JP2019192715A - レーザ装置およびその電源装置 - Google Patents

Abstract

【課題】信頼性を高めたレーザ装置を提供する。【解決手段】高周波電源４００は、一対の放電電極２０２，２０４の容量を含む共振回路２１０に高周波電圧ＶＲＦを印加する。過電圧抑制回路５００は、共振回路２１０の両端間の過電圧を抑制する。保護回路５５０は、異常を検出すると高周波電源４００からの高周波電圧ＶＲＦの印加を停止させる。【選択図】図２

Description

本発明は、レーザ装置に関する。

産業用の加工ツールとして、レーザ加工装置が広く普及している。レーザ加工装置には、ＣＯ_２レーザなどの高出力のガスレーザが使用される。図１は、レーザ装置１００Ｒのブロック図である。レーザ装置１００Ｒは、レーザ共振器２００および電源装置２５０Ｒを備える。レーザ共振器２００は、一対の放電電極２０２，２０４、全反射鏡２０６、部分反射鏡２０８を備える。

一対の放電電極２０２，２０４は、ＣＯ_２などのレーザ媒質ガスが充電されたガスチャンバ内に設けられる。一対の放電電極２０２，２０４の間には、静電容量Ｃが存在する。この静電容量Ｃと、インダクタＬ（インダクタ素子あるいは寄生インダクタ）は、共振周波数ｆ_ＲＥＳを有する共振回路２１０を形成する。

電源装置２５０Ｒは、高周波電圧Ｖ_ＲＦを共振回路２１０に印加する。高周波電圧Ｖ_ＲＦの周波数ｆ_ＲＦ（以下、同期周波数という）は、共振回路の周波数ｆ_ＲＥＳの近傍に設定される。高周波電圧Ｖ_ＲＦが印加されることにより、一対の放電電極２０２，２０４の間に放電電流が流れる。放電電流によってレーザ媒質ガスが励起され、反転分布が形成される。誘導放出光は、全反射鏡２０６と部分反射鏡２０８が形成する光共振器内を往復し、レーザ媒質ガスを通過することにより増幅される。増幅された光の一部が部分反射鏡２０８から出力として取り出される。

電源装置２５０Ｒは、安定化された直流電圧Ｖ_ＤＣを生成する直流電源３００と、直流電圧Ｖ_ＤＣを高周波電圧Ｖ_ＲＦに変換する高周波電源４００とを備える。

特開平９−１２９９５３号公報 特開２０１５−３２７４６号公報 特開２０１７−６９５６１号公報

本発明者らは、図１のレーザ装置１００Ｒについて検討した結果、以下の課題を認識するに至った。

放電電極２０２や２０４において接触不良などが生ずると、開放状態で運転することになる。開放状態では、静電容量Ｃが非常に小さくなるため、共振回路の共振周波数が非常に高い値ｆ_ＲＥＳ’となる。この状態で、同期周波数ｆ_０（ｆ_０＜ｆ_ＲＥＳ’）の高周波電圧Ｖ_ａｃを印加し続けると、共振周波数ｆ_ＲＥＳ’において、高周波電圧Ｖ_ＲＦの振幅を超える非常に高電圧が発生する。この高電圧が高周波電源４００の内部の半導体素子（すなわちパワートランジスタ）に印加されると、信頼性が低下する。

本発明は係る状況においてなされたものであり、そのある態様の例示的な目的のひとつは、信頼性を高めたレーザ装置の提供にある。

本発明のある態様はレーザ装置あるいはその電源装置に関する。レーザ装置は、一対の放電電極を含むレーザ共振器と、一対の放電電極を駆動する電源装置を備える。電源装置は、一対の放電電極の容量を含む共振回路に高周波電圧を印加する高周波電源と、共振回路の両端間の過電圧を抑制する過電圧抑制回路と、異常を検出すると高周波電圧の印加を停止させる保護回路と、を備える。保護回路が異常を検出するのに要する時間は、過電圧抑制回路が過電圧に耐えうる時間より短い。

