JP2019125769A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】複数の半導体チップが積み重ねられた多層構造体を有する半導体装置を、複数一括して容易に製造する方法を提供すること。【解決手段】１枚の基板１０の主面上に、該主面に垂直な方向に積み重ねられ半導体チップを有する２層以上の電子部品２０を含む複数の多層構造体５０を形成することを備える、半導体装置を製造する方法が開示される。基板１０及び１層目の複数の電子部品２０を、基板１０と１層目の電子部品２０との間にアンダーフィル材３０を介在させながら、基板１０の接続部と１層目の電子部品２０の接続部とが対向するように配置し、形成された積層体を押圧部材４１，４３で挟むことにより加熱及び加圧して、それによりアンダーフィル材３０を硬化させるとともに対向する接続部同士を接合する。積層体と押圧部材との間に、熱硬化性樹脂を含む樹脂層を有する熱プレス用シート３を介在させた状態で、積層体が加熱及び加圧される。【選択図】図４

Description

本発明は、半導体装置の製造方法に関する。

半導体チップを３次元的に積み重ねる３次元集積技術を用いて、半導体装置を製造することが提案されている。この３次元集積技術では、厚み方向に貫通する貫通電極（ＴＳＶ：Ｔｈｒｏｕｇｈ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｖｉａ）と、当該貫通電極の端部に設けられたバンプ（接続部）を有する半導体チップが用いられる。積み重ねられる半導体チップは、バンプ同士の接合により、互いに電気的に接続される。

３次元集積技術として、例えば半導体ウェハ上に複数の半導体チップを積み重ねる方法（ＣＯＷ：Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｗａｆｅｒ）が用いられる。この方法では、例えば半導体ウェハと半導体チップを加熱しながら押圧して、これらを接合する。

半導体チップの位置精度、及び各半導体チップに加わる圧力精度を確保するため、一般に、複数の半導体チップが加熱及び加圧によって１枚ずつ接合される。そのため、例えば、各半導体チップ上に、力のばらつきを緩衝可能な層をそれぞれ設ける手法も検討されている（特許文献１）。

特開２０１５−６０９０２号公報

しかしながら、特許文献１に記載された方法は、各半導体チップ上に１枚ずつ緩衝する層を設け、さらにそれらを取り除く工程を必要とするため、スループット向上の点で改善の余地があった。

本発明者らは、半導体ウェハ上に複数の半導体チップを配置した後、熱プレスによってそれらを一括して加熱及び加圧することを試みた。ところが、複数の半導体チップの高さがばらつくために、それらを均一に押圧することができず、圧力不足によって半導体ウェハと半導体チップの接合強度が小さくなったり、圧力過多によってバンプの変形及び半導体装置の損傷が生じたりすることが明らかになった。

本発明の一側面の目的は、複数の半導体チップが積み重ねられた多層構造体を有する半導体装置を、複数一括して容易に製造する方法を提供することにある。

本発明の一側面は、接続部を有する１枚の基板の主面上に、該主面に垂直な方向に積み重ねられ半導体チップ及びその片面又は両面側に設けられた接続部を有する２層以上の電子部品を含む複数の多層構造体を形成することを備える、半導体装置を製造する方法に関する。

当該多層構造体が、前記基板及び１層目の複数の電子部品を、前記基板と前記１層目の電子部品との間にアンダーフィル材を介在させながら、前記基板の接続部と前記１層目の電子部品の接続部とが対向するように配置し、形成された積層体を、対向配置された１組の押圧部材で挟むことにより加熱及び加圧して、それによりアンダーフィル材を硬化させるとともに対向する前記接続部同士を接合することと、２層目以降の複数の電子部品を、積み重ねの方向に沿って隣り合う電子部品をそれらの間にアンダーフィル材を介在させながらそれぞれの接続部同士が対向するように配置し、形成された積層体を、対向配置された１組の押圧部材で挟むことにより加熱及び加圧して、それにより、アンダーフィル材を硬化させるとともに対向する前記接続部同士を接合することを１回以上行って、積み重ねることとを、この順に含む方法により形成される。

