JP2019134318A - 撮像装置およびキャリブレーション方法 - Google Patents
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Abstract
Description
1.実施の形態
2.撮像装置の使用例
3.移動体への応用例
[構成例]
図1は、一実施の形態に係る撮像装置(撮像装置1)の一構成例を表すものである。撮像装置1は、画素アレイ9と、走査部10と、読出部20と、撮像制御部30と、信号処理部40と、記憶部8とを備えている。
続いて、本実施の形態の撮像装置1の動作および作用について説明する。
まず、図1,4を参照して、撮像装置1の全体動作概要を説明する。走査部10は、画素ラインL単位で、画素アレイ9における撮像画素P1を順次駆動する。撮像画素P1は、8つの変換期間T1〜T8において、8つの画素電圧VP1〜VP8を順次出力する。読出部20のAD変換部ADCは、これらの8つの画素電圧VP1〜VP8に基づいてそれぞれAD変換を行い、8つのデジタルコードCODE(デジタルコードCODE1〜CODE8)をそれぞれ出力する。信号処理部40の画像処理部41は、画像信号DATA0に含まれる8つのデジタルコードCODE1〜CODE8に基づいて、4枚の画像PIC(画像PIC1〜PIC4)を生成する。そして、信号処理部40は、この4枚の画像PICを合成することにより、1枚の撮像画像PICAを生成し、この撮像画像PICAを、画像信号DATAとして出力する。また、AD変換部ADCは、垂直ブランキング期間において、撮像制御部30の温度センサ32から供給された信号SIGTに基づいてAD変換を行うことにより、信号SIGTの電圧をデジタルコードCODEに変換する。信号処理部40の温度演算部42は、画像信号DATA0に含まれる、垂直ブランキング期間において信号SIGTに基づいて得られたデジタルコードCODEに基づいて、温度値を示す温度コードTCを生成し、この温度コードTCを出力する。また、温度演算部42は、温度コードTCが示す値(温度値)が所定の範囲内に収まっているかどうかを確認し、その確認結果をエラーフラグ信号ERとして出力する。
撮像装置1において、画素アレイ9における撮像画素P1のそれぞれは、受光量に応じて電荷を蓄積し、画素電圧VPを信号SIGとして出力する。以下に、この動作について詳細に説明する。
次に、読出駆動D2について、詳細に説明する。以下に、複数の撮像画素P1のうちの撮像画素P1Aに着目し、この撮像画素P1Aに係る動作について詳細に説明する。
次に、タイミングt11において、走査部10は、信号SFDGの電圧を高レベルから低レベルに変化させる(図15A(D))。これにより、撮像画素P1Aでは、トランジスタFDGがオフ状態になる。次に、タイミングt12において、走査部10は、信号SRSTの電圧を高レベルから低レベルに変化させる(図15A(C))。これにより、撮像画素P1Aでは、トランジスタRSTがオフ状態になる。次に、タイミングt13において、走査部10は、信号SFDGの電圧を低レベルから高レベルに変化させる(図15A(D))。これにより、撮像画素P1Aでは、トランジスタFDGがオン状態になる。また、コンパレータ24は、タイミングt13〜t14までの期間において、正入力端子および負入力端子を電気的に接続するゼロ調整を行う。
次に、タイミングt21において、走査部10は、信号SFDGの電圧を高レベルから低レベルに変化させる(図15A(D))。これにより、撮像画素P1Aでは、トランジスタFDGがオフ状態になる。また、コンパレータ24は、タイミングt21〜t22までの期間において、正入力端子および負入力端子を電気的に接続するゼロ調整を行う。
次に、タイミングt31において、走査部10は、信号STGLの電圧を低レベルから高レベルに変化させる(図15A(E))。これにより、撮像画素P1Aでは、トランジスタTGLがオン状態になる。これにより、フォトダイオードPD1で発生した電荷がフローティングディフュージョンFDに転送される。また、このタイミングt31において、参照信号生成部31は、参照信号REFの電圧を電圧V1に変化させる(図15A(H))。
