JP2019106541A - 標的設計及び製造における誘導自己組織化方法 - Google Patents

標的設計及び製造における誘導自己組織化方法 Download PDF

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Abstract

【課題】オーバーレイ標的設計及び計測に焦点を当てて標的設計及び製造のために誘導自己組織化（ＤＳＡ）プロセスを使用する。【解決手段】計測標的を、誘導自己組織化（ＤＳＡ）プロセスによって製造することを含む方法であって、標的のうちの少なくとも１つの標的要素が、ＤＳＡプロセスのうちの少なくとも１つの特徴によって、少なくとも１つの標的要素に関連する背景と区別される。ＤＳＡプロセスの少なくとも１つの特徴が、少なくとも１つの標的要素と少なくとも１つの標的要素に関連する背景との間に光学的区別を提供するように構成され、光学的区別を測定することをさらに含む。【選択図】図１

Description

関連出願の相互参照
本願は、２０１３年４月１０日出願の米国仮特許出願第６１／８１０，６３７号、２０１３年４月１１日出願の米国仮特許出願第６１／８１０，９９５号、２０１３年５月３０日出願の米国仮特許出願第６１／８２９，１２８号、及び２０１３年８月１６日出願の米国仮特許出願第６１／８６６，５４６号の利点を主張するものであり、それらのすべてが参照によりそれらの全体において本願に組み込まれる。
本発明は、計測標的設計の分野に関し、より具体的には、オーバーレイ標的設計及び計測に特に焦点を当てて標的設計及び製造のために誘導自己組織化（ＤＳＡ）プロセスを使用することに関する。
計測標的は、ウエハ製造ステップの質を示し、ウエハ上の構造の設計と実装との間の対応を定量化するパラメータの測定を可能にするように設計される。特定の構造としての計測標的は、デバイスの類似性及び光学測定可能性に対する必要性を最適化する。
誘導自己組織化（ＤＳＡ）プロセスは、重合体ブロックの空間配列を決定するガイディングラインに従って、ブロック共重合プロセスを誘導することによって構造を作成するために使用される。
米国特許出願公開第２０１３／００５９４３８号
オーバーレイ標的設計及び計測に特に焦点を当てて標的設計及び製造のために誘導自己組織化（ＤＳＡ）プロセスを使用することにある。
本発明の１つの態様は、背景エリア、及び各標的をセグメント化することによって、標的要素をその背景エリアと区別することを含む、計測標的を設計する方法を提供する。セグメント化は、誘導自己組織化（ＤＳＡ）プロセスによって達成され得、標的のうちの少なくとも１つの標的要素は、ＤＳＡプロセスのうちの少なくとも１つの特徴によってその背景と区別される。本発明の１つの態様において、ＤＳＡプロセスによって、標的構造の一方の第１のガイディングライン及び他方の標的構造の各々のガイドラインの複数のガイディングライン端を含む、標的構造間の境界領域を有する２つの隣接する標的構造を製造することは、境界領域の幅が各ガイドライン製造プロセスに関連付けられた最大プロセス不正確度閾値までの標的要素を製造する際、境界領域でのガイディングライン端を第１のガイディングラインに対する指定の閾値未満の距離を維持するように設計することを含んでもよい。
本発明の１つの態様は、棒状分子を、直線的に配列された重合体分子を有する規則領域と、重合体分子が直線的に配列されない無規則領域とを含む重合体表面上に結合することであって、棒状分子が、直線的に配列されない重合体分子よりも、直線的に配列された重合体分子により強力に結合するように選択される、結合することと、棒状分子と直線的に配列された重合体分子との間の結合を維持しながら、直線的に配列されない重合体分子に結合される棒状分子を除去するように構成される解離処理を、結合された棒状分子を有する重合体表面に適用し、棒状分子が排他的に規則領域に結合された重合体表面を生じさせることと、を含む方法を提供する。
本発明のこれらの、追加の、及び／または他の態様及び／または利点が後続の詳細な説明に記載され、これらは恐らく詳細な説明から推察可能、かつ／または本発明の実践によって学習可能である。
本発明の実施形態をより良く理解するために、かつ、それがどのように実行に移され得るかを示すために、純粋に例として添付の図面がこれから参照され、この図面において、同様の番号は、全体を通して対応する要素または部分を指定する。
添付の図面は以下の通りである。
誘導自己組織化（ＤＳＡ）プロセスを使用する構造の製造を示す高レベル概略ブロック図である。 本発明のいくつかの実施形態による、ＤＳＡにより製造された重合体表面の規則領域の改善を示す高レベル概略ブロック図である。 本発明のいくつかの実施形態による、ＤＳＡにより製造された重合体表面の規則領域の改善を示す高レベル概略ブロック図である。 ＤＳＡプロセスによって達成された規則レベルの範囲を概略的に示す。 本発明のいくつかの実施形態による、ＤＳＡプロセスによる２つの標的層の製造を示す高レベル概略ブロック図である。 本発明のいくつかの実施形態による、ＤＳＡプロセスを使用して製造された典型的なバータイプの標的の高レベル概略図である。 本発明のいくつかの実施形態による、ＤＳＡプロセスを使用して製造された典型的なバータイプの標的の高レベル概略図である。 本発明のいくつかの実施形態による、ＤＳＡプロセスを使用して製造された典型的なエリアタイプの標的の高レベル概略図である。 本発明のいくつかの実施形態による、ＤＳＡプロセスを使用して製造された典型的なエリアタイプの標的の高レベル概略図である。 本発明のいくつかの実施形態による、ＤＳＡプロセスを使用して製造された典型的なＡＩＭ標的の高レベル概略図である。 本発明のいくつかの実施形態による、ＤＳＡプロセスを使用して製造された典型的なＡＩＭ標的の高レベル概略図である。 本発明のいくつかの実施形態による、計測標的の標的構造間の境界領域の高レベル概略図である。 本発明のいくつかの実施形態による、標的構造間の境界領域及びＤＳＡプロセスを使用して製造された重合体表面において結果として得られる規則のレベルの高レベル概略図である。 本発明のいくつかの実施形態による、標的構造間の境界領域及びＤＳＡプロセスを使用して製造された重合体表面において結果として得られる規則のレベルの高レベル概略図である。 本発明のいくつかの実施形態による、標的構造間の境界領域及びＤＳＡプロセスを使用して製造された重合体表面において結果として得られる規則のレベルの高レベル概略図である。 本発明のいくつかの実施形態による、交互の長さのガイディングラインと標的構造との間の境界領域における重合体表面において結果として得られる規則のレベルを有する標的要素設計の高レベル概略図である。 本発明のいくつかの実施形態による、交互の長さのガイディングラインと標的構造との間の境界領域における重合体表面において結果として得られる規則のレベルを有する標的要素設計の高レベル概略図である。 本発明のいくつかの実施形態による、隣接する標的要素に平行な端と標的構造との間の境界領域における重合体表面において結果として得られる規則のレベルを有する標的要素設計の高レベル概略図である。 本発明のいくつかの実施形態による、隣接する標的要素に平行な端と標的構造との間の境界領域における重合体表面において結果として得られる規則のレベルを有する標的要素設計の高レベル概略図である。 本発明のいくつかの実施形態による、２つのさらなる標的要素設計の高レベル概略図である。 本発明のいくつかの実施形態による、２つのさらなる標的要素設計の高レベル概略図である。 本発明のいくつかの実施形態による、いくつかのＡＩＭ標的ＤＳＡ設計の高レベル概略図である。 本発明のいくつかの実施形態による、いくつかのＡＩＭ標的ＤＳＡ設計の高レベル概略図である。 本発明のいくつかの実施形態による、いくつかのＡＩＭ標的ＤＳＡ設計の高レベル概略図である。 本発明のいくつかの実施形態による、いくつかのＡＩＭ標的ＤＳＡ設計の高レベル概略図である。 本発明のいくつかの実施形態による、いくつかのＡＩＭ標的ＤＳＡ設計の高レベル概略図である。 