あるいは、当該多層構造体が、前記基板上に、半導体チップ及びその片面又は両面側に設けられた接続部を有する電子部品を含む２層以上の電子部品を、前記基板と１層目の電子部品との間、及び積み重ねの方向に沿って隣り合う電子部品同士の間にアンダーフィル材を介在させながら、前記基板の接続部と１層目の電子部品の接続部とが対向し、積み重ねの方向に沿って隣り合う電子部品の接続部同士が対向するように配置し、形成された積層体を、対向配置された１組の押圧部材で挟むことにより加熱及び加圧して、それにより、それぞれの前記アンダーフィル材を一括して硬化させるとともに対向する前記接続部同士を接合することを含む方法により形成されてもよい。

それぞれの前記積層体と、前記１組の押圧部材のうち前記電子部品側に位置する押圧部材との間に、熱硬化性樹脂を含む樹脂層を有する熱プレス用シートを介在させた状態で、ぞれぞれの前記積層体が加熱及び加圧される。前記基板が、半導体ウェハ、又は、絶縁基板を有する配線基板である。

本発明によれば、複数の半導体チップが積み重ねられた多層構造体を有する半導体装置を、複数一括して容易に製造する方法が提供される。

半導体装置を製造する方法の一実施形態を示す断面図である。 半導体装置を製造する方法の一実施形態を示す断面図である。 半導体装置を製造する方法の一実施形態を示す断面図である。 半導体装置を製造する方法の一実施形態を示す断面図である。 半導体装置を製造する方法の一実施形態を示す斜視図である。

以下、本発明の方法による半導体装置の製造方法の実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。但し、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。以下の実施形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合を除き、必須ではない。数値及びその範囲についても同様であり、本発明を制限するものではない。また、各図における部材の大きさは概念的なものであり、部材間の大きさの相対的な関係はこれに限定されない。

本明細書において「工程」との語には、他の工程から独立した工程に加え、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の目的が達成されれば、当該工程も含まれる。

本明細書において「〜」を用いて示された数値範囲には、「〜」の前後に記載される数値がそれぞれ最小値及び最大値として含まれる。

本明細書において組成物中の各成分の含有率は、組成物中に各成分に該当する物質が複数種存在する場合、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数種の物質の合計の含有率を意味する。

本明細書において組成物中の各成分の粒径は、組成物中に各成分に該当する粒子が複数種存在する場合、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数種の粒子の混合物についての値を意味する。

本明細書において「層」との語には、当該層が存在する領域を観察したときに、当該領域の全体に形成されている場合に加え、当該領域の一部にのみ形成されている場合も含まれる。

＜半導体装置を製造する方法＞
図１、図２、図３及び図４は、半導体装置を製造する方法の一実施形態を示す断面図である。本実施形態に係る方法は、１枚の基板１０の主面上に、該主面に垂直な方向に積み重ねられた、半導体チップを有する２層以上の電子部品２０を含む複数の多層構造体５０を形成することを含む。

まず、図１に示されるように、本体部２１、本体部２１の一方の主面上に設けられた複数の電極２３、及びそれぞれの電極２３上に設けられたバンプ２５（接続部）を有する電子部品２０の電極２３及びバンプ２５側の面に、先付与型のアンダーフィル材３０が付与される。アンダーフィル材は、図２に示す基板１０の電子部品２０と対向する面に付与されてもよいし、電子部品２０及び基板１０の両方に付与されてもよい。

次いで、図２に示すように、アンダーフィル材３０が付与された１層目の電子部品２０と、基板本体１１及び接続部１３を有する基板１０とを、アンダーフィル材３０を介在させながら、基板１０の接続部１３と１層目の電子部品２０のバンプ２５（接続部）とが対向するように配置する。その状態で、ステージ４１及び圧着ヘッド４２で挟むことにより全体を加圧して、積層体を形成する。この時点の加圧により、電子部品２０と基板１０との間隙にアンダーフィル材３０を充填し、且つ、電子部品２０のバンプ２５と基板１０の電極２３を接触させる。以下、この工程を「加圧工程」ということがある。

電子部品２０は、半導体チップと、該半導体チップの片面又は両面側に設けられた接続部とを有していればよく、その種類は特に制限されない。電子部品２０は、樹脂等によってパッケージングされていないダイ（半導体チップ）そのものであってもよいし、半導体チップが樹脂等によってパッケージングされているＣＳＰ、ＢＧＡ（Ball Grid Array）等と呼ばれる半導体パッケージであってもよい。

電子部品２０を構成する半導体チップの、サイズ、厚み等は特に制限されない。半導体チップには、貫通電極（シリコン貫通電極、ＴＳＶ，Ｔｈｒｏｕｇｈ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｖｉａ）が形成され、その両端に接続部が設けられていてもよい。