次に、タイミングt41において、走査部10は、信号SFDGの電圧を低レベルから高レベルに変化させるとともに信号STGLの電圧を低レベルから高レベルに変化させる(図15A(D),(E))。これにより、撮像画素P1Aでは、トランジスタFDG,TGLがともにオン状態になる。また、このタイミングt41において、参照信号生成部31は、参照信号REFの電圧を電圧V1に変化させる(図15A(H))。次に、走査部10は、タイミングt42において、信号STGLの電圧を高レベルから低レベルに変化させる(図15A(E))。これにより、撮像画素P1Aでは、トランジスタTGLがオフ状態になる。
次に、タイミングt51において、走査部10は、信号SRSTの電圧を低レベルから高レベルに変化させる(図15B(C))。これにより、撮像画素P1Aでは、トランジスタRSTがオン状態になる。トランジスタFDGはオン状態であるので、これにより、フローティングディフュージョンFDの電圧が電源電圧VDDに設定され、フローティングディフュージョンFDがリセットされる。次に、タイミングt52において、走査部10は、信号SRSTの電圧を高レベルから低レベルに変化させる(図15B(C))。これにより、撮像画素P1Aでは、トランジスタRSTがオフ状態になる。また、このタイミングt52において、参照信号生成部31は、参照信号REFの電圧を電圧V1に変化させる(図15B(H))。
次に、タイミングt61において、走査部10は、信号STGSの電圧を低レベルから高レベルに変化させる(図15B(G))。これにより、撮像画素P1Aでは、トランジスタTGSがオン状態になる。これにより、フォトダイオードPD2で発生した電荷がフローティングディフュージョンFDおよび容量素子FCに転送される。また、このタイミングt61において、参照信号生成部31は、参照信号REFの電圧を電圧V1に変化させる(図15B(H))。
次に、コンパレータ24は、タイミングt71〜t72までの期間において、正入力端子および負入力端子を電気的に接続するゼロ調整を行う。
次に、タイミングt81において、走査部10は、信号SRSTの電圧を低レベルから高レベルに変化させる(図15B(C))。これにより、撮像画素P1Aでは、トランジスタRSTがオン状態になる。トランジスタFDG,FCGはオン状態であるので、フローティングディフュージョンFDの電圧および容量素子FCの電圧が電源電圧VDDに設定され、フローティングディフュージョンFDおよび容量素子FCがリセットされる。
図13において、例えば、タイミングt11〜t12のブランキング期間T20は、いわゆる垂直ブランキング期間であり、撮像装置1は、読出駆動D2を行わない。すなわち、この期間には、信号線SGLは、撮像画素P1に係る画素電圧VPを伝えない。撮像装置1は、このブランキング期間T20を利用して、温度検出を行う。以下に、この温度検出動作について、詳細に説明する。
タイミングt121〜t131の期間において、温度センサ32のスイッチSWT(図5)は、電源電圧VDDおよび電圧Vtempのうちの電源電圧VDDを選択する。温度センサ32は、このようにして選択された電源電圧VDDを信号SIGTとして出力する。これにより、コンパレータ24の負入力端子には、その電源電圧VDDに対応した電圧VDD2が供給される(図18(B))。
タイミングt131〜t141の期間において、温度センサ32のスイッチSWT(図5)は、電源電圧VDDおよび電圧Vtempのうちの電圧Vtempを選択する。温度センサ32は、このようにして選択された電圧Vtempを信号SIGTとして出力する。これにより、コンパレータ24の負入力端子には、その電圧Vtempに対応した電圧Vtemp2が供給される(図18(B))。電圧Vtemp2は、温度が低い場合には高く、温度が高い場合には低い。
温度センサ32が生成する電圧Vtempは、撮像装置1のいわゆる製造ばらつきにより、ばらつくおそれがある。この場合には、撮像装置1における温度検出精度が低下してしまう。そこで、撮像装置1では、例えば、図10に示した検査システム100を用いてキャリブレーションを行う。これにより、撮像装置1における温度検出精度を高めることができる。以下に、検査システム100におけるキャリブレーション処理について詳細に説明する。
以上のように本実施の形態では、互いに電気的に接続された2つのパッド電極が並設された端子部を設けるようにしたので、熱電対を用いて実際の温度を測定することができるので、その測定結果に基づいてキャリブレーションを行うことができるため、温度の検出精度を高めることができる。
上記実施の形態では、図4,5に示したように、温度センサ32が、信号SIGTを読出部20のAD変換部ADCに直接供給したが、これに限定されるものではなく、これに代えて、例えば、画素アレイを介して読出部のAD変換部に供給してもよい。以下に、本変形例について、いくつか例を挙げて詳細に説明する。
