JP2019145458A - 電気接点材料およびそれを用いたスイッチ - Google Patents

Abstract

【課題】銀めっきを施した電気接点材料と同等の接触抵抗を有し、モールド樹脂との密着性が良好であり、硫化雰囲気下でもモールド樹脂との隙間から腐食ガスが侵入するのを防いでスイッチ内の接点部の接触抵抗の上昇を長期に亘って抑制できる電気接点材料およびそれを用いたスイッチを提供することである。【解決手段】本発明の電気接点材料は、銅を含む導電性基体と、前記導電性基体の少なくとも一面に形成されるニッケルまたはコバルトを含む第１層と、前記第１層上に形成される銀を含む第２層と、前記第２層上に形成されるパラジウムを含む第３層とを有し、オージェ電子分光分析により定量される表層のパラジウム原子数濃度が５０．０％以上である。【選択図】図１

Description

本発明は、電気接点材料およびそれを用いたスイッチに関する。

スマートフォンや自動車車載向けの電気接点材料としては、接触抵抗が優れる貴金属めっきが施されている銅または銅合金が用いられている。中でも、コストや信頼性の面から、銀めっきが施された銅または銅合金が選定されることが多い。

銀めっきには、接触抵抗が小さい一方で、硫化雰囲気では容易に腐食して、接触抵抗が増大するという課題がある。このような課題のために、銀めっきの特性の低下を抑制することを目的として、銀めっきに防錆処理や無機被覆などの表面処理を施した電気接点材料が開発されている。

例えば、特許文献１には、金属基材の上に銀または銀合金の被覆層を設け、その上にパラジウム等またはその合金を０．０１〜２．０μｍの厚さで被覆した電気接点材料が記載される。

また、特許文献２には、導電性基体上に、銀または銀合金よりなる第１層、ニッケル、コバルトまたはこれらの合金を主体とし、厚さが０．００１〜０．２０μｍである第２層、ならびに、パラジウムまたはパラジウム合金を主体とし、厚さが０．００１〜０．４μｍである表面層がこの順に積層されてなる電気接点材料が記載される。

さらに、銀めっきに代わる貴金属めっき材料として、半田濡れ性が銀めっきと同等であるパラジウムめっきを提供している例もある。例えば、特許文献３には、銅または銅合金基体の表面にニッケル等の第１下地層が形成され、その上にニッケル等の第２下地層が形成され、その上にパラジウム等の貴金属の表面層が０．００２〜０．５μｍの厚さで形成されている電子部品用導電材料が記載される。

特開昭６３−２２１５１７号公報 特許第３９５６８４１号公報 特開平９−３３０８２７号公報

しかしながら、特許文献１の構成では、表層のパラジウムめっき厚が規定されているものの、表層のパラジウムの皮膜状態は規定されていない。

また、特許文献２の電気接点材料では、硫化雰囲気中での接触抵抗の増加抑制の効果は見られたものの、例えばエポキシ系樹脂やシリコーン系樹脂などのモールド樹脂と電気接点材料との密着性が低下することがあった。これは、樹脂を硬化させる際の熱によって、表面層の直下に存在する第２層中のニッケルが熱拡散して表面層に移動することで、樹脂と電気接点材料との密着性が弱まることによる可能性が高い。

また、特許文献３の電子部品用導電材料では、電子部品用導電材料とモールド樹脂との密着性は保たれたものの、従来から使用している銀めっきを施した電気接点材料より接触抵抗が劣ることがあった。

本発明の目的は、銀めっきを施した電気接点材料と同等の接触抵抗を有し、モールド樹脂との密着性が良好であり、硫化雰囲気下でもモールド樹脂との隙間から腐食ガスが侵入するのを防いでスイッチ内の接点部の接触抵抗の上昇を長期に亘って抑制できる電気接点材料およびそれを用いたスイッチを提供することである。