この態様によると、過電圧抑制回路を設けることで、共振回路の共振周波数が設計値から大きく外れた場合に、過電圧を抑制でき、高周波電源などに含まれる半導体素子を保護できる。そして過電圧抑制回路が高電圧を抑制している間に、保護回路により異常の有無を判定し、異常が生じている場合には、装置を停止することにより、高周波電源の半導体素子を保護でき、また過電圧抑制回路の信頼性が低下するのを防止できる。

過電圧抑制回路の容量は、一対の放電電極の容量の１／５より小さくてもよい。これにより過電圧抑制回路が、共振回路の共振周波数に及ぼす影響を小さくできる。

過電圧抑制回路は、電圧サプレッサ、サージ防護デバイス、ガスアレスタ（サージアレスタ）の少なくともひとつを含んでもよい。

過電圧抑制回路は、直列に接続される複数の素子を含んでもよい。個々の素子の静電容量が大きい場合に、それらを直列に接続することで、過電圧抑制回路の静電容量を小さくできる。

過電圧抑制回路は、一対の放電電極の容量の１／１０以下のキャパシタを含んでもよい。この場合、キャパシタが負荷となるため、共振周波数が高くなりすぎるのを防止でき、過電圧を抑制できる。

過電圧抑制回路は、ＬＣＲ負荷を含んでもよい。この場合、放電電極に異常が生じて開放状態となっても、ＬＣＲ負荷によって共振周波数が高くなりすぎるのを防止でき、過電圧を抑制できる。

保護回路は、レーザ装置の出力光の有無にもとづいて異常を判定してもよい。レーザ装置が非発光の場合に、無負荷状態と判定してもよい。ＣＯ_２レーザの場合、赤外線検出素子を用いればよい。

保護回路は、共振周波数の電流成分にもとづいて異常を判定してもよい。負荷（共振回路）もしくは高周波電源の出力に流れる電流を監視し、検出値から共振周波数の成分を抽出し、共振周波数の電流が小さい場合には、無負荷状態と判定してもよい。

保護回路は、共振周波数以外の電流成分にもとづいて異常を判定してもよい。負荷（共振回路）もしくは高周波電源の出力に流れる電流を監視し、検出値から共振周波数以外の成分を抽出し、共振周波数以外の電流が大きい場合には、無負荷状態と判定してもよい。

保護回路は、ショット後の高周波電源の入力電圧の低下幅にもとづいて異常を判定してもよい。レーザが正常に発光すれば、直流電源の出力コンデンサ（バンクコンデンサ）に蓄えられた電荷が放電され、直流電圧が低下する。したがってバンクコンデンサの電圧を監視し、電圧低下が小さいときに、無負荷状態と判定できる。

保護回路は、過電圧抑制回路に流れる電流にもとづいて異常を判定してもよい。過電圧抑制回路を構成するサージ保護素子に電流が流れた場合には無負荷状態と判定できる。

保護回路は、共振周波数より高い周波数のノイズにもとづいて異常を判定してもよい。電流が高周波となった場合、高周波の放射ノイズあるいは伝導ノイズが増加する。このノイズをアンテナで検出し、ノイズが増加した場合に無負荷状態と判定できる。

保護回路は、一対の放電電極間の電圧にもとづいて異常を判定してもよい。高周波電圧を印加しているにもかかわらず、共振回路の両端間に十分な電圧が検出されない場合、無負荷状態と判定できる。

なお、以上の構成要素の任意の組み合わせや本発明の構成要素や表現を、方法、装置、システムなどの間で相互に置換したものもまた、本発明の態様として有効である。

本発明のある態様によれば、レーザ装置の信頼性を高めることができる。

レーザ装置のブロック図である。 実施の形態に係るレーザ装置のブロック図である。 図３（ａ）〜（ｄ）は、過電圧抑制回路の構成例を示す回路図である。 電源装置の具体的な構成例を示す回路図である。 保護回路を含む高周波電源の構成例を示す図である。 レーザ装置を備えるレーザ加工装置を示す図ある。

