JP2019161128A

JP2019161128A - 発光装置

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Publication number: JP2019161128A
Application number: JP2018048623A
Authority: JP
Inventors: 林　健人; Taketo Hayashi; 健人林; 有毅河村; Yuuki Kawamura; 真央神谷; Masahisa Kamiya; 和田　聡; Satoshi Wada; 聡和田; 政明大沢; Masaaki Osawa
Original assignee: Toyoda Gosei Co Ltd
Current assignee: Toyoda Gosei Co Ltd
Priority date: 2018-03-15
Filing date: 2018-03-15
Publication date: 2019-09-19
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Also published as: JP7043002B2; CN110277729A; US20190285249A1; US10690319B2; CN110277729B

Abstract

【課題】高い輝度と装置の小型化とを実現できる発光装置を提供することである。【解決手段】発光装置１００は、第１の半導体レーザー素子１３１と、第２の半導体レーザー素子１３２と、第１の半導体レーザー素子１３１および第２の半導体レーザー素子１３２からの光を出射する出光面Ｓ１と、を有する。第１の半導体レーザー素子１３１は、出光面Ｓ１の表面上の点を含むとともに光取り出し方向Ｋ１に垂直な平面Ｓ２からみて第２の半導体レーザー素子１３２より遠い位置に配置されている。【選択図】図１

Description

本明細書の技術分野は、発光装置に関する。

発光装置は、高い光度を実現するために複数の発光素子を有することがある。この場合、複数の発光素子は基板等の平面上にアレイ状に配列されることが一般的である。この場合には、出光面の面積が大きいため、輝度が低くなる。

一方、複数の素子から１つの拡散部材等に光を集約する技術が開発されてきている。例えば、特許文献１には、複数の半導体レーザ素子１２０と１つの拡散部材１３０とを有する発光装置が開示されている（特許文献１の図８参照）。平面上に配置された複数の半導体レーザ素子１２０からの光が１つの拡散部材１３０に照射されるようになっている。また、特許文献２には、２つのレーザーダイオード１０４、３０２が基板１０２の板面上に並んで配置されている（特許文献２の図３参照）。

特開２００９−１７０７２３号公報特表２０１７−５２６１９２号公報

しかし、半導体レーザー素子を平面上に並べることに変わりない。そのため、発光装置の出光面の総面積が大きくなってしまう。出光面の総面積が大きくなる分、輝度が低くなってしまう。

本明細書の技術は、前述した従来の技術が有する問題点を解決するためになされたものである。本明細書の技術が解決しようとする課題は、高い輝度と装置の小型化とを実現できる発光装置を提供することである。

第１の態様における発光装置は、第１の半導体レーザー素子と、第２の半導体レーザー素子と、第１の半導体レーザー素子および第２の半導体レーザー素子からの光を出射する出光面と、を有する。第１の半導体レーザー素子は、出光面の表面上の点を含むとともに光取り出し方向に垂直な平面からみて第２の半導体レーザー素子より遠い位置に配置されている。

この発光装置は、光取り出し方向の反対向きから視ると、第１の半導体レーザー素子が第２の半導体レーザー素子の後ろ（奥側）に位置している。そのため、半導体レーザー素子が占める面積は半分になる。一方、レーザーの出力はおよそ２倍になる。また、発光装置は、出光面の面積が小さくなるように小型化されている。このため、発光装置の輝度は高い。

本明細書では、高い輝度と装置の小型化とを実現できる発光装置が提供されている。

第１の実施形態における発光装置の概略構成を示す図である。第１の実施形態の変形例における発光装置の概略構成を示す図（その１）である。第１の実施形態の変形例における発光装置の概略構成を示す図（その２）である。第１の実施形態の変形例における発光装置の概略構成を示す図（その３）である。第１の実施形態の変形例における発光装置の概略構成を示す図（その４）である。第１の実施形態の変形例における発光装置の概略構成を示す図（その５）である。第２の実施形態における発光装置の概略構成を示す図である。第３の実施形態における発光装置の概略構成を示す図である。第４の実施形態における発光装置の概略構成を示す図である。

