JP2019134125A - 半導体レーザモジュール及びレーザ発振器 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 103
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 11
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 22
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 20
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 18
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 18
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 5
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000004021 metal welding Methods 0.000 description 1
- 238000004023 plastic welding Methods 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18361—Structure of the reflectors, e.g. hybrid mirrors
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/005—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
- H01S5/0064—Anti-reflection components, e.g. optical isolators
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
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- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/10—Beam splitting or combining systems
- G02B27/14—Beam splitting or combining systems operating by reflection only
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
- G02B6/4214—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms the intermediate optical element having redirecting reflective means, e.g. mirrors, prisms for deflecting the radiation from horizontal to down- or upward direction toward a device
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/005—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
- H01S5/0071—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping for beam steering, e.g. using a mirror outside the cavity to change the beam direction
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- H—ELECTRICITY
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0225—Out-coupling of light
- H01S5/02251—Out-coupling of light using optical fibres
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0225—Out-coupling of light
- H01S5/02255—Out-coupling of light using beam deflecting elements
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4012—Beam combining, e.g. by the use of fibres, gratings, polarisers, prisms
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/02208—Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4087—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar emitting more than one wavelength
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Abstract
Description
本発明の一実施形態としてのレーザ発振器について、図面を参照して説明する。図1は、本発明の一実施形態としてのレーザ発振器を示す概略構成図である。本実施形態のレーザ発振器1は、複数個(図示の例では3個)の半導体レーザモジュール10(11,12,13)を有する。これらの半導体レーザモジュール10(11,12,13)から光ファイバ20(21,22,23)を通して、共振器又はコンバイナ30(共振器,コンバイナ)にレーザ光が供給される。
図2は、図1のレーザ発振器の半導体レーザモジュールを示す概略平面図である。半導体レーザモジュール10は、その筐体2の中に、半導体レーザ素子3(31,32,33)、レンズ4(41,42,43)、ミラー5(5a,5b,5c)、及びレンズ6を備える。
第1面51は、レーザ光R1を反射し、可視光を透過する面である。第1面51におけるレーザ光R1の反射率は、レーザ出力量に大きく影響するために高いことが好ましく、例えば99.5%以上であり、好ましくは99.8%以上である。
図3の説明に戻って第2面52を説明する。第2面52は、レーザ光R1を透過し、可視光を反射する面である。第2面52におけるレーザ光R1の透過率は、例えば95%以上であり、好ましくは98%以上である。第2面52におけるレーザ光R1の透過率は、レーザ光R1の第2面52における反射成分を減衰させるために、それほど高くなくてもよい。
本実施形態によれば、例えば、以下の効果が奏される。