本発明のいくつかの実施形態による、ＡＩＭ標的ＤＳＡ設計について例示された、標的設計におけるいくつかのタイプの境界領域の高レベル概略図である。 本発明のいくつかの実施形態による、いくつかのＡＩＭｉｄ標的ＤＳＡ設計の高レベル概略図である。 本発明のいくつかの実施形態による、いくつかのＡＩＭｉｄ標的ＤＳＡ設計の高レベル概略図である。 本発明のいくつかの実施形態による、いくつかのＡＩＭｉｄ標的ＤＳＡ設計の高レベル概略図である。 本発明のいくつかの実施形態による、いくつかのＳＣＯＬ標的ＤＳＡ設計の高レベル概略ブロック図である。 本発明のいくつかの実施形態による、いくつかのＳＣＯＬ標的ＤＳＡ設計の高レベル概略ブロック図である。 本発明のいくつかの実施形態による、いくつかのＳＣＯＬ標的ＤＳＡ設計の高レベル概略ブロック図である。 本発明のいくつかの実施形態による、方法を示す高レベルフローチャートである。 本発明のいくつかの実施形態による、方法を示す高レベルフローチャートである。 本発明のいくつかの実施形態による、方法を示す高レベルフローチャートである。 本発明のいくつかの実施形態による、方法を示す高レベルフローチャートである。 本発明のいくつかの実施形態による、方法を示す高レベルフローチャートである。 本発明のいくつかの実施形態による、方法を示す高レベルフローチャートである。 本発明のいくつかの実施形態による、方法を示す高レベルフローチャートである。 本発明のいくつかの実施形態による、方法を示す高レベルフローチャートである。
記載されている詳細な説明に先立ち、これ以降、使用されるであろう所定の用語の定義を記載することは有益であり得る。
ここで本願において使用されるような用語「計測標的」または「標的」は、設計されたもしくは製造されたいずれかの構造、または計測目的のために使用されるウエハとして定義される。計測標的のための限定されない実施例は、ＡＩＭ（高度画像計測）、ＢｉＢ（ボックスインボックス）、ＡＩＭｉｄ、及びＢＬＯＳＳＯＭなどの画像標的、並びにそれらの対応する変形例や代替例、及びＳＣＯＬ（散乱計オーバーレイ）などの散乱計標的、並びにそれらの対応する変形例や代替例である。ここで本願において使用されるような用語「計測測定」または「測定」は、計測標的から情報を抽出するために使用されるいずれかの計測測定手順として定義される。例えば、計測測定は、標的の画像化、または標的の散乱計測定であってもよい。計測測定のための限定されない実施例は、オーバーレイ測定（画像または散乱計）、限界寸法（ＣＤ）測定、焦点及び線量測定などを含む。
ここで本願において使用されるような用語「標的構造」は、標的形体または背景形体などの標的の一部として定義される。標的構造は、例えば、ＡＩＭ及びＡＩＭｉｄ標的のそれぞれにおける標的形体の場合にはバー状またはエリア状、または、例えば、このような標的の周辺背景の場合には他の標的構造を包囲するフレーム状であってもよい。
ここで本願において使用されるような用語「標的要素」は、背景内に設定されるセグメントまたはセグメント化されていないバーなどの、標的構造における連続的な要素として定義される。ここで本願において使用されるような用語「背景」は、設計によって標的要素と区別される、標的要素に近接するウエハエリアとして定義される。
本願で使用されるような用語「セグメント化」は、より小さな要素への標的構造の細分化を指す。それぞれ、本願で使用されるような用語「セグメント化」は、標的構造がセグメント化される、より小さい固体部または形体を指す。
ここで本願において使用されるような用語「ガイディングライン」は、ＤＳＡプロセスにおいて重合を誘導するのに役立つ、いずれかのタイプの層における設計されたラインとして定義される。用語「ガイディングライン」が、いずれかのタイプのＤＳＡプロセス（例えば、グラフォエピタクシー、化学エピタクシー）の実装の下、いずれかのタイプのガイディング構造を指すことに留意されたい。特に、ガイディングラインは標的要素自体であってもよく、及び／または、標的構造またはさらなるプロセスによって標的構造を製造するための基盤として使用される重合体パターンを製造するのに役立つ。
ここで本願において使用されるような、ＤＳＡまたは他のプロセスから結果として得られる重合体領域についての用語「規則」、「無規則」、及び「不規則」は、限定されない実施例として、領域における形体の規則のレベル、ＤＳＡプロセスによって製造された重合体ラインの規則のレベルとして定義される。「規則」、「無規則」、及び「不規則」の間の区別は、定性的であるか、または指定の基準に従い正確に定義されてもよい。図示された実施例において、これらの用語は、図４Ａにおける図の表示、真っ直ぐで平行な重合体ラインのみから構成される規則領域、連続的で直線的な平行パターンが欠如した不規則領域、及び不完全だが部分的に連続的で真っ直ぐな平行パターンを有する無規則領域に従い、使用される。「規則」領域は、平行で真っ直ぐなライン、例えば、同心円以外の高度に規則正しいパターンから構成されてもよい。それぞれ無規則領域及び不規則領域は、各規則正しいパターンからの異なる程度の逸脱を示す。用語「無規則」及び「不規則」は、ある程度、交換可能であり、「不規則」は概して、「無規則」より低レベルの規則を示す。これらの用語は、ＤＳＡプロセスによって製造された表面のみではなく、広い意味で、あらゆる種類の表面上のラインの規則のレベルに当てはまると理解される。
ここで本願において使用されるような用語「棒状分子」は、長い寸法及び短い寸法並びに変化する力に対抗する形を有する、真っ直ぐで剛直分子として定義される。棒状分子の定量的な特徴は、表面特徴（例えば、ＤＳＡ重合体のタイプ及び重合体ラインの寸法）、棒状分子が区別するために使用される規則のレベル、及び棒状分子の、規則及び無規則領域に対する、必要とされる指定の結合親和力について特に決定される。
図面を詳細に具体的に参照すると、詳細な項目は、例として、かつ、本発明の好適な実施形態のみの説明の検討の目的のために示され、また、本発明の原理及び概念的な態様の最も有益で容易に理解される説明であると信じられるものを提供するために提示されることが強調される。この点において、本発明の基本的な理解のために必要とされる以上に詳細に本発明の構造的な詳細を示すことは意図されておらず、図面とともに理解される説明は、本発明のいくつかの形態が、どのように、実際に具現化され得るかを当業者に明白にする。
本発明の少なくとも１つの実施形態が詳細に説明される前に、本発明が、以下の説明に記載されるまたは図面に図示される構成要素の構築及び配列の詳細に対するその適用において限定されないことが理解されるべきである。本発明は、種々の方法で実践される、または実行される他の実施形態に適用可能である。また、本願で利用される用語及び専門用語は、説明のためであり、限定的であるとみなされるべきではないことが理解されるべきである。
図１は、誘導自己組織化（ＤＳＡ）プロセスを使用する構造の製造を示す高レベル概略ブロック図である。構造は、デバイス構造または計測標的の一部であってもよい。図１は、ガイドライン９５を製造するステップ８０〜８６及びＤＳＡステップ８７を概略的に示す。第１のステップ８０において、ガイドライン材９５Ｍは、ｓ基板９１（これは、それ自体が複合物であっても及び／または多層化されていてもよい）に装着される。例えば、ポリスチレン（ＰＳ）及びポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）分子を含むＤＳＡプロセスにおいて、ガイドライン材は、基板９１上に交差結合されるＰＳであってもよい。本開示における実施例がＰＳ−ＰＭＭＡ ＤＳＡプロセスに関連する一方、これらの材料は本発明の範囲を限定してはおらず、その原理は、他の重合体と、ＤＳＡシステムにも適用され得ることに留意されたい。ステップ８２は、どのガイドライン材９５Ｍが、マスク９２を使用して除去されるかを定義する石版ステップであり、ステップ８３は、ガイドライン（及びマスク）材が除去されて、（例えば、ドライプラズマエッチにより）設計されたガイドライン寸法に到達するエッチングステップであり、ステップ８４は、準備されたガイドラインになる、抵抗除去ステップである。ＤＳＡプロセスにおいて、ガイドライン９５が設計されて、ＤＳＡ重合体の重合を誘導し、指定のパターンを形成する。
