JP2019165060A - 半導体装置及びその制御方法 - Google Patents
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Abstract
Description
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
また、本願明細書と各図において、既に説明したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
以下の説明及び図面において、n+、n−及びp+、pの表記は、各導電形における不純物濃度の相対的な高低を表す。すなわち、「+」が付されている表記は、「+」及び「−」のいずれも付されていない表記よりも不純物濃度が相対的に高く、「−」が付されている表記は、いずれも付されていない表記よりも不純物濃度が相対的に低いことを示す。
以下で説明する各実施形態について、各半導体領域のp形とn形を反転させて各実施形態を実施してもよい。
図2は、実施形態に係る半導体装置に含まれる半導体素子の一部を表す斜視断面図である。
半導体素子1が、pチャネル型のMOSである場合、第4電位は第3電位よりも低い閾値以下の電位である。第2電位は第1電位よりも低い閾値以下の電位である。
n−形ドリフト領域11、p形ベース領域12、n+形ソース領域13、p+形コンタクト領域14、及びn+形ドレイン領域15は、半導体材料として、シリコン、炭化シリコン、窒化ガリウム、またはガリウムヒ素を含む。半導体材料としてシリコンが用いられる場合、n形不純物として、ヒ素、リン、またはアンチモンを用いることができる。p形不純物として、ボロンを用いることができる。
導電部20及びゲート電極25は、ポリシリコンなどの導電材料を含む。
第1絶縁部21、第2絶縁部22、絶縁層27,及びゲート絶縁部26は、酸化シリコンなどの絶縁材料を含む。
ドレイン電極31、ソース電極32、パッド電極33、及びパッド電極34は、アルミニウムなどの金属を含む。
図3は、実施形態に係る半導体装置を含む電気機器の回路図である。
図4及び図5は、図3に表した電気回路の動作を表す模式図である。
図6は、図3に表した電気回路の動作を表すタイムチャートである。
実施形態に係る半導体装置100では、導電部20及びゲート電極25が制御部2と電気的に接続されている。そして、制御部2は、導電部20及びゲート電極25のそれぞれの電位を、個別に制御する。具体的には、制御部2は、以下の第1動作、第2動作、第3動作、及び第4動作を行う。
第2動作では、制御部2は、ゲート電極25の電位を、第3電位P3から、第3電位P3よりも絶対値が大きい第4電位P4へ変化させる。これにより、ゲート電極25近傍のp形ベース領域12に反転層ILが形成され、半導体素子1がオン状態となる。
第1動作を行うタイミングは、第2動作と同じでも良いし、第2動作と異なっていても良い。図4〜図6の例では、第1動作は、第2動作よりも前に行われている。
第4動作では、制御部2は、導電部20の電位を第2電位P2から第1電位P1へ変化させる。第4動作は、第3動作の後に行われる。これにより、蓄積層ALが消滅する。
第2動作では、半導体素子1aのゲート電極25aの電位を、第3電位P3から、第4電位P4へ変化させる。これにより、半導体素子1aがオン状態へ切り替わる。
第2動作の後の第3動作では、ゲート電極25aの電位を、第4電位P4から第3電位P3へ変化させる。これにより、半導体素子1aがオン状態からオフ状態に切り替わる。また、半導体素子1aをオフ状態に切り替えたことで、第3動作の後に半導体素子1bに回生電流IFが流れる。
第3動作の後の第1動作では、半導体素子1bの導電部20bの電位を、第1電位P1から第2電位P2へ変化させる。これにより、半導体素子1bに回生電流IFが流れる際、半導体素子1bのn−形ドリフト領域11に蓄積層ALが形成される。第1動作を行うタイミングは、第3動作と同時でも良いし、第3動作と異なっていても良い。
図8は、図7に表した電気回路の動作を表す模式図である。
図9は、図7に表した電気回路の動作を表すタイムチャートである。
第2動作では、一部の半導体素子1のゲート電極25の電位を、第3電位P3から、第3電位P3よりも絶対値が大きい第4電位P4へ変化させる。これにより、上記一部の半導体素子1がオン状態に切り替わる。
第2動作の後の第3動作では、上記一部の半導体素子1のゲート電極25の電位を第4電位P4から第3電位P3へ変化させる。これにより、上記一部の半導体素子1がオフ状態に切り替わる。
第3動作の後の第1動作では、別の一部の半導体素子1の導電部20の電位を、第1電位P1から、第1電位P1よりも絶対値が大きい第2電位P2へ変化させる。
または、第2動作は、タイミングT3におけるゲート電極25dの電位の切り替えに対応する。第3動作は、タイミングT5におけるゲート電極25dの電位の切り替えに対応する。第1動作は、タイミングT5における導電部20aの電位の切り替えに対応する。
図8及び図9に表した動作では、上記別の第2動作は、例えば、タイミングT3におけるゲート電極25dの電位の切り替え又はタイミングT6におけるゲート電極25aの電位の切り替えに対応する。
また、各半導体領域における不純物濃度については、例えば、SIMS(二次イオン質量分析法)により測定することが可能である。
Claims (8)
- 第1導電形の第1半導体領域と、
前記第1半導体領域の上に設けられた第2導電形の第2半導体領域と、
前記第2半導体領域の一部の上に設けられた第1導電形の第3半導体領域と、
