JP2019147164A - フラックス及びソルダペースト - Google Patents

Abstract

【課題】はんだ接合部におけるボイド面積率を低減すると共に、良好な印刷性を確保し得るフラックス及びソルダペーストの提供。【解決手段】ベース樹脂と、活性剤と、溶剤と、添加剤とを含み、添加剤としてヒドロキシメチル基を複数有し、第３級アルコール構造を含まない、沸点が２２０℃以上の化合物であり、特にヒドロキシメチル基を３つ以上有する化合物を、フラックス全量に対して０．５〜１２％含むことを特徴とするフラックス及びソルダーペースト。【選択図】なし

Description

本発明はフラックス及びソルダペーストに関する。

プリント配線板やモジュール基板といった電子回路基板に形成される導体パターンに電子部品を接合する方法として、ソルダペーストを用いたはんだ接合方法がある。
一般的にソルダペーストはフラックスとはんだ合金粉末を混練して生成される。そしてはんだ接合時においては、ソルダペーストを例えばスクリーン印刷方法により電子回路基板上に印刷し、所望の位置に電子部品を載置し、これを加熱することで、電子回路基板上にソルダペーストからなるはんだ接合体（本明細書においては、はんだ合金粉末が溶融し凝集固化したはんだ接合部と、リフロー後に電子回路実装基板に残ったフラックス残渣とを併せて「はんだ接合体」という。）を形成する。当該はんだ接合体のうちはんだ接合部は、電子回路基板の導体パターンと電子部品の電極とを電気的接合する。

ソルダペーストに含まれるフラックスは、電子回路基板上の導体パターンや電子部品の電極に付着している酸化膜を加熱工程中に除去等するものであり、上記導体パターンと電極との電気的接合において重要な役割を果たす。
しかし、フラックスに含まれる溶剤や活性剤といった成分は加熱工程中に揮発、分解してガスを発生させる。そして加熱工程時に凝集固化中のはんだ接合部がこのガスを取り込みそのまま固化してしまうと、形成されたはんだ接合部はその中にボイドを含んだままの状態となってしまう。ボイドははんだ接合部の一部が空洞となるものであるため、はんだ接合部に含まれる（発生した）ボイドの面積率が大きいほど、はんだ接合部の信頼性は低下する。

はんだ接合部に発生するボイドを抑制する方法やボイドの面積率を低減させる方法としては、例えばフラックスに特定のロジンを配合する方法、特定の活性剤を配合する方法及び添加剤として環状有機リン酸化合物を配合する方法（特許文献１参照）等が挙げられる。
しかしこれらの方法の場合、はんだ接合部のボイドの発生を抑制することができても、フラックスとしての所望の効果、例えば印刷性等を十分に保持しているとは限らない。また例えば２．０ｍｍ×１．２ｍｍサイズや３．２ｍｍ×１．６ｍｍサイズ等の電子部品（チップ部品）を用いた場合ははんだ接合部に発生するボイドを抑制し得るものの、それ以上の大きさの電子部品を用いる場合には当該効果を発揮し得ない可能性もある。

特開２０１７−１３６６３６号公報

本発明は上記課題を解決するものであり、はんだ接合部におけるボイド面積率を低減すると共に、良好な印刷性を確保し得るフラックス及びソルダペーストを提供することをその目的とする。

（１）本発明のフラックスは、ベース樹脂と、活性剤と、溶剤と、添加剤とを含み、前記添加剤として下記一般式（１）で表される化合物及び下記一般式（２）で表される化合物の少なくとも一方をフラックス全量に対して０．５質量％以上１２質量％以下含むことをその特徴とする。

（式中、Ｒ１はメチル基、エチル基またはヒドロキシメチル基であり、Ｒ２はヒドロキシメチル基またはカルボキシル基であり、Ｒ３はヒドロキシメチル基またはＣＨ_２−Ｏ−ＣＨ_２を介して対称的に連結する繰り返し単位であって、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３の少なくともいずれかはヒドロキシメチル基である。）