本発明の要旨構成は、以下のとおりである。
［１］ 銅を含む導電性基体と、前記導電性基体の少なくとも一面に形成されるニッケルまたはコバルトを含む第１層と、前記第１層上に形成される銀を含む第２層と、前記第２層上に形成されるパラジウムを含む第３層とを有し、オージェ電子分光分析により定量される表層のパラジウム原子数濃度が５０．０％以上であることを特徴とする電気接点材料。
［２］ 前記表層のＳＥＭ−ＥＤＸ測定において、パラジウムが斑点状の分散状態で存在していることを特徴とする上記［１］に記載の電気接点材料。
［３］ 前記第３層の平均厚さが０．００１μｍ以上０．１００μｍ以下の範囲内であることを特徴とする上記［１］または［２］に記載の電気接点材料。
［４］ 前記第２層の平均厚さが０．０１μｍ以上１．００μｍ以下の範囲内であることを特徴とする上記［１］〜［３］のいずれか１つに記載の電気接点材料。
［５］ 前記第１層の平均厚さが０．０１μｍ以上１．００μｍ以下の範囲内であることを特徴とする上記［１］〜［４］のいずれか１つに記載の電気接点材料。
［６］ 前記表層の樹脂とのシェア強度が８．０ＭＰａ以上であることを特徴とする［１］〜［５］のいずれか１つに記載の電子接点材料。
［７］ 上記［１］〜［６］のいずれか１つに記載の電気接点材料を用いたスイッチ。

本発明によれば、銀めっきを施した電気接点材料と同等の接触抵抗を有し、モールド樹脂との密着性が良好であり、硫化雰囲気下でもモールド樹脂との隙間から腐食ガスが侵入するのを防いでスイッチ内の接点部の接触抵抗の上昇を長期に亘って抑制することができる。

本発明に係る電気接点材料を模式的に示す断面図である。 実施例１の電気接点材料におけるＰｄのＳＥＭ−ＥＤＸマッピング画像である。

以下、本発明を実施の形態に基づき詳細に説明する。

本発明に係る電気接点材料は、銅（Ｃｕ）を含む導電性基体と、前記導電性基体の少なくとも一面に形成されるニッケル（Ｎｉ）またはコバルト（Ｃｏ）を含む第１層と、前記第１層上に形成される銀（Ａｇ）を含む第２層と、前記第２層上に形成されるパラジウム（Ｐｄ）を含む第３層とを有し、オージェ電子分光分析により定量される表層のパラジウム原子数濃度が５０．０％以上である。

図１は、本発明に係る電気接点材料を模式的に示す断面図である。図１に示すように、電気接点材料１０では、導電性基体１の表面に第１層２が設けられ、第１層２の表面に第２層３が設けられ、第２層３の表面に第３層４が設けられている。このように、導電性基体１上に、第１層２と第２層３と第３層４とがこの順に被覆されている。

導電性基体としては、導電率や放熱性に優れる銅または銅合金が好ましい。

例えば銅合金の例として、ＣＤＡ（Ｃｏｐｐｅｒ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ Ａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ）掲載合金である「Ｃ２６８００（Ｃｕ−３５％Ｚｎ）」、「Ｃ５１９１０（Ｃｕ−６％Ｓｎ−Ｐ）」、「Ｃ５２１２０（Ｃｕ−８％Ｓｎ−Ｐ）」、「Ｃ７１５００（Ｃｕ−３０％Ｎｉ）」、および「Ｃ５２１００（Ｃｕ−８％Ｓｎ−０．０３％Ｐ）」等を用いることができる。なお、各元素の前の数字および％は質量％を示す。これら銅合金は、それぞれ導電率や強度が異なるため、電気接点材料に要求される特性に応じて、適宜選択される。導電性や放熱性を向上させるという観点からは、導電率が５％ＩＡＣＳ以上の銅合金とすることが好ましい。

導電性基体の厚さは、特に限定されないが、通常０．０３ｍｍ以上１．００ｍｍ以下、好ましくは０．０３ｍｍ以上０．１０ｍｍ以下の範囲内である。

第１層を形成する金属または合金の例としては、ニッケル、ニッケル合金、コバルト、コバルト合金、ニッケルコバルト合金などが挙げられる。

ここで、第１層の役割としては、導電性基体の成分である銅の第２層への拡散の抑制や導電性基体と第２層との密着性を向上させることである。特に、導電性基体よりも貴な金属を用いためっき処理によって第２層を形成する場合は、そのめっき処理前にフラッシュめっきあるいはストライクめっきなどの下地処理によって下地層である第１層を予め設けておくことが、密着性向上や置換析出の防止のために有効である。

