2018091696A patent/JP7158889B2/ja active Active
-
2019
- 2019-04-23 WO PCT/JP2019/017242 patent/WO2019216205A1/ja active Application Filing
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004027042A (ja) * | 2002-06-26 | 2004-01-29 | Yuka Sangyo Kk | 微粒子分散ゲル化体及びそれから得られた微粒子分散液 |
JP2014141667A (ja) * | 2012-12-27 | 2014-08-07 | Sanyo Chem Ind Ltd | 電子材料用研磨液 |
JP2014203503A (ja) * | 2013-04-10 | 2014-10-27 | 株式会社オハラ | ハードディスク用基板の製造方法 |
JP2014217904A (ja) * | 2013-05-07 | 2014-11-20 | コニカミノルタ株式会社 | ガラス物品の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7158889B2 (ja) | 2022-10-24 |
WO2019216205A1 (ja) | 2019-11-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5853117B1 (ja) | 磁気ディスク基板用研磨液組成物 | |
JP6125814B2 (ja) | 磁気ディスク基板の製造方法 | |
US20110008649A1 (en) | Glass substrate for information recording medium and method for manufacturing the same, and magnetic recording medium | |
JP6125815B2 (ja) | 磁気ディスク基板の製造方法 | |
US8557137B2 (en) | Polishing composition for nickel phosphorous memory disks | |
JP6138677B2 (ja) | 磁気ディスク基板用研磨液組成物 | |
JP4202157B2 (ja) | 研磨用組成物 | |
JP6412714B2 (ja) | 研磨用組成物 | |
JP4202172B2 (ja) | 研磨用組成物 | |
JP6148932B2 (ja) | 磁気ディスク基板用研磨液組成物 | |
JP6092623B2 (ja) | 磁気ディスク基板の製造方法 | |
WO2019216205A1 (ja) | ガラスハードディスク基板用研磨液組成物 | |
JP6340267B2 (ja) | 磁気ディスク基板の製造方法 | |
JP2007301721A (ja) | 研磨液組成物 | |
JP6362395B2 (ja) | 研磨用組成物および磁気ディスク基板製造方法 | |
JP6316680B2 (ja) | 磁気ディスク基板用研磨液組成物 | |
JP6081317B2 (ja) | 磁気ディスク基板の製造方法 | |
JP5748331B2 (ja) | ガラスハードディスク基板用研磨液組成物 | |
JP2012101319A (ja) | ガラスハードディスク基板の製造方法 | |
JP6239973B2 (ja) | ガラスハードディスク基板の製造方法 | |
JP2014029752A (ja) | 磁気ディスク基板の製造方法 | |
JP2012128916A (ja) | ガラスハードディスク基板の製造方法 | |
JP7458732B2 (ja) | 研磨用組成物および磁気ディスク基板製造方法 | |
WO2019220919A1 (ja) | 研磨液組成物 | |
JP2014101518A (ja) | 研磨用組成物、研磨方法、及び研磨パッドの弾力性低下抑制方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210305 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210305 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220510 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220708 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20221004 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20221012 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 7158889 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |