JP2019186283A - プリント配線板 - Google Patents

Abstract

【課題】 反りの生じないプリント配線板の提供【解決手段】 実施形態のプリント配線板は、下側のビルドアップ層Ｂｕ２が、第１ビルドアップ層５０Ｆと同様な構成の第４ビルドアップ層５０Ｓと、第２ビルドアップ層６０Ｆと同様な構成の第５ビルドアップ層６０Ｓと、第３ビルドアップ層７０Ｆと同様な構成の第６ビルドアップ層７０Ｓから成る。即ち、上側のビルドアップ層Ｂｕ１と下側のビルドアップ層Ｂｕ２とが同様な層構成であるため、コア基板３０の第１面Ｆ側と第２面Ｓ側で層構成の対称性が保たれ、反りが生じにくい。【選択図】 図１

Description

本発明は、第１ビルドアップ層と第２ビルドアップ層と第３ビルドアップ層とを有するプリント配線板に関する。

特許文献１は、ベース配線基板とベース配線基板上に形成されている再配線部とからなる配線基板を開示している。

特開２０１４−１５４８００号公報

[特許文献１の課題]
特許文献１の配線基板はベース配線基板とベース配線基板上の再配線部で形成されている。そして、ベース配線基板に形成されているビアホールＶＨ１、ＶＨ２、ＶＨ３の径は２０μｍ〜６０μｍであり、再配線部に形成されているビアホールＶＨ４、ＶＨ５、ＶＨ６の径は５μｍ〜２０μｍである。特許文献１の配線基板では、層構成が非対称であるため、反りが生じ易いと予想される。

本発明に係るプリント配線板は、第１面と前記第１面と反対側の第２面を有するコア基板と、前記コア基板の前記第１面上に形成されている上側のビルドアップ層と、前記コア基板の前記第２面上に形成されている下側のビルドアップ層とを有し、前記上側のビルドアップ層は、第１樹脂絶縁層と前記第１樹脂絶縁層上の第１導体層と前記第１樹脂絶縁層を貫通し前記第１導体層に繋がる第１ビア導体とを有する第１ビルドアップ層と、前記第１ビルドアップ層上に形成されている第２樹脂絶縁層と前記第２樹脂絶縁層上の第２導体層と前記第２樹脂絶縁層を貫通し前記第２導体層に繋がる第２ビア導体とを有する第２ビルドアップ層と、前記第２ビルドアップ層上に形成されている第３樹脂絶縁層と前記第３樹脂絶縁層上の第３導体層と前記第３樹脂絶縁層を貫通し前記第３導体層に繋がる第３ビア導体とを有する第３ビルドアップ層、とから成り、前記下側のビルドアップ層は、第４樹脂絶縁層と前記第４樹脂絶縁層上の第４導体層と前記第４樹脂絶縁層を貫通し前記第４導体層に繋がる第４ビア導体を有する第４ビルドアップ層と、前記第４ビルドアップ層上に形成されている第５樹脂絶縁層を有する第５ビルドアップ層と、前記第５ビルドアップ層上に形成されている第６樹脂絶縁層と、最外の第６樹脂絶縁層上に形成された第６導体層とを有する第６ビルドアップ層、とから成る。そして、前記第１樹脂絶縁層の厚みは前記第２樹脂絶縁層の厚みより大きく、前記第２樹脂絶縁層の厚みは前記第３樹脂絶縁層の厚みより大きく、前記第４樹脂絶縁層の厚みは前記第５樹脂絶縁層の厚みより大きく、前記第５樹脂絶縁層の厚みは前記第６樹脂絶縁層の厚みより大きく、前記第５ビルドアップ層と前記第６ビルドアップ層とを貫通し前記第６導体層と最外の第４導体層に繋がる第６ビア導体が形成され、前記第５樹脂絶縁層上、及び、内層の第６樹脂絶縁層上に導体層を有しない。

[実施形態の効果]
本発明の実施形態のプリント配線板は、上側のビルドアップ層が、第１ビルドアップ層と第２ビルドアップ層と第３ビルドアップ層から成り、下側のビルドアップ層が、第１ビルドアップ層と同様な構成の第４ビルドアップ層と、第２ビルドアップ層と同様な構成の第５ビルドアップと、第３ビルドアップ層と同様な構成の第６ビルドアップ層から成る。即ち、上側のビルドアップ層と下側のビルドアップ層とが同様な層構成であるため、コア基板の第１面側と第２面側で層構成の対称性が保たれ、反りが生じにくい。更に、第５樹脂絶縁層上及び内層の第６樹脂絶縁層上に導体層が有されないが、第５ビルドアップ層と第６ビルドアップ層とを貫通する第６ビア導体が形成されるため、内層の導体層を有さない第５ビルドアップ層と第６ビルドアップ層の導体体積と、内層の導体層を有する第２ビルドアップ層と第３ビルドアップ層の導体体積との差が小さく、コア基板の第１面側と第２面側で銅体積の対称性が保たれ、反りが生じにくい。

本発明の実施形態に係るプリント配線板の断面図 実施形態のプリント配線板の上側のビルドアップ層の拡大図 実施形態のプリント配線板の下側のビルドアップ層の拡大図

[実施形態]
図１は、実施形態のプリント配線板１０の断面を示す。
プリント配線板１０は、第１面Ｆと第１面Ｆと反対側の第２面Ｓとを有するコア基板３０と、コア基板３０の第１面Ｆ上に形成されている上側のビルドアップ層Ｂｕ１と、コア基板３０の第２面Ｓ上に形成されている下側のビルドアップ層Ｂｕ２、とを有する。
プリント配線板１０は、さらに、上側のビルドアップ層Ｂｕ１上に形成されている第１ソルダーレジスト層９０Ｆと下側のビルドアップ層Ｂｕ２上に形成されている第２ソルダーレジスト層９０Ｓとを有することができる。

上側のビルドアップ層Ｂｕ１は、コア基板３０の第１面Ｆ上に形成されている第１ビルドアップ層５０Ｆと第１ビルドアップ層５０Ｆ上に形成されている第２ビルドアップ層６０Ｆと第２ビルドアップ層６０Ｆ上に形成されている第３ビルドアップ層７０Ｆで形成されている。

コア基板３０は第１面Ｆと第１面Ｆと反対側の第２面Ｓとを有するコア層２０とコア層２０の第１面Ｆ上に形成されている第７導体層３４Ｆとコア層２０の第２面Ｓ上に形成されている第８導体層３４Ｓを有する。コア基板は、さらに、コア層２０を貫通するスルーホール導体３６を有する。第７導体層３４Ｆと第８導体層３４Ｓはスルーホール導体３６を介して接続されている。

第１ビルドアップ層５０Ｆは、コア基板３０の第１面Ｆと第７導体層３４Ｆ上に形成されている第１樹脂絶縁層１５０Ｆと、第１樹脂絶縁層１５０Ｆ上に形成されている第１導体層１５８Ｆと、第１樹脂絶縁層１５０Ｆを貫通し、第１導体層１５８Ｆに接続する第１ビア導体１５６Ｆを有する。第１導体層１５８Ｆは第１ビア導体１５６Ｆの直上に形成されている第１ビアランド１５６ＦＬを有する。第１ビアランド１５６ＦＬは第１ビア導体１５６Ｆの直上と第１ビア導体１５６Ｆの周りに形成されている。第１ビアランド１５６ＦＬと第１ビア導体１５６Ｆは同時に形成されていて、両者は一体的に形成されている。第１ビア導体１５６Ｆは第１樹脂絶縁層１５０Ｆを貫通する第１ビア導体１５６Ｆ用の開口１５６ＦＯ内に形成されている。第１樹脂絶縁層１５０Ｆの数と第１導体層１５８Ｆの数は複数であることが好ましい。上側のビルドアップ層Ｂｕ１の反りを小さくすることができる。上側のビルドアップ層Ｂｕ１内のストレスの集中を抑えることができる。図１の例では、第１樹脂絶縁層１５０Ｆの数と第１導体層１５８Ｆの数は複数である。第１樹脂絶縁層１５０Ｆの数は６であり、第１導体層１５８Ｆの数は６である。第１樹脂絶縁層１５０Ｆと第１導体層１５８Ｆは交互に積層されている。第１樹脂絶縁層１５０Ｆの数が複数の場合、第１ビア導体１５６Ｆは各第１樹脂絶縁層１５０Ｆ内に形成されている。第１樹脂絶縁層１５０Ｆを挟んでいる導体層は第１ビア導体１５６Ｆで接続される。
第１樹脂絶縁層の数が複数である場合、第１ビルドアップ層５０Ｆはコア基板３０の直上に形成されている第１樹脂絶縁層（コア基板上の第１樹脂絶縁層）１５０ＦＢとそれ以外の第１樹脂絶縁層（上側の第１樹脂絶縁層）１５０ＦＵを有する。上側の第１樹脂絶縁層１５０ＦＵは第１導体層１５８Ｆで挟まれ、コア基板上の第１樹脂絶縁層１５０ＦＢは第１導体層１５８Ｆと第７導体層３４Ｆで挟まれる。上側の第１樹脂絶縁層１５０ＦＵを貫通する第１ビア導体１５６Ｆは隣接する第１導体層１５８Ｆを接続する。コア基板上の第１樹脂絶縁層１５０ＦＢを貫通する第１ビア導体１５６Ｆは第１導体層１５８Ｆと第７導体層３４Ｆを接続する。

第２ビルドアップ層６０Ｆは、第１ビルドアップ層５０Ｆを形成している第１樹脂絶縁層１５０Ｆと第１導体層１５８Ｆ上に形成されている第２樹脂絶縁層２５０Ｆと、第２樹脂絶縁層２５０Ｆ上に形成されている第２導体層２５８Ｆと、第２樹脂絶縁層２５０Ｆを貫通し、第２導体層２５８Ｆと接続する第２ビア導体２５６Ｆを有する。第２導体層２５８Ｆは第２ビア導体２５６Ｆの直上に形成されている第２ビアランド２５６ＦＬを有する。第２ビアランド２５６ＦＬは第２ビア導体２５６Ｆの直上と第２ビア導体２５６Ｆの周りに形成されている。第２ビア導体２５６Ｆと第２ビアランド２５６ＦＬは同時に形成されていて、両者は一体的に形成されている。第２ビア導体２５６Ｆは第２樹脂絶縁層２５０Ｆを貫通する第２ビア導体２５６Ｆ用の開口２５６ＦＯ内に形成されている。第２ビア導体２５６Ｆにより第１導体層１５８Ｆと第２導体層２５８Ｆが接続される。
第２ビルドアップ層６０Ｆは、第１ビルドアップ層５０Ｆと第３ビルドアップ層７０Ｆで挟まれている。第２ビルドアップ層６０Ｆは、第１ビルドアップ層５０Ｆ上に直接積層されている。第２ビルドアップ層６０Ｆを形成する第２樹脂絶縁層２５０Ｆの数は１であることが好ましい。第２ビルドアップ層６０Ｆを形成する第２導体層２５８Ｆの数は１であることが好ましい。この場合、第１導体層１５８Ｆと第２導体層２５８Ｆは第２ビア導体２５６Ｆで直接接続される。上側のビルドアップ層Ｂｕ１の厚みを薄くすることができる。上側のビルドアップ層Ｂｕ１内のストレスを小さくすることができる。

第３ビルドアップ層７０Ｆは、第２ビルドアップ層６０Ｆを形成する第２樹脂絶縁層２５０Ｆと第２導体層２５８Ｆ上に形成されている第３樹脂絶縁層１７０Ｆと、第３樹脂絶縁層１７０Ｆ上に形成されている第３導体層１７８Ｆと、第３樹脂絶縁層１７０Ｆを貫通し第３導体層１７８Ｆに接続する第３ビア導体３７６Ｆとを有する。第３導体層１７８Ｆは第３ビア導体３７６Ｆの直上に形成されている第３ビアランド３７６ＦＬを有する。第３ビアランド３７６ＦＬは第３ビア導体３７６Ｆの直上と第３ビア導体３７６Ｆの周りに形成されている。第３ビア導体３７６Ｆと第３ビアランド３７６ＦＬは同時に形成されていて、両者は一体的に形成されている。第３ビア導体３７６Ｆは第３樹脂絶縁層１７０Ｆを貫通する第３ビア導体３７６Ｆ用の開口３７６ＦＯ内に形成されている。第３樹脂絶縁層１７０Ｆの数と第３導体層１７８Ｆの数は複数であることが好ましい。上側のビルドアップ層Ｂｕ１の反りを小さくすることができる。上側のビルドアップ層Ｂｕ１内のストレスの集中を抑えることができる。図１の例では、第３樹脂絶縁層１７０Ｆの数と第３導体層１７８Ｆの数は複数である。第３樹脂絶縁層１７０Ｆの数は６であり、第３導体層１７８Ｆの数は６である。第３樹脂絶縁層１７０Ｆと第３導体層１７８Ｆは交互に積層されている。第３樹脂絶縁層１７０Ｆの数が複数の場合、第３ビア導体３７６Ｆは各第３樹脂絶縁層１７０Ｆに形成されている。第３樹脂絶縁層１７０Ｆを挟んでいる導体層は第３ビア導体３７６Ｆで接続される。第３ビルドアップ層７０Ｆは、第２ビルドアップ層６０Ｆ上に直接積層されている。
第３樹脂絶縁層の数が複数である場合、第３ビルドアップ層７０Ｆは第２ビルドアップ層６０Ｆの直上に形成されている第３樹脂絶縁層（第２ビルドアップ層上の第３樹脂絶縁層）１７０ＦＢとそれ以外の第３樹脂絶縁層（上側の第３樹脂絶縁層）１７０ＦＵを有する。上側の第３樹脂絶縁層１７０ＦＵは第３導体層１７８Ｆで挟まれ、第２ビルドアップ層上の第３樹脂絶縁層１７０ＦＢは第３導体層１７８Ｆと第２導体層２５８Ｆで挟まれる。上側の第３樹脂絶縁層１７０ＦＵを貫通する第３ビア導体３７６Ｆは隣接する第３導体層１７８Ｆを接続する。第２ビルドアップ層上の第３樹脂絶縁層１７０ＦＢを貫通する第３ビア導体３７６Ｆは第２導体層２５８Ｆと第３導体層１７８Ｆを接続する。