次に、ステップ８５は、材料９３Ｍを基板９１上に接合し、例えば、ＯＨ−Ｂｒｕｓｈ接合を使用して、ガイディングライン９５間の空間を塞ぎ、ガイディングライン９５はステップ８６において再度露出され、ＤＳＡ重合プロセスを支持する接合片９３によって空間を置かれるガイディングライン９５を提示する。ステップ８６で、ガイディングラインパターンはＤＳＡプロセスの実際の適用のために準備され、ステップ８７で、（ＰＳ−ＰＭＭＡＤＳＡの実施例において、重合体ライン９８Ａ、９８Ｂが、それぞれ、ＰＳ及びＰＭＭＡである）ガイディングライン９５によって誘導される重合（おそらく焼なましステップを含む）によって形成される上質及び平行の重合体ライン９８Ａ、９８Ｂをもたらす。
ガイディングライン９５の有無に依存して、重合体ライン９８Ａ、９８Ｂの配向及びパターンは、高度に規則的、無規則的であってもよい、または以下の図４Ａに示されるように中間レベルの規則を有してもよい。特に、一定の間隔で、かつ接近して離間されたガイディングライン９５を有するエリアが正しい場所で製造されるエリアは、平行な重合体ライン９８Ａ、９８Ｂを定期的に産出する。しかしながら、ガイディングライン９５がさもなければ離間されているとき、重合体ライン９８Ａ、９８Ｂは、図２のステップ８７Ａで示されるように波状に動いていてもよいし、または、異なる程度の不規則性を有してもよい（図４Ａを参照）。概して、正しく設計されたガイディングラインを有する所定の規則領域９９Ａは、高度に規則的で平行な重合体ライン９８Ａ、９８Ｂを有してもよい一方、他の無規則的な領域９９Ｂは、設計によって、または設計の欠如によって、無規則または不規則な重合体ライン９８Ａ、９８Ｂを有してもよい。
図２及び図３は、本発明のいくつかの実施形態による、ＤＳＡにより製造された重合体表面の規則領域９９Ａの改善を示す高レベル概略ブロック図である。改善された規則領域は、連続的な製造ステップのためのハードマスクを使用してもよい。
線の太さは一定で、重合体ライン９８Ａ、９８Ｂの両方のタイプに関して等しいことに留意されたい。このため、規則領域９９Ａ及び無規則領域９９Ｂを有する重合体表面８８は、層の詳細が、分解され撮像されるには細かすぎ、平均の照射レベルが規則領域９９Ａ及び無規則領域９９Ｂに関して等しい、すなわち、それらの間に対比が存在しないため、いずれかの詳細が欠如した、均一の光学画像８９を呈するだろう。規則と無作為のエリア９９Ａ、９９Ｂ、それぞれを区別する計測の挑戦である。検査波長が（ほぼ２０ｎｍ程度のノードである）典型的なパターンピッチよりかなり大きい場合、エリアは均一で灰色に見える（８９）。これは、パターンピッチより大きい大きさのうちの少なくとも１つの規則である最小波長を使用する、光学計測の典型的なケースである。
測定感度を改善する方法が、上面図及び側面図内にそれぞれ示される、図２及び３におけるステップ１１０、１１２、１１９内に示される。規則及び無規則領域９９Ａ、９９Ｂを光学的に区別するために、追加の層は、パターン化された重合体表面の上面に堆積される（ステップ１００）。この層は、剛直棒、すなわち、長くて剛直真っ直ぐなライン（パターンピッチと比べると長い）であり、規則領域９９Ａに選択的に結合し、または少なくとも無規則領域９９Ｂに対するより、規則領域９９Ａに対してより強力に結合する分子１０５から構成される（分子１０５及び／または露出した無規則領域に対する追加の処理の後、またはその処理なしで）。結合された分子１０５を撮像する際、明白な区別が、（規則領域９９Ａから結果として得られる）領域１１８Ａ及び（無規則領域９９Ｂから結果として得られる）１１８Ｂが良く対比され、解像限界（１１９）より大きいため、それらの間でなされ得る。
ある実施形態は、直線的に配列された重合体分子を有する規則領域９９Ａと、重合体分子が直線的に配列されない無規則領域９９Ｂと、規則領域９９Ａの上に結合された棒状分子１０５とを含む重合体表面を含む計測標的を含み、棒状分子１０５は、直線的に配列されていない重合体分子よりも、直線的に配列された重合体分子により強力に結合するように選択される。標的の無規則領域９９Ｂは、規則領域９９Ａをエッチングから保護する棒状分子１０５によって、少なくとも部分的にエッチングによって取り除かれてもよい。ある実施形態において、規則及び無規則領域９９Ａ、９９Ｂはそれぞれ、異なってもよい、または地形的に異なってもよい。重合体表面はＤＳＡプロセスによって製造されてもよく、棒状分子１０５は、セルロース、ナノチューブ（例えば、カーボン、窒化ホウ素、シリコンなど）及び剛直棒重合体（例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ｐ−フェニレン・スルホン酸など）のうちの少なくとも１つから構成されてもよい。棒状分子１０５は、結合された領域上の規則レベルに依存する結晶形態を有するように構成されたセルロース分子を含んでもよい。棒状分子１０５は、重合体表面に対する棒状分子１０５の親和力の結合と重合体表面の分子秩序のレベルとの間の関係を定義するように選択された架橋分子を含んでもよい。
ある実施形態において、棒状分子１０５と重合体表面のうち少なくとも１つは棒状分子１０５と無規則領域９９Ｂとの区別を、偏光を使用して可能にするように構成されてもよい。ある実施形態において、棒状分子１０５のいくつかまたはすべては、計測測定または所定の製造ステップのために使用されてもよく、その後、除去されてもよい。棒状分子１０５は、このように、集積回路製造プロセスを分配せずに、計測測定を改善するためのみに、またはそれを主目的に使用されてもよい。棒状分子１０５は、それらを光学的に区別する能力を提供するように選択される、または構成され得る。
ある実施形態は、重合体表面の規則領域９９Ａの上に結合された棒状分子１０５を含むハードマスクからなり、重合体表面は、直線的に配列された重合体分子を有する規則領域９９Ａと重合体分子が直線的に配列されない無規則領域９９Ｂとからなる。棒状分子１０５は、直線的に配列されない重合体分子よりも、直線的に配列された重合体分子により強力に結合するように選択されてもよい。重合体表面はＤＳＡプロセスによって製造されてもよく、棒状分子１０５は、セルロース、ナノチューブ、及び剛直棒重合体のうちの少なくとも１つを含んでもよい。棒状分子は、結合領域の上の規則レベルに依存する結晶形態を有するように構成されたセルロース分子を含んでもよい。
分子１０５は表面に対する選択的な結合を呈してもよく、分子１０５は、規則、配向または組成のレベルに従って、位相のうちの１つに装着されるように選択されてもよい。例えば、分子１０５は、無規則領域９９Ｂよりも、規則領域９９Ａにより強力に結合するように選択されてもよい。別の実施例において、分子１０５はライン９８Ａ及び／または９８Ｂに引き付けられるように選択されてもよく、それらが巻き付いているとき、ラインに結合しない、またはラインに弱く結合するように選択されてもよい。選択的な結合は、（例えば、すでにエッチングされたエリア上の堆積の場合）結果として異なることになってもよい、または領域９９Ａと９９Ｂを区別するように操作されてもよい表面地形に対して高感度を有してもよい。
棒状分子１０５は、長くて剛直直線状の分子として形成されてもよいセルロース分子に基づいていてもよく、セルロース分子を特定の化合物に結合させる水素結合を形成し、それにより、必要とされる結合材を選択的に提供する傾向がある。セルロース棒状分子１０５は、それらが結合する領域の規則の程度に依存して、異なる誘発結晶性セルロース位相に組み立てられてもよい。セルロース棒状分子１０５は、溶媒に異なって反応するセルロース位相を有するように選択されてもよく、それが結合される規則位相とは重複しない位相のみを溶解することによって、必要とされる分離が達成され得る。いくつかの沈着及び剥離ステップなどの追加の化学的及び機械的なステップは、位相分離を達成するために使用されてもよい。