（式中、Ｒ４およびＲ５は同種または別種のアルキル基である。）

（２）上記（１）に記載の構成にあって、上記一般式（１）で表される化合物は、トリメチロールプロパン、トリメチロールエタン、ペンタエリトリトール、ジ（トリメチロールプロパン）及び２，２−ビス（ヒドロキシメチル）プロピオン酸から選ばれる少なくともいずれかであり、上記一般式（２）で表される化合物は、２，４−ジエチル−１，５−ペンタンジオールであることをその特徴とする。

（３）上記（１）または（２）に記載に構成にあって、上記一般式（１）で表される化合物及び上記一般式（２）で表される化合物の少なくとも一方の配合量は、フラックス全量に対して１質量％以上６質量％以下であることをその特徴とする。

（４）本発明のソルダペーストは、上記（１）から（３）のいずれか１に記載のフラックスと、はんだ合金粉末とを含むことをその特徴とする。

（５）本発明のソルダペーストは、面積が２５ｍｍ^２以上のはんだ付けランド部を有する電子回路基板に用いられることをその特徴とする。

（６）本発明の電子回路実装基板の製造方法は、上記（４）または（５）に記載のソルダペーストを電子回路基板上に印刷し、前記ソルダペーストを印刷した前記電子回路基板上に電子部品を載置し、前記電子部品を載置した前記電子回路基板を所定の温度でリフローすることで、前記電子回路基板上に前記ソルダペーストから形成され前記電子部品と前記電子回路基板とを接合するはんだ接合体を形成することをその特徴とする。

（７）本発明の電子制御装置は、上記（６）に記載の電子回路実装基板を有することをその特徴とする。

本発明に係るフラックス及びこれを用いたソルダペーストは、はんだ接合部におけるボイド面積率を低減すると共に、良好な印刷性を確保することができる。また本発明に係るフラックス及びこれを用いたソルダペーストは、面積が一定以上のはんだ付けランド部を有する電子回路基板に用いる場合であっても、はんだ接合部におけるボイド面積率を低減することができる。

本発明のフラックス及びソルダペーストの一実施形態を以下に詳述する。なお、本発明がこれらの実施形態に限定されないのはもとよりである。

（１）フラックス
本実施形態に係るフラックスは、ベース樹脂と、活性剤と、溶剤と、添加剤とを含む。

＜ベース樹脂＞
前記ベース樹脂としては、例えばロジン系樹脂、アクリル樹脂、スチレン−マレイン酸樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、フェノキシ樹脂、テルペン樹脂及びポリアルキレンカーボネート等が挙げられる。これらの中でも、特にロジン系樹脂及びアクリル樹脂が好ましく用いられる。なおこれらは１種単独でまたは複数種を混合して用いてもよい。

前記ロジン系樹脂としては、例えばトール油ロジン、ガムロジン、ウッドロジン等のロジン；ロジンを重合化、水添化、不均一化、アクリル化、マレイン化、エステル化若しくはフェノール付加反応等を行ったロジン誘導体；これらロジンまたはロジン誘導体と不飽和カルボン酸（アクリル酸、メタクリル酸、無水マレイン酸、フマル酸等）とをディールス・アルダー反応させて得られる変性ロジン樹脂等が挙げられる。これらの中でも、特に酸変性されたロジンに水素添加をした水添酸変性ロジンが好ましく用いられる。なおこれらは１種単独でまたは複数種を混合して用いてもよい。

前記ロジン系樹脂の酸価は８０ｍｇＫＯＨ／ｇから３５０ｍｇＫＯＨ／ｇであることが好ましく、その重量平均分子量は２５０Ｍｗから１，１００Ｍｗであることが好ましい。

前記アクリル樹脂としては、例えば（メタ）アクリル酸を含むモノマーを重合することにより生成されるものであればいずれも使用することができる。また当該アクリル樹脂は、１種単独でまたは複数種を混合して用いてもよい。

前記アクリル樹脂の酸価は３０ｍｇＫＯＨ／ｇから１００ｍｇＫＯＨ／ｇであることが好ましく、その重量平均分子量は３，０００Ｍｗから３０，０００Ｍｗであることが好ましい。