第１層の平均厚さは、好ましくは０．０１μｍ以上１．００μｍ以下、より好ましくは０．０５μｍ以上０．５０μｍ以下の範囲内である。第１層の平均厚さが０．０１μｍ以上であると、上記の効果が十分に向上する。また、第１層の平均厚さが１．００μｍ以下であると、第１層の形成に必要な原料の使用量が抑制される。

第２層を形成する金属または合金の例としては、銀、銀合金が挙げられる。第２層の役割としては、電気接点材料の接触抵抗を低くすることである。

第２層の平均厚さは、好ましくは０．０１μｍ以上１．００μｍ以下、より好ましくは０．２０μｍ以上０．８０μｍ以下の範囲内である。第２層の平均厚さが０．０１μｍ以上であると、接触抵抗が十分に低くなる。また、第２層の平均厚さが１．００μｍ以下であると、第２層の形成に必要な原料の使用量が抑制される。

第３層を形成する金属または合金の例としては、パラジウム、パラジウム合金が挙げられる。第３層の役割としては、電気接点材料とモールド樹脂との密着性を高くすることである。

オージェ電子分光分析により定量される電気接点材料の表層のパラジウム原子数濃度は、５０．０％以上である。ここで、電気接点材料の表層とは、第３層が形成されている部分の電気接点材料の表層である。また、パラジウム原子数濃度は、第３層中のパラジウム成分に由来する。

オージェ電子分光分析によると、電気接点材料の表層の表面から１０ｎｍ以下の深さで、パラジウムが５０．０％以上の原子数濃度で存在する。本発明において、表層のパラジウム原子数濃度が５０％未満である場合、モールド樹脂との密着性が劣り、モールド樹脂と電気接点材料との間に隙間ができやすく、腐食ガス等が侵入しやすくなる。上記のパラジウム原子数濃度は、好ましくは６０．０％以上１００％未満、より好ましくは６５．０％以上９５．０％以下の範囲内である。パラジウム原子数濃度がこの範囲であると、接触抵抗が十分に低下し、モールド樹脂との密着性が十分に高くなる。

第２層上の第３層の状態は、走査型電子顕微鏡を使用した特性Ｘ線エネルギー分光法（ＳＥＭ−ＥＤＸ）測定で得られるパラジウムの状態によって判断することができる。電気接点材料の表層のＳＥＭ−ＥＤＸ測定において、パラジウムは、第２層上に斑点状の分散状態で存在している場合（斑点状）、様々な面積を有する複数の小さな層（島状の層）が第２層上に互いに距離を空けて分離して存在している場合（島状）、第２層の全面に一様に被覆している場合（ベタ状）がある。

パラジウムは銀と比較して、接触抵抗が数ｍΩほど高いため、第３層が第２層の全面を一様に被覆している状態では、第２層を構成する銀成分が担っている導電性を損ねてしまう。また、第３層が第２層の上に斑点状に存在することで、第３層がベタ状や島状の状態と比べ、第３層の表面積が大きくなり、電気接点材料とモールド樹脂との接触面積が増えることから、電気接点材料の樹脂密着強度が増す。そのため、接触抵抗と樹脂密着性の観点から、電気接点材料の表層のＳＥＭ−ＥＤＸ測定において、パラジウムが斑点状の分散状態で存在している、換言すると第２層の銀成分が部分的に露出していることが好ましい。上記のＳＥＭ−ＥＤＸ測定において斑点状の分散状態で存在しているパラジウムは、後述の図２に示すような状態になる。

第３層の平均厚さは、好ましくは０．００１μｍ以上０．１００μｍ以下、より好ましくは０．００５μｍ以上０．０５０μｍ以下の範囲内である。第３層の平均厚さが０．００１μｍ以上であると、上記の接触抵抗および密着性の効果が十分に向上する。また、第３層の平均厚さが１．０００μｍ以下であると、第３層の形成に必要な原料の使用量が抑制される。なお、第３層の平均厚さとは、第３層が第２層の全面を均一に一様な厚さの層であると想定した場合の層の厚さとする。

上記の各層の平均厚さは、蛍光Ｘ線膜厚計などの膜厚計によって測定することができる。

電気接点材料を製造するためには、めっき、クラッド、蒸着、スパッタ等の各種皮膜形成法が利用でき、特に薄膜を容易に形成する方法として、第１層、第２層および第３層の少なくとも一層を電気めっき法で形成することが好ましく、第１層、第２層および第３層の全ての層を電気めっき法で形成することがより好ましい。電気めっき液の組成およびめっき条件は、適宜定めることができる。また、電気接点材料の製造に必要な原料の使用量を抑えるために、電気接点材料のスイッチ接点面側のみに第１層、第２層および第３層を施す片面めっきや、スイッチ接点面と反対面のめっき厚を薄くする差厚めっきも有効な手段である。