第３ビルドアップ層７０Ｆ上に第１ソルダーレジスト層９０Ｆが形成されている。第１ソルダーレジスト層９０Ｆは、第３導体層１７８Ｆを露出する第１開口９２Ｆを有する。

プリント配線板１０は、第１ソルダーレジスト層９０Ｆの第１開口９２Ｆから露出する第３導体層１７８Ｆ上に金属ポスト９８Ｆを有する。金属ポスト９８Ｆ上にＩＣチップ等の電子部品が実装される。金属ポスト９８Ｆの上面にＮｉ／Ｐｄ／Ａｕから成る金属膜９４Ｆが形成されている。

下側のビルドアップ層Ｂｕ２は、コア基板３０の第２面Ｓ上に形成されている第４ビルドアップ層５０Ｓと第４ビルドアップ層５０Ｓ上に形成されている第５ビルドアップ層６０Ｓと第５ビルドアップ層６０Ｓ上に形成されている第６ビルドアップ層７０Ｓで形成されている。

第４ビルドアップ層５０Ｓは、コア基板３０の第２面Ｓと第８導体層３４Ｓ上に形成されている第４樹脂絶縁層１５０Ｓと、第４樹脂絶縁層１５０Ｓ上に形成されている第４導体層１５８Ｓと、第４樹脂絶縁層１５０Ｓを貫通し、第４導体層１５８Ｓに接続する第４ビア導体１５６Ｓとを有する。第４樹脂絶縁層１５０Ｓの数と第４導体層１５８Ｓの数は複数であることが好ましい。下側のビルドアップ層Ｂｕ２の反りを小さくすることができる。下側のビルドアップ層Ｂｕ２内のストレスの集中を抑えることができる。図１の例では、第４樹脂絶縁層１５０Ｓの数と第４導体層１５８Ｓの数は複数である。第４樹脂絶縁層１５０Ｓの数は６であり、第４導体層１５８Ｓの数は６である。第１ビルドアップ層５０Ｆを形成する樹脂絶縁層（第１樹脂絶縁層）１５０Ｆの数と下側のビルドアップ層Ｂｕ２を形成する樹脂絶縁層（第４樹脂絶縁層）１５０Ｓの数は同じである。第１ビルドアップ層５０Ｆを形成する導体層（第１導体層）１５８Ｆの数と下側のビルドアップ層Ｂｕ２を形成する導体層（第４導体層）１５８Ｓの数は同じである。第４樹脂絶縁層１５０Ｓと第４導体層１５８Ｓは交互に積層されている。第４樹脂絶縁層１５０Ｓの数が複数の場合、第４ビア導体１５６Ｓは各第４樹脂絶縁層１５０Ｓに形成されている。第４樹脂絶縁層１５０Ｓを挟んでいる導体層は第４ビア導体１５６Ｓで接続される。第４樹脂絶縁層１５０Ｓと第１樹脂絶縁層１５０Ｆは同じ組成である。

第５ビルドアップ層６０Ｓは、第５ビルドアップ層６０Ｓを形成している第５樹脂絶縁層２５０Ｓから成る。図１の例では、第５樹脂絶縁層２５０Ｓの数は１で、第２樹脂絶縁層２５０Ｆの数と同じである。第５樹脂絶縁層２５０Ｓと第２樹脂絶縁層２５０Ｆは同じ組成である。

第６ビルドアップ層７０Ｓは、第６ビルドアップ層７０Ｓを形成する第６樹脂絶縁層１７０Ｓを有する。第６樹脂絶縁層の数が複数である場合、第６ビルドアップ層７０Ｓは第５ビルドアップ層６０Ｓの直上に形成されている第６樹脂絶縁層（第５ビルドアップ層上の第６樹脂絶縁層）１７０ＳＢと最外の第６樹脂絶縁層１７０ＳＭとそれ以外の第６樹脂絶縁層（下側の第６樹脂絶縁層）１７０ＳＵを有する。最外の第６樹脂絶縁層１７０ＳＭ上には第６導体層１７８Ｓが形成されている。第５樹脂絶縁層２５０Ｓ、第５ビルドアップ層上の第６樹脂絶縁層１７０ＳＢ、下側の第６樹脂絶縁層１７０ＳＵ、最外の第６樹脂絶縁層１７０ＳＭを貫通する第６ビア導体３７６Ｓは、最外の第４樹脂絶縁層１５０ＳＭ上の第４導体層１５８Ｓと第６導体層１７８Ｓとを接続する。第６導体層１７８Ｓは第６ビア導体３７６Ｓの直上に形成されている第６ビアランド３７６ＳＬを有する。第６ビアランド３７６ＳＬは第６ビア導体３７６Ｓの直上と第６ビア導体３７６Ｓの周りに形成されている。第６ビア導体３７６Ｓと第６ビアランド３７６ＳＬは同時に形成されていて、両者は一体的に形成されている。第６樹脂絶縁層１７０Ｓの数は複数であることが好ましい。下側のビルドアップ層Ｂｕ２の反りを小さくすることができる。下側のビルドアップ層Ｂｕ２内のストレスの集中を抑えることができる。図１の例では、第６樹脂絶縁層１７０Ｓの数は複数である。第６樹脂絶縁層１７０Ｓの数は６であり、第３樹脂絶縁層１７０の数と同じである。第６樹脂絶縁層１７０Ｓと第３樹脂絶縁層１７０Ｆは同じ組成である。