セルロースなどの棒状分子１０５は、規則のレベルと、規則領域９９Ａにおいて分子の整合を支持する分子の固さとに関連して選択的な結合を提供するように選択されてもよい。他の分子は、副次的な変化として棒状分子１０５、例えば、セルロースの場合のグルコース単位に装着されてもよく、架橋分子として及び／または直線状領域に結合される構造を安定させる隣接する棒状分子１０５間の架橋分子として、表面に対して作用し得、ウエハ表面に対して選択的に結合を呈する。例えば、原ＤＳＡパターン層（例えば、ＰＳまたはＰＭＭＡ）を架橋分子として形成するために使用された、分子結合セルロース及び２つのブロック重合体のうちの１つが使用され得る。
重合体表面に適用する際、棒状分子１０５は規則領域９９Ａに良く結合して、その上に棒状分子１０５の層１１１Ａを形成する（ステップ１１０）。棒状分子１０５はまた、無規則領域９９Ｂまたはその一部に結合してもよく、その上に、（おそらく、層１１１Ｂ内に空間を有して）弱い結合及び不均一層１１１Ｂを形成してもよく、その後、電磁放射（例えば、指定の波長を有する照射）を使用して、熱の供給によって、または、それらの組み合わせによって解離処理を被る、すなわち、化学的、機械的に（例えば、磨くまたは揺らして）分離され除去される。結合質分子１０５及び層１１１Ａ、１１１Ｂが規則の表面パターンレベルに依存しているため、例えば、棒状分子１０５の結合強度間にあるすべての分子上の均等な引き付ける力を規則領域に、また棒状分子１０５の結合強度を無規則領域に加えることによって、弱く結合される分子１０５は除去され得る。幾何学的な形状及び棒状分子１０５の寸法は、結合を選択的に改善するように選択され得る。
選択的な結合及び随意的な解離処理の結果、棒状分子１０５の明らかなパターン１１３は、規則領域９９Ａ（ステップ１１２）の位置に従って形成される。パターン１１３間の無規則領域９９Ｂは、設置されたまま、または除去されたままでもよい。準備された要素１１２を撮像する際、パターン１１３に対応する要素１１８Ａの明らかな画像１１９は、それに結合される棒状分子１０５を有さない無規則領域９９Ｂに対応する背景１１８Ｂから除去され得る。画像１１９を画像８９と比較することは、規則及び無規則領域９９Ａ、９９Ｂ、それぞれの間で得られた対比を示す。画像１１９は、規則及び無規則領域９９Ａ、９９Ｂ、それぞれの間の明確な位相分離を示す、棒状分子１０５の密度のより低い分解能の図としても理解される。前の層及び幅に対する整合などの分子パターン１１３の特性の測定は、下部層の規則領域９９Ａの同じ特性を反映する。測定がいったんなされると、棒状分子は除去され得、このため、集積回路製造プロセスを邪魔することなく、計測測定を改善するためにのみ使用され得る。
パターン１１３は、ウエハ要素に装着されるハードマスクとしても使用され得、パターニングプロセスをハードマスク１１３によって区別されるウエハエリアにさらに適用する。例えば、ハードマスク１１３によって覆われない領域９９Ｂは、デバイスまたは標的設計に従い、エッチングされ、接合され、照射されてもよく、その上で成長した物質層などを有してもよい。この概念は有益であり、計測標的の形成のためのみでなく、集積回路の製造プロセスのためにも適用され得る。
パターン１１３は、領域１１８Ａにおける層１１３がその下の層（９９Ａ）に完璧に整合するため、下部層のカットプロセスにおけるレジスト層としても使用され得る。これは、より正確なパターニング（例えば、下部パターンに整合する「自己整合」カット層を実装すること）を可能にする。このようなプロセスの例は、側面図からのプロセスを示す図３に描画される。画像またはステップ８８、１１２、及び１１９は、図２及び３に対応する。基板９１は、数字９１Ａ及び９１Ｂによって示されるいくつかの層を含むように示される。図３のステップ１１９は、規則領域９９Ａに結合される棒状分子１０５の下にある部分９１Ｂの断面を保護するハードマスクとしてパターン１１３を使用して、基板９１の部分９１Ｂをエッチングによって取り除くことを含む。エッチングステップは、選択的なエッチングであってもよく、また、（保護接着層１１３として見られてもよい）ハードマスク１１３にあまり影響しない１つ以上のエッチングの適用を含んでもよい。プロセスは、（例えば、ケミカルウォッシュによって）洗浄ハードマスク１１３をさらに含んで、構造１２０において分解してもよい。開示されたステップは、例えば、下部層の規則レベルに従って生じる自己整合要素を実装するために、種々の集積回路要素及び計測標的に関連する製造プロセスの広範囲において適用されてもよい。
有利に、本方法は、規則領域に対する選択的な結合を有する規則選択層の堆積と（下の層に対するのではなく）、吸収された層にパターンを移送するための、規則選択層の質部の弱い結合の除去と、原層の特性を測定するために、新しい層のパターンを使用することと、パターンを除去すること、またはリソグラフィーステップのための新しい層のパターンを使用すること、及び集積回路製造プロセスのために、標的設計の一部として新しい層を使用することと、を含む。
方法２００は、棒状分子を、直線的に配列された重合体分子を有する規則領域と、重合体分子が直線的に配列されない無規則領域とを含む重合体表面上に結合することであって、棒状分子が、直線的に配列されない重合体分子よりも、直線的に配列された重合体分子により強力に結合するように選択される、結合することと、棒状分子と直線的に配列された重合体分子との間の結合を維持しながら、直線的に配列されない重合体分子に結合される棒状分子を除去するように構成される解離処理を、結合された棒状分子を有する重合体表面に適用し、棒状分子が排他的に規則領域に結合された重合体表面を生じさせることと、を含んでもよい。方法２００は、無規則領域をエッチングによって取り除くことを含んでもよく、棒状分子が規則領域をエッチングから保護する。棒状分子を重合体表面に結合する前に、方法２００は、重合体表面を誘導自己組織化（ＤＳＡ）プロセスによって製造することと、無規則領域を少なくとも部分的にエッチングすることと、規則領域と無規則領域との間の地形的差異を作成することとのうちのいずれかを含んでもよい。方法２００は、棒状分子を、セルロース、ナノチューブ、及び／または剛直棒重合体を含むように選択することを含んでもよい。直線的に配列された重合体分子が計測標的要素に関連付けられてもよく、方法２００は、棒状分子が規則領域に排他的に結合された生じさせられた重合体表面から、光学的測定信号を導出することをさらに含んでもよい。光学的測定信号を導出することが、結合された棒状分子を無規則領域と区別するように構成された偏光を使用して実行されてもよい。方法２００は、棒状分子及び重合体表面のうちの少なくとも１つを、偏光を使用して棒状分子と無規則領域との間の区別を可能にするように構成することをさらに含んでもよい。ある実施形態において、方法２００は、光学的測定信号の導出後、規則領域に排他的に結合された棒状分子を除去することをさらに含んでもよい。共に具現化されたコンピュータ可読プログラムを有するコンピュータ可読記憶媒体を備えるコンピュータプログラム製品が提供されてもよい。コンピュータ可読プログラムは、方法２００によって製造された標的の計測測定を実行するように構成されてもよい。以下の図２５の方法２００のさらなる段階を参照されたい。規則領域を無規則領域と区別すること並びに所望のハードマスクを製造して使用することに関わる設計及び製造要素並びにステップは、下記に示される計測標的１４０の設計のうちのいずれかを設計して製造するように組み込まれ得る。