前記ベース樹脂の配合量は、フラックス全量に対して１０質量％以上６０質量％以下であることが好ましく、２０質量％以上５０質量％以下であることがより好ましい。

また前記ベース樹脂全体の酸価は３０ｍｇＫＯＨ／ｇから３５０ｍｇＫＯＨ／ｇであることが好ましい。

前記ベース樹脂としてロジン系樹脂を用いる場合、当該ロジン系樹脂の配合量はフラックス全量に対して５質量％以上６０質量％以下であることが好ましく、５質量％以上５０質量％以下であることがより好ましい。

前記ベース樹脂としてアクリル樹脂を用いる場合、当該アクリル樹脂の配合量はフラックス全量に対して１０質量％以上６０質量％以下であることが好ましく、１０質量％以上５０質量％以下であることがより好ましい。

また前記ベース樹脂として前記ロジン系樹脂と前記アクリル樹脂とを併用する場合、その配合比率はロジン系樹脂：アクリル樹脂の比率で１０：９０から５０：５０であることが好ましく、１５：８５から３０：７０であることがより好ましい。

＜活性剤＞
前記活性剤としては、例えばカルボン酸類、ハロゲンを含む化合物等が挙げられる。これらは１種単独でまたは複数種を混合して用いてもよい。

前記カルボン酸類としては、例えばモノカルボン酸、ジカルボン酸等並びにその他の有機酸が挙げられる。
前記モノカルボン酸としては、例えばプロピオン酸、酪酸、吉草酸、カプロン酸、エナント酸、カプリン酸、ラウリル酸、ミリスチン酸、ペンタデシル酸、パルミチン酸、マルガリン酸、ステアリン酸、ツベルクロステアリン酸、アラキジン酸、ベヘン酸、リグノセリン酸、グリコール酸等が挙げられる。
ジカルボン酸としては、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、フマル酸、マレイン酸、酒石酸、ジグリコール酸、１，４−シクロヘキサンジカルボン酸等が挙げられる。
また前記その他の有機酸としては、ダイマー酸、レブリン酸、乳酸、アクリル酸、安息香酸、サリチル酸、アニス酸、クエン酸、ピコリン酸、アントラニル酸等が挙げられる。
なおこれらは１種単独でまたは複数種を混合して用いてもよい。

前記ハロゲンを含む化合物としては、例えば非解離性のハロゲン化合物（非解離型活性剤）、解離性のハロゲン化合物（解離型活性剤）が挙げられる。
前記非解離型活性剤としては、ハロゲン原子が共有結合により結合した非塩系の有機化合物が挙げられ、例えば塩素化物、臭素化物、ヨウ素化物、フッ化物のように塩素、臭素、ヨウ素、フッ素の各単独元素の共有結合による化合物でもよく、また２以上の異なるハロゲン原子を共有結合で結合する化合物でもよい。当該化合物は水性溶媒に対する溶解性を向上させるために、例えばハロゲン化アルコールのように水酸基等の極性基を有することが好ましい。当該ハロゲン化アルコールとしては、例えばジブロモブテンジオール、２，３−ジブロモプロパノール、２，３−ジブロモブタンジオール、１，４−ジブロモ−２−ブタノール、トリブロモネオペンチルアルコール等の臭素化アルコール；２−ブロモヘキサン酸等の臭化有機酸；１，３−ジクロロ−２−プロパノール、１，４−ジクロロ−２−ブタノール等の塩素化アルコール；３−フルオロカテコール等のフッ素化アルコール；その他のこれらに類する化合物が挙げられる。これらは１種単独でまたは複数種を混合して用いてもよい。

上記に挙げたものの中でも特にコハク酸、スベリン酸、ジブロモブテンジオールが好ましく用いられる。これらは１種単独でまたは複数種を混合して用いてもよい。

前記活性剤の配合量は、フラックス全量に対して０．５質量％から２０質量％であることが好ましい。より好ましい前記配合量は１質量％から１５質量％であり、特に好ましい前記配合量は１質量％から１０質量％である。