以下、具体的な実施形態について、発光装置を例に挙げて図を参照しつつ説明する。しかし、本明細書の技術はこれらの実施形態に限定されるものではない。

（第１の実施形態）
１．発光装置
図１は、第１の実施形態の発光装置１００の概略構成図である。図１に示すように、発光装置１００は、筐体１１０と、実装基板１２０と、第１の半導体レーザー素子１３１と、第２の半導体レーザー素子１３２と、第１の開口部１４１と、第２の開口部１４２と、波長変換部１５０と、散乱部１６０と、を有する。また、発光装置１００は、出光面Ｓ１を有する。出光面Ｓ１は、発光装置１００からの光を外部に取り出すための面である。出光面Ｓ１は、第１の半導体レーザー素子１３１および第２の半導体レーザー素子１３２からの光を出射する。光取り出し方向Ｋ１は、出光面Ｓ１に垂直である。

筐体１１０は、第１の半導体レーザー素子１３１と、第２の半導体レーザー素子１３２と、波長変換部１５０と、散乱部１６０と、を収容している。筐体１１０は、第１面１１１と、第２面１１２と、第３面１１３と、を有する。

第１面１１１は、出光面Ｓ１と対向する面である。第２面１１２は、第１の開口部１４１および第２の開口部１４２と対面する面である。第３面１１３は、第２面１１２と対面する面である。第１面１１１と、第２面１１２と、第３面１１３とは、鏡面である。そして、第１面１１１と、第２面１１２と、第３面１１３とは、波長変換部１５０および散乱部１６０のうちの少なくとも一方と対面している。そのため、第１面１１１と、第２面１１２と、第３面１１３とは、波長変換部１５０および散乱部１６０により散乱された光を反射する。

実装基板１２０は、第１の半導体レーザー素子１３１と、第２の半導体レーザー素子１３２と、を実装するための基板である。実装基板１２０は、筐体１１０と対面している。実装基板１２０は、筐体１１０とともに第１の半導体レーザー素子１３１と、第２の半導体レーザー素子１３２と、を収容している。

第１の半導体レーザー素子１３１は、第１の開口部１４１を通過して波長変換部１５０に入射するレーザーを照射する。第１の半導体レーザー素子１３１が発するレーザーは青色レーザーである。

第２の半導体レーザー素子１３２は、第２の開口部１４２を通過して散乱部１６０に入射するレーザーを照射する。第２の半導体レーザー素子１３２が発するレーザーは青色レーザーである。

第１の開口部１４１は、第１の半導体レーザー素子１３１からのレーザーを通過させるためのものである。また、第１の開口部１４１は、第１の半導体レーザー素子１３１からのレーザーを波長変換部１５０に入射するためのものである。第２の開口部１４２は、第２の半導体レーザー素子１３２からのレーザーを通過させるためのものである。また、第２の開口部１４２は、第２の半導体レーザー素子１３２からのレーザーを散乱部１６０に入射するためのものである。第１の開口部１４１および第２の開口部１４２の内径は十分に小さい。また、波長変換部１５０および散乱部１６０がレーザー光を散乱させる。そのため、第１の開口部１４１から第１の半導体レーザー素子１３１に戻る光の成分はほとんどない。第２の開口部１４２から第２の半導体レーザー素子１３２に戻る光の成分はほとんどない。

波長変換部１５０は、第１の半導体レーザー素子１３１から発せられたレーザーの波長を変換するためのものである。波長変換部１５０は、例えば、蛍光体である。より具体的には、アルミナ、ガラス、樹脂等の材料に、ＹＡＧ蛍光体、αサイアロン蛍光体、ＢＯＳ蛍光体、βサイアロン、（Ｃａ，Ｓｒ）₂Ｓｉ₅Ｎ₈：Ｅｕ等の蛍光体を混合する。上記は、あくまで例であり、上記以外の材料を用いてもよい。波長変換部１５０は、第１の半導体レーザー素子１３１から発せられたレーザーを散乱させる役割も担う。波長変換部１５０は、出光面Ｓ１からみて散乱部１６０より遠い位置に配置されている。