また、電気接点材料の表層の樹脂とのシェア強度は、好ましくは８．０ＭＰａ以上である。シェア強度が８．０ＭＰａ以上であると、電気接点材料と樹脂との密着性が十分に良好であり、腐食性ガスによる接点部の接触抵抗の増加が抑制される。

本発明の電気接点材料は、通常の接触式の電気接点であればどのようなタイプでも好適に用いられる。特に耐磨耗性と耐食性に優れることから、本発明の電気接点材料は、例えば、自動車車載向けの屋内外の摺動接点や、リードスイッチ、カメラマウント接点用スイッチなどの電気接点用の材料として特に好適に用いることができる。

以上説明した実施形態によれば、電気接点材料は、モールド樹脂との密着性が良好であることから、樹脂モールド後の気密性が確保され、硫化ガスや湿気に富む空気などの腐食ガスの侵入を抑制できるため、スイッチ内の接点部の接触抵抗の長期信頼性を保つことができる。さらに、電気接点材料は、従来の銀めっきを施した電気接点材料と同等の接触抵抗も持ち合わせている。

なお、図１に示される電気接点材料１０では、第１層２が導電性基体１の表面全面に形成される一例を示したが、第１層２は、導電性基体１の少なくとも一面に形成されていればよく、例えば、導電性基体１の上面のみまたは下面のみに形成されてもよい。

また、第３層４は斑点状や島状のような状態で第２層３の表面を覆う場合もあるが、図１では、簡略化のために、第３層が第２層３の全面を一様に覆う電気接点材料１０を示した。

以上、実施の形態について説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の概念および特許請求の範囲に含まれるあらゆる態様を含み、本発明の範囲内で種々に改変することができる。

次に、実施例および比較例について説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。

（実施例１〜３０および比較例１〜１１）
厚さ０．０５ｍｍ、幅５０ｍｍのリン青銅Ｃ５２１００の導電性基体に対して、以下に示す条件で前処理を行った後、以下に示す条件の電気めっき法で、表１に示す平均めっき厚になるように第１層および第２層をこの順で導電性基体上に形成した。続いて、以下および表１に示す条件の電気めっき法で、表１に示す平均めっき厚になるように第３層を第２層上に形成した。こうして、電気接点材料を得た。なお、比較例１１では、第３層の形成を行わなかった。

なお、各層の平均めっき厚（被覆厚）は、蛍光Ｘ線膜厚計（ＳＦＴ−９４００、エスアイアイ・ナノテクノロジー社製）を使用し、コリメータ径０．１ｍｍとして、各層の任意の１０箇所を測定し、これらの測定値の平均値を算出して得た。

＜前処理条件＞
［カソード電解脱脂］
脱脂液：ＮａＯＨ ６０ｇ／ｌ
脱脂条件：２．５Ａ／ｄｍ^２、温度６０℃、脱脂時間６０秒
［酸洗］
酸洗液：１０％硫酸
酸洗条件：浸漬時間３０秒、室温