実施形態の半導体レーザモジュール10は、レーザ光R1を反射し、可視光を透過する第1面51と、レーザ光R1を透過し、可視光を反射する第2面52とを有するミラー5と、ミラー5の第1面51に照射されるレーザ光R1を発光する半導体レーザ素子3と、備える。そのため、ミラー5の傷及び工数を低減させることができる半導体レーザモジュール10及びレーザ発振器1を提供することができる。以下、詳述する。
図6Aは、変形例1に係るレーザ発振器の半導体レーザモジュール10が有するミラー5Pの概略断面図である。この半導体レーザモジュール10においては、ミラー5に代えてミラー5Pが用いられている。ミラー5Pの第2面52は、球面又はシリンドリカル面である(図6A中では、第2面52が曲面で示されている)。
図6Bは、変形例2に係るレーザ発振器の半導体レーザモジュール10が有するミラー5Qの概略断面図である。この半導体レーザモジュール10においては、ミラー5に代えてミラー5Qが用いられている。ミラー5Qでは、変形例1のミラー5Pの第2面52に相当する部分にコーティングが行われて、表面粗さが粗いコーティング層57が形成され、このコーティング層57の表面が第2面52とされる。
図7は、変形例3に係るレーザ発振器の半導体レーザモジュール10が有するミラー5Rの概略断面図である。この半導体レーザモジュール10においては、ミラー5に代えてミラー5Rが用いられている。第1面51と第2面52との間の距離t(ミラー5Rの厚さ)は、第1面51の幅Lの半分よりも長い。
図8は、変形例4に係るレーザ発振器の半導体レーザモジュール10が有するミラー5Sの概略断面図である。半導体レーザモジュール10においては、ミラー5に代えてミラー5Sが用いられてもよい。ミラー5Sの第2面52は、切り込み部52xを有する。切り込み部52xは、凹部でもある。なお、凹部は、断面視逆三角形に限らず、断面視で四角形又は半円形であってもよい。
3,31,32,33 半導体レーザ素子
5,5a,5b,5c ミラー
5P,5Q,5R,5S ミラー
10 半導体レーザモジュール
20 光ファイバ
51 第1面
52 第2面
52x 切り込み部
L 幅
R1 レーザ光
R2 戻り光
t 距離
Claims (7)
- レーザ光を反射し、可視光を透過する第1面と、レーザ光を透過し、可視光を反射する第2面とを有するミラーと、
前記ミラーの前記第1面に照射されるレーザ光を発光する半導体レーザ素子と、
を備える半導体レーザモジュール。 - 前記第1面及び前記第2面は、前記半導体レーザ素子により照射される前記レーザ光よりも波長が長い光を透過する、
請求項1に記載の半導体レーザモジュール。 - 前記第2面の表面粗さは前記第1面の表面粗さよりも粗い、
請求項1又は2に記載の半導体レーザモジュール。 - 前記第2面は球面又はシリンドリカル面である、
請求項1から3のいずれか1項に記載の半導体レーザモジュール。 - 前記第1面と前記第2面との間の距離は、前記第1面の幅の半分よりも長い、
請求項1から4のいずれか1項に記載の半導体レーザモジュール。 - 前記第2面は切り込み部を有する、
請求項1から5のいずれか1項に記載の半導体レーザモジュール。 - 請求項1から6のいずれか1項に記載の半導体レーザモジュールを備えるレーザ発振器。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018017140A JP6760981B2 (ja) | 2018-02-02 | 2018-02-02 | 半導体レーザモジュール及びレーザ発振器 |
US16/240,600 US10714899B2 (en) | 2018-02-02 | 2019-01-04 | Semiconductor laser module and laser oscillator |
DE102019000282.2A DE102019000282A1 (de) | 2018-02-02 | 2019-01-16 | Halbleiterlasermodul und Laseroszillator |
CN201910099926.3A CN110137796A (zh) | 2018-02-02 | 2019-01-31 | 半导体激光模块和激光振荡器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018017140A JP6760981B2 (ja) | 2018-02-02 | 2018-02-02 | 半導体レーザモジュール及びレーザ発振器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019134125A true JP2019134125A (ja) | 2019-08-08 |
JP6760981B2 JP6760981B2 (ja) | 2020-09-23 |
Family
ID=67308932
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018017140A Expired - Fee Related JP6760981B2 (ja) | 2018-02-02 | 2018-02-02 | 半導体レーザモジュール及びレーザ発振器 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10714899B2 (ja) |
JP (1) | JP6760981B2 (ja) |
CN (1) | CN110137796A (ja) |
DE (1) | DE102019000282A1 (ja) |
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-
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- 2018-02-02 JP JP2018017140A patent/JP6760981B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2019
- 2019-01-04 US US16/240,600 patent/US10714899B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2019-01-16 DE DE102019000282.2A patent/DE102019000282A1/de not_active Ceased
- 2019-01-31 CN CN201910099926.3A patent/CN110137796A/zh active Pending
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---|---|
US10714899B2 (en) | 2020-07-14 |
DE102019000282A1 (de) | 2019-08-08 |
US20190245325A1 (en) | 2019-08-08 |
CN110137796A (zh) | 2019-08-16 |
JP6760981B2 (ja) | 2020-09-23 |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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