図４Ａは、ＤＳＡプロセスによって達成された規則レベルの範囲を概略的に示す。図４Ａは、無規則及び不規則重合体ライン９８Ａ、９８Ｂを、ＤＳＡプロセスにおいて製造された実際の重合体表面の画像上の（それぞれ）黒及び白のラインであって、ＰＳに対応する黒のライン９８Ａと、ＰＭＭＡに対応する白のライン９８Ｂとして示す。これらの描画は、例えば、ガイドライン縁の近くの、規則のレベルを示す適用において使用される（下記を参照）。それらは、典型的な説明目的のみのために使用され、本発明が適用可能なプロセス、材料、及び寸法の範囲を限定するように理解されるべきではない。図４Ａにおけるライン及び空間の寸法比率は任意のものであり、非制限的であり、プロセスに依存する。例えば、ライン９８Ａ及び空間９８Ｂは、同様の幅を有してもよいし、また、ＤＳＡプロセスによって製造されたＰＳ及びＰＭＭＡラインをそれぞれ、表してもよい。図４Ａは、規則の４つのレベル、つまり、規則領域９９Ａ、不規則領域９９Ｂ、及びそれらの間の規則の中間レベルを有する領域を示す。定性的に、最も左の画像は不規則と称され、最も右の画像は規則と称される。しかしながら、規則の異なるレベルが特定の適用に関連し得るため、用語「規則」及び「無規則」と称される正確な規則の程度は制限されないが、これらは特定の要求によって定義される。したがって、棒状分子１０５の結合の親和力は、規則領域に関しては高くなるように、無規則領域に関しては低いかゼロになるように選択されてもよく、正確な値は、特定の適用可能な要求から導出された規則の特定のレベルに適応される。
図４Ｂは、ＤＳＡプロセスによる２つの標的層の製造を示す高レベル概略ブロック図である。多層の標的を生成するために、同様の製造原理が使用されてもよい。ＤＳＡ層は、標的におけるいずれか１つの層、いくつかの層、またはすべての層として製造され得る。図４Ｂにおいて、前の（下部の）層１３０としてＤＳＡ層が示され、現在の層１３５は、必ずしもＤＳＡプロセスによって製造されない（あるいは、基板９１が下部層を含んでもよく、ステップ８７で製造された層は、標的の上部層であってもよい）。ステップ８７で、ガイディングライン９５（基板９１に設定される）と一体のガイディングライン層１３１は、重合体ライン９８Ａ、９８Ｂを有するＤＳＡ層１３２を製造するために使用され、その後、さらにプロセスされて（例えば、切断され、エッチングされ、他の層１３３などで覆われて）、ステップ１２７において前の層１３０を生じる。計測標的の現在の層１３５は、被覆層１３３上に、または直接、層１３０上に堆積される。本開示を通して、前の層及び現在の層がＤＳＡプロセスによって製造されたかどうかに関わらず、前の（下部の）層は数字１３０で称され、現在の（上部の）層は数字１３５で称されることに留意されたい。
図５Ａ及び図５Ｂは、本発明のいくつかの実施形態による、ＤＳＡプロセスを使用して製造された典型的なバータイプの標的１４０の高レベル概略図である。設計原理が、例えば、ＳＣＯＬ及びＡＩＭ標的に適用可能である。図５Ａは、現在の層１３５としてＤＳＡ層を有する標的１４０を概略的に示す一方、図５Ｂは、前の層１３０としてＤＳＡ層を有する標的１４０を概略的に示す。図５Ａの前の層１３０及び図５Ｂの現在の層１３５のそれぞれは、斜めの網掛けで示され、それらを、それぞれ、太線及び細線として概略的に示されるガイドライン９５及び重合体ライン９８と区別する。しかしながら、図５Ａにおける前の層１３０及び図５Ｂにおける現在の層１３５のそれぞれも、各ＤＳＡプロセスを使用して製造され得、これらの層も同様にセグメント化され得、このため、網掛けによって限定されずに、大量のバーを指す。
ガイドライン９５及び重合体ライン９８の数及び寸法は、特定の標的及びプロセスの要求に従い選択され、図５Ａ及び図５Ｂに示されるパターンに限定されない。ガイドライン９５の方向は、重合体ライン９８の方向を定義し、標的要素１２２をそれらの背景領域１２１と区別するために使用される。いずれかの配向が、図５Ａに示されるように、どちらかに関して選択され得る。追加的に、または代替的に、ＤＳＡプロセスパラメータは、標的要素１２２と背景１２１との間で異なってもよく、例えば、ガイドラインの大きさ、密度または間隔が変化して、製造された重合体層において差異を生じてもよい。
本開示に示される計測標的１４０は、セグメント化された背景上の少なくとも１つの標的要素を含んでもよく、少なくとも１つの標的要素は、その背景とは異なって、セグメント化されなくてもよいし、またはセグメント化されていてもよい。標的要素及びそれらの背景のどちらかまたは両方のセグメント化は、ＤＳＡプロセスまたは異なるプロセスを使用して達成され得る。異なる標的要素及び／または異なる背景領域の異なるセグメント化は、異なる製造方法によってまたは異なるＤＳＡプロセスパラメータによって達成され得る。少なくとも１つの標的要素とその背景との間のセグメント化における差異は、例えば、セグメント化ピッチ、形体の大きさ、空間周波数、セグメント化の配向、アスペクト比、地形、デューティサイクル、及びセグメント化パターンについてであってもよい。実施形態において、少なくとも１つの標的要素及びその背景のＤＳＡプロセスのパラメータを含むセグメント化は、望まないグローバルエッチングバイアス、ローカルエッチングバイアス、ポリッシュバイアス、膜厚バイアス及び／または指定の閾値未満のリソグラフィックプリントバイアスを減少させるように構成され得る。セグメント化及び特にガイドライン９５は、リソグラフィックプロセス、エッチングプロセス、ポリッシュプロセス及び／または薄膜堆積プロセスと互換性がある設計規則を使用して、製造されてもよい。少なくとも１つの標的要素及びその背景は、ラスタ化する、または形体を含んでもよい。ある実施形態において、標的形体と隣接する背景形体との間のすべての移行が設計されて、３００ｎｍ未満または１００ｎｍ未満の形体の大きさを維持し得る。計測標的を設計し測定するそれぞれの方法は、標的要素を、背景エリアをセグメント化し、各顕著な形体を測定することによってその背景エリアと区別することを含む。
図６Ａ及び図６Ｂは、本発明のいくつかの実施形態による、ＤＳＡプロセスを使用して製造された典型的なエリアタイプの標的１４０の高レベル概略図である。設計規則は、例えば、ＢＬＯＳＳＯＭ、ＢｉＢ、及びＡＩＭｉｄ標的に適用可能である。
図６Ａは、現在の層１３５としてＤＳＡ層を有する標的１４０を概略的に示す一方、図６Ｂは、前の層１３０としてＤＳＡ層を有する標的１４０を概略的に示す。図６Ａにおける各前の層１３０及び図６Ｂにおける各現在の層１３５は斜めの網掛けで示され、それらを、それぞれ太線及び細線として概略的に示されるガイドライン９５及び重合体ライン９８と区別する。しかしながら、図６Ａにおける各前の層１３０及び図６Ｂにおける各現在の層１３５も各ＤＳＡプロセスを使用して製造され得、これらの層も同様にセグメント化され得、このため、網掛けによって限定されずに、大量のエリアを指す。
ガイドライン９５及び重合体ライン９８の数及び寸法は、特定の標的及びプロセスの要求に従い選択され、図６Ａ及び６Ｂに示されるパターンに限定されない。ガイドライン９５の方向は、重合体ライン９８の方向を定義し、標的要素１２２をそれらの背景領域１２１と区別するために使用される。いずれかの配向が、どちらかに関して選択され得る。追加的に、または代替的に、ＤＳＡプロセスパラメータは、標的要素１２２と背景１２１との間で異なってもよく、例えば、ガイドラインの大きさ、密度または間隔が変化して、製造された重合体層において差異を生じてもよい。
図７Ａ及び図７Ｂは、本発明のいくつかの実施形態による、ＤＳＡプロセスを使用して製造された典型的なＡＩＭ標的の高レベル概略図である。図７Ａは、そのような標的における１つの層、おそらく、ステップ８７でＤＳＡプロセスによって製造されるような前の層１３０または現在の層１３５のどちらかまたは両方を概略的に示す。層は、層全体または層の外側部分（図示された実施例において象眼）にわたって均等であり得る標的要素１２２及び背景１２１を含む。背景１２１は、上にまたは下に異なる層の標的要素が製造された領域をさらに含んでもよい。図７Ｂは、図７Ａに示される層が（標的要素１２２Ａ及び背景領域１２１Ａを有する）前の層である２層の標的と、背景１２１Ｂ上の標的要素１２２Ｂとしての網掛けされたバー（セグメント化されてもよいし、背景１２１Ａと同様、またはそれと異なっていてもよい）を概略的に示す。標的要素１２２Ｂは固体またはセグメント化されてもよいし、同様にＤＳＡプロセスで製造されてもよい。