散乱部１６０は、第２の半導体レーザー素子１３２から発せられたレーザーを散乱させるとともに、波長変換部１５０を通過してきた第１の半導体レーザー素子１３１から入射するレーザーも散乱させる。散乱部１６０は、光散乱材料を含む透光性材料である。光散乱材料として例えば、シリカや酸化チタンの粒子が挙げられる。透光性材料として例えば、ガラスや樹脂が挙げられる。もちろん、上記以外の材料を用いてもよい。

２．半導体レーザー素子の配置
第１の半導体レーザー素子１３１は、出光面Ｓ１からみて第２の半導体レーザー素子１３２より遠い位置に配置されている。第１の半導体レーザー素子１３１は、出光面Ｓ１の表面上の点を含むとともに光取り出し方向Ｋ１に垂直な平面Ｓ２からみて第２の半導体レーザー素子１３２より遠い位置に配置されている。そのため、第１の半導体レーザー素子１３１の出射部１３１ａも、出光面Ｓ１の表面上の点を含むとともに光取り出し方向Ｋ１に垂直な平面Ｓ２からみて第２の半導体レーザー素子１３２の出射部１３２ａより遠い位置に配置されている。

第１の半導体レーザー素子１３１は、方向Ｋ２からみると第２の半導体レーザー素子１３２の奥側に位置している。方向Ｋ２は、光取り出し方向Ｋ１の逆向きである。第１の半導体レーザー素子１３１と第２の半導体レーザー素子１３２とは積層されている。その積層方向Ｄ１は、光取り出し方向Ｋ１に平行である。つまり、積層方向Ｄ１は、出光面Ｓ１に垂直である。

また、第１の半導体レーザー素子１３１および第２の半導体レーザー素子１３２は、出光面Ｓ１にほぼ平行にレーザーを出射する。第１の半導体レーザー素子１３１は、図１の矢印Ｊ１の向きにレーザーを出射する。第２の半導体レーザー素子１３２は、図１の矢印Ｊ２の向きにレーザーを出射する。第１の半導体レーザー素子１３１および第２の半導体レーザー素子１３２は、出光面Ｓ１に対して０°以上１０°以下の範囲内で傾斜する角度でレーザーを照射する。この数値範囲はあくまで例示であり、この範囲外であってもよい。なお、図１においては、第１の半導体レーザー素子１３１および第２の半導体レーザー素子１３２が出射するレーザーの方向（Ｊ１、Ｊ２）と、出光面Ｓ１の面方向と、がなす角の角度は０°である。

また、波長変換部１５０と散乱部１６０とは積層方向Ｄ２に沿って積層されている。波長変換部１５０および散乱部１６０の積層方向Ｄ２は、第１の半導体レーザー素子１３１および第２の半導体レーザー素子１３２の積層方向Ｄ１と平行である。出光面Ｓ１からみて、散乱部１６０、波長変換部１５０の順で配置されている。

３．半導体レーザー素子からの光
第１の半導体レーザー素子１３１から発せられたレーザーは波長変換部１５０により波長を変換されるとともに散乱される。その散乱光は散乱部１６０に直接入射するか、第１面１１１、第２面１１２、第３面１１３により反射されて散乱部１６０に入射する。

第２の半導体レーザー素子１３２から発せられたレーザーは散乱部１６０により散乱される。また、散乱部１６０には波長変換部１５０から入射するレーザーがある。そのため、散乱部１６０では、第２の半導体レーザー素子１３２からの青色レーザーと、波長変換された第１の半導体レーザー素子１３１からのレーザーとが共存している。そのため、発光装置１００は、出光面Ｓ１から白色光を発することとなる。もちろん、出光面Ｓ１から出射する光は、光取り出し方向Ｋ１に対してある程度の広がりをもつ配光特性を有している。