＜Ｎｉめっき＞
めっき液：ＮｉＳＯ_４ ２４０ｇ／Ｌ
ＮｉＣｌ_２ ４５ｇ／Ｌ
Ｈ_３ＢＯ_３ ３０ｇ／Ｌ
めっき条件：電流密度 ５Ａ／ｄｍ^２
温度 ５０℃

＜Ｃｏめっき＞
めっき液：ＣｏＳＯ_４ ４００ｇ／Ｌ
ＮａＣｌ ２０ｇ／Ｌ
Ｈ_３ＢＯ_３ ４０ｇ／Ｌ
めっき条件：電流密度 ５Ａ／ｄｍ^２
温度 ３０℃

＜ＮｉＣｏめっき＞
めっき液：ＨＣｌ １００ｇ／Ｌ
ＮｉＣｌ_２ ２５ｇ／Ｌ
ＣｏＣｌ_２ ２５ｇ／Ｌ
めっき条件：電流密度 １．２Ａ／ｄｍ^２
温度 ４０℃

＜Ａｇストライクめっき＞
めっき液：ＡｇＣＮ ５ｇ／Ｌ
ＫＣＮ ６０ｇ／Ｌ
Ｋ_２ＣＯ_３ ３０ｇ／Ｌ
めっき条件：電流密度 ２Ａ／ｄｍ^２
温度 ３０℃

＜Ａｇめっき＞
めっき液：ＡｇＣＮ ５０ｇ／Ｌ
ＫＣＮ １００ｇ／Ｌ
Ｋ_２ＣＯ_３ ３０ｇ／Ｌ
めっき条件：電流密度 １Ａ／ｄｍ^２
温度 ３０℃

＜Ｐｄめっき＞
めっき液：Ｐｄ（ＮＨ_３）_２Ｃｌ_２ ２５〜４０ｇ／Ｌ
ＮＨ_４ＯＨ ９０ｍＬ／Ｌ
（ＮＨ_４）_２ＳＯ_４ ５０ｇ／Ｌ
めっき条件：電流密度 ２〜１０Ａ／ｄｍ^２
温度 ３０℃
攪拌条件：４００〜１０００ｒｐｍ

ＡｇストライクめっきおよびＡｇめっきは、すべての実施例および比較例で行った。

Ｐｄめっきでは、パラジウム原子数濃度および第３層の被覆状態を調整するために、めっき浴中のＰｄ濃度と電流密度と攪拌速度との制御を行った。Ｐｄ（ＮＨ_３）_２Ｃｌ_２濃度を２５ｇ／Ｌにして、パラジウム原子数濃度を５０％未満に調整し、Ｐｄ（ＮＨ_３）_２Ｃｌ_２濃度を４０ｇ／Ｌにして、パラジウム原子数濃度を５０％以上１００％未満に調整した。また、めっき電流密度を１０Ａ／ｄｍ^２およびめっき液の攪拌速度を４００ｒｐｍにして、斑点状の第３層を形成し、電流密度を２Ａ／ｄｍ^２および攪拌速度を１０００ｒｐｍにして、一様で斑点無しの第３層を形成した。

次に、得られた電気接点材料の特性および評価について、以下のようにして行った。

パラジウム原子数濃度については、次のようにしてオージェ電子分光分析により測定した。オージェ電子分光分析装置（Ｍоｄｅｌ ６００、アルバック・ファイ社製）を用い、第３層が形成されている部分の電気接点材料の表層の任意の５か所において、それぞれ、加速電圧１０ｋＶ、分析面積５０μｍ×５０μｍにて、表面定性・定量分析を行って、パラジウム原子数濃度の測定を実施し、これらの測定値の平均値をパラジウム原子数濃度とした。その結果を表１に示す。なお、パラジウム原子数濃度の測定では、Ｐｄ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃなどの電気接点材料由来の元素の合計が１００％となるように規格化した。

第３層の被覆状態については、次のようにして走査型電子顕微鏡を使用した特性Ｘ線エネルギー分光法（ＳＥＭ−ＥＤＸ）により測定した。走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ／ＥＤＸ）（ＳＥＭＥＤＸ ＴｙｐｅＭ、日立製作所製）を用い、第３層が形成されている部分の電気接点材料の表層の任意の３か所において、それぞれ、加速電圧２０ｋＶ、観察倍率５０００倍、電子線スポットサイズ１μｍ、測定深さ１μｍにて、１０μｍ×１０μｍの領域内で、電子線を走査させた。得られた３つのＰｄのＥＤＸマッピング画像において、それぞれ、１０μｍ×１０μｍの領域を、１μｍ×１μｍ角で１００個の小領域に分割して、１００個の小領域の内、パラジウムの斑点状が確認できる小領域の数を調べた。そして、３つのマッピング画像における上記小領域の数の平均値が、５個以上である場合には、斑点状「有り」、５個未満である場合には、斑点状「無し」と判定した。

接触抵抗については、次のようにして測定した。最表層である第３層の形成直後、すなわち製造直後の電気接点材料（加熱前）、製造した電気接点材料をエアバス内に静置させて１３０℃で９０秒間加熱した後の電気接点材料（加熱後）のそれぞれについて、半径２ｍｍのＡｇプローブを使用し、４端子法にて、１０ｍＡ通電、荷重１０ｇｆで測定点１０点の接触抵抗を測定し、これらの測定値の平均値を接触抵抗とした。なお、このときの加熱条件は、後述する樹脂密着強度の測定におけるモールド樹脂の加熱条件に相当する。

