JP2019134176A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
1a,1b 基板の主面
3,6b p型半導体層
4 Si化合物半導体層
5,6a n型半導体層
5a,5b p型不純物領域
7 GaN層
8 窒化物半導体層
9 AlGaN層
10 デバイス形成層
11 ソース電極
12 絶縁層
13 ゲート電極
15 ドレイン電極
17 裏面電極
22 SiO2層
23 SOI層
GND 接地電位
TE 二次元電子ガス
VD,VG 電圧
VL 空乏層
Claims (3)
- 一方の主面と、前記一方の主面と反対側にある他方の主面とを有するSi基板またはSOI(Silicon On Insulator)基板と、
前記Si基板またはSOI基板の前記一方の主面に形成され、ワイドギャップ半導体であるSi化合物よりなるSi化合物半導体層とを備え、
前記Si化合物半導体層は、pn接合を構成するp型半導体層とn型半導体層とを含み、
前記Si化合物半導体層における前記Si基板またはSOI基板の側とは反対側に形成された第1および第2の電極と、
前記Si基板またはSOI基板の前記他方の主面に形成され、前記第1および第2の電極のうち一方の電極と電気的に接続された裏面電極とをさらに備え、
前記pn接合は、前記裏面電極と、前記第1および第2の電極のうち他方の電極との間に電圧が印加されている場合に逆バイアス状態となり、
前記Si化合物半導体層は、前記n型半導体層とともに前記p型半導体層を挟み、かつ前記p型半導体層とpn接合を構成する他のn型半導体層をさらに含む、半導体装置。 - 一方の主面と、前記一方の主面と反対側にある他方の主面とを有するSi基板またはSOI(Silicon On Insulator)基板と、
前記Si基板またはSOI基板の前記一方の主面に形成され、ワイドギャップ半導体であるSi化合物よりなるSi化合物半導体層とを備え、
前記Si化合物半導体層は、pn接合を構成するp型半導体層とn型半導体層とを含み、
前記Si化合物半導体層における前記Si基板またはSOI基板の側とは反対側に形成された第1および第2の電極と、
前記Si基板またはSOI基板の前記他方の主面に形成され、前記第1および第2の電極のうち一方の電極と電気的に接続された裏面電極とをさらに備え、
前記pn接合は、前記裏面電極と、前記第1および第2の電極のうち他方の電極との間に電圧が印加されている場合に逆バイアス状態となり、
前記Si化合物半導体層は、前記p型半導体層とともに前記n型半導体層を挟み、かつ前記n型半導体層とpn接合を構成する他のp型半導体層をさらに含む、半導体装置。 - 前記Si化合物は、2eV以上3.26eV以下のバンドギャップを有する、請求項1または2に記載の半導体装置。
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---|---|---|---|---|
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JPS62204519A (ja) * | 1986-03-04 | 1987-09-09 | Agency Of Ind Science & Technol | 炭化シリコンデバイスの基板構造 |
JPS62214624A (ja) * | 1986-03-17 | 1987-09-21 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
WO2013190997A1 (ja) * | 2012-06-20 | 2013-12-27 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 半導体装置 |
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