以下、本発明を好適な実施の形態をもとに図面を参照しながら説明する。各図面に示される同一または同等の構成要素、部材、処理には、同一の符号を付するものとし、適宜重複した説明は省略する。また、実施の形態は、発明を限定するものではなく例示であって、実施の形態に記述されるすべての特徴やその組み合わせは、必ずしも発明の本質的なものであるとは限らない。

図２は、実施の形態に係るレーザ装置１００のブロック図である。レーザ装置１００は、レーザ共振器２００と電源装置２５０を備える。レーザ共振器２００と電源装置２５０の機能は図１と同様である。

レーザ共振器２００は、一対の放電電極２０２，２０４を備え、それらの間の静電容量ＣがインダクタＬとともに共振回路２１０を形成する。この共振回路２１０の共振周波数をｆ_ＲＥＳとする。

電源装置２５０は、図１の電源装置２５０に加えて、過電圧抑制回路５００および保護回路５５０を備える。

直流電源３００は、所定の電圧レベルに安定化された直流電圧Ｖ_ＤＣを発生し、高周波電源４００に供給する。高周波電源４００は、共振周波数ｆ_ＲＥＳと同じ周波数（同期周波数）ｆ_ＲＦを有する高周波電圧Ｖ_ＲＦを発生し、レーザ共振器２００に供給する。高周波電源４００の構成は限定されないが、直流電圧Ｖ_ＤＣを交流電圧Ｖ_ＡＣに変換するインバータと、インバータの出力電圧Ｖ_ＡＣを昇圧するトランスと、を含むことができる。

過電圧抑制回路５００は、共振回路２１０の両端間の過電圧を抑制可能に構成される。

保護回路５５０は、レーザ装置１００の動作を監視し、異常を検出すると高周波電源４００による高周波電圧Ｖ_ＲＦの印加を停止させる。保護回路５５０が検出対象とする異常は、共振回路２１０の両端間に過電圧を発生させるような異常、言い換えれば、過電圧抑制回路５００による抑制動作が実際に発生するような異常である。このような異常としては、共振回路２１０の共振周波数が、その設計値（すなわち同期周波数）ｆ_ＲＥＳよりも高くなるような異常が例示され、たとえば放電電極２０２，２０４の接触不良、インダクタＬの外れ、それらを接続する配線の外れなどに起因して発生し、以下では、開放異常と総称する。なお、共振回路２１０の両端間電圧ΔＶのスペクトルは、同期周波数ｆ_ＲＦに加えて、その他の周波数成分の含み、また高周波電源４００の出力端と、レーザ共振器２００の入力端の間には、図示しない寄生インピーダンスが存在するため、高周波電圧Ｖ_ＲＦと両端間電圧ΔＶの波形は必ずしも一致しないことに留意されたい。

保護回路５５０が開放異常を検出するのに要する時間は、過電圧抑制回路５００が過電圧に耐えうる時間より短く設計される。

以上がレーザ装置１００の構成である。このレーザ装置１００によれば、以下の効果を得ることができる。

本実施の形態によると、過電圧抑制回路５００を設けることで、共振回路２１０の共振周波数が設計値ｆ_ＲＥＳから大きく外れた場合に、その両端間に生ずる過電圧を抑制でき、高周波電源４００などに含まれる半導体素子を保護できる。

ここで、両端間電圧ΔＶの過電圧状態が過電圧抑制回路５００によって抑制される間、過電圧抑制回路５００には電流が流れ続けることとなる。この状態が長く持続すると、過電圧抑制回路５００の発熱が大きくなったりして、過電圧抑制機能が低下し、あるいは過電圧抑制機能が完全に失われる可能性がある。そうすると、再び過電圧が高周波電源４００に印加され、半導体素子の信頼性を低下させる可能性がある。そこで過電圧抑制回路５００に加えて保護回路５５０を設け、過電圧抑制回路５００が高電圧を抑制している間に、保護回路５５０により異常の有無を判定し、異常が生じている場合には、高周波電源４００や直流電源３００を停止することにより、過電圧の発生原因を取り除いて高周波電源４００の半導体素子を保護でき、また過電圧抑制回路の５００信頼性が低下するのを防止できる。