４．本実施形態の効果
本実施形態の発光装置１００は、光取り出し方向Ｋ１の逆方向Ｋ２から視ると、第１の半導体レーザー素子１３１が第２の半導体レーザー素子１３２の後ろに隠れることになる。また、レーザーの光の出力もおよそ２倍になる。そのため、発光装置１００は、高い輝度と出光面Ｓ１の面内方向に小型化された筐体１１０を備えている。

第１の半導体レーザー素子１３１および第２の半導体レーザー素子１３２からの出射方向Ｊ１、Ｊ２は出光面Ｓ１に平行である。そのため、直接のレーザー光が発光装置１００の外部に出射されることがない。したがって、安全性が高い。

また、出光面Ｓ１が第１の半導体レーザー素子１３１および第２の半導体レーザー素子１３２と独立して設定される。例えば、出光面Ｓ１を非常に小さく設計してもよい。

５．変形例
５−１．開口部のテーパ
図２は第１の実施形態の変形例における発光装置の概略構成を示す図（その１）である。発光装置２００は、第１の開口部２４１と第２の開口部２４２とを有する。第１の開口部２４１は、波長変換部１５０に近づくにつれて広がっている。第１の開口部２４１は、第１の半導体レーザー素子１３１から遠ざかるほど広がっている。第２の開口部２４２は、散乱部１６０に近づくにつれて広がっている。第２の開口部２４２は、第２の半導体レーザー素子１３２から遠ざかるほど広がっている。第１の開口部２４１および第２の開口部２４２は、第２面１１２に向かうにつれて広がっている。そのため、波長変換部１５０および散乱部１６０からのレーザーが第１の半導体レーザー素子１３１および第２の半導体レーザー素子１３２に向かうことが抑制される。また、第１の開口部２４１および第２の開口部２４２の内面が鏡面であるとなおよい。

５−２．ハーフミラー
図３は第１の実施形態の変形例における発光装置の概略構成を示す図（その２）である。発光装置３００は、第１のハーフミラー３４１と第２のハーフミラー３４２とを有する。第１のハーフミラー３４１は、第１の半導体レーザー素子１３１と波長変換部１５０との間の位置に配置されている。第２のハーフミラー３４２は、第２の半導体レーザー素子１３２と散乱部１６０との間の位置に配置されている。第１のハーフミラー３４１は第１の半導体レーザー素子１３１からの光を透過させるとともに波長変換部１５０で散乱された光をほとんど透過させない。第１のハーフミラー３４１は、後述するように透過する波長を選択できる材料であるとよい。第２のハーフミラー３４２は第２の半導体レーザー素子１３１からの光を透過させるとともに散乱部１６０で散乱された光をほとんど透過させない。

５−３．光選択透過部材
また、第１のハーフミラー３４１の代わりに、光選択透過部材を配置してもよい。光選択透過部材は、第１の半導体レーザー素子１３１と波長変換部１５０との間の位置に配置されている。光選択透過部材は、青色光を透過させるとともに黄色光を反射させる材料であるとよい。

５−４．傾斜ミラー
図４は第１の実施形態の変形例における発光装置の概略構成を示す図（その３）である。発光装置４００は、第１の傾斜ミラー４４１と第２の傾斜ミラー４４２とを有する。第１の傾斜ミラー４４１および第２の傾斜ミラー４４２は、第１面１１１に対して傾斜している鏡面である。また、第１の傾斜ミラー４４１および第２の傾斜ミラー４４２は、出光面Ｓ１に対して傾斜している。そのため、発光装置４００の配光特性は、本実施形態の発光装置１００の配光特性とはやや異なっている。