方法４００は、誘導自己組織化（ＤＳＡ）プロセスによって計測標的を製造することを含み得、標的うちの少なくとも１つの標的要素は、ＤＳＡガイディングラインの方向などのＤＳＡプロセスのうちの少なくとも１つの特徴によってその背景と区別される。計測標的１４０は、ＤＳＡプロセスによって製造された少なくとも１つの層を含み、ＤＳＡガイディングラインの方向などのＤＳＡプロセスのうちの少なくとも１つの特徴によってその背景と区別される少なくとも１つの標的要素を含む。計測標的は、いずれかのタイプ、例えば、ＳＣＯＬ、ＡＩＭ、ＡＩＭＩＤ、ＢＬＯＳＳＯＭ、及びＢｉＢであってもよい。標的のいずれかの層は、ＤＳＡプロセスによって製造されてもよいし、いずれかの関連するライン配向が使用されてもよい。ＤＳＡプロセスのうちの少なくとも１つの特徴は、少なくとも１つの標的要素とその背景との間に光学的区別を提供するように構成されてもよいし、方法４００は光学的区別を測定することをさらに含んでもよい。光学的区別及び測定することは、偏光を使用して実行されてもよい。ＤＳＡにより製造された計測標的の形体は、測定の後に、除去されてもよい。ＤＳＡプロセスのうちの少なくとも１つの特徴は、偏光を使用して、少なくとも１つの標的要素とその背景の区別を可能にするように選択されてもよいし、測定することは偏光を使用して実行されてもよい。共に具現化されたコンピュータ可読プログラムを有するコンピュータ可読記憶媒体を備えるコンピュータプログラム製品であって、コンピュータ可読プログラムは、コンピュータ可読プログラムが方法４００と互換性がある計測標的を設計及び／または最適化するように構成される。共に具現化されたコンピュータ可読プログラムを有するコンピュータ可読記憶媒体を備えるコンピュータプログラム製品であって、コンピュータ可読プログラムが方法４００によって製造された標的の計測測定を実行及び／または最適化するように構成される。図２７の方法４００のさらなるステップを参照されたい。標的要素のＤＳＡ製造に関する設計、製造要素、及びステップは、下記に図示される計測標的１４０の設計のうちのいずれかの設計の最適化及び製造に組み込まれてもよい。
図８は、本発明のいくつかの実施形態による、計測標的１４０の標的構造１２１、１２２間の境界領域９９の高レベル概略図である。標的構造１２１、１２２は、標的要素及び背景構造（すなわち、数字１２１、１２２が交換されてもよい）、異なる標的要素または標的１４０のいずれかの他の形体であってもよい。標的構造は、ＤＳＡプロセスのためのガイドライン９５であってもよい。標的構造１２１、１２２は、構造及び構造ピッチＰ１、Ｐ２、それぞれの間の構造幅Ｗ１、Ｗ２、及び溝幅Ｓ１、Ｓ２によって特徴付けられる。境界領域９９の特徴的な幅は概して、設計された幅及び実際に製造された境界領域幅Ｘを増加または減少してもよい不正確度要因を含む。
図８に示される限定されない実施例は、誘導自己組織化（ＤＳＡ）プロセスによって製造された、少なくとも２つの隣接する標的構造１２１、１２２を含む計測標的１４０の詳細のうちのいくつかを概略的に提示し、標的構造１２１、１２２間の境界領域９９は、標的構造（この場合は、標的構造１２１が示される）の一方の第１のガイディングライン９５Ａと、他方の標的構造（この場合は、標的構造１２２が示される）の各ガイドライン９５Ｂの複数のガイディングライン端９５Ｃを含む。
用語「標的構造」は、本開示において、標的形体または背景形体などの標的の一部を指すために使用されることに留意されたい。標的構造は、例えば、ＡＩＭ及びＡＩＭｉｄ標的のそれぞれにおける標的形体の場合にはバー状またはエリア状、または、例えば、このような標的の周辺背景の場合には他の標的構造を包囲するフレーム状であってもよい。用語「標的要素」は、本開示において、背景内に設定されるセグメントまたはセグメント化されていないバーなどの、標的構造における連続的な要素を指すために使用される。
境界領域９９でのガイディングライン端９５Ｃは、境界領域の幅が各ガイドライン製造プロセスに関連付けられる指定の最大プロセス不正確度閾値までである、標的１４０を製造する際、指定の閾値未満の第１のガイディングライン９５Ａまでの距離を維持するように設計される。すなわち、実際に製造された境界領域幅Ｘは、不正確度要因のために、設計される境界幅より大きい、または小さくてもよい。指定の閾値は、ＤＳＡプロセスにおける重合体分子の平行の自己組織化を生じるように選択されてもよい。指定の閾値は、プロセス不正確度を考慮して、考えられる実際の境界領域幅の範囲について定義されてもよい。
理論に縛られることなく、境界領域９９の実際の幅ＸはＤＳＡプロセスに影響を与え、特に、重合体分子９８Ａ、９８Ｂは境界領域９９において重合するため、それは重合体分子９８Ａ、９８Ｂの規則のレベルに影響を与える。ガイドライン９５がそれらの間の規則重合を改善するように構成されてもよい一方、境界領域は、あまり均一ではない形体（図８に図示される実施例において、ガイディングライン９５Ａと垂直なガイディングライン９５Ｂ）とプロセス不正確度に対するより高い感度（図８に図示される実施例において、標的構造１２１、１２２間の間隔における不正確度は、ガイディングライン９５Ｂ間の間隔における不正確度より大きくてもよい）によって特徴付けられてもよく、このため、境界領域における重合はあまり規則正しくなくてもよく、境界領域９９における規則のレベルは、プロセス不正確度に対してより敏感であってもよいことに留意されたい。一般に、計測は、特に、オーバーレイ計測は、境界領域に対して非常に敏感であるため、後続の標的及び方法は特に、これらの目的にとって有利である。
図９Ａ〜図９Ｃは、本発明のいくつかの実施形態による、標的構造１２１、１２２間の境界領域９９及びＤＳＡプロセスを使用して製造された重合体表面において結果として得られる規則のレベルの高レベル概略図である。重合体ライン９８Ａ、９８Ｂの画像は概略的であり、形成されたラインの正確な詳細を必ずしも表す必要はないため、図示は定性的であるが、単に各標的設計から結果として得られる境界領域における規則のレベルを図示しているとして理解されなければならない。
特に、境界領域９９の幅Ｘは、図９ＢにおけるＸ２から図９ＣにおけるＸ３までを通して、図９ＡにおけるＸ１から増加するため、規則のレベルは、不規則９９の中間レベル（中間）を通して、規則重合体ライン９９（Ａ）から不規則重合体ライン９９（Ｂ）まで減少する。規則のレベルは、ＸとＤＳＡピッチとの間の割当量に関連して、規則のレベルの局所最大値（または局所最低値）を呈するＸの局所値であってもよいため、必ずしも間隔Ｘに対して単調である必要はない。規則のレベルにおける局所最大値に対応するＸ値は、標的設計のために選択されてもよい。図９Ａ〜９Ｃは、ガイディングライン９５Ｂ間の規則レベルを減少させる、同様のシーケンスを概略的に示し、その間で空間を増加させる、すなわち、Ｓ１からＳ２を通してＳ３までの空間の増加する大きさを（また、Ｐ１からＰ２を通してＰ３までのガイディングライン９５Ｂのピッチの並列増加）それぞれ伴い、ガイディングライン９５Ｂ間の規則重合体ラインは、空間Ｓ３が大きく、境界領域９９が不規則であるとき、無規則となる（図９Ｃ）ことに留意されたい。重合体ライン９８は概して連続的であるため、境界領域９９における規則のレベルがガイディングライン端９９Ｃ間の規則のレベルに影響を与え、逆もまた同様であることに留意されたい。発明者は、特に、製造不正確度に際しても、規則境界領域９９（Ａ）を達成することが非常に挑戦的であり、不規則領域９９（Ｂ）が定期的であるため、不規則境界領域９９（Ｂ）が計量測定に対して有害になり得る誤差を導入し、このため、それらの光学影響が所定の条件下で、計測結果を実質的に加算し、それに影響を与えてもよいことを発見した。
図１０Ａ及び図１０Ｂは、それぞれ、本発明のいくつかの実施形態による、交互の長さのガイディングライン９５Ｂ及び標的構造１２１、１２２間の境界領域９９における重合体表面において結果として得られる規則のレベルを有する標的要素設計の高レベル概略図である。図１１Ａ及び１１Ｂは、それぞれ、本発明のいくつかの実施形態による、隣接する標的要素（すなわち、ガイドライン９５Ａ）に平行な端９５Ｃ及び標的構造１２１、１２２間の境界領域９９における重合体表面において結果として得られる規則のレベルを有する標的要素設計の高レベル概略図である。図１２Ａ及び１２Ｂは、本発明のいくつかの実施形態による、２つのさらなる標的要素設計の高レベル概略図である。