本発明は、図２のブロック図や回路図として把握され、あるいは上述の説明から導かれるさまざまな装置、方法に及ぶものであり、特定の構成に限定されるものではない。以下、本発明の範囲を狭めるためではなく、発明の本質や動作の理解を助け、またそれらを明確化するために、より具体的な構成例や実施例を説明する。

図３（ａ）〜（ｄ）は、過電圧抑制回路５００の構成例を示す回路図である。図３（ａ）の過電圧抑制回路５００は、ガスアレスタ５０２を含む。ガスアレスタ５０２の端子間電圧が動作開始電圧を超えると、ガスアレスタ５０２が短絡状態となり、過電圧抑制回路５００の両端間電圧ΔＶが抑制される。

ここで過電圧抑制回路５００の両端間の静電容量は、一対の放電電極の静電容量の１／５より小さいことが好ましい。なぜなら、過電圧抑制回路５００の静電容量が大きすぎると、共振回路２１０の共振周波数ｆ_ＲＥＳをシフトさせることとなり、回路動作に影響を及ぼすからである。この観点において、図３（ａ）のようにガスアレスタ５０２単体で過電圧抑制回路５００を構成すると、静電容量が大きすぎる場合がある。

このような場合には図３（ｂ）に示すように、複数の過電圧抑制素子（サージ保護素子）を直列に接続するとよい。これにより、過電圧抑制回路５００の両端間の静電容量は、複数の過電圧抑制素子それぞれの静電容量の合成容量となるため、個々の過電圧抑制素子の静電容量よりも小さくすることができる。

より詳しくは図３（ｂ）の過電圧抑制回路５００は、直列に接続されるガスアレスタ５０２とバリスタ５０４を含む。この構成では、過電圧抑制回路５００の両端間に高電圧ΔＶが印加されると、ガスアレスタ５０２の端子間電圧が動作開始電圧を超えて短絡状態となり、高電圧ΔＶがバリスタ５０４に印加される。その結果、バリスタ５０４のＩ−Ｖ特性に応じて電流が流れ、高電圧ΔＶを抑制できる。バリスタ５０４に代えて、一般的な過電圧抑制素子を用いることができ、たとえばＳＰＤ（酸化亜鉛型アレスタ）やトランゾープを用いてもよい。

図３（ａ）、（ｂ）の過電圧抑制回路５００は、過電圧に応答して動作するものであったが、その限りでなく、過電圧抑制回路５００は、レーザ共振器２００の開放異常状態における過電圧の発生を予防する回路であってもよい。より具体的には過電圧抑制回路５００は、同期周波数ｆ_ＲＦにおいては、共振回路２１０に比べて十分にハイインピーダンスであり、同期周波数ｆ_ＲＦより高い周波数においては、低いインピーダンスを有してもよい。図３（ｃ）の過電圧抑制回路５００は、キャパシタ５０６を含む。キャパシタ５０６の静電容量は、一対の放電電極２０２，２０４の静電容量の１／５以下、好ましくは１／１０以下である。開放異常が発生しても、このキャパシタ５０６が負荷として残るため、共振周波数が高くなりすぎるのを防止でき、過電圧を抑制できる。

図３（ｄ）の過電圧抑制回路５００は、ＬＣＲ負荷回路を含む。開放状態となっても、ＬＣＲ負荷によって共振周波数が高くなりすぎるのを防止でき、過電圧を抑制できる。

なお過電圧抑制回路５００を、図３（ａ）〜（ｄ）に例示した回路のいくつかを並列に接続した構成であってもよい。

図４は、電源装置２５０の具体的な構成例を示す回路図である。レーザ装置１００には、発光期間（励振期間）と停止期間を指示する制御信号（励振信号）Ｓ１が入力され、励振信号Ｓ１にもとづいて間欠動作する。たとえば励振信号Ｓ１は、数ｋＨｚ程度の繰り返し周波数、デューティ比５％程度のパルス信号である。