５−５．拡散ミラー
図５は第１の実施形態の変形例における発光装置の概略構成を示す図（その４）である。発光装置５００は、拡散ミラー５４１を有する。拡散ミラー５４１は、出光面Ｓ１を囲むように配置されている。拡散ミラー５４１は、出光面Ｓ１に向かうにつれて広がっている。そのため、散乱部１６０からの光は好適に拡散される。

５−６．拡散ハーフミラー
図６は第１の実施形態の変形例における発光装置の概略構成を示す図（その５）である。発光装置６００は、拡散ハーフミラー６４１を有する。拡散ハーフミラー６４１は、出光面Ｓ１の側で散乱層１６０を囲んでいる。拡散ハーフミラー６４１は、出光面Ｓ１に向かうにつれて広がっていてもよいし、広がっていなくてもよい。

５−７．曲面を有する出光面
出光面Ｓ１が曲面を有する場合であっても、第１の実施形態と同様に、出光面Ｓ１の表面上の点を含むとともに光取り出し方向Ｋ１に垂直な平面Ｓ２を定義することができる。

５−８．組み合わせ
上記の変形例を自由に組み合わせてもよい。

６．本実施形態のまとめ
本実施形態の発光装置１００では、第１の半導体レーザー素子１３１は、出光面Ｓ１からみて第２の半導体レーザー素子１３２より遠い位置に配置されている。出光面Ｓ１からの光の強度は、通常の２倍程度である。そのため、発光装置１００の輝度は従来に比べて非常に高い。また、出光面Ｓ１を半導体レーザー素子の配置とは別に設計することができる。つまり、設計の自由度が高い。

（第２の実施形態）
第２の実施形態について説明する。第２の実施形態では波長の異なる２種類の半導体レーザー素子を用いる。

１．発光装置
図７は第２の実施形態における発光装置７００の概略構成を示す図である。図７に示すように、発光装置７００は、筐体１１０と、実装基板１２０と、第１の半導体レーザー素子７３１と、第２の半導体レーザー素子１３２と、第１の開口部１４１と、第２の開口部１４２と、散乱部７６０と、を有する。

第１の半導体レーザー素子７３１が発する光は黄色レーザーである。第２の半導体レーザー素子１３２が発する光は青色レーザーである。このように、第１の半導体レーザー素子７３１のレーザーの波長と第２の半導体レーザー素子１３２のレーザーの波長とは異なっている。

発光装置７００は波長変換部を有さない。第１の半導体レーザー素子７３１および第２の半導体レーザー素子１３２は、散乱部７６０にレーザーを照射する。散乱部７６０は、第１の半導体レーザー素子７３１からのレーザーと、第２の半導体レーザー素子１３２からのレーザーと、を散乱させる。

２．変形例
第１の実施形態の変形例を第２の実施形態と適宜組み合わせてもよい。

（第３の実施形態）
第３の実施形態について説明する。第３の実施形態では３種類の半導体レーザー素子を用いる。

１．発光装置
図８は第３の実施形態における発光装置８００の概略構成を示す図である。図８に示すように、発光装置８００は、筐体１１０と、実装基板１２０と、第１の半導体レーザー素子８３１と、第２の半導体レーザー素子８３２と、第３の半導体レーザー素子８３３と、第１の開口部１４１と、第２の開口部１４２と、第３の開口部１４３と、第１の波長変換部８５１と、第２の波長変換部８５２と、散乱部１６０と、を有する。

第１の半導体レーザー素子８３１は、出光面Ｓ１の表面上の点を含むとともに光取り出し方向Ｋ１に垂直な平面Ｓ２からみて第２の半導体レーザー素子８３２より遠い位置に配置されている。第２の半導体レーザー素子８３２は、出光面Ｓ１の表面上の点を含むとともに光取り出し方向Ｋ１に垂直な平面Ｓ２からみて第３の半導体レーザー素子８３３より遠い位置に配置されている。