下側のビルドアップ層Ｂｕ２上に第２開口９２Ｓを有する第２ソルダーレジスト層９０Ｓが形成されている。第２開口９２Ｓから露出する第６導体層１７８Ｓは、マザーボードと接続するための第２パッド９３Ｓを形成する。第２パッド９３Ｓの表面に金属膜９４Ｓが形成されている。

プリント配線板１０が製造される時、プリント配線板は加圧される。プリント配線板１０は加熱される。それらの処理により、例えば、プリント配線板１０は残留応力を有する。実施形態では、第１ビルドアップ層５０Ｆ上に第２ビルドアップ層６０Ｆが形成される。それから、第２ビルドアップ層６０Ｆ上に第３ビルドアップ層７０Ｆが形成される。そのため、第１ビルドアップ層５０Ｆは第２ビルドアップ層６０Ｆより多くの処理を受ける。そして、第２ビルドアップ層６０Ｆは第３ビルドアップ層７０Ｆより多くの処理を受ける。そのため、第１ビルドアップ層５０Ｆ内に蓄えられる残留応力の大きさは第２ビルドアップ層６０Ｆ内に蓄えられる残留応力の大きさより大きいと考えられる。第２ビルドアップ層６０Ｆ内に蓄えられる残留応力の大きさは第３ビルドアップ層７０Ｆ内に蓄えられる残留応力の大きさより大きいと考えられる。
そして、残留応力は熱等で解放されると考えられる。その時、応力が第１ビルドアップ層５０Ｆから第３ビルドアップ層７０Ｆに向かって解放されると予想される。それは、残留応力が第１ビルドアップ層５０Ｆから第３ビルドアップ層７０Ｆに向かって小さくなるからであると考えられる。
もし、第３ビルドアップ層７０Ｆが第１ビルドアップ層５０Ｆ上に直接積層されると、第１ビルドアップ層５０Ｆ内の残留応力が第３ビルドアップ層７０Ｆを形成するビア導体や導体層や樹脂絶縁層に直接伝わると考えられる。そのため、第３ビルドアップ層７０Ｆを形成するビア導体や導体層や樹脂絶縁層は大きなストレスを受けると予想される。それに対し、実施形態のプリント配線板１０では、第３ビルドアップ層７０Ｆは、第２ビルドアップ層６０Ｆを介し、第１ビルドアップ層５０Ｆ上に積層される。そのため、第２ビルドアップ層６０Ｆはバッファー層の役目を果たす。実施形態では、第１ビルドアップ層５０Ｆ内の残留応力が第２ビルドアップ層６０Ｆに伝わる。そして、その応力は第２ビルドアップ層６０Ｆで緩和される。その後、その応力が第３ビルドアップ層７０Ｆを形成するビア導体や導体層や樹脂絶縁層に伝わる。実施形態によれば、第３ビルドアップ層７０Ｆを形成するビア導体や導体層や樹脂絶縁層に伝達されるストレスの大きさが小さくなる。第３ビルドアップ層７０Ｆの信頼性が低下し難い。

図２は、上側のビルドアップ層Ｂｕ１の拡大図である。
第１導体層１５８Ｆは、複数の第１導体回路１５８Ｆ１で形成される。第１導体回路１５８Ｆ１の厚みは厚みｂ１である。第２導体層２５８Ｆは第２導体回路２５８Ｆ１で形成される。第２導体回路２５８Ｆ１の厚みは厚みｂ２である。第３導体層１７８Ｆは複数の第３導体回路１７８Ｆ１で形成される。第３導体回路１７８Ｆ１の厚みは厚みｂ３である。
第１導体回路１５８Ｆ１の厚みｂ１は第２導体回路２５８Ｆ１の厚みｂ２より大きい。第２導体回路２５８Ｆ１の厚みｂ２は第３導体回路１７８Ｆ１の厚みｂ３より大きい。厚みｂ３が、厚みｂ１と厚みｂ２と厚みｂ３の中で最も小さい。導体層の厚みが薄いと導体層の強度が小さくなる。また、導体回路内のストレスの大きさが同じでも、導体回路の厚みにより、単位断面積当たりのストレスの大きさは異なる。従って、第１ビルドアップ層５０Ｆ内のストレスが第３ビルドアップ層７０Ｆに伝達されると、単位断面積当たりの第１導体回路１５８Ｆ１内のストレスの大きさは、単位断面積当たりの第３導体回路１７８Ｆ１内のストレスの大きさと異なる。厚みｂ３が厚みｂ１より小さい。第３導体回路１７８Ｆ１内の単位断面積当たりのストレスの大きさは第１導体回路１５８Ｆ１内の単位断面積当たりのストレスの大きさより大きい。上側のビルドアップ層Ｂｕ１内に形成されている導体層に不具合が発生する時、第３導体層１７８Ｆの断線が起こりやすい。しかしながら、実施形態のプリント配線板１０は第２ビルドアップ層６０Ｆを有するので、第２ビルドアップ層６０Ｆでストレスを緩和することが出来る。第３導体層１７８Ｆの断線の発生を抑えることができる。
厚みｂ１と厚みｂ２との比（ｂ１／ｂ２）は１．５以上、３．５以下である。比（ｂ１／ｂ２）は２以上であることが好ましい。厚みｂ２と厚みｂ３との比（ｂ２／ｂ３）は１．５以上、３以下である。比（ｂ２／ｂ３）は２以上であることが好ましい。第３導体層１７８Ｆの断線の発生を抑えることができる。
厚みｂ３は２μｍ以上、５μｍ以下である。厚みｂ３は２μｍ以上、３μｍ以下であることが好ましい。厚みｂ２は４μｍ以上、８μｍ以下である。厚みｂ２は５μｍ以上、７μｍ以下であることが好ましい。厚みｂ１は１０μｍ以上、１８μｍ以下である。厚みｂ１は１３μｍ以上、１７μｍ以下であることが好ましい。第３導体層１７８Ｆの断線の発生を抑えることができる。
実施形態のプリント配線板１０では、第１ビルドアップ層５０Ｆから第３ビルドアップ層７０Ｆに向かって導体層の厚みが段階的に薄くなっている。ストレスが段階的に小さくなる。導体層の厚みが徐々に薄くなっている。ストレスが徐々に小さくなる。第３導体層１７８Ｆの断線の発生を効果的に抑えることができる。