高周波電源４００は、Ｈブリッジ回路（フルブリッジ回路）４０２と昇圧トランス４０４とを備える。高周波電源４００は、Ｈブリッジ回路４０２と昇圧トランス４０４のセット４０１を、２系統備え、それらが並列に接続されている。もちろんこのセット４０１を１系統のみで構成してもよい。励振信号Ｓ１が励振区間を指示するレベル（たとえばハイ）の間、Ｈブリッジ回路４０２はスイッチングし、昇圧トランス４０４の１次巻線に交流電圧Ｖ_ＡＣを印加する。Ｈブリッジ回路４０２のスイッチング周波数は、同期周波数ｆ_ＲＦであり、たとえば２ＭＨｚ程度に設定される。その結果、昇圧トランス４０４の２次巻線には、交流電圧Ｖ_ＡＣを昇圧した高周波電圧Ｖ_ＲＦが発生する。

直流電源３００は、バンクコンデンサ３０２および充電回路３０４を含む。バンクコンデンサ３０２は、ＤＣリンク３０６の間に設けられる。充電回路３０４はバンクコンデンサ３０２を充電し、バンクコンデンサ３０２の電圧Ｖ_ＤＣを一定に保つ。

励振区間の間、Ｈブリッジ回路４０２がスイッチング動作することにより、バンクコンデンサ３０２に蓄えられたエネルギー（電荷）が放出され、直流電圧Ｖ_ＤＣの電圧レベルは低下する。充電回路３０４は、直流電圧Ｖ_ＤＣの電圧レベルの低下を補うように、バンクコンデンサ３０２に充電電流を供給する。すなわち、直流電源３００もまた、励振信号Ｓ１と同期して間欠動作する。

なお直流電源３００を、励振期間中も含めて定常的に動作するＤＣ／ＤＣコンバータで構成してもよい。

図４では、保護回路５５０は高周波電源４００の一部として構成される。高周波電源４００の出力には、電流センサＣＴが設けられ、レーザ共振器２００に流れる電流が監視される。具体的には、２系統の昇圧トランス４０４それぞれの出力に、電流センサＣＴ１，ＣＴ２が設けられ、保護回路５５０は、電流センサＣＴ１，ＣＴ２の出力にもとづいて異常を検出し、異常状態においてＨブリッジ回路４０２を停止させる。

図５は、保護回路５５０を含む高周波電源４００の構成例を示す図である。保護回路５５０は、高周波電流検出回路（高周波電流検出基板）５６０、プリアンプ回路（プリアンプ基板）５７０、駆動信号発生回路（駆動信号発生基板）５８０Ａ，５８０Ｂを備える。

高周波電流検出回路５６０は、２つの電流センサＣＴ１，ＣＴ２の出力を受け、同期周波数ｆ_ＲＦ（２ＭＨｚ）の周波数成分を除去する。高周波電流検出回路５６０は、たとえばバンド除去フィルタ５６２，５６４を含む。

プリアンプ回路５７０は、電流センサＣＴ１，ＣＴ２が検出した電流値を処理する。レベル判定器５７２（５７４）は、バンド除去フィルタ５６２（５６４）の出力をしきい値と比較する。レベル判定器５７６（５７８）は、電流センサＣＴ１（ＣＴ２）の出力を、所定のしきい値と比較する。電流差判定器５７９は、２つの電流センサＣＴ１，ＣＴ２の出力の差分を検出し、しきい値と比較する。