第２の波長変換部８５２は、出光面Ｓ１からみて散乱部１６０より遠い位置に配置されている。第１の波長変換部８５１は、出光面Ｓ１からみて第２の波長変換部８５２より遠い位置に配置されている。

第１の半導体レーザー素子８３１、第２の半導体レーザー素子８３２、第３の半導体レーザー素子８３３は、いずれも青色レーザーである。

第１の半導体レーザー素子８３１は、第１の波長変換部８５１にレーザーを照射する。第２の半導体レーザー素子８３２は、第２の波長変換部８５２にレーザーを照射する。第３の半導体レーザー素子８３３は、散乱部１６０にレーザーを照射する。

第１の波長変換部８５１は、第１の半導体レーザー素子８３１の青色のレーザーを赤色のレーザーに変換する。第２の波長変換部８５２は、第２の半導体レーザー素子８３２からの青色のレーザーを緑色のレーザーに変換する。つまり、第２の波長変換部８５２により変換された後のレーザーの波長は、第１の波長変換部８５１により変換された後のレーザーの波長よりも短い。

したがって、散乱部１６０では３種類の波長の光が混じり合う。そして、発光装置８００は、出光面Ｓ１から白色光を発する。

２．変形例
第１の実施形態の変形例を第３の実施形態と適宜組み合わせてもよい。

（第４の実施形態）
第４の実施形態について説明する。第４の実施形態では赤色と緑色と青色の３色の半導体レーザー素子を用いる。

１．発光装置
図９は第４の実施形態における発光装置９００の概略構成を示す図である。図９に示すように、発光装置９００は、筐体１１０と、実装基板１２０と、第１の半導体レーザー素子９３１と、第２の半導体レーザー素子９３２と、第３の半導体レーザー素子９３３と、第１の開口部１４１と、第２の開口部１４２と、第３の開口部１４３と、散乱部１６０と、を有する。

第１の半導体レーザー素子９３１のレーザーの波長と第２の半導体レーザー素子９３２のレーザーの波長と第３の半導体レーザー素子９３３のレーザーの波長とは互いに異なっている。第１の半導体レーザー素子９３１が発する光は赤色レーザーである。第２の半導体レーザー素子９３２が発する光は緑色レーザーである。第３の半導体レーザー素子９３３が発する光は青色レーザーである。

第１の半導体レーザー素子９３１と第２の半導体レーザー素子９３２と第３の半導体レーザー素子９３３とは、散乱部１６０にレーザーを照射する。そのため、散乱部１６０において、赤色と緑色と青色とが共存する。そのため、発光装置９００は、出光面Ｓ１から白色光を発する。

２．変形例
第１の実施形態の変形例を第４の実施形態と適宜組み合わせてもよい。

Ａ．付記
第１の態様における発光装置は、第１の半導体レーザー素子と、第２の半導体レーザー素子と、第１の半導体レーザー素子および第２の半導体レーザー素子からの光を出射する出光面と、を有する。第１の半導体レーザー素子は、出光面の表面上の点を含むとともに光取り出し方向に垂直な平面からみて第２の半導体レーザー素子より遠い位置に配置されている。

第２の態様における発光装置は、レーザーの波長を変換する波長変換部と、レーザーを散乱させる散乱部と、を有する。波長変換部は、出光面からみて散乱部より遠い位置に配置されている。第１の半導体レーザー素子は、波長変換部にレーザーを照射する。第２の半導体レーザー素子は、散乱部にレーザーを照射する。

第３の態様における発光装置は、第１の半導体レーザー素子と第２の半導体レーザー素子と波長変換部と散乱部とを収容する筐体を有する。筐体は、波長変換部および散乱部に対面する面のうち少なくとも１面に鏡面を有する。

第４の態様における発光装置においては、筐体は、出光面に対して傾斜している鏡面を有する。

第５の態様における発光装置は、第１の半導体レーザー素子からのレーザーを波長変換部に入射するための第１の開口部と、第２の半導体レーザー素子からのレーザーを散乱部に入射するための第２の開口部と、を有する。

