JP2007288774A - 低スイッチング損失、低ノイズを両立するパワーmos回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ゲート端子に入力される制御電圧によってドレイン電流を制御するMOSFET30を含むスイッチング回路100であって、コンデンサ42を介してMOSFET30のドレイン端子をダイオード40のアノード端子に接続し、MOSFET30のゲート端子をダイオード40のカソード端子に接続する。
【選択図】図1
Description
Nチャネル型のMOSFET30を備えたスイッチング回路100の実施例について説明する。ここでは、電源電圧VDDを100Vとし、コンデンサ42を1nFとした場合とコンデンサ42を10nFとした場合のサージ電圧の抑制効果について示す。
スイッチング回路100の一部は、図9〜図18に示すように、MOSFET30とダイオード40とコンデンサ42とを同一の半導体基板50に設けることによって構成することができる。図9〜図18に示す例はいずれも、MOSFET30とコンデンサ42が半導体基板50内に設けられ、ダイオード40が半導体基板50上に設けられている態様である。MOSFET30とダイオード40とコンデンサ42とは、半導体基板50を利用して一体に構成されており、1つのチップとして構成されている。なお、半導体基板50には、単結晶シリコンが用いられている。
Claims (14)
- ゲート又はベース端子に入力される信号によってドレイン又はコレクタ電流を制御するトランジスタを含むスイッチング回路であって、
前記トランジスタのドレイン又はコレクタ端子は、コンデンサを介してダイオードのアノード端子に接続され、
前記トランジスタのゲート又はベース端子は、前記ダイオードのカソード端子に接続されていることを特徴とするスイッチング回路。 - ゲート又はベース端子に入力される信号によってドレイン又はコレクタ電流を制御するトランジスタを含むスイッチング回路であって、
前記トランジスタのゲート又はベース端子は、コンデンサを介してダイオードのカソード端子に接続され、
前記トランジスタのドレイン又はコレクタ端子は、前記ダイオードのアノード端子に接続されていることを特徴とするスイッチング回路。 - 請求項1又は2に記載のスイッチング回路であって、
前記トランジスタは、MOSFET又はIGBTであることを特徴とするスイッチング回路。 - 請求項1〜3のいずれか1つに記載のスイッチング回路であって、
前記コンデンサの容量は、ドレイン電圧が0Vでのゲート−ドレイン間容量の0.01倍〜100倍であることを特徴とするスイッチング回路。 - 請求項1〜4のいずれか1つに記載のスイッチング回路であって、
前記トランジスタと、前記ダイオードと、前記コンデンサと、は同一の半導体基板に設けられていることを特徴とするスイッチング回路。 - 請求項5に記載のスイッチング回路であって、
前記ダイオードは、
前記半導体基板上に絶縁膜を介して設けられているp型の不純物を含むアノード半導体領域と、
前記半導体基板上に絶縁膜を介して設けられていると共に前記アノード半導体領域に接しているn型の不純物を含むカソード半導体領域と、
を有していることを特徴とするスイッチング回路。 - 請求項6に記載のスイッチング回路であって、
前記アノード半導体領域と、前記カソード半導体領域と、は多結晶シリコンで構成されていることを特徴とするスイッチング回路。 - 請求項5に記載のスイッチング回路であって、
前記ダイオードは、
前記半導体基板の表面に埋込み構造として設けられており、p型の不純物を含むアノード半導体領域と、前記アノード半導体領域に接しているn型の不純物を含むカソード半導体領域と、を有していることを特徴とするスイッチング回路。 - 請求項5〜8のいずれか1つに記載のスイッチング回路であって、
前記コンデンサは、
前記半導体基板の表面から裏面に向けて伸びている埋込み導電体領域と、
前記埋込み導電体領域を被覆しており、前記埋込み導電体領域を前記半導体基板から電気的に絶縁している被覆絶縁体領域と、
を有していることを特徴とするスイッチング回路。 - 請求項5に記載のスイッチング回路であって、
前記ダイオードは、