図２に示されるように、第１ビア導体１５６Ｆは第１ビアランド１５６ＦＬと第１ビア導体１５６Ｆとの間の界面に第１ビア導体１５６Ｆの径ｃ１を有する。第１ビアランド１５６ＦＬと第１ビア導体１５６Ｆとの間の界面と第１樹脂絶縁層１５０Ｆと第１導体層１５８Ｆとの間の界面は一致する。
図２に示されるように、第２ビア導体２５６Ｆは第２ビアランド２５６ＦＬと第２ビア導体２５６Ｆとの間の界面に第２ビア導体２５６Ｆの径Ｃ２を有する。第２ビアランド２５６ＦＬと第２ビア導体２５６Ｆとの間の界面と第２樹脂絶縁層２５０Ｆと第２導体層２５８Ｆとの間の界面は一致する。
図２に示されるように、第３ビア導体３７６Ｆは第３ビアランド３７６ＦＬと第３ビア導体３７６Ｆとの間の界面に第３ビア導体３７６Ｆの径ｃ３を有する。第３ビアランド３７６ＦＬと第３ビア導体３７６Ｆとの間の界面と第３樹脂絶縁層１７０Ｆと第３導体層１７８Ｆとの間の界面は一致する。

径ｃ１は径ｃ２より大きい。径ｃ２は径ｃ３より大きい。径ｃ３が、径ｃ１と径ｃ２と径ｃ３の中で最も小さい。
第１ビア導体１５６Ｆは第７導体層３４Ｆ、または、第１導体層１５８Ｆ上に形成されている。第１ビア導体１５６Ｆは、第７導体層３４に至る開口、または、第１導体層１５８Ｆに至る開口内に形成されている。第２ビア導体２５６Ｆは第１導体層１５８Ｆ上に形成されている。第２ビア導体２５６Ｆは第１導体層１５８Ｆに至る開口内に形成されている。第３ビア導体３７６Ｆは第２導体層２５８Ｆ、または、第３導体層１７８Ｆ上に形成されている。第３ビア導体３７６Ｆは第２導体層２５８Ｆに至る開口、または、第３導体層１７８Ｆに至る開口内に形成されている。
ビア導体の径が小さいと、ビア導体と導体層との間の接合強度が小さくなる。第１ビア導体１５６Ｆと第７導体層３４Ｆとの間の接合強度は、第２ビア導体２５６Ｆと第１導体層１５８Ｆとの間の接合強度より大きい。第１ビア導体１５６Ｆと第１導体層１５８Ｆとの間の接合強度は、第２ビア導体２５６Ｆと第１導体層１５８Ｆとの間の接合強度より大きい。第２ビア導体２５６Ｆと第１導体層１５８Ｆとの間の接合強度は第３ビア導体３７６Ｆと第２導体層２５８Ｆとの間の接合強度より大きい。第２ビア導体２５６Ｆと第１導体層１５８Ｆとの間の接合強度は、第３ビア導体３７６Ｆと第３導体層１７８Ｆとの間の接合強度より大きい。従って、第３ビア導体３７６Ｆと第２導体層２５８Ｆとの間の接続信頼性が低下しやすい。第３ビア導体３７６Ｆと第３導体層１７８Ｆとの間の接続信頼性が低下しやすい。また、ビア導体内のストレスの大きさが同じでも、ビア導体の径により、単位断面積当たりのストレスの大きさは異なる。従って、第１ビルドアップ層５０Ｆ内のストレスが第３ビルドアップ層７０Ｆに伝達されると、単位断面積当たりの第１ビア導体１５６Ｆ内のストレスの大きさは、単位断面積当たりの第３ビア導体３７６Ｆ内のストレスの大きさと異なる。径ｃ３が径ｃ１より小さい。第３ビア導体３７６Ｆ内の単位断面積当たりのストレスの大きさは第１ビア導体１５６Ｆ内の単位断面積当たりのストレスの大きさより大きい。上側のビルドアップ層Ｂｕ１内に形成されているビア導体に不具合が発生する時、第３ビア導体３７６Ｆと第２導体層２５８Ｆとの間の接続信頼性が低下しやすい。第３ビア導体３７６Ｆと第３導体層１７８Ｆとの間の接続信頼性が低下しやすい。しかしながら、実施形態のプリント配線板１０は第２ビルドアップ層６０Ｆを有するので、第２ビルドアップ層６０Ｆでストレスを緩和することが出来る。第３ビア導体３７６Ｆと第２導体層２５８Ｆとの間の接続信頼性が低下し難い。第３ビア導体３７６Ｆと第３導体層１７８Ｆとの間の接続信頼性が低下し難い。

径ｃ１と径ｃ２との比（ｃ１／ｃ２）は１．５以上、２．５以下である。比（ｃ１／ｃ２）は２．０以上であることが好ましい。径ｃ２と径ｃ３との比（ｃ２／ｃ３）は２以上、３以下である。比（ｃ２／ｃ３）は２．２以上、２．７以下であることが好ましい。比（ｃ１／ｃ２）は２．５であって、比（ｃ２／ｃ３）は２．５であることが好ましい。第３ビア導体３７６Ｆと第２導体層２５８Ｆとの間の接続信頼性を高くすることができる。第３ビア導体３７６Ｆと第３導体層１７８Ｆとの間の接続信頼性を高くすることができる。
径ｃ１は４０μｍ以上、６０μｍ以下である。径ｃ２は２０μｍ以上、３０μｍ以下である。径ｃ３は５μｍ以上、１５μｍ以下である。第３ビア導体３７６Ｆと第２導体層２５８Ｆとの間の接続信頼性を高くすることができる。第３ビア導体３７６Ｆと第３導体層１７８Ｆとの間の接続信頼性を高くすることができる。
実施形態のプリント配線板１０では、第１ビルドアップ層５０Ｆから第３ビルドアップ層７０Ｆに向かってビア導体の径が段階的に小さくなっている。ストレスが段階的に小さくなる。ビア導体の径が徐々に小さくなっている。ストレスが徐々に小さくなる。第３ビア導体３７６Ｆに起因する不具合を効果的に抑えることができる。

