JP2019153569A5

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Publication number: JP2019153569A5
Application number: JP2018135339A
Authority: JP
Filing date: 2018-07-18
Publication date: 2021-07-29
Anticipated expiration: 2038-07-18

Description

透明導電膜とカソード電源配線（Ｖｓｓ）１１０とのコンタクト領域１１８Ａ、１１８Ｂ、１１８Ｃが、表示領域１２５の外側、カソード電極形成領域１１４の内側に存在する。透明導電膜は、コンタクト領域１１８Ａ、１１８Ｂ、１１８Ｃにおいて、カソード電源配線１１０に接続されている。透明導電膜とカソード電極形成領域１１４とは、コンタクト領域で、直接に接触しても、相互接続部により接続されてもよい。

副画素２５２Ｒの領域は、透明領域５２１Ｒとアクティブ領域５２２Ｒ（第２領域）とで構成されている。副画素２５２Ｇの領域は、透明領域５２１Ｇとアクティブ領域５２２Ｇ（第２領域）とで構成されている。副画素２５２Ｂの領域は、透明領域５２１Ｂとアクティブ領域５２２Ｂ（第２領域）とで構成されている。

相互接続部５５５は、透明領域５２１内のコンタクト領域６５６において、カソード導体膜と接続している。透明な相互接続部５５５により、透明領域５２１を増加させ、より高精細な透明ＯＬＥＤ表示装置を実現できる。相互接続部５５５は、低抵抗ＩＧＺＯ膜であり、ＴＦＴのＩＧＺＯ膜と同時に形成することができ、製造効率を向上することができる。

図５Ｂは、図５ＡにおけるＶＢ−ＶＢ切断線での断面図である。図５Ｂの構成要素間のサイズ比は、図示容易のため、図５Ａの構成要素間のサイズ比と異なる。図５Ｂは、副画素のＴＦＴ基板１００上の一部構成を示す。絶縁基板１５１上に、アノード電極１６２（下部電極）と、カソード電極１６６（上部電極）と、有機発光膜６５２とを含む。

ドレイン電極１５９は、層間絶縁膜１６４、１５８を貫通するコンタクトホールに形成されたコンタクト部１６８を介して、ＩＧＺＯ膜１５５の低抵抗ドレイン領域５５２に接続されている。ソース電極１６０は、層間絶縁膜１６４、１５８を貫通するコンタクトホールに形成されたコンタクト部１６９を介して、ＩＧＺＯ膜１５５の低抵抗ソース領域５５３に接続されている。

有機発光素子は、アノード電極１６２、カソード電極１６６、及びそれらに挟まれている発光膜で構成される。発光膜は、本例において、電子供給膜６５３、有機発光膜６５２、及び正孔供給膜６５１で構成されている。また、カソード電極１６６は、コンタクト領域６５６において、電子供給膜６５３、キャリア生成膜６５４、及び正孔供給膜６５１を介して、相互接続部５５５に接続されている。

下部容量電極９５３は、不図示の、上部容量電極と、絶縁膜を介して、透明領域５２１において対向している。具体的には、上部容量電極は、駆動ＴＦＴＴ１のＩＧＺＯ膜１５５のソース領域５５３に連続して、透明領域５２１まで延びている。上部容量電極と下部容量電極９５３とは、透明領域５２１において、絶縁膜９５７を介して対向する。

絶縁膜９５６及び下部容量電極９５３上に、絶縁膜９５７が形成されている。さらに、絶縁膜９５７上に、駆動ＴＦＴＴ１のＩＧＺＯ膜１５５、及び、カソード電極１６６と補助配線６５８との相互接続部９５４が形成されている。相互接続部９５４は、ＩＧＺＯ膜１５５から分離されている。相互接続部９５４は、低抵抗ＩＧＺＯで形成されており、図５Ａから図６Ｅを参照して説明したように、駆動ＴＦＴＴ１のＩＧＺＯ膜１５５の低抵抗領域と同時に、同一プロセスで形成される。

図１１に示す駆動ＴＦＴＴ１は、チャネルエッチ型のボトムゲートＴＦＴである。以下において、図１０に示す構成例との相違点を主に説明する。図１１に示す構成例において、図１０に示す構成例における絶縁膜９５９が省略されている。ドレイン電極１５９及びソース電極１６０は、それぞれ、ＩＧＺＯ膜１５５のドレイン領域５５２及びソース領域５５３に（直接）接触している。また、補助配線６５８は、相互接続部９５４に（直接）接触している。

１０ＯＬＥＤ表示装置、１００ＴＦＴ基板、１０５データ線、１０６走査線、１０７エミッション制御線、１０８電源線、１０９基準電圧供給線１１１カソード電源配線、１１４カソード電極形成領域、１２５表示領域、１３１走査ドライバ、１３２エミッションドライバ、１３３保護回路、１５１透明絶縁基板、１５５ＩＧＺＯ膜、１５６ゲート絶縁膜、１５７ゲート電極、１５８層間絶縁膜、１５９ドレイン電極、１６０ソース電極、１６１平坦化膜、１６２アノード電極、１６３画素定義層、１６４層間絶縁膜、１６６透明カソード電極、１６８、１６９コンタクト部、１１８Ａ、１１８Ｂ、１１８Ｃカソードコンタクト領域、２００封止基板、２５１主画素、２５２副画素、２５３画素定義層、３００接合部、５２１透明領域、５２２アクティブ領域、５５１チャネル領域、５５２ドレイン領域、５５３ソース領域、５５５相互接続部、５５７酸化物半導体パターン、６５１正孔供給膜、６５２有機発光膜、６５３電子供給膜、６５４キャリア生成膜、６５６コンタクト領域、６５７コンタクト部、６５８補助配線、７０１上部容量電極、７０２下部容量電極、７１１コンタクト部、９０１相互接続部、９１１コンタクト領域、９１２コンタクト部、９５２ボトムゲート電極、９５３下部容量電極、９５４相互接続部、９５６、９５７、９５８絶縁膜、Ｃ１保持容量、Ｅ１ＯＬＥＤ素子、１３４ドライバＩＣ、Ｔ１駆動ＴＦＴ