第６の態様における発光装置においては、第１の開口部は、波長変換部に近づくにつれて広がっている。第２の開口部は、散乱部に近づくにつれて広がっている。

第７の態様における発光装置は、第１のハーフミラーと第２のハーフミラーとを有する。第１のハーフミラーは、第１の半導体レーザー素子と波長変換部との間の位置に配置されている。第２のハーフミラーは、第２の半導体レーザー素子と散乱部との間の位置に配置されている。

第８の態様における発光装置は、青色光を透過させるとともに黄色光を反射させる光選択透過部材を有する。光透過選択部材は、第１の半導体レーザー素子と波長変換部との間の位置に配置されている。

第９の態様における発光装置は、レーザーを散乱させる散乱部を有する。第１の半導体レーザー素子のレーザーの波長と第２の半導体レーザー素子のレーザーの波長とは異なっている。第１の半導体レーザー素子および第２の半導体レーザー素子は、散乱部にレーザーを照射する。

第１０の態様における発光装置は、第３の半導体レーザー素子を有する。第２の半導体レーザー素子は、出光面の表面上の点を含むとともに光取り出し方向に垂直な平面からみて第３の半導体レーザー素子より遠い位置に配置されている。

第１１の態様における発光装置は、レーザーを散乱させる散乱部を有する。第１の半導体レーザー素子のレーザーの波長と第２の半導体レーザー素子のレーザーの波長と第３の半導体レーザー素子のレーザーの波長とは互いに異なっている。第１の半導体レーザー素子と第２の半導体レーザー素子と第３の半導体レーザー素子とは、散乱部にレーザーを照射する。

第１２の態様における発光装置は、レーザーの波長を変換する第１の波長変換部と、レーザーの波長を変換する第２の波長変換部と、レーザーを散乱させる散乱部と、を有する。第２の波長変換部により変換された後のレーザーの波長は、第１の波長変換部により変換された後のレーザーの波長よりも短い。第２の波長変換部は、出光面からみて散乱部より遠い位置に配置されている。第１の波長変換部は、出光面からみて第２の波長変換部より遠い位置に配置されている。第１の半導体レーザー素子は、第１の波長変換部にレーザーを照射する。第２の半導体レーザー素子は、第２の波長変換部にレーザーを照射する。第３の半導体レーザー素子は、散乱部にレーザーを照射する。

第１３の態様における発光装置は、出光面の側で散乱層を囲む拡散ハーフミラーを有する。

１００…発光装置
１１０…筐体
１１１…第１面
１１２…第２面
１１３…第３面
１２０…実装基板
１３１…第１の半導体レーザー素子
１３１ａ…出射部
１３２…第２の半導体レーザー素子
１３２ａ…出射部
１４１…第１の開口部
１４２…第２の開口部
１５０…波長変換部
１６０…散乱部
Ｓ１…出光面
Ｓ２…平面