図２に示されるように、第１樹脂絶縁層１５０Ｆは厚みａ１を有する。図２に示されるように、厚みａ１は隣接する第１導体層１５８Ｆとの間の距離である。
図２に示されるように、第２樹脂絶縁層２５０Ｆは厚みａ２を有する。図２に示されるように、厚みａ２は第１導体層１５８Ｆと第２導体層２５８Ｆとの間の距離である。
図２に示されるように、第３樹脂絶縁層１７０Ｆは厚みａ３を有する。図２に示されるように、厚みａ３は隣接する第３導体層１７８Ｆとの間の距離である。
厚みａ１は厚みａ２より大きい。厚みａ２は厚みａ３より大きい。厚みａ３が、厚みａ１と厚みａ２と厚みａ３の中で最も小さい。
樹脂絶縁層の厚みが小さいと、樹脂絶縁層の強度が小さくなる。第１樹脂絶縁層１５０Ｆの強度は、第２樹脂絶縁層２５０Ｆの強度より大きい。第２樹脂絶縁層２５０Ｆの強度は第３樹脂絶縁層１７０Ｆの強度より大きい。従って、第３樹脂絶縁層１７０Ｆの絶縁抵抗が低下しやすい。また、樹脂絶縁層内のストレスの大きさが同じでも、樹脂絶縁層の厚みにより、単位断面積当たりのストレスの大きさは異なる。従って、第１ビルドアップ層５０Ｆ内のストレスが第３ビルドアップ層７０Ｆに伝達されると、単位断面積当たりの第１樹脂絶縁層１５０Ｆ内のストレスの大きさは単位断面積当たりの第３樹脂絶縁層１７０Ｆ内のストレスの大きさと異なる。厚みａ３が厚みａ１より小さい。第３樹脂絶縁層１７０Ｆ内の単位断面積当たりのストレスの大きさは第１樹脂絶縁層１５０Ｆ内の単位断面積当たりのストレスの大きさより大きい。

上側のビルドアップ層Ｂｕ１内に形成されている樹脂絶縁層に不具合が発生する時、第３樹脂絶縁層１７０Ｆの絶縁抵抗が低下しやすい。しかしながら、実施形態のプリント配線板１０は第２ビルドアップ層６０Ｆを有するので、第２ビルドアップ層６０Ｆでストレスを緩和することが出来る。第３樹脂絶縁層１７０Ｆの絶縁抵抗が低下し難い。
厚みａ１と厚みａ２との比（ａ１／ａ２）は２以上、３以下である。比（ａ１／ａ２）は２．５以上であることが好ましい。厚みａ２と厚みａ３との比（ａ２／ａ３）は１．２５以上、２以下である。比（ａ２／ａ３）は１．３以上であることが好ましい。比（ａ１／ａ２）は２．５であって、比（ａ２／ａ３）は１．３であることが好ましい。第３ビア導体３７６Ｆと第２導体層２５８Ｆとの間の接続信頼性を高くすることができる。第３ビア導体３７６Ｆと第３導体層１７８Ｆとの間の接続信頼性を高くすることができる。第３樹脂絶縁層１７０Ｆの絶縁抵抗を高くすることができる。
厚みａ１は２０μｍ以上、３０μｍ以下である。厚みａ２は７．５μｍ以上、１２．５μｍ以下である。厚みａ３は５μｍ以上、１０μｍ以下である。第３樹脂絶縁層１７０Ｆの絶縁抵抗を高くすることができる。
実施形態のプリント配線板１０では、第１ビルドアップ層５０Ｆから第３ビルドアップ層７０Ｆに向かって樹脂絶縁層の厚みが段階的に小さくなっている。ストレスが段階的に小さくなる。樹脂絶縁層の厚みが徐々に薄くなっている。ストレスが徐々に小さくなる。第３樹脂絶縁層１７０Ｆの絶縁抵抗の低下を効果的に抑えることができる。

第１ビア導体１５６Ｆは第１樹脂絶縁層１５０Ｆを貫通する。従って、第１ビア導体１５６Ｆの長さは第１樹脂絶縁層１５０Ｆの厚みａ１とほぼ一致する。
第２ビア導体２５６Ｆは第２樹脂絶縁層２５０Ｆを貫通する。従って、第２ビア導体２５６Ｆの長さは第２樹脂絶縁層２５０Ｆの厚みａ２とほぼ一致する。
第３ビア導体３７６Ｆは第３樹脂絶縁層１７０Ｆを貫通する。従って、第３ビア導体３７６Ｆの長さは第３樹脂絶縁層１７０Ｆの厚みａ３とほぼ一致する。
ビア導体の径が、第１ビア導体１５６Ｆ、第２ビア導体２５６Ｆ、第３ビア導体３７６Ｆの順で小さくなる。そのため、第３ビア導体３７６Ｆがストレスの影響を受けやすい。しかしながら、第３ビア導体３７６Ｆの長さが、３つの中で最も小さい。そのため、ストレスによる第３ビア導体３７６Ｆのダメージを小さくすることができる。

図２に示される寸法の例が以下に示される。
厚みｂ１は１５μｍであり、厚みｂ２は６μｍであり、厚みｂ３は２．５μｍである。
径ｃ１は５０μｍであり、径ｃ２は２５μｍであり、径ｃ３は１０μｍである。
厚みａ１は２５μｍであり、厚みａ２は１０μｍであり、厚みａ３は７．５μｍである。

図３は、下側のビルドアップ層Ｂｕ２の拡大図である。
第４導体層１５８Ｓは、複数の第４導体回路１５８Ｓ１で形成される。第４導体回路１５８Ｓ１の厚みは厚みｂ４である。第６導体層１７８Ｓは第６導体回路１７８Ｓ１で形成される。第６導体回路１７８Ｓ１の厚みは厚みｂ６である。

図３に示されるように、第４ビア導体１５６Ｓは第４ビアランド１５６ＳＬと第４ビア導体１５６Ｓとの間の界面に第４ビア導体１５６Ｓの径ｃ４を有する。第４ビアランド１５６ＳＬと第４ビア導体１５６Ｓとの間の界面と第４樹脂絶縁層１５０Ｓと第４導体層１５８Ｓとの間の界面は一致する。
図３に示されるように、第６ビア導体３７６Ｓは第６ビアランド３７６ＳＬと第６ビア導体３７６Ｓとの間の界面に第６ビア導体３７６Ｓの径ｃ６を有する。第６ビアランド３７６ＳＬと第６ビア導体３７６Ｓとの間の界面と最外の第６樹脂絶縁層１７０ＳＭと第６導体層１７８Ｓとの間の界面は一致する。