＜溶剤＞
前記溶剤としては、例えばイソプロピルアルコール、エタノール、アセトン、トルエン、キシレン、酢酸エチル、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、ヘキシルジグリコール、（２−エチルヘキシル）ジグリコール、フェニルグリコール、ブチルカルビトール、オクタンジオール、αテルピネオール、βテルピネオール、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、トリメリット酸トリス（２−エチルヘキシル）、セバシン酸ビスイソプロピル及びマレイン酸ジブチル等を使用することができる。なおこれらは１種単独でまたは複数種を混合して用いてもよい。

前記溶剤の配合量は、フラックス全量に対して１０質量％以上６５質量％以下であることが好ましい。より好ましいその配合量は２０質量％以上５０質量％以下であり、特に好ましい配合量は２５質量％以上４５質量％以下である。

＜添加剤＞
本実施形態に係るフラックスには、添加剤として下記一般式（１）で表される化合物及び下記一般式（２）で表される化合物の少なくとも一方をフラックス全量に対して０．５質量％以上１２質量％以下配合させることが好ましい。
当該添加剤の配合量がフラックス全量に対して０．５質量％未満の場合、はんだ接合部のボイド発生抑制効果を十分に発揮し得ない虞がある。また当該配合量が１２質量％超の場合、これを用いて作成したソルダペーストの印刷性が低下する虞がある。

（式中、Ｒ１はメチル基、エチル基またはヒドロキシメチル基であり、Ｒ２はヒドロキシメチル基またはカルボキシル基であり、Ｒ３はヒドロキシメチル基またはＣＨ_２−Ｏ−ＣＨ_２を介して対称的に連結する繰り返し単位であって、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３の少なくともいずれかはヒドロキシメチル基である。）

（式中、Ｒ４およびＲ５は同種または別種のアルキル基である。）

上記一般式（１）で表される化合物及び上記一般式（２）で表される化合物としては、ヒドロキシメチル基を複数有し、第３級アルコール構造を含まない、沸点が２２０℃以上の化合物が好ましく用いられる。特にヒドロキシメチル基を３つ以上有するものが当該化合物として好ましく用いられる。
上記一般式（１）で表される化合物としては、例えばトリメチロールプロパン、トリメチロールエタン、ペンタエリトリトール、ジ（トリメチロールプロパン）及び２，２−ビス（ヒドロキシメチル）プロピオン酸が挙げられる。
また上記一般式（２）で表される化合物としては、例えば２，４−ジエチル−１，５−ペンタンジオールが挙げられる。
これらは１種単独でまたは複数種を混合して用いてもよい。

上記一般式（１）で表される化合物及び上記一般式（２）で表される化合物の少なくとも一方の好ましい配合量は０．５質量％以上１２質量％以下であり、より好ましい当該配合量は１質量％以上１０質量％以下であり、特に好ましい当該配合量は3質量％以上6質量％以下である。

＜チクソ剤＞
本実施形態に係るフラックスには、チクソ剤を配合することができる。当該チクソ剤としては、例えば水素添加ヒマシ油、飽和脂肪酸アミド、飽和脂肪酸ビスアミド類、オキシ脂肪酸類及びジベンジリデンソルビトール類等が挙げられる。なおこれらは１種単独でまたは複数種を混合して用いてもよい。これらの中でも特に高級脂肪酸ビスアミドが好ましく用いられる。

前記チクソ剤の配合量は、フラックス全量に対して１質量％から１０質量％が好ましい。更に好ましいその配合量は、フラックス全量に対して２質量％から９質量％である。

＜酸化防止剤＞
本実施形態に係るフラックスには、酸化防止剤を配合することができる。当該酸化防止剤としては、例えばヒンダードフェノール系酸化防止剤、フェノール系酸化防止剤、ビスフェノール系酸化防止剤及びポリマー型酸化防止剤等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらの中でも特にヒンダードフェノール系酸化防止剤が好ましく用いられる。当該ヒンダードフェノール系酸化防止剤としては、例えばＩｒｇａｎｏｘ２４５（ＢＡＳＦジャパン（株）製）等が挙げられる。なおこれらは単独でまたは複数を組合せて使用することができる。