バンプ２５の材質は特に制限されず、はんだ等の通常使用される材質から選択することができる。バンプは、金属ポストとはんだとの組み合わせであってもよい。バンプには、Ｃｕ又はＡｕのほか、Ａｇ−Ｃｕ系はんだ、Ｓｎ−Ｃｕ系はんだ、Ｓｎ−Ｂｉ系はんだ等の無鉛はんだを使用してもよい。基板１０の接続部１３がバンプであってもよい。

基板１０は、半導体ウェハであることができる。あるいは、基板１０は、例えば、ＦＲ４、ＦＲ５等の繊維基材を含む有機基板、繊維基材を含まないビルドアップ型の有機基板、ポリイミド、ポリエステル等の有機フィルム、及びアルミナ基板、ガラス基板、セラミック基板、シリコン等の無機基板から選ばれる絶縁基板を基板本体として有する配線基板であってもよい。基板１０の接続部１３は、セミアディティブ法、サブトラクティブ法等の手法により形成された、回路又は基板電極であってもよい。

アンダーフィル材３０としては、従来使用されているアンダーフィル材を使用することができる。例えば、特開２０１３−１５１６４２号公報、特開２０１３−２１９２８５号公報、特開２０１５−０３２６３７号公報、特開２０１５−０３２６３８号公報、特開２０１５−０８３６３３号公報、及び特開２０１５−０８３６３４号公報に記載されているアンダーフィル材を使用することができる。

アンダーフィル材の形状は特に制限されず、フィルム状であっても、液状であってもよい。積層体を加圧する後述の工程における電子部品２０と基板１０との位置ずれを抑制する観点から、アンダーフィル材の形状は、フィルム状であってもよい。

アンダーフィル材３０を電子部品２０又は基板１０に付与する方法は特に制限されない。アンダーフィル材が液状の場合、付与方法としては、例えば、スクリーン印刷法、及びエアーディスペンサー、ジェットディスペンサー、オーガータイプディスペンサー等のディスペンサーを用いる方法が挙げられる。アンダーフィル材がフィルム状の場合、付与方法としては、ダイアフラム方式のラミネータ、ロール方式のラミネータ等を用いる方法が挙げられる。

アンダーフィル材３０を電子部品２０又は基板１０に付与する際の温度は、アンダーフィル材の性質等に応じて選択することができる。フィルム状のアンダーフィル材をダイアフラム方式のラミネータにより電子部品２０に付与する場合には、アンダーフィル材３０及び電子部品２０表面の温度がそれぞれ５０℃〜１００℃であってもよく、ラミネート時のボイド巻き込みを抑制する観点からは、それぞれ７０℃〜９０℃、又は８０℃付近であってもよい。

加圧工程において付与される圧力の大きさは、一般的なフリップチップの実装工程と同様に、バンプの数又は高さのばらつき、加圧によるバンプ、基板、又は半導体チップ上の配線の変形量等を考慮して設定することができる。具体的には、例えば、バンプ１個あたりが受ける荷重が１ｇ〜１０ｇ程度になるように圧力を設定してもよい。例えば、１個の半導体チップあたりに掛かる荷重が１０Ｎ〜１００Ｎ程度になるように圧力を設定してもよい。

続いて、図３に示すように、１枚の基板１０、基板１０上に配置された複数の電子部品２０、及び基板１０と電子部品２０の間に介在するアンダーフィル材３０とを有する積層体５を、ステージ４１上に、基板１０がステージ４１側に位置する向きで配置する。この状態で、積層体５を１組の押圧部材としてのステージ４１及びこれに対向配置された圧着ヘッド４３で挟むことにより加熱及び加圧し、それによりアンダーフィル材３０を硬化させるとともに対向する接続部同士を接合する。以下、この工程を「加熱工程」ということがある。図３では対向する接続部としてのバンプ２５と接続部１３とが接合される。本明細書において「接合」とは、接続部同士を電気的に接続することを意味する。加圧工程及び加熱工程を、同時に又は連続的に行ってもよい。

このとき、積層体５と、１組の押圧部材のうち電子部品２０側に位置する押圧部材（図３では圧着ヘッド４３）との間に、熱硬化性樹脂を含む樹脂層を有する熱プレス用シート３を介在させた状態で、積層体５が加熱及び加圧される。加熱及び加圧の過程で、通常、熱プレス用シート３の樹脂層も硬化する。