上記実施の形態では、図9に示したように、撮像装置1を1枚の半導体基板200に形成したが、これに限定されるものではない。これに代えて、例えば、図24に示す撮像装置1Cのように、複数(この例では2枚)の半導体基板(半導体基板301,302)に形成してもよい。この例では、半導体基板301および半導体基板302は重ね合あわされ、複数のビア303を介して互いに接続されている。半導体基板301には、例えば、画素アレイ9を形成することができる。また、半導体基板302には、走査部10、読出部20、撮像制御部30、および信号処理部40を形成することができる。例えば、半導体基板301における複数の制御線TGLL,FDGL,RSTL,FCGL,TGSL,SELLは、複数のビア303Aを介して、半導体基板302における走査部10に接続される。また、例えば、半導体基板301における複数の信号線SGLが、複数のビア303Bを介して、半導体基板302における読出部20に接続される。なお、各回路の配置は、これに限定されるものではなく、例えば、走査部10を半導体基板301に形成してもよい。
上記実施の形態では、複数の撮像画素P11のそれぞれに2つのフォトダイオードPD1,PD2を設けたが、これに限定されるものではない。以下に、本変形例に係る撮像装置2について、詳細に説明する。
上記実施の形態では、例えば、画素アレイ9において、同じ制御線TGLL,FDGL,RSTL,FCGL,TGSL,SELLに接続された複数の画素を水平方向に並設したが、これに限定されるものではない。これに代えて、例えば、図31に示す撮像装置1Dのように、同じ制御線TGLL,FDGL,RSTL,FCGL,TGSL,SELLに接続された複数(この例では4つ)の画素を垂直方向に並設してもよい。この撮像装置1Dは、画素アレイ9Dと、走査部10Dと、読出部20D1,20D2と、撮像制御部30Dと、信号処理部40Dとを備えている。画素アレイ9Dの偶数番目(0番目、2番目、4番目、…)の信号線SGLは読出部20D1に接続され、画素アレイ9Dの奇数番目(1番目、3番目、5番目、…)の信号線SGLは読出部20D2に接続されている。制御線TGLL,FDGL,RSTL,FCGL,TGSL,SELLは、走査部10Dに接続されている。この例では、同じ制御線TGLL,FDGL,RSTL,FCGL,TGSL,SELLに接続された4つの画素Pが垂直方向(図31における縦方向)に並設されている。走査部10Dは、ロジック部12Dと、ドライバ部13Dとを有している。読出部20D1は、画素アレイ9Dから偶数番目の信号線SGLを介して供給された信号SIGに基づいてAD変換を行うことにより、画像信号DATAD1を生成するものである。読出部20D2は、画素アレイ9Dから奇数番目の信号線SGLを介して供給された信号SIGに基づいてAD変換を行うことにより、画像信号DATAD2を生成するものである。信号処理部40Dは、画像信号DATAD1,DATAD2が示す画像に対して、信号処理を行うものである。
上記実施の形態では、各AD変換部ADCを、画素アレイ9における1列分の複数の画素Pに接続したが、これに限定されるものではなく、これに代えて、例えば、図32に示す撮像装置1Eのように、各AD変換部ADCを、所定のエリアに属する複数の撮像画素P1に接続してもよい。この撮像装置1Eは、2枚の半導体基板401,402に形成されている。半導体基板401には、画素アレイ9が形成されている。この画素アレイ9は、複数(この例では21個)のエリアARに区分され、各エリアARは、複数(この例では160個)の撮像画素P1を含んでいる。半導体基板402には、読出部20が形成されている。具体的には、半導体基板402には、半導体基板401における複数のエリアARに対応する複数の領域のそれぞれに、そのエリアARに属する複数の撮像画素P1に接続されるAD変換部ADCが形成されている。半導体基板401および半導体基板402は重ね合あわされ、接続部403により、例えばCu−Cu接続を用いて互いに電気的に接続されている。なお、この例では、画素アレイ9を21個のエリアARに区分したが、これに限定されるものではなく、これに代えて、例えば20個以下または22個以上のエリアARに区分してもよい。また、この例では、各エリアARに160個の撮像画素P1を設けたが、これに限定されるものではなく、これに代えて、例えば159個以下または161個以上の撮像画素P1を設けてもよい。