前記酸化防止剤の配合量は特に限定されないが、一般的にはフラックス全量に対して０．５質量％から１０質量％程度以下であることが好ましい。

＜その他添加剤＞
本実施形態に係るフラックスには、その他の添加剤として消泡剤、防錆剤、界面活性剤、熱硬化剤及びつや消し剤等を配合することができる。当該その他添加剤の配合量は、フラックス全量に対して１０質量％以下、特に５質量％以下であることが好ましい。なおこれらは単独でまたは複数を組合せて使用することができる。

通常、電子回路基板上に形成されるはんだ接合部の面積が大きければ大きいほど、はんだ接合時、特に加熱時の凝集固化中にはんだ接合部に取り込まれたガスのうち、はんだ接合部の中心付近まで到達したガスははんだ接合部外に排出され難く、ボイドとして残り易い。
しかし本実施形態に係るフラックスは、上記一般式（１）に表される化合物及び上記一般式（２）に表される化合物の少なくとも一方を所定量配合することにより、これを用いたソルダペーストで面積が２５ｍｍ^２以上のはんだ付けランド部を有する電子回路基板に電子部品をはんだ接合する場合であっても、はんだ接合部におけるボイド面積率を減少させることができる。

また本実施形態に係るフラックスは、これを用いたソルダペーストにて電極がＳｎめっきされた電子部品をはんだ接合する場合に、はんだ接合部におけるボイド面積率をより減少させることができる。またこの場合、電子回路基板はＯＳＰ処理されていることが好ましい。

（２）ソルダペースト
本実施形態に係るソルダペーストは、上記フラックスとはんだ合金粉末とを混合することにより得られる。
前記はんだ合金粉末としては、例えば錫及び鉛を含む合金、錫及び鉛並びに銀、ビスマス及びインジウムの少なくとも１種を含む合金、錫及び銀を含む合金、錫及び銅を含む合金、錫、銀及び銅を含む合金、錫及びビスマスを含む合金等を用いることができる。またこれら以外にも、例えば錫、鉛、銀、ビスマス、インジウム、銅、亜鉛、ガリウム、アンチモン、金、パラジウム、ゲルマニウム、ニッケル、クロム、アルミニウム、リン等を適宜組合せたはんだ合金粉末を使用することができる。なお、上記に挙げた元素以外であってもその組合せに使用することは可能である。

前記はんだ合金粉末の配合量は、ソルダペースト全量に対して６５質量％から９５質量％であることが好ましい。より好ましい配合量は８５質量％から９３質量％であり、特に好ましい配合量は８８質量％から９１質量％である。

更に前記はんだ合金粉末の粒子径は、２０μｍから３８μｍ以下であることが好ましい。なお、当該粒子径は、動的光散乱式の粒子径測定装置により測定し得る。

なお、上記においてはフラックスをソルダペーストに使用する実施形態について説明したが、本実施形態におけるフラックスの用途はこれに限定されず、例えばはんだボール用ボンドフラックス等の他のフラックス用途にも種々適用可能である。

以下、実施例及び比較例を挙げて本発明を詳述する。なお、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

表１から３に記載の各成分を加熱溶解し、実施例１から１６及び比較例１から７に係る各フラックスを作製した。
また表１から３に記載の配合量にて上記各フラックスとＳｎ−３Ａｇ−０．５Ｃｕはんだ合金粉末（粒径２０μｍから３８μｍ）とを混合し、実施例１から１６及び比較例１から７に係る各ソルダペーストを作製した。
なお、特に記載のない限り、表１から３に記載の数値は質量％を意味するものとする。

※１ 水添酸変性ロジン 荒川化学工業（株）製
※２ 共栄社化学（株）製 チクソ剤（高級脂肪酸ビスアマイド）
※３ ヒンダードフェノール系酸化防止剤 ＢＡＳＦジャパン（株）製