前記半導体基板上に絶縁膜を介して設けられているp型の不純物を含むアノード半導体領域と、
前記半導体基板上に絶縁膜を介して設けられていると共に記アノード半導体領域に接しているn型の不純物を含むカソード半導体領域と、を有しており、
前記コンデンサは、
前記半導体基板の表面から裏面に向けて伸びている埋込み導電体領域と、
前記埋込み導電体領域を被覆しており、前記埋込み導電体領域を前記半導体基板から電気的に絶縁している被覆絶縁体領域と、を有しており、
前記カソード半導体領域は、前記トランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記アノード半導体領域は、前記埋込み導電体領域に接続されており、
前記埋込み半導体領域と、前記トランジスタのドレイン又はコレクタと、は前記被覆絶縁体領域を介して電気的に接続されていることを特徴とするスイッチング回路。 - 請求項5に記載のスイッチング回路であって、
前記ダイオードは、
前記半導体基板の表面から裏面に向けて広がったp型の不純物を添加したpウェル領域と、
前記半導体基板の前記pウェル領域の表面層にp型の不純物を添加したアノード半導体領域と、
前記半導体基板の前記pウェル領域の表面層にn型の不純物を添加したカソード半導体領域と、を有しており、
前記コンデンサは、
前記半導体基板の表面から裏面に向けて伸びている埋込み導電体領域と、
前記埋込み導電体領域を被覆しており、前記埋込み導電体領域を前記半導体基板から電気的に絶縁している被覆絶縁体領域と、を有しており、
前記カソード半導体領域は、前記トランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記アノード半導体領域は、前記埋込み導電体領域に接続されており、
前記埋込み半導体領域と、前記トランジスタのドレイン又はコレクタと、は前記被覆絶縁体領域を介して電気的に接続されていることを特徴とするスイッチング回路。 - 請求項5に記載のスイッチング回路であって、
前記ダイオードは、
前記半導体基板の表面から裏面に向けて広がったp型の不純物を添加したpウェル領域と、
前記半導体基板の前記pウェル領域の表面層にp型の不純物を添加したアノード半導体領域と、
前記半導体基板の前記pウェル領域の表面層にn型の不純物を添加したカソード半導体領域と、を有しており、
前記コンデンサは、
前記半導体基板の表面から裏面に向けて伸びている埋込み導電体領域と、
前記埋込み導電体領域を被覆しており、前記埋込み導電体領域を前記半導体基板から電気的に絶縁している被覆絶縁体領域と、を有しており、
前記埋込み導電体領域は、前記トランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記カソード半導体領域は、前記埋込み半導体領域と前記被覆絶縁体領域を介して電気的に接続されており、
前記アノード半導体領域は、前記トランジスタのドレイン又はコレクタと電気的に接続されていることを特徴とするスイッチング回路。 - 請求項5に記載のスイッチング回路であって、
前記ダイオードは、
前記半導体基板の表面から裏面に向けて広がったp型の不純物を添加したpウェル領域と、
前記半導体基板の前記pウェル領域の表面層にp型の不純物を添加したアノード半導体領域と、
前記半導体基板の前記pウェル領域の表面層にn型の不純物を添加したカソード半導体領域と、を有しており、
前記コンデンサは、
前記半導体基板の表面から裏面に向けて伸びている埋込み導電体領域と、
前記埋込み導電体領域を被覆しており、前記埋込み導電体領域を前記半導体基板から電気的に絶縁している被覆絶縁体領域と、を有しており、
前記埋込み導電体領域は、前記トランジスタのゲートと前記被覆絶縁体領域を介して電気的に接続されており、
前記カソード半導体領域は、前記埋込み半導体領域と電気的に接続されており、
前記アノード半導体領域は、前記トランジスタのドレイン又はコレクタと電気的に接続されていることを特徴とするスイッチング回路。 - 請求項1〜13のいずれか1つに記載のスイッチング回路であって、
前記トランジスタは、スーパージャンクション構造であることを特徴とするスイッチング回路。
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