また、これらの変形例のうちの2以上を組み合わせてもよい。
図33は、上記実施の形態に係る撮像装置1等の使用例を表すものである。上述した撮像装置1等は、例えば、以下のように、可視光や、赤外光、紫外光、X線等の光をセンシングする様々なケースに使用することができる。
・自動停止等の安全運転や、運転者の状態の認識等のために、自動車の前方や後方、周囲、車内等を撮影する車載用センサ、走行車両や道路を監視する監視カメラ、車両間等の測距を行う測距センサ等の、交通の用に供される装置
・ユーザのジェスチャを撮影して、そのジェスチャに従った機器操作を行うために、テレビジョンや、冷蔵庫、エアーコンディショナ等の家電に供される装置
・内視鏡や、赤外光の受光による血管撮影を行う装置等の、医療やヘルスケアの用に供される装置
・防犯用途の監視カメラや、人物認証用途のカメラ等の、セキュリティの用に供される装置
・肌を撮影する肌測定器や、頭皮を撮影するマイクロスコープ等の、美容の用に供される装置
・スポーツ用途等向けのアクションカメラやウェアラブルカメラ等の、スポーツの用に供される装置
・畑や作物の状態を監視するためのカメラ等の、農業の用に供される装置
本開示に係る技術(本技術)は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット等のいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。
前記第1の半導体基板に形成され、温度に応じた検出信号を生成可能な温度センサと、
前記第1の半導体基板に形成され、前記第1の半導体基板に形成された回路と電気的に絶縁された第1のパッド電極と
を備えた撮像装置。
(2)前記温度センサは、前記第1の半導体基板の前記処理部が形成された領域の領域内に形成された
前記(1)に記載の撮像装置。
(3)前記第1の半導体基板に形成された変換部をさらに備え、
前記撮像部は、撮像画素を有し、
前記変換部は、前記撮像画素から供給された画素信号に基づいてAD変換を行うことにより前記画像データを生成することが可能であり、
前記第1のパッド電極と前記温度センサとの間の距離は、前記第1のパッド電極と前記変換部との間の距離よりも短い
前記(1)または(2)に記載の撮像装置。
(4)前記第1の半導体基板の周辺領域に並設された複数の入出力パッド電極をさらに備え、
前記第1のパッド電極の面積は、前記複数の入出力パッド電極の面積よりも大きい
前記(1)から(3)のいずれかに記載の撮像装置。
(5)前記第1の半導体基板の前記第1のパッド電極と隣り合う位置に形成され、前記第1の半導体基板に形成された回路と電気的に絶縁されるとともに前記第1のパッド電極に電気的に接続された第2のパッド電極をさらに備えた
前記(1)から(4)のいずれかに記載の撮像装置。
(6)前記第1の半導体基板に形成された前記撮像部をさらに備えた
前記(1)から(5)のいずれかに記載の撮像装置。
(7)第2の半導体基板に形成された前記撮像部をさらに備え、
前記第2の半導体基板は、前記第1の半導体基板に重ね合わせられた
前記(1)から(5)のいずれかに記載の撮像装置。
(8)撮像部と、
前記撮像部により得られた画像データに基づいて、所定の画像処理を行うことが可能な処理部と、
温度に応じた検出信号を生成可能な温度センサと、
前記検出信号に基づいて、前記温度センサが動作可能な温度範囲が区分された複数の温度範囲のそれぞれにおいて互いに異なる演算処理を行うことにより温度コードを生成可能な演算部と
を備えた撮像装置。
(9)前記複数の温度範囲は、第1の温度範囲と、第2の温度範囲とを含み、
前記演算処理は、
前記第1の温度範囲において、前記検出信号に基づいて、第1の関数を用いて前記温度コードを生成可能であり、
前記第2の温度範囲において、前記検出信号に基づいて、第2の関数を用いて前記温度コードを生成可能である
前記(8)に記載の撮像装置。
(10)前記第1の関数および前記第2の関数は、1次関数である
前記(9)に記載の撮像装置。
(11)前記撮像装置の検査装置により検出された前記撮像装置の温度についての情報を記憶する記憶部をさらに備え、
前記演算部は、前記記憶部に記憶された情報を用いて前記温度コードを補正する補正処理をさらに行うことが可能である
前記(8)から(10)のいずれかに記載の撮像装置。
(12)前記検出信号に基づいてAD変換を行うことにより第1のデジタルコードを生成可能な変換部をさらに備え、