樹脂密着強度（シェア強度）については、次のようにして測定した。トランスファーモールド成形機（Ｍｏｄｅｌ ＦＴＳ、コータキ精機社製）を用い、金型温度１３０℃、モールド後保持時間９０秒、注入圧力６．８６５ＭＰａの条件下で、エポキシ系樹脂（ＥＭＥ−Ｇ６３０Ｌ、住友ベークライト社製）を注入成形して、第３層が形成されている部分の電気接点材料の表層に、接触面積１０ｍｍ^２のプリンカップ状のモールド樹脂を密着形成させた。このような電気接点材料上にモールド樹脂を形成した試験片を５つ作製した。ボンドテスター（デイジ社製）を用い、荷重レンジ２０ｋｇ、テスト高さ１５０μｍ、降下速度０．５μｍ／ｓ、テストスピード１００μｍ／ｓ、移動量１００μｍの条件で、５つの試験片における電気接点材料とモールド樹脂との密着強度（シェア強度）を測定し、これらの測定値の平均値を樹脂密着強度とした。

以上のようにして測定した電気接点材料の特性および評価の結果を表１に示す。

実施例１〜３０では、パラジウム原子数濃度が５０％以上１００％未満の範囲内、樹脂密着強度が８．０ＭＰａ以上となり、樹脂密着性が良好であることがわかった。また、図２に示すように、実施例１の電気接点材料の表層におけるＰｄのＳＥＭ−ＥＤＸマッピング画像では、パラジウムが斑点状に分散していることが確認できた。このようなパラジウムの斑点状は、実施例２〜１６、２７〜３０でも同様に確認できた。また、パラジウム原子数濃度が同程度である場合、パラジウムが斑点状である実施例１〜１６、２７〜３０では、パラジウムが斑点状ではない実施例１７〜２６に比べて、樹脂密着強度が高い傾向であった。特に、実施例５〜１２、１５、１６、２７、２８のように、パラジウムが斑点状に存在し、パラジウム原子数濃度が６０．０％以上９５．０％以下の範囲内である場合は、樹脂密着強度が９．０ＭＰａ以上となった。さらに、実施例１〜１６のように、パラジウムが斑点状に存在し、第１層の平均めっき厚が０．０１μｍ以上１．００μｍ以下の範囲内、第２層の平均めっき厚が０．０１μｍ以上１．００μｍ以下の範囲内、第３層の平均めっき厚が０．００１μｍ以上０．１００μｍ以下の範囲内である場合は、加熱前後の接触抵抗がいずれも３．０ｍΩ以下であると共に樹脂密着強度が優れていた。

一方で、比較例１〜１１では、パラジウム原子数濃度が５０％未満であり、電気接点材料の最表層である第３層のＰｄ量が少ないことから、樹脂密着強度が８．０ＭＰａ未満となり、樹脂密着性に劣るということが分かった。

１ 導電性基体
２ 第１層
３ 第２層
４ 第３層
１０ 電気接点材料

Claims (7)

1. 銅を含む導電性基体と、前記導電性基体の少なくとも一面に形成されるニッケルまたはコバルトを含む第１層と、前記第１層上に形成される銀を含む第２層と、前記第２層上に形成されるパラジウムを含む第３層とを有し、オージェ電子分光分析により定量される表層のパラジウム原子数濃度が５０．０％以上であることを特徴とする電気接点材料。
2. 前記表層のＳＥＭ−ＥＤＸ測定において、パラジウムが斑点状の分散状態で存在していることを特徴とする請求項１に記載の電気接点材料。
3. 前記第３層の平均厚さが０．００１μｍ以上０．１００μｍ以下の範囲内であることを特徴とする請求項１または２に記載の電気接点材料。
4. 前記第２層の平均厚さが０．０１μｍ以上１．００μｍ以下の範囲内であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の電気接点材料。
5. 前記第１層の平均厚さが０．０１μｍ以上１．００μｍ以下の範囲内であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の電気接点材料。
6. 前記表層の樹脂とのシェア強度が８．０ＭＰａ以上であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の電子接点材料。
7. 請求項１〜６のいずれか１項に記載の電気接点材料を用いたスイッチ。