JP2019189517A5 - - Google Patents
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- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims 15
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 claims 4
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims 1
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018080072 | 2018-04-18 | ||
| JP2018080072 | 2018-04-18 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019500522A Division JP6511209B1 (ja) | 2018-04-18 | 2018-08-29 | 酸化物焼結体、スパッタリングターゲットおよび酸化物薄膜の製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2019189517A JP2019189517A (ja) | 2019-10-31 |
| JP2019189517A5 true JP2019189517A5 (https=) | 2020-01-30 |
| JP6661041B2 JP6661041B2 (ja) | 2020-03-11 |
Family
ID=68239411
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019072693A Active JP6661041B2 (ja) | 2018-04-18 | 2019-04-05 | 酸化物焼結体、スパッタリングターゲットおよび酸化物薄膜の製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6661041B2 (https=) |
| TW (2) | TWI755648B (https=) |
| WO (1) | WO2019202753A1 (https=) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2023102459A (ja) * | 2022-01-12 | 2023-07-25 | ケイブイマテリアルズ株式会社 | 酸化物スパッタリングターゲット、その製造方法、及び薄膜形成方法 |
| WO2025220274A1 (ja) * | 2024-04-17 | 2025-10-23 | Ｊｘ金属株式会社 | 焼結体及びスパッタリングターゲット並びに焼結体の製造方法 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3152108B2 (ja) * | 1994-06-13 | 2001-04-03 | 東ソー株式会社 | Ｉｔｏスパッタリングターゲット |
| JP3644647B2 (ja) * | 1995-04-25 | 2005-05-11 | Ｈｏｙａ株式会社 | 導電性酸化物およびそれを用いた電極 |
| KR101228160B1 (ko) * | 2007-12-27 | 2013-01-30 | 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 | ａ-ＩＧＺＯ 산화물 박막의 제조 방법 |
| CN102105619B (zh) * | 2008-06-06 | 2014-01-22 | 出光兴产株式会社 | 氧化物薄膜用溅射靶及其制造方法 |
| JP5202630B2 (ja) * | 2008-06-10 | 2013-06-05 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | スパッタリング用酸化物焼結体ターゲット及びその製造方法 |
| JP2012052227A (ja) * | 2010-08-05 | 2012-03-15 | Mitsubishi Materials Corp | スパッタリングターゲットの製造方法およびスパッタリングターゲット |
| JP2013193945A (ja) * | 2012-03-22 | 2013-09-30 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物焼結体とその製造方法およびスパッタリングターゲットと酸化物半導体膜 |
| JP5904056B2 (ja) * | 2012-08-22 | 2016-04-13 | 東ソー株式会社 | Ｉｇｚｏ焼結体、その製造方法及びスパッタリングターゲット |
| JP6264846B2 (ja) * | 2012-12-27 | 2018-01-24 | 東ソー株式会社 | 酸化物焼結体、スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
| KR101644767B1 (ko) * | 2014-03-28 | 2016-08-01 | 제이엑스금속주식회사 | 산화물 소결체 및 그 산화물 소결체로 이루어지는 스퍼터링 타깃 |
| JP6158129B2 (ja) * | 2014-03-28 | 2017-07-05 | 出光興産株式会社 | 酸化物焼結体及びスパッタリングターゲット |
| JP6398643B2 (ja) * | 2014-11-20 | 2018-10-03 | Tdk株式会社 | スパッタリングターゲット、透明導電性酸化物薄膜、及び導電性フィルム |
-
2018
- 2018-08-29 WO PCT/JP2018/032028 patent/WO2019202753A1/ja not_active Ceased
- 2018-10-02 TW TW108140105A patent/TWI755648B/zh active
- 2018-10-02 TW TW107134810A patent/TWI679292B/zh active
-
2019
- 2019-04-05 JP JP2019072693A patent/JP6661041B2/ja active Active
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