前記演算部は、前記第1のデジタルコードに基づいて前記温度コードを生成可能である
前記(11)に記載の撮像装置。
(13)前記変換部は、前記検出信号に基づいてAD変換を行うことにより複数の第1のデジタルコードを生成可能な複数の変換回路を有し、
前記演算部は、前記複数の第1のデジタルコードに基づいて前記温度コードを生成可能である
前記(12)に記載の撮像装置。
(14)前記演算部は、前記複数の第1のデジタルコードに基づいて、前記演算処理を行うことにより複数の第1の温度コードを求め、前記複数の第1の温度コードのそれぞれに基づいて前記補正処理を行うことにより複数の第2の温度コードを求め、前記複数の第2の温度コードが示す値の平均値に基づいて前記温度コードを生成可能である
前記(13)に記載の撮像装置。
(15)前記演算部は、前記複数の第2の温度コードに基づいて前記複数の第2の温度コードのうちの1つを選択し、選択された前記第2の温度コードを、前記複数の変換回路のうちの前記選択された第2の温度コードを生成した変換回路と隣り合う変換回路が生成した第2の温度コードを用いて補正し、補正された前記第2の温度コードを含む前記複数の第2の温度コードが示す値の平均値に基づいて前記温度コードを生成可能である
前記(14)に記載の撮像装置。
(16)前記演算部は、前記複数の第2の温度コードに基づいて前記複数の第2の温度コードのうちの1つを選択し、前記複数の第2の温度コードのうちの選択された前記第2の温度コード以外の複数の前記第2の温度コードが示す値の平均値に基づいて前記温度コードを生成可能である
前記(14)に記載の撮像装置。
(17)前記撮像部は、複数の撮像画素を有し、
前記複数の変換回路は、前記複数の撮像画素から供給された複数の画素信号に基づいてAD変換を行うことにより複数の第2のデジタルコードをそれぞれ生成可能であり、
前記処理部は、前記複数の第2のデジタルコードに基づいて前記所定の画像処理を行うことが可能である
前記(13)から(16)のいずれかに記載の撮像装置。
(18)検査装置が、撮像部により得られた画像データに基づいて所定の画像処理を行うことが可能な処理部が形成された第1の半導体基板に形成され、前記第1の半導体基板に形成された回路と電気的に絶縁された第1のパッド電極に熱電対を接触させることにより温度を測定することと、
前記検査装置が、前記測定された温度についての情報を、前記第1の半導体基板に形成された記憶部に記憶させることと、
前記第1の半導体基板に形成された温度センサが、温度に応じた検出信号を生成することと、
前記第1の半導体基板に形成された演算部が、前記検出信号に基づいて、前記温度センサが動作可能な温度範囲が区分された複数の温度範囲のそれぞれにおいて互いに異なる演算処理を行うことにより温度コードを生成することと、
前記演算部が、前記記憶部に記憶された情報を用いて前記温度コードを補正する補正処理を行うことと、
前記検査装置が、補正された前記温度コードを取得することと
を含むキャリブレーション方法。
Claims (18)
- 第1の半導体基板に形成され、撮像部により得られた画像データに基づいて、所定の画像処理を行うことが可能な処理部と、
前記第1の半導体基板に形成され、温度に応じた検出信号を生成可能な温度センサと、
前記第1の半導体基板に形成され、前記第1の半導体基板に形成された回路と電気的に絶縁された第1のパッド電極と
を備えた撮像装置。 - 前記温度センサは、前記第1の半導体基板の前記処理部が形成された領域の領域内に形成された
請求項1に記載の撮像装置。 - 前記第1の半導体基板に形成された変換部をさらに備え、
前記撮像部は、撮像画素を有し、
前記変換部は、前記撮像画素から供給された画素信号に基づいてAD変換を行うことにより前記画像データを生成することが可能であり、
前記第1のパッド電極と前記温度センサとの間の距離は、前記第1のパッド電極と前記変換部との間の距離よりも短い
請求項1に記載の撮像装置。 - 前記第1の半導体基板の周辺領域に並設された複数の入出力パッド電極をさらに備え、
前記第1のパッド電極の面積は、前記複数の入出力パッド電極の面積よりも大きい
請求項1に記載の撮像装置。 - 前記第1の半導体基板の前記第1のパッド電極と隣り合う位置に形成され、前記第1の半導体基板に形成された回路と電気的に絶縁されるとともに前記第1のパッド電極に電気的に接続された第2のパッド電極をさらに備えた
請求項1に記載の撮像装置。 - 前記第1の半導体基板に形成された前記撮像部をさらに備えた