駆動信号発生回路５８０Ａは、Ｈブリッジ回路４０２を制御するための駆動信号を生成するブロックである。駆動信号発生回路５８０Ａは、バンド除去フィルタ５６２（５６４）の出力の方が大きいとき、すなわち同期周波数ｆ_ＲＦよりも高い周波数成分が多く含まれる場合に、開放異常（回路オープン）と判定し、インターロックを発生する。

駆動信号発生回路５８０Ａは、電流センサＣＴ１（ＣＴ２）の出力の方が大きいとき、過電流状態と判定し、インターロックを発生する。

駆動信号発生回路５８０Ａは、差分がしきい値より大きいとき、電流アンバランス状態と判定し、インターロックを発生する。

いずれかの要因によってインターロックが発生すると、高周波電源４００（Ｈブリッジ回路４０２のスイッチング動作）を停止する。また、停止指令は、ＰＬＣ（Programmable Logic Controller）５９０に供給される。ＰＬＣは、シーケンサあるいはステートマシンとしての機能を備え、電源装置２５０全体を統括的に制御するコントローラである。停止指示を受けたＰＬＣ５９０は、駆動信号発生回路５８０Ｂに停止を指示をする。駆動信号発生回路５８０Ｂは、直流電源３００を制御するためのブロックであり、停止指示に応答して、直流電圧Ｖ_ＤＣの生成動作を停止する。

以上が保護回路５５０の構成例である。続いて保護回路による異常検出の変形例を説明する。

（変形例１）
保護回路５５０は、レーザ装置１００の出力（レーザ光）の有無にもとづいて異常を判定する。すなわち、高周波電源４００が動作状態にあるにもかかわらず、レーザ光が検出されない場合、開放異常と判定できる。この変形例では保護回路５５０は、光センサで構成できる。

（変形例２）
直流電源３００が図４に示すようにバンクコンデンサ３０２と充電回路３０４を含む場合、レーザ共振器２００が正常に発光したときには、バンクコンデンサ３０２の電圧Ｖ_ＤＣはある電圧幅低下するが、レーザ共振器２００が正常に発光しない場合、バンクコンデンサ３０２の電圧Ｖ_ＤＣの低下幅は小さくなる。そこで保護回路５５０は、ショット前後の高周波電源４００の入力電圧（直流電源３００の出力電圧Ｖ_ＤＣ）の低下幅にもとづいて異常を判定してもよい。

（変形例３）
保護回路５５０は、過電圧抑制回路５００に流れる電流がしきい値を超えたときに、異常と判定してもよい。

（変形例４）
共振回路に流れる電流が高周波となった場合、高周波の放射ノイズあるいは伝導ノイズが増加する。保護回路５５０はこの高周波ノイズをアンテナで検出し、高周波ノイズが増加した場合に無負荷状態（開放異常）と判定してもよい。

（変形例５）
保護回路５５０は、一対の放電電極２０２，２０４間の電圧ΔＶを監視し、電位差ΔＶにもとづいて異常を判定してもよい。

なお保護回路５５０はここで説明したいくつかの異常検出方法を併用してもよい。

実施の形態では、過電圧抑制回路５００が電源装置２５０に設けられる場合を説明したがその限りでなく、過電圧抑制回路５００はレーザ共振器２００側に設けられてもよい。

（用途）
続いてレーザ装置１００の用途を説明する。図６は、レーザ装置１００を備えるレーザ加工装置９００を示す図ある。レーザ加工装置９００は、対象物９０２にレーザパルス９０４を照射し、対象物９０２を加工する。対象物９０２の種類は特に限定されず、また加工の種類も、穴空け（ドリル）、切断などが例示されるが、その限りではない。

レーザ加工装置９００は、レーザ装置１００、光学系９１０、制御装置９２０、ステージ９３０を備える。対象物９０２はステージ９３０上に載置され、必要に応じて固定される。ステージ９３０は、制御装置９２０からの位置制御信号Ｓ２に応じて、対象物９０２を位置決めし、対象物９０２とレーザパルス９０４の照射位置を相対的にスキャンする。ステージ９３０は、１軸、２軸（ＸＹ）あるいは３軸（ＸＹＺ）であり得る。