図１０〜１２は、少なくともある程度まで、所与の製造不正確度に際しても、境界領域９９内の重合体ライン９８の規則のレベルを制御することを可能にする、解決策の範囲を概略的に示す。これらの解決策及び同様に本発明の一部である、非限定的、典型的、かつ同様の解決策は、開示された原則に従って構築され得る。
例えば、図１０Ａ及び１０Ｂは、境界領域９９を狭くし、このため、重合体ラインの能力を制限し、ガイドライン９５間の空間から出た後に広がるように機能する、可変で交代する長さを有するガイディングライン９５Ｂを概略的に示す。図示された実施例において、境界領域９９の実際の幅は、設計及び製造不正確度に起因する２つのパラメータ、Ｘ１及びＸ２によって規定される。ガイディングライン端９５Ｃは、第１のガイディングライン９５Ａに対して他のガイディングライン端９５Ｃを超えて突出するように設計されてもよい。特に、より長いガイドライン９５Ｂの突出ガイドライン端９５Ｃは、例えば、ガイディングライン端９５Ｃが隣接するガイディングライン９５Ａから等距離Ｘ３を有する図９Ｃにおいて、境界領域９９をいくらか塞ぎ、重合を、図示されるものより規則正しいパターンに誘導する。同様の設計は、ガイドライン端９５Ｃを境界領域９９に突出させるいずれかの形状及びパターンを含んでもよい。例えば、ガイドライン９５Ａに対する幾つかの距離が選択され得、細長いガイドライン９５Ｂの異なる比率が選択され、かつ、隣接する境界領域９９間の異なる関係が設計され得る。
ガイディングライン端９５Ｃは、第１のガイディングライン９５Ａに平行な端面９５Ｄを有するように設計されてもよい。例えば、図１１Ａ及び１１Ｂは、第１のガイディングライン９５Ａに平行な端面９５Ｄを有する、ハンマー状の頭部をしたガイドライン端９５Ｃを概略的に示す。このような設計において、境界領域９９は、無規則的（だが小さい）またはそれらの周囲と同様にもしくは異なって規則的であってもよい、端面９５Ｄとガイドライン端９５Ｃとの間のより小さい副領域と、より高い規則領域９９Ａ（例えば、平行線パターンを呈する）であってもよい、端面９５Ｄとガイディングライン９５Ａとの間のより大きい副領域に分かれてもよい。どちらかまたは両方の部分は、測定アルゴリズムによって及び／または測定光学によって占められてもよい繰り返し可能なパターンを呈してもよい。理論に縛られることなく、境界領域９９は、端面９５Ｄ及びガイディングライン９５Ａの平行配向、及び結果として得られる、プロセス不正確度に対する、この領域における規則のレベルのより小さい感度によって、規則的であってもよい。端面９５Ｄは、ライン９５間の規則とは異なる規則を境界領域９９に強制するように設計されてもよい。共用された規則は繰り返し可能であり、計測測定を標的及びプロセス状態にわたって安定して繰り返し可能であるようにしてもよい。
図１２Ａは、ガイディングライン９５Ａに平行であり、ガイドライン９５Ｂから離れている端面９５Ｄを概略的に示す。端面９５Ｄ間の寸法（Ｙ１、Ｙ２）、位置、及び間隔（Ｘ１、Ｘ２など）は、境界領域９９において規則のレベルを最小化するように選択されてもよい。図１２Ｂは、ガイドライン端９５Ｃのいくつかに装着され、境界領域９９内の重合規則を改善するように形成される端面９５Ｄを概略的に示す。例えば、（幅Ｙ及び角度αを有する）傾斜した端面９５Ｄは、重合をある規則方法に誘導し、潜在的に無規則な領域の大きさを減少させる、またはより良くするには、それらを取り除くように設計され得る。さらにまた、ガイドライン端９５Ｃ及び／または端面９５Ｄは、境界領域９９内の規則重合を必ずしも強制せずに計測測定の正確度を減少させない境界領域９９において重合パターンを生じるように設計され得る。例えば、境界領域内の重合が不規則であるが乱雑である場合、すなわち、異なるパターンが境界領域９９の異なるエリアで発生する場合、境界領域９９の光学的効果は累積しないこともあり、このため、計測正確度を減少させないこともある。このため、ガイドライン端９５Ｃ及び／または端面９５Ｄは、測定の不正確度を減少させた方法で、各境界領域９９内で変更するように、ある程度まで設定され得る。あるいは、ガイドライン端９５Ｃ及び／または端面９５Ｄは、アルゴリズムで除去可能である測定誤差を製造するように設計され得る。
方法３００は、２つの隣接する標的構造または標的要素を誘導自己組織化（ＤＳＡ）プロセスによって製造することを含み、標的構造間の境界領域は、標的構造の一方の第１のガイディングライン及び他方の標的構造の各々のガイドラインの複数のガイディングライン端を含んでもよい。方法２００は、境界領域の幅が各ガイドライン製造プロセスに関連付けられた指定の最大プロセス不正確度閾値までである標的要素を製造する際、第１のガイディングラインに対する指定の閾値未満の距離を維持するように境界領域におけるガイディングライン端を設計することを含んでもよい。方法３００は、指定の閾値を選択して、ＤＳＡプロセスにおいて平行な自己組織化を生じることのいくらかと、ガイディングライン端を、第１のガイディングラインに平行である端部を有するように設計することと、ガイディングライン端を、第１のガイディングラインに対して他のガイディングライン端を越えて突出するように設計することとをさらに含んでもよい。方法３００は、計測標的を設計することにおいて、隣接する標的要素に適用されてもよい。共に具現化されたコンピュータ可読プログラムを有するコンピュータ可読記憶媒体を備えるコンピュータプログラム製品が提供される。コンピュータ可読プログラムは、方法３００を使用する計測標的を設計して最適化する方法を実行するように構成される。共に具現化されたコンピュータ可読プログラムを有するコンピュータ可読記憶媒体を備えるコンピュータプログラム製品もまた、提供される。コンピュータ可読プログラムは、製造された標的の計測測定を実行するように構成される。以下の図２７の方法３００のさらなる段階を参照されたい。標的構造間の境界領域に関わる、開示された設計及び製造要素並びにステップは、下記に示される計測標的１４０の設計のうちのいずれかを設計して製造するように組み込まれ得る。
図１３〜図１７は、本発明のいくつかの実施形態による、いくつかのＡＩＭ標的ＤＳＡ設計の高レベル概略図である。計測標的１４０は、誘導自己組織化（ＤＳＡ）プロセスによって製造された少なくとも１つの層（図４Ｂ及び５〜７を参照して、前の層１３０及び／または現在の層１３５、または多層の標的におけるいずれかの中間層）を含む。各層において、少なくとも１つの標的要素及び／または標的構造は、ＤＳＡプロセスの少なくとも１つの特徴によって、その各々の背景と区別される。用語「標的構造」が標的形体または背景形体などの標的１４０の一部を指すように使用される一方、用語「標的要素」は、背景内に設定されるセグメントまたはセグメント化されていないバーなどの、標的構造における連続的な要素を指すように本願では使用されていることに留意されたい。特に、セグメント化標的構造は、不正確度を除去し、測定信号を改善し、標的構造間の区別を改善することによって、それらの製造正確度を改善し得る、及び／または計測性能を改善し得る。図１３〜１７に示されるラインは、ＤＳＡプロセスのためのガイディングライン９５を表すように、またはＤＳＡプロセスによって製造された重合体ライン９８を表すように理解され得ることがさらに留意される。特に、ラインの特定の幅及び空間周波数は図示の目的のためのみに役立ち、実施上の配慮点とガイディングライン９５または重合体ライン９８としてのラインの図示について実際の設計で異なってもよい。いずれかの場合、重合体ラインの規則領域の改善は、上記に開示されるように、標的の製造ステップとして、実行され得る。測定技術（光学、アルゴリズム）は、ライン９５、９８の特定の特徴及び前プロセスに適用され得る。図１３〜１７がＡＩＭ標的を使用して設計及び製造原理を示す一方、本発明の範囲は、開示された原理に従って設計される、標的構造及び標的要素のいずれかのタイプから作られる標的１４０（例えば、ＳＣＯＬ、ＡＩＭＩＤ、ＢＬＯＳＳＯＭ、及びＢｉＢ）のいずれかのタイプを明確に含む。特に、ハードマスク、棒状分子、及び境界領域の設計は、ＤＳＡにより製造され、セグメント化された標的１４０のいずれかに適用され得る。