請求項1に記載の撮像装置。 - 第2の半導体基板に形成された前記撮像部をさらに備え、
前記第2の半導体基板は、前記第1の半導体基板に重ね合わせられた
請求項1に記載の撮像装置。 - 撮像部と、
前記撮像部により得られた画像データに基づいて、所定の画像処理を行うことが可能な処理部と、
温度に応じた検出信号を生成可能な温度センサと、
前記検出信号に基づいて、前記温度センサが動作可能な温度範囲が区分された複数の温度範囲のそれぞれにおいて互いに異なる演算処理を行うことにより温度コードを生成可能な演算部と
を備えた撮像装置。 - 前記複数の温度範囲は、第1の温度範囲と、第2の温度範囲とを含み、
前記演算処理は、
前記第1の温度範囲において、前記検出信号に基づいて、第1の関数を用いて前記温度コードを生成可能であり、
前記第2の温度範囲において、前記検出信号に基づいて、第2の関数を用いて前記温度コードを生成可能である
請求項8に記載の撮像装置。 - 前記第1の関数および前記第2の関数は、1次関数である
請求項9に記載の撮像装置。 - 前記撮像装置の検査装置により検出された前記撮像装置の温度についての情報を記憶する記憶部をさらに備え、
前記演算部は、前記記憶部に記憶された情報を用いて前記温度コードを補正する補正処理をさらに行うことが可能である
請求項8に記載の撮像装置。 - 前記検出信号に基づいてAD変換を行うことにより第1のデジタルコードを生成可能な変換部をさらに備え、
前記演算部は、前記第1のデジタルコードに基づいて前記温度コードを生成可能である
請求項11に記載の撮像装置。 - 前記変換部は、前記検出信号に基づいてAD変換を行うことにより複数の第1のデジタルコードを生成可能な複数の変換回路を有し、
前記演算部は、前記複数の第1のデジタルコードに基づいて前記温度コードを生成可能である
請求項12に記載の撮像装置。 - 前記演算部は、前記複数の第1のデジタルコードに基づいて、前記演算処理を行うことにより複数の第1の温度コードを求め、前記複数の第1の温度コードのそれぞれに基づいて前記補正処理を行うことにより複数の第2の温度コードを求め、前記複数の第2の温度コードが示す値の平均値に基づいて前記温度コードを生成可能である
請求項13に記載の撮像装置。 - 前記演算部は、前記複数の第2の温度コードに基づいて前記複数の第2の温度コードのうちの1つを選択し、選択された前記第2の温度コードを、前記複数の変換回路のうちの前記選択された第2の温度コードを生成した変換回路と隣り合う変換回路が生成した第2の温度コードを用いて補正し、補正された前記第2の温度コードを含む前記複数の第2の温度コードが示す値の平均値に基づいて前記温度コードを生成可能である
請求項14に記載の撮像装置。 - 前記演算部は、前記複数の第2の温度コードに基づいて前記複数の第2の温度コードのうちの1つを選択し、前記複数の第2の温度コードのうちの選択された前記第2の温度コード以外の複数の前記第2の温度コードが示す値の平均値に基づいて前記温度コードを生成可能である
請求項14に記載の撮像装置。 - 前記撮像部は、複数の撮像画素を有し、
前記複数の変換回路は、前記複数の撮像画素から供給された複数の画素信号に基づいてAD変換を行うことにより複数の第2のデジタルコードをそれぞれ生成可能であり、
前記処理部は、前記複数の第2のデジタルコードに基づいて前記所定の画像処理を行うことが可能である
請求項13に記載の撮像装置。 - 検査装置が、撮像部により得られた画像データに基づいて所定の画像処理を行うことが可能な処理部が形成された第1の半導体基板に形成され、前記第1の半導体基板に形成された回路と電気的に絶縁された第1のパッド電極に熱電対を接触させることにより温度を測定することと、
前記検査装置が、前記測定された温度についての情報を、前記第1の半導体基板に形成された記憶部に記憶させることと、
前記第1の半導体基板に形成された温度センサが、温度に応じた検出信号を生成することと、
前記第1の半導体基板に形成された演算部が、前記検出信号に基づいて、前記温度センサが動作可能な温度範囲が区分された複数の温度範囲のそれぞれにおいて互いに異なる演算処理を行うことにより温度コードを生成することと、
前記演算部が、前記記憶部に記憶された情報を用いて前記温度コードを補正する補正処理を行うことと、
前記検査装置が、補正された前記温度コードを取得することと
を含むキャリブレーション方法。
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