第４ビア導体１５６Ｓの径ｃ４は第１ビア導体１５６Ｆの径ｃ１とほぼ等しい。第６ビア導体の径ｃ６は、第２ビア導体の径ｃ２よりも大きい。第６ビア導体の径ｃ６は第４ビア導体の径ｃ４とほぼ等しいことが望ましい。

図３に示されるように、第４樹脂絶縁層１５０Ｓは厚みａ４を有する。図３に示されるように、厚みａ４は隣接する第４導体層１５８Ｓとの間の距離である。第４樹脂絶縁層１５０の厚みａ４は、第１樹脂絶縁層１５０Ｆの厚みａ１とほぼ等しいことが望ましい。図３に示されるように、第６ビア導体３７６Ｓは深さａ６を有する。第６ビア導体３７６Ｓは深さａ６は、上側のビルドアップ層Ｂｕ１との層バランスを取るため、第２樹脂絶縁層の厚みａ２と、６層の第３樹脂絶縁層１７０Ｆの厚み（６×ａ３）とを加えたものと同程度であることが望ましい。

図３に示される寸法の例が以下に示される。
厚みｂ４は１５μｍであり、厚みｂ６は１５μｍである。
径ｃ４は５０μｍであり、径ｃ６は５０μｍである。
厚みａ４は２５μｍであり、厚みａ６は３２．２μｍである。

実施形態のプリント配線板は、上側のビルドアップ層Ｂｕ１が、第１ビルドアップ層５０Ｆと第２ビルドアップ層６０Ｆと第３ビルドアップ層７０Ｆから成り、下側のビルドアップ層Ｂｕ２が、第１ビルドアップ層５０Ｆと同様な構成の第４ビルドアップ層５０Ｓと、第２ビルドアップ層６０Ｆと同様な構成の第５ビルドアップ層６０Ｓと、第３ビルドアップ層７０Ｆと同様な構成の第６ビルドアップ層７０Ｓから成る。即ち、上側のビルドアップ層Ｂｕ１と下側のビルドアップ層Ｂｕ２とが同様な層構成であるため、コア基板３０の第１面Ｆ側と第２面Ｓ側で層構成の対称性が保たれ、反りが生じにくい。更に、第５樹脂絶縁層２５０Ｓ上及び内層の第６樹脂絶縁層１７０ＳＵ上に導体層が有されないが、第５ビルドアップ層６０Ｓと第６ビルドアップ層７０Ｓとを貫通する第６ビア導体３７６Ｓが形成されるため、内層の導体層を有さない第５ビルドアップ層６０Ｓと第６ビルドアップ層７０Ｓの導体体積と、内層の導体層を有する第２ビルドアップ層６０Ｆと第３ビルドアップ層７０Ｆの導体体積との差が小さく、コア基板３０の第１面Ｆ側と第２面Ｓ側で銅体積の対称性が保たれ、反りが生じにくい。

実施形態のプリント配線板１０は、第１ビルドアップ層５０Ｆと第１ビルドアップ層５０Ｆ上に形成されている第２ビルドアップ層６０Ｆと第２ビルドアップ層６０Ｆ上に形成されている第３ビルドアップ層７０Ｆとを有する。そして、第１ビルドアップ層５０Ｆの第１樹脂絶縁層１５０Ｆの厚みａ１よりも、第２ビルドアップ層６０Ｆの第２樹脂絶縁層２５０Ｆの厚みａ２が薄く、第２ビルドアップ層６０Ｆの第２樹脂絶縁層２５０Ｆの厚ａ２みよりも、第３ビルドアップ層７０Ｆの第３樹脂絶縁層１７０Ｆの厚みａ３が薄い。第１樹脂絶縁層１５０Ｆの熱膨張係数は、第３樹脂絶縁層１７０Ｆの熱膨張係数よりも低い。例えば、第１樹脂絶縁層１５０Ｆの熱膨張係数は２３、第３樹脂絶縁層１７０Ｆの熱膨張係数は４１である。第３樹脂絶縁層１７０Ｆの熱膨張係数は、第１樹脂絶縁層１５０Ｆの熱膨張係数の１．５〜２．５倍程度であることが望ましい。厚みの厚い第１樹脂絶縁層１５０Ｆの熱膨張係数が、厚みの薄い第３樹脂絶縁層１７０Ｆの熱膨張係数よりも低いことで、第１ビルドアップ層５０Ｆと第３ビルドアップ層７０Ｆとの熱膨張による応力差が小さくなる。そのため、実施形態のプリント配線板によれば、第１ビルドアップ層５０Ｆと第２ビルドアップ層６０Ｆとの間の界面で接続信頼性が低下し難いと考えられる。第２ビルドアップ層６０Ｆと第３ビルドアップ層７０Ｆとの間の界面で接続信頼性が低下し難いと考えられる。第２樹脂絶縁層２５０Ｆと第３樹脂絶縁層１７０Ｆとの熱膨張係数は等しい。

第３ビルドアップ層７０Ｆを形成している第３導体層１７８Ｆは複数の第３導体回路１７８Ｆ１と隣接する第３導体回路１７８Ｆ１間のスペースＳＰで形成されている。第３導体回路１７８Ｆ１は幅Ｌを有し、幅Ｌは２μｍ以上、４μｍ以下である。スペースＳＰは幅Ｓ１を有し、幅Ｓ１は２μｍ以上、４μｍ以下である。スペースＳＰと幅Ｓ１、Ｌは図１に示されている。

第３ビルドアップ層７０Ｆの第３樹脂絶縁層１７０Ｆの表面粗度は、第１ビルドアップ層５０Ｆの第１樹脂絶縁層１５０Ｆの表面粗度よりも低い。第３樹脂絶縁層１７０ＦのＲａ（平均粗度高さ）は３０〜１００ｎｍであり、第１ビルドアップ層５０Ｆの第１樹脂絶縁層１５０Ｆの表面粗度は１００〜３００ｎμｍである。第３樹脂絶縁層１７０Ｆは粗度が低いことで、上述された第３導体回路１７８Ｆ１を幅Ｌ、２μｍ以上、４μｍ以下、スペースＳＰの幅Ｓ１、２μｍ以上、４μｍ以下に形成することができる。厚みの厚い第１樹脂絶縁層１５０Ｆは相対的に高い応力が生じるが、粗度が高いことで第１樹脂絶縁層間での剥離を防ぐことができる。