熱硬化性樹脂を含む樹脂層を有する熱プレス用シートが積層体と圧着ヘッドとの間に介在することにより、半導体チップ又は基板１０の高さバラつきによって圧力が不均一であったとしても、圧力差が緩和され、その結果安定して接続した半導体装置が得られると考えられる。加熱工程の後、通常、熱プレス用シート３は除去される。

加熱工程における加熱温度は、接続部同士の接合を確実に確保する観点から、接続部の融点以上の温度であってもよい。言い換えると、接続部同士の金属接合が形成される温度で積層体を加熱してもよい。例えば、バンプ２５がはんだバンプである場合、加熱工程の温度は、２３０℃以上であってもよい。アンダーフィル材の耐熱性の観点から、加熱工程の温度は、３２０℃以下、又は３００℃以下であってもよい。

加熱工程における基板１０の温度が２５〜２００℃で、電子部品２０の温度が２００℃〜３００℃又は２３０〜３００℃であってもよい。

１枚の基板１０上に設けられる電子部品２０の数は、２個以上、３個以上、又は５個以上であってもよい。本実施形態の方法による効果は、一括して加熱する電子部品の数が多いほど顕著であるが、電子部品の数は、通常、５０００個以下である。

加熱工程は、生産効率の観点から、短時間で行われることが好ましい。具体的には、例えば、５℃／秒以上、１０℃／秒以上、又は１５℃／秒以上の昇温温度で昇温してもよい。加熱時間は、接続部を構成する材料の種類により異なるが、接続部がはんだバンプである場合、加熱時間は、例えば、３０秒以下、２０秒以下、又は１０秒以下であってもよい。Ｃｕ−Ｃｕ又はＣｕ−Ａｕの金属接合の場合、加熱時間は、例えば、３０秒以下であってもよい。

１層目の電子部品２０を基板１０と接続した後、図４に示されるように、２層目以降の複数の電子部品２０を順次積み重ねて、多層構造体５０を形成する。積み重ねの方向に沿って隣り合う電子部品２０を、それらの間にアンダーフィル材３０を介在させながらそれぞれの接続部同士が対向するように配置し、全体を加圧して積層体を形成する加圧工程と、形成された積層体を、対向配置された１組の押圧部材としてのステージ４１及び圧着ヘッド４３で挟むことにより加熱及び加圧して、それにより、アンダーフィル材３０を硬化させるとともに対向する接続部同士を接合する加熱工程とを、１回、又は１層の電子部品毎に２回以上繰り返して行うことにより、電子部品２０が積み重ねられる。それぞれの加熱工程において、積層体と圧着ヘッド４３との間に熱プレス用シート３を介在させる。加圧工程及び加熱工程の条件は、上述と同様に設定することができる。加圧工程及び加熱工程を、全ての電子部品２０が積層された状態で行い、アンダーフィル材３０を一括して硬化してもよい。接続部間の距離、又は隣接する半導体装置との距離が小さい場合など、電子部品に高度な位置精度及び加圧精度が求められるときは、一層毎に加圧工程及び加熱工程を行って電子部品を接続してもよい。

図５に示すように基板としての半導体ウェハＷ上に電子部品としての半導体チップＣを積み重ねて、多層構造体を形成してもよい。半導体ウェハＷのサイズとしては、４インチ以上、又は８インチ以上であってもよく、生産性の観点から１２インチ以上であってもよい。半導体ウェハＷのサイズの上限は、特に制限されないが、通常１８インチ以下である。

多層構造体５０を形成した後、ダイシング等により基板１０を分割して個片化することで、それぞれ１個以上の多層構造体５０を有する複数の半導体装置（例えば半導体メモリ、又はコンピュータ記憶媒体装置）を得ることができる。

＜半導体装置＞
半導体装置は、半導体チップ又は配線基板と、アンダーフィル材の硬化物と、電子部品とを有し、これらがこの順に積層されている。半導体チップ又は配線基板と電子部品とが接続部を介して電気的に接続されている。アンダーフィル材の硬化物が、半導体チップ又は配線基板と、電子部品との間隙、及び、電子部品同士の間隙を充填している。本実施形態の半導体装置は、電子部品と半導体チップ又は配線基板との接続性が良好であり、信頼性に優れる。