＜ボイド試験＞
５．９ｍｍ×５．９ｍｍのＣｕランド部（はんだ付けランド部）を形成した電子回路基板（ＦＲ−４基板、ＯＳＰ処理）と、当該Ｃｕランド部に対応するメタルマスク（厚さ：１５０μｍ）とを用意した。
印刷機（製品名：ＳＰ６０Ｐ−Ｌ、パナソニック（株）製）と上記メタルマスクを用い、実施例及び比較例に係る各ソルダペーストを各電子回路基板上に印刷した。
次いでソルダペーストを印刷した各電子回路基板上にＱＦＮチップ部品（上記ランドサイズに対応、電極：Ｓｎめっき）を各４つ載置し、これらをリフロー炉（製品名：ＴＮＰ４０−５７７ＰＨ、（株）タムラ製作所製）を用いて加熱して、はんだ接合体を有する各電子回路実装基板を作製した。この際のリフロー条件は、プリヒートを１５０℃から２００℃で７０秒間から９０秒間、ピーク温度を２３０℃から２４０℃とし、２２０℃以上の時間を２５秒間から３５秒間酸素濃度は１，０００ｐｐｍ±２００ｐｐｍに設定した。
作製した各電子回路実装基板に形成されたはんだ接合部について、電子部品側からＸ線装置（製品名：ＮＬＸ−５０００、名古屋電機工業（株）製）を用いてこれを観察し、最大ボイド面積率（％）と平均ボイド面積率（％）とを算出した。

先ず、電子部品側から見える面を基準とし、同じ倍率条件で観察した各電子回路実装基板の各ＱＦＮチップ部品のはんだ接合部に発生した「ボイドの面積」と、各ＱＦＮチップ部品の「はんだ接合部が形成された面積」を計測した。
そして、ＱＦＮチップ部品毎に、以下の計算式にてボイド面積率を算出した。
ボイド面積率＝１００×「ボイドの面積」／「はんだ接合部が形成された面積」
・最大ボイド面積率（％）
上記計算式にて算出したボイド面積率について、各電子回路実装基板において最大の値を示したボイド面積率（最大ボイド面積率（％））を以下の基準で評価した。その結果を表４から６に示す。
○：最大ボイド面積（％）が２７％以下
△：最大ボイド面積（％）が２７％超３３％未満
×：最大ボイド面積（％）が３３％以上

・平均ボイド面積率（％）
上記計算式にて算出したボイド面積率について、各電子回路実装基板における平均ボイド面積率（％）（各ＱＦＮチップ部品におけるボイド面積率の和／４（ＱＦＮチップ部品数））を算出し、以下の基準で評価した。その結果を表４から６に示す。
○：平均ボイド面積率（％）が２７％以下
△：平均ボイド面積率（％）が２７％超３３％未満
×：平均ボイド面積率（％）が３３％以上

＜印刷性＞
５．９ｍｍ×５．９ｍｍのＣｕランド部（はんだ付けランド部）を形成した電子回路基板（ＦＲ−４基板、ＯＳＰ処理）と、当該Ｃｕランド部に対応するメタルマスク（厚さ：１５０μｍ）とを用意した。
印刷機（製品名：ＳＰ６０Ｐ−Ｌ、パナソニック（株）製）と上記メタルマスクを用い、実施例及び比較例に係る各ソルダペーストを各電子回路基板上に印刷し、印刷パターンのかすれの有無を確認し、以下の通り評価した。その結果を表４から６に示す。
なお、印刷時の条件はスキージ速度：３０ｍｍ／秒、版離れ速度：１０ｍｍ／秒とした。
○：かすれなし
×：かすれあり