レーザ装置１００は、制御装置９２０からのトリガ信号（励振信号）Ｓ１に応じて発振し、レーザパルス９０６を発生する。光学系９１０は、レーザパルス９０６を対象物９０２に照射する。光学系９１０の構成は特に限定されず、ビームを対象物９０２に導くためのミラー群、ビーム整形のためのレンズやアパーチャなどを含みうる。

制御装置９２０は、レーザ加工装置９００を統括的に制御する。具体的には制御装置９２０は、レーザ装置１００に対して間欠的に励振信号Ｓ１を出力する。また制御装置９２０は、加工処理を記述するデータ（レシピ）にしたがってステージ９３０を制御するための位置制御信号Ｓ２を生成する。

実施の形態にもとづき、具体的な語句を用いて本発明を説明したが、実施の形態は、本発明の原理、応用の一側面を示しているにすぎず、実施の形態には、請求の範囲に規定された本発明の思想を逸脱しない範囲において、多くの変形例や配置の変更が認められる。

１００ レーザ装置
２００ レーザ共振器
２０２，２０４ 放電電極
２０６ 全反射鏡
２０８ 部分反射鏡
２１０ 共振回路
２５０ 電源装置
３００ 直流電源
３０２ バンクコンデンサ
３０４ 充電回路
４００ 高周波電源
４０２ Ｈブリッジ回路
４０４ 昇圧トランス
５００ 過電圧抑制回路
５０２ ガスアレスタ
５０４ バリスタ
５５０ 保護回路
５６０ 高周波電流検出回路
５７０ プリアンプ回路
５８０ 駆動信号発生回路
５９０ ＰＬＣ

Claims (6)

1. 一対の放電電極を含むレーザ共振器を駆動する電源装置であって、
   前記一対の放電電極の容量を含む共振回路に高周波電圧を印加する高周波電源と、
   前記共振回路の両端間の過電圧を抑制する過電圧抑制回路と、
   異常を検出すると前記高周波電圧の印加を停止させる保護回路と、
   を備え、
   前記保護回路が前記異常を検出するのに要する時間は、前記過電圧抑制回路が前記過電圧に耐えうる時間より短いことを特徴とする電源装置。
2. 前記過電圧抑制回路の容量は、前記一対の放電電極の容量の１／５より小さいことを特徴とする請求項１に記載の電源装置。
3. 前記過電圧抑制回路は、電圧サプレッサ、サージ防護デバイス、ガスアレスタ、前記一対の放電電極の容量の１／１０以下のキャパシタ、ＬＣＲ負荷の少なくともひとつを含むことを特徴とする請求項１または２に記載の電源装置。
4. 前記過電圧抑制回路は、直列に接続される複数の素子を含むことを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の電源装置。
5. 前記保護回路は、
   （i）前記レーザ装置の出力光の有無、
   （ii）前記高周波電源に流れる電流のうち、前記共振回路の共振周波数の成分、
   （iii）前記高周波電源に流れる電流のうち、前記共振回路の共振周波数以外の成分、
   （iv）ショット後の前記高周波電源の入力電圧の低下幅、
   （v）前記過電圧抑制回路に流れる電流、
   （vi）前記共振回路の共振周波数より高い周波数のノイズ、
   （vii）前記一対の放電電極間の電圧
   の少なくともひとつにもとづいて異常を判定することを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の電源装置。
6. 一対の放電電極と、
   前記一対の放電電極の容量を含む共振回路に高周波電圧を印加する高周波電源と、
   前記共振回路の両端間の過電圧を抑制する過電圧抑制回路と、
   異常を検出すると前記高周波電圧の印加を停止させる保護回路と、
   を備え、
   前記保護回路が前記異常を検出するのに要する時間は、前記過電圧抑制回路が前記過電圧に耐えうる時間より短いことを特徴とするレーザ装置。

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