３０ コア基板
５０Ｆ 第１ビルドアップ層
５０Ｓ 第４ビルドアップ層
６０Ｆ 第２ビルドアップ層
６０Ｓ 第５樹脂絶縁層
７０Ｆ 第３ビルドアップ層
７０Ｓ 第６ビルドアップ層
１５０Ｆ 第１樹脂絶縁層
１５６Ｆ 第１ビア導体
１５８Ｆ 第１導体層
２５０Ｆ 第２樹脂絶縁層
２５６Ｆ 第２ビア導体
２５８Ｆ 第２導体層
１７０Ｆ 第３樹脂絶縁層
１７８Ｆ 第３導体層
３７６Ｆ 第３ビア導体
３７６Ｓ 第６ビア導体
Ｂｕ１ 上側のビルドアップ層
Ｂｕ２ 下側のビルドアップ層

Claims (10)

1. 第１面と前記第１面と反対側の第２面を有するコア基板と、前記コア基板の前記第１面上に形成されている上側のビルドアップ層と、前記コア基板の前記第２面上に形成されている下側のビルドアップ層とを有し、
   前記上側のビルドアップ層は、
   第１樹脂絶縁層と前記第１樹脂絶縁層上の第１導体層と前記第１樹脂絶縁層を貫通し前記第１導体層に繋がる第１ビア導体とを有する第１ビルドアップ層と、
   前記第１ビルドアップ層上に形成されている第２樹脂絶縁層と前記第２樹脂絶縁層上の第２導体層と前記第２樹脂絶縁層を貫通し前記第２導体層に繋がる第２ビア導体とを有する第２ビルドアップ層と、
   前記第２ビルドアップ層上に形成されている第３樹脂絶縁層と前記第３樹脂絶縁層上の第３導体層と前記第３樹脂絶縁層を貫通し前記第３導体層に繋がる第３ビア導体とを有する第３ビルドアップ層、とから成り、
   前記下側のビルドアップ層は、
   第４樹脂絶縁層と前記第４樹脂絶縁層上の第４導体層と前記第４樹脂絶縁層を貫通し前記第４導体層に繋がる第４ビア導体を有する第４ビルドアップ層と、
   前記第４ビルドアップ層上に形成されている第５樹脂絶縁層を有する第５ビルドアップ層と、
   前記第５ビルドアップ層上に形成されている第６樹脂絶縁層と、最外の第６樹脂絶縁層上に形成された第６導体層とを有する第６ビルドアップ層、とから成るプリント配線板であって、
   前記第１樹脂絶縁層の厚みは前記第２樹脂絶縁層の厚みより大きく、前記第２樹脂絶縁層の厚みは前記第３樹脂絶縁層の厚みより大きく、
   前記第４樹脂絶縁層の厚みは前記第５樹脂絶縁層の厚みより大きく、前記第５樹脂絶縁層の厚みは前記第６樹脂絶縁層の厚みより大きく、
   前記第５ビルドアップ層と前記第６ビルドアップ層とを貫通し前記第６導体層と最外の第４導体層に繋がる第６ビア導体が形成され、
   前記第５樹脂絶縁層上、及び、内層の第６樹脂絶縁層上に導体層を有しない。
2. 請求項１のプリント配線板であって、
   前記第１ビア導体は前記第１導体層と前記第１ビア導体との間の界面に第１ビア導体の径を有し、前記第２ビア導体は前記第２導体層と前記第２ビア導体との間の界面に第２ビア導体の径を有し、前記第３ビア導体は前記第３導体層と前記第３ビア導体との間の界面に第３ビア導体の径を有し、前記第１ビア導体の径は前記第２ビア導体の径より大きく、前記第２ビア導体の径は前記第３ビア導体の径より大きく、
   前記第４ビア導体は前記第４導体層と前記第４ビア導体との間の界面に第４ビア導体の径を有し、前記第１ビア導体の径と前記第４ビア導体の径は略等しく、前記第１導体層の厚みと前記第４導体層の厚みは略等しく、前記第１樹脂絶縁層の厚みと前記第４樹脂絶縁層の厚みは略等しく、前記第１導体層の数と前記第４導体層の数は等しく、前記第１樹脂絶縁層の数と前記第４樹脂絶縁層の数は等しく、
   前記第２樹脂絶縁層の厚みと前記第５樹脂絶縁層の厚みは略等しく、前記第２樹脂絶縁層の数と前記第５樹脂絶縁層の数は等しく、
   前記第３樹脂絶縁層の厚みと前記第６樹脂絶縁層の厚みは略等しく、前記第３樹脂絶縁層の数と前記第６樹脂絶縁層の数は等しく、
   前記第６ビア導体は前記第６導体層と前記第６ビア導体との間の界面に第６ビア導体の径を有し、前記第６ビア導体の径は前記第２ビア導体の径よりも大きい。
3. 請求項１のプリント配線板であって、
   前記第１樹脂絶縁層の熱膨張係数は、前記第３樹脂絶縁層の熱膨張係数よりも低く、
   前記第１樹脂絶縁層の熱膨張係数は前記第４樹脂絶縁層の熱膨張係数と等しく、
   前記第３樹脂絶縁層の熱膨張係数は前記第６樹脂絶縁層の熱膨張係数と等しい。
4. 請求項３のプリント配線板であって、
   前記第２樹脂絶縁層の熱膨張係数は前記第３樹脂絶縁層の熱膨張係数と等しく、
   前記第２樹脂絶縁層の熱膨張係数は前記第５樹脂絶縁層の熱膨張係数と等しい。
5. 請求項１のプリント配線板であって、
   前記第１樹脂絶縁層の表面粗度は、前記第３樹脂絶縁層の表面粗度よりも高い。
6. 請求項１のプリント配線板であって、前記第１導体層の厚みは前記第２導体層の厚みより大きく、前記第２体層の厚みは前記第３導体層の厚みより大きい。
7. 請求項１のプリント配線板であって、前記第２樹脂絶縁層の数と前記第５樹脂絶縁層の数は１である。
8. 請求項１のプリント配線板であって、前記第１樹脂絶縁層の数と前記第１導体層の数と前記第３樹脂絶縁層の数と前記第３導体層の数はそれぞれ複数である。
9. 請求項１のプリント配線板であって、前記第１ビルドアップ層と前記第２ビルドアップ層と前記第３ビルドアップ層で上側のビルドアップ層が形成され、前記上側のビルドアップ層上に電子部品が実装され、前記下側のビルドアップ層がマザーボード上に搭載される。
10. 請求項９のプリント配線板であって、前記上側のビルドアップ層は、さらに、前記電子部品を実装するための金属ポストを有する。

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