＜熱プレス用シート＞
本実施形態の製造方法で用いられる熱プレス用シートは、加熱及び加圧のための押圧部材と１枚の基板上に配置された複数個の電子部品との間に設置することにより，電子部品の高さバラつきの影響を低減し、電子部品の接続状態を向上させるために用いられるシートである。

熱プレス用シートは、熱硬化性樹脂を含む樹脂層を有する。熱硬化性樹脂としては、アクリレート化合物、エポキシ化合物、ビスマレイミド化合物、シアネート化合物、フェノール化合物等を挙げることができる。中でも、樹脂層の粘度及び硬化物の熱膨張率の観点から、熱硬化性樹脂は、アクリレート化合物、エポキシ化合物、ビスマレイミド化合物、及びフェノール化合物からなる群より選択される少なくとも１種であってもよく、アクリレート化合物、エポキシ化合物、及びビスマレイミド化合物からなる群より選択される少なくとも１種であってもよい。これらの熱硬化性樹脂は、１種を単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。

熱硬化性樹脂を含む樹脂層は、高温での実装性向上のため、無機フィラーを含有していてもよい。無機フィラーは特に限定されないが、シリカ、溶融シリカ、タルク、アルミナ、水酸化アルミニウム、硫酸バリウム、水酸化カルシウム、アエロジル及び炭酸カルシウムが挙げられる。無機フィラーは、分散性を高める等の目的で，これらをシランカップリング剤等の各種カップリング剤で処理したものを含む。これらは、単独でも、２種以上を組み合せて用いてもよい。

熱プレス用シートがステージ及び圧着ヘッドによる熱プレスに用いられる前に、樹脂層に含まれる熱硬化性樹脂の硬化反応がある程度進行していてもよい。これにより、電子部品の厚み等のばらつきが大きくなった場合にも、荷重不均一性の解消の点でより一層顕著な効果が得られる。例えば、樹脂層を形成するための乾燥条件の調整、又は、熱処理若しくは紫外線照射により、熱硬化性樹脂の硬化反応をある程度進行させることができる。

熱硬化性樹脂の硬化反応の進行の程度は、樹脂層の溶融粘度に基づいて見積もることができる。具体的には、樹脂層の２５℃から１８０℃の領域における最低溶融粘度が１０００〜１０００００Ｐａ・ｓであってもよい。最低溶融粘度が１０００以上であると、荷重不均一性を解消するために変形した熱プレス用シートにおいて、樹脂層が過度に流動せずに形状を保持し易い。最低溶融粘度が１０００００以下であると、熱プレス用シートが荷重不均一性を解消するように変形し易い傾向がある。同様の観点から、樹脂層の２５℃から１８０℃の領域における最低溶融粘度が５０００〜５００００Ｐａ・ｓ、又は１００００〜３００００Ｐａ・ｓであってもよい。樹脂層の最低溶融粘度は、５％振り角、周波数１Ｈｚ、昇温速度１０℃／分の条件で樹脂層の粘度（複素粘性率）を測定したときの、粘度（複素粘性率）の最小値である。粘度（複素粘性率）の測定は、例えばレオメータ（動的粘弾性測定装置、装置名：ＭＣＲ３０１、（株）アントンパール・ジャパン製）を用いて行うことができる。

熱プレス用シートは、樹脂層の両面を覆う支持フィルムを更に有していてもよい。支持フィルムとしては、例えば、銅箔及び樹脂フィルム（ポリイミドフィルム等）が挙げられる。支持フィルム上への熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物の塗工は、公知の方法により実施することができる。具体的には、コンマコート、ダイコート、リップコート、グラビアコート等の方法が挙げられる。

熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物をフィルムにする手法はどのようなものでもよいが，溶剤を含むワニスを乾燥させる方法、液状の熱硬化性樹脂組成物に光重合開始剤を加え、露光によりフィルム化する方法、固形の熱硬化性樹脂組成物を熱により溶融させた状態で塗工するホットメルト法が挙げられる。

アンダーフィル材が染み出してアンダーフィル材と熱プレス用シートが接着することを防ぐために、熱プレス用シートの片面又は両面が離型処理されていてもよい。離型処理の種類は特に制限されないが、熱プレス用シートの片面又は両面に離型層を設けてもよい。離型層に用いる離型剤としては，例えばフッ素系離型剤，シリコーン系離型剤などがあげられる。熱硬化タイプの離型剤は、耐熱性に優れ、電子部品に転写しにくい。市販のフッ素系離型剤としては，例えばＡＧＣセイミケミカル株式会社製のＭＲ Ｆ−６７５８−ＡＬが挙げられる。市販のシリコーン系離型剤としては信越シリコーン株式会社製のＫＦ−９６５等，が挙げられる。熱硬化タイプの離型剤は、例えばアルキド樹脂とメラミン樹脂を含んでいてもよく、その市販品としては、日立化成株式会社製のテスファイン３０３，テスファイン３１９、ＴＡ３１−２０９Ｅ等が挙げられる。