以上に示す通り、実施例に係るソルダペーストは、５．９ｍｍ×５．９ｍｍ（＝面積：２５ｍｍ^２以上）という広いＣｕランド部を有する電子部品のはんだ接合においても、最大ボイド面積率も平均ボイド面積率も比較例と比較して低い数値に抑えられることが分かる。即ち、通常、Ｃｕランド部の面積（＝はんだ接合部の形成される面積）が大きければ大きいほど、はんだ接合部の中心付近に取り込まれたガスははんだ接合部外に排出され難く、ボイドとして残り易いものであるが、実施例に係るソルダペーストは、そのようなＣｕランド部を有する電子部品のはんだ接合部においてもはんだ接合部に発生するボイド面積率を減少させ得ることが分かる。
特にヒドロキシメチル基を３つ以上有するトリメチロールプロパン、トリメチロールエタン及びペンタエリトリトールジ（トリメチロールプロパン）を添加剤として配合した実施例１から４及び７から１６は最大ボイド面積率及び平均ボイド面積率をより低減し得ることが分かる。またこの中でも、ヒドロキシメチル基を３つ以上有する化合物の配合量がフラックス全量に対して１質量％以上６質量％の範囲である実施例８から１２及び１６は特に最大ボイド面積率及び平均ボイド面積率を低減し得る。
一方、比較例１から５に係るソルダペーストは最大ボイド面積率も平均ボイド面積率も高い数値を示していることが分かる。特に比較例２から４の場合、ヒドロキシメチル基を２つ有してはいるものの第３級アルコールであるグリセロール、有するヒドロキシメチル基が１つである１，２−ドデカンジオール、ヒドロキシメチル基を２つ有してはいるものの沸点が２２０℃未満であるネオペンチルグリコールを添加剤として使用しているため、実施例と比較して最大ボイド面積率及び平均ボイド面積率を低減し得ないことが分かる。
またヒドロキシメチル基を３つ以上有する化合物を１２質量％添加した比較例６及び７は、ソルダペーストの印刷性が低下することが分かる。

Claims (7)

1. ベース樹脂と、活性剤と、溶剤と、添加剤とを含み、
   前記添加剤として下記一般式（１）で表される化合物及び下記一般式（２）で表される化合物の少なくとも一方をフラックス全量に対して０．５質量％以上１２質量％以下含むことを特徴とするフラックス。
   

   

   
   （式中、Ｒ１はメチル基、エチル基またはヒドロキシメチル基であり、Ｒ２はヒドロキシメチル基またはカルボキシル基であり、Ｒ３はヒドロキシメチル基またはＣＨ_２−Ｏ−ＣＨ_２を介して対称的に連結する繰り返し単位であって、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３の少なくともいずれかはヒドロキシメチル基である。）
   

   

   （式中、Ｒ４およびＲ５は同種または別種のアルキル基である。）
2. 上記一般式（１）で表される化合物はトリメチロールプロパン、トリメチロールエタン、ペンタエリトリトール、ジ（トリメチロールプロパン）及び２，２−ビス（ヒドロキシメチル）プロピオン酸から選ばれる少なくともいずれかであり、上記一般式（２）で表される化合物は２，４−ジエチル−１，５−ペンタンジオールであることを特徴とする請求項１に記載のフラックス。
3. 上記一般式（１）で表される化合物及び下記一般式（２）で表される化合物の少なくとも一方の配合量は、フラックス全量に対して１質量％以上６質量％以下であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のフラックス。
4. 請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のフラックスと、はんだ合金粉末とを含むことを特徴とするソルダペースト。
5. 面積が２５ｍｍ^２以上のはんだ付けランド部を有する電子回路基板に用いられることを特徴とする請求項４に記載のソルダペースト。
6. 請求項４または請求項５に記載のソルダペーストを電子回路基板上に印刷し、
   前記ソルダペーストを印刷した前記電子回路基板上に電子部品を載置し、
   前記電子部品を載置した前記電子回路基板を所定の温度でリフローすることで、前記電子回路基板上に前記ソルダペーストから形成され前記電子部品と前記電子回路基板とを接合するはんだ接合体を形成することを特徴とする電子回路実装基板の製造方法。
7. 請求項６に記載の電子回路実装基板を有することを特徴とする電子制御装置。