Claims

第１の半導体レーザー素子と、
第２の半導体レーザー素子と、
前記第１の半導体レーザー素子および前記第２の半導体レーザー素子からの光を出射する出光面と、
を有する発光装置において、
前記第１の半導体レーザー素子は、
前記出光面の表面上の点を含むとともに光取り出し方向に垂直な平面からみて前記第２の半導体レーザー素子より遠い位置に配置されていること
を特徴とする発光装置。
請求項１に記載の発光装置において、
レーザーの波長を変換する波長変換部と、
レーザーを散乱させる散乱部と、
を有し、
前記波長変換部は、
前記出光面からみて前記散乱部より遠い位置に配置されており、
前記第１の半導体レーザー素子は、
前記波長変換部にレーザーを照射し、
前記第２の半導体レーザー素子は、
前記散乱部にレーザーを照射すること
を特徴とする発光装置。
請求項２に記載の発光装置において、
前記第１の半導体レーザー素子と前記第２の半導体レーザー素子と前記波長変換部と前記散乱部とを収容する筐体を有し、
前記筐体は、
前記波長変換部および前記散乱部に対面する面のうち少なくとも１面に鏡面を有すること
を特徴とする発光装置。
請求項３に記載の発光装置において、
前記筐体は、
前記出光面に対して傾斜している鏡面を有すること
を特徴とする発光装置。
請求項２から請求項４までのいずれか１項に記載の発光装置において、
前記第１の半導体レーザー素子からのレーザーを前記波長変換部に入射するための第１の開口部と、
前記第２の半導体レーザー素子からのレーザーを前記散乱部に入射するための第２の開口部と、
を有すること
を特徴とする発光装置。
請求項５に記載の発光装置において、
前記第１の開口部は、
前記波長変換部に近づくにつれて広がっており、
前記第２の開口部は、
前記散乱部に近づくにつれて広がっていること
を特徴とする発光装置。
請求項２から請求項４までのいずれか１項に記載の発光装置において、
第１のハーフミラーと第２のハーフミラーとを有し、
前記第１のハーフミラーは、
前記第１の半導体レーザー素子と前記波長変換部との間の位置に配置されており、
前記第２のハーフミラーは、
前記第２の半導体レーザー素子と前記散乱部との間の位置に配置されていること
を特徴とする発光装置。
請求項２から請求項４までのいずれか１項に記載の発光装置において、
青色光を透過させるとともに黄色光を反射させる光選択透過部材を有し、
前記光透過選択部材は、
前記第１の半導体レーザー素子と前記波長変換部との間の位置に配置されていること
を特徴とする発光装置。
請求項１に記載の発光装置において、
レーザーを散乱させる散乱部を有し、
前記第１の半導体レーザー素子のレーザーの波長と前記第２の半導体レーザー素子のレーザーの波長とは異なっており、
前記第１の半導体レーザー素子および前記第２の半導体レーザー素子は、
前記散乱部にレーザーを照射すること
を特徴とする発光装置。
請求項１に記載の発光装置において、
第３の半導体レーザー素子を有し、
前記第２の半導体レーザー素子は、
前記出光面の表面上の点を含むとともに光取り出し方向に垂直な平面からみて前記第３の半導体レーザー素子より遠い位置に配置されていること
を特徴とする発光装置。
請求項１０に記載の発光装置において、
レーザーを散乱させる散乱部を有し、
前記第１の半導体レーザー素子のレーザーの波長と前記第２の半導体レーザー素子のレーザーの波長と前記第３の半導体レーザー素子のレーザーの波長とは互いに異なっており、
前記第１の半導体レーザー素子と前記第２の半導体レーザー素子と前記第３の半導体レーザー素子とは、
前記散乱部にレーザーを照射すること
を特徴とする発光装置。
請求項１０に記載の発光装置において、
レーザーの波長を変換する第１の波長変換部と、
レーザーの波長を変換する第２の波長変換部と、
レーザーを散乱させる散乱部と、
を有し、
前記第２の波長変換部により変換された後のレーザーの波長は、前記第１の波長変換部により変換された後のレーザーの波長よりも短く、
前記第２の波長変換部は、
前記出光面からみて前記散乱部より遠い位置に配置されており、
前記第１の波長変換部は、
前記出光面からみて前記第２の波長変換部より遠い位置に配置されており、
前記第１の半導体レーザー素子は、
前記第１の波長変換部にレーザーを照射し、
前記第２の半導体レーザー素子は、
前記第２の波長変換部にレーザーを照射し、
前記第３の半導体レーザー素子は、
前記散乱部にレーザーを照射すること
を特徴とする発光装置。
請求項１から請求項１２までのいずれか１項に記載の発光装置において、
前記出光面の側で前記散乱層を囲む拡散ハーフミラーを有すること
を特徴とする発光装置。