前記第1半導体領域中に第1絶縁部を介して設けられた導電部と、
前記導電部の上に第2絶縁部を介して設けられ、前記第1半導体領域から前記第2半導体領域に向かう第1方向に垂直な第2方向において、前記第1半導体領域の一部、前記第2半導体領域、及び前記第3半導体領域の少なくとも一部とゲート絶縁部を介して対向するゲート電極と、
を有する半導体素子と、
前記導電部及び前記ゲート電極と電気的に接続され、
前記導電部の電位を、第1電位から、前記第1電位よりも絶対値が大きい第2電位へ変化させる第1動作と、
前記ゲート電極の電位を、第3電位から、前記第3電位よりも絶対値が大きい第4電位へ変化させ、前記半導体素子をオン状態へ切り替える第2動作と、
前記第1動作及び前記第2動作の後に、前記ゲート電極の電位を前記第4電位から前記第3電位へ変化させ、前記半導体素子をオフ状態へ切り替える第3動作と、
前記第3動作の後に、前記導電部の電位を前記第2電位から前記第1電位へ変化させる第4動作と、
を行う制御部と、
を備えた半導体装置。 - 前記第2動作は、前記第1動作と同時、または前記第1動作よりも前に行われる請求項1記載の半導体装置。
- 複数の半導体素子であって、前記複数の半導体素子のそれぞれは、
第1導電形の第1半導体領域と、
前記第1半導体領域の上に設けられた第2導電形の第2半導体領域と、
前記第2半導体領域の一部の上に設けられた第1導電形の第3半導体領域と、
前記第1半導体領域中に第1絶縁部を介して設けられた導電部と、
前記導電部の上に第2絶縁部を介して設けられ、前記第1半導体領域から前記第2半導体領域に向かう第1方向に垂直な第2方向において、前記第1半導体領域の一部、前記第2半導体領域、及び前記第3半導体領域の少なくとも一部とゲート絶縁部を介して対向するゲート電極と、
を有する、前記複数の半導体素子と、
複数の前記導電部及び複数の前記ゲート電極と電気的に接続され、
一部の前記半導体素子の前記ゲート電極の電位を、第3電位から、前記第3電位よりも絶対値が大きい第4電位へ変化させ、前記一部の半導体素子をオン状態へ切り替える第2動作と、
前記第2動作の後に、前記一部の半導体素子の前記ゲート電極の電位を前記第4電位から前記第3電位へ変化させ、前記一部の半導体素子をオフ状態へ切り替える第3動作と、
前記第2動作の後に、別の一部の前記半導体素子の前記導電部の電位を、第1電位から、前記第1電位よりも絶対値が大きい第2電位へ変化させる第1動作と、
を行う制御部と、
を備えた半導体装置。 - 前記第3動作は、前記第2動作と同時、または前記第2動作よりも前に行われる請求項3記載の半導体装置。
- 前記制御部は、前記第2動作及び前記第3動作の後に、前記別の一部の半導体素子の前記ゲート電極の電位を、前記第3電位から前記第4電位へ変化させ、前記別の一部の半導体素子をオン状態に切り替える第4動作をさらに行う請求項3または4に記載の半導体装置。
- 前記一部の半導体素子は、前記別の一部の半導体素子と直列に接続される請求項3〜5のいずれか1つに記載の半導体装置。
- 第1導電形の第1半導体領域と、
前記第1半導体領域の上に設けられた第2導電形の第2半導体領域と、
前記第2半導体領域の一部の上に設けられた第1導電形の第3半導体領域と、
前記第1半導体領域中に第1絶縁部を介して設けられた導電部と、
前記導電部の上に第2絶縁部を介して設けられ、前記第1半導体領域から前記第2半導体領域に向かう第1方向に垂直な第2方向において、前記第1半導体領域の一部、前記第2半導体領域、及び前記第3半導体領域の少なくとも一部とゲート絶縁部を介して対向するゲート電極と、
を有する半導体素子を備えた半導体装置について、
前記導電部の電位を、第1電位から、前記第1電位よりも絶対値が大きい第2電位へ変化させる第1動作と、
前記ゲート電極の電位を、第3電位から、前記第3電位よりも絶対値が大きい第4電位へ変化させ、前記半導体素子をオン状態へ切り替える第2動作と、
前記第1動作及び前記第2動作の後に、前記ゲート電極の電位を前記第4電位から前記第3電位へ変化させ、前記半導体素子をオフ状態へ切り替える第3動作と、
前記第3動作の後に、前記導電部の電位を前記第2電位から前記第1電位へ変化させる第4動作と、
を行う半導体装置の制御方法。 - 複数の半導体素子であって、前記複数の半導体素子のそれぞれは、
第1導電形の第1半導体領域と、
前記第1半導体領域の上に設けられた第2導電形の第2半導体領域と、
前記第2半導体領域の一部の上に設けられた第1導電形の第3半導体領域と、
前記第1半導体領域中に第1絶縁部を介して設けられた導電部と、
前記導電部の上に第2絶縁部を介して設けられ、前記第1半導体領域から前記第2半導体領域に向かう第1方向に垂直な第2方向において、前記第1半導体領域の一部、前記第2半導体領域、及び前記第3半導体領域の少なくとも一部とゲート絶縁部を介して対向するゲート電極と、
を有する、前記複数の半導体素子を備えた半導体装置について、
一部の前記半導体素子の前記ゲート電極の電位を、第3電位から、前記第3電位よりも絶対値が大きい第4電位へ変化させ、前記一部の半導体素子をオン状態へ切り替える第2動作と、
前記第2動作の後に、前記一部の半導体素子の前記ゲート電極の電位を前記第4電位から前記第3電位へ変化させ、前記一部の半導体素子をオフ状態へ切り替える第3動作と、
前記第1動作の後に、別の一部の前記半導体素子の前記導電部の電位を、第1電位から、前記第1電位よりも絶対値が大きい第2電位へ変化させる第1動作と、
を行う半導体装置の制御方法。
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