３…熱プレス用シート、５…積層体、１０…基板、１１…基板本体、１３…接続部、２０…電子部品、２１…本体部、２３…電極、２５…バンプ（接続部）、３０…アンダーフィル材、４１…ステージ、４２…圧着ヘッド、４３…圧着ヘッド、５０…多層構造体、Ｗ…半導体ウェハ、Ｃ…半導体チップ。

Claims (8)

1. 接続部を有する１枚の基板の主面上に、該主面に垂直な方向に積み重ねられ半導体チップ及びその片面又は両面側に設けられた接続部を有する２層以上の電子部品を含む複数の多層構造体を形成することを備える、半導体装置を製造する方法であって、
   当該多層構造体が、
   前記基板及び１層目の複数の電子部品を、前記基板と前記１層目の電子部品との間にアンダーフィル材を介在させながら、前記基板の接続部と前記１層目の電子部品の接続部とが対向するように配置し、形成された積層体を、対向配置された１組の押圧部材で挟むことにより加熱及び加圧して、それによりアンダーフィル材を硬化させるとともに対向する前記接続部同士を接合することと、
   ２層目以降の複数の半導体チップを、積み重ねの方向に沿って隣り合う電子部品をそれらの間にアンダーフィル材を介在させながらそれぞれの接続部同士が対向するように配置し、形成された積層体を、対向配置された１組の押圧部材で挟むことにより加熱及び加圧して、それにより、アンダーフィル材を硬化させるとともに対向する前記接続部同士を接合することを１回以上行って、積み重ねることと、
   をこの順に含む方法により形成され、
   それぞれの前記積層体と、前記１組の押圧部材のうち前記電子部品側に位置する押圧部材との間に、熱硬化性樹脂を含む樹脂層を有する熱プレス用シートを介在させた状態で、ぞれぞれの前記積層体が加熱及び加圧され、
   前記基板が、半導体ウェハ、又は、絶縁基板を有する配線基板である、
   方法。
2. 接続部を有する１枚の基板の主面上に、該主面に垂直な方向に積み重ねられ半導体チップ及びその片面又は両面に設けられた接続部を有する２層以上の電子部品を含む複数の多層構造体を形成することを備える、半導体装置を製造する方法であって、
   当該多層構造体が、
   前記基板上に、２層以上の電子部品を、前記基板と１層目の電子部品との間、及び積み重ねの方向に沿って隣り合う電子部品同士の間にアンダーフィル材を介在させながら、前記基板の接続部と１層目の電子部品の接続部とが対向し、積み重ねの方向に沿って隣り合う電子部品の接続部同士が対向するように配置し、形成された積層体を、対向配置された１組の押圧部材で挟むことにより加熱及び加圧して、それにより、それぞれの前記アンダーフィル材を一括して硬化させるとともに対向する前記接続部同士を接合することを含む方法により形成され、
   前記積層体と、前記１組の押圧部材のうち前記電子部品側に位置する押圧部材との間に、熱硬化性樹脂を含む樹脂層を有する熱プレス用シートを介在させた状態で、前記積層体が加熱及び加圧され、
   前記基板が、半導体ウェハ、又は、絶縁基板を有する配線基板である、
   方法。
3. 当該多層構造体を形成する方法が、前記基板及び／又は前記電子部品に予め前記アンダーフィル材を付与することを更に含む、請求項１又は２に記載の方法。
4. 当該多層構造体を形成する方法において、前記基板が２５〜２００℃に加熱され、前記電子部品が２００〜３００℃に加熱される、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
5. 前記熱プレス用シートの片面又は両面が、離型処理された表面である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
6. 前記積層体を、前記１組の押圧部材で挟むことにより加熱及び加圧した後、前記熱プレス用シートが除去される、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
7. 前記多層構造体を形成した後、前記基板を分割して、それぞれ１個以上の前記多層構造体を有する複数の半導体装置を得ることを更に備える、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
8. 前記半導体装置が半導体メモリである、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。

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