標的要素または構造をそれらの各背景と区別するために使用されるＤＳＡプロセスの特徴は、ＤＳＡガイディングラインの存在及び／または方向及び／または空間周波数及び／または長さ及び幅であってもよい。ある実施形態において、ＤＳＡプロセスの少なくとも１つの特徴は、偏光を使用して、標的要素（複数を含む）とその背景との間の区別を可能にするように構成され得る。
例えば、図１３は、両方の層１３０、１３５それぞれにおいてセグメント化されていない背景１２１Ａ、１２１Ｂ、現在の層１３５におけるセグメント化されていない標的構造１２２Ｂ、及び前の層１３０におけるセグメント化された標的要素１２２Ａを有するＡＩＭ標的１４０を概略的に示す。ある実施形態において、背景１２１Ａ、１２１Ｂ、及び標的構造１２２Ｂのいずれかは、例えば、標的要素１２２Ａに垂直に、セグメント化されてもよい。セグメント化は標的１４０を通して変化してもよく、例えば、図１３において、ＤＳＡプロセスのために各ガイディングライン９５を設計することによって実装可能なセグメント化空間周波数は、２つの垂直方向（Ｘ及びＹ）に関する標的構造間で異なる一方、セグメント化方向は同様である。明らかに、セグメント化方向も、標的構造中及び標的要素中で変化し得る。
別の実施例において、図１４は、両方の層１３０、１３５それぞれにおいてセグメント化された背景１２１Ａ、１２１Ｂ、前の層１３０及び現在の層１３５それぞれにおけるセグメント化されていない標的構造１２２Ａ、１２２Ｂを有するＡＩＭ標的１４０を概略的に示す。ある実施形態において、標的構造１２２Ａ、１２２Ｂのうちのいずれかは、例えば、背景１２１Ａ、１２１Ｂに垂直にセグメント化されてもよい。セグメント化は、その特徴のうちのいずれかにおいて標的１４０を通して変化してもよい。
別の実施例において、図１５は、両方の層１３０、１３５それぞれにおいてセグメント化された背景１２１Ａ、１２１Ｂ、現在の層１３５におけるセグメント化されていない標的構造１２２Ｂ、及び前の層１３０におけるセグメント化された標的要素１２２Ａを有するＡＩＭ標的１４０を概略的に示す。ある実施形態において、標的構造１２２Ｂは、例えば、背景１２１Ａ、１２１Ｂに（ある実施例においては、及び／またはセグメント化された標的要素１２２Ａに）垂直に、セグメント化されてもよい。セグメント化は標的１４０を通して変化してもよく、例えば、図１５において、ＤＳＡプロセスのために各ガイディングライン９５を設計することによって実装可能なセグメント化空間周波数及びライン幅は、２つの垂直方向（Ｘ及びＹ）に関する標的構造間で異なる一方、セグメント化方向は同様である。明らかに、セグメント化方向も、標的構造中及び標的要素中で変化し得る。
さらに別の実施例において、図１６は、両方の層１３０、１３５それぞれにおいてセグメント化された背景１２１Ａ、１２１Ｂ、現在の層１３５におけるセグメント化されていない標的構造１２２Ｂ、及び前の層１３０におけるセグメント化された標的要素１２２Ａを有するＡＩＭ標的１４０を概略的に示す。ある実施形態において、標的構造１２２Ｂは、例えば、背景１２１Ａ、１２１Ｂに（ある実施例においては、及び／またはセグメント化された標的要素１２２Ａに）垂直に、セグメント化されてもよい。セグメント化は標的１４０を通して変化してもよく、例えば、図１６において、ＤＳＡプロセスのために各ガイディングライン９５を設計することによって実装可能なセグメント化空間周波数、ライン方向、及びライン幅は、標的構造及び背景間で変化し得る。特に、以下のガイディング／重合体ライン（９５／９８それぞれ）は、標的構造、すなわち、Ｘの方向の構造の背景１２１におけるライン９５／９８（Ｃ）、Ｙの方向の構造の背景１２１におけるライン９５／９８（Ｄ）、Ｘの方向の構造の標的構造１２２におけるライン９５／９８（Ｅ）、及びＹの方向の構造の標的構造１２２におけるライン９５／９８（Ｆ）の間で変化し得る。ラインのこれら及び他の副グループは、ＤＳＡガイディングライン９５及び／または結果として得られる重合体ライン９８の存在、方向、空間周波数、及び寸法のうちのいずれかにおいて異なってもよい。明らかに、現在の層１３５における標的構造１２２Ｂもセグメント化されてもよく、前及び現在の層１３０、１３５における背景１２１Ａ、１２１Ｂ、それぞれは、ＤＳＡプロセスの少なくとも１つの特徴において異なる、異なるセグメント化を有してもよい。
別の実施例において、図１７は、両方の層１３０、１３５それぞれにおけるセグメント化された背景１２１Ａ、１２１Ｂ、並びに前の層１３０及び現在の層１３５それぞれにおけるセグメント化されていない標的構造１２２Ａ、１２２Ｂを有するＡＩＭ標的１４０を概略的に示す。ある実施形態において、いずれかの標的構造１２２Ａ、１２２Ｂは、例えば、背景１２１Ａ、１２１Ｂに垂直にセグメント化されてもよい。セグメント化は、標的１４０を通してその特徴のいずれかが変化し得る。例えば、図１７に示されるように、背景セグメント化は、標的１４０の異なる象眼の中で変化する。さらに、標的構造１２２Ａ、１２２Ｂが整合されていないため、ＤＳＡプロセスのためのガイディングライン９５は、上述のように、構造間及び要素間で、規則境界領域（例えば、上部及び下部の拡大されたエリアを参照）を生じるように適合されてもよい。これもまた図１７で見られるように、標的要素の大きさは、異なる標的構造間で変化してもよく、それに応じて、セグメント化は変化し得る。
図１８は、本発明のいくつかの実施形態による、ＡＩＭ標的ＤＳＡ設計について例示された、標的設計におけるいくつかのタイプの境界領域の高レベル概略図である。正確な標的設計は、設計の境界領域のいずれかに上述の（例えば、図８〜１２の）境界領域設計規則を実装して、製造されたＤＳＡ重合体表面において規則のレベルを制御する。さらに、追加のプロセスは、規則及び無規則領域に適用され、上述のように（例えば、図１〜３におけるように）、標的を製造するまたは使用してもよい。図１８は、標的構造１２１、１２２間で種々のタイプの境界領域９９を概略的に示す（図示された構造のいずれかは、標的要素または背景のどちらかであるとみなされてもよく、隣接する構造は、それぞれ、背景または標的要素である）。境界領域９９は、ガイディングライン９５と固体の標的要素（左）との間にあってもよく、ガイディングライン９５が固体の標的要素（上部の右）に続く場合には欠けていてもよく、または、上述のように、例えば、考えられる不正確度を償うために、境界領域９９（下部の右）を塞いでいる端セグメント９５Ｄを含んでもよい。
図１９〜図２１は、本発明のいくつかの実施形態による、いくつかのＡＩＭｉｄ標的ＤＳＡ設計の高レベル概略図である。図１９は、本発明のいくつかの実施形態による、ＡＩＭｉｄ標的ＤＳＡ設計上に例示された、いくつかのタイプの標的設計における境界領域をさらに概略的に示す。
図１９〜図２１は、セグメント化の可能性をいくつか表す種々のセグメント化されたＡＩＭｉｄ標的１４０を概略的に示す。例えば、図１９は、前の層１３０におけるセグメント化されていない背景１２１Ａ上のセグメント化された標的構造１２２Ａ及び前の層１３５におけるセグメント化された背景１２１Ｂ上のセグメント化されていない標的構造１２２Ｂを概略的に示す。ある実施形態において、背景１２１Ａ及び／または標的構造１２２Ｂは、例えば、特定の標的の構成の形体に依存して、背景１２１Ｂ及び／またはセグメント化された標的要素１２２Ｂに対して垂直に、セグメント化されてもよい。明らかに、前及び現在の層１３０、１３５それぞれの間で設計を入れ替えること、多層の標的を製造するために設計を適合させること、及び標的構造及び各背景のセグメント化のいずれかの組み合わせは、同様に本発明の範囲内にある。図１９は、標的の大きさ及びＤＳＡプロセスの要求について異なって設計され得る、単一の標的構造１４５の種々の実施形態をさらに示す。ガイディングライン９５は、標的の大きさに関する特定の寸法の標準及び規則重合体ラインを生成することのＤＳＡプロセス要求を意味するように設計され得る。図２０は、セグメント化されていない（または垂直にセグメント化された）背景１２１Ａ上で１セットの標的構造１２２Ａがセグメント化され、セグメント化されていない（または垂直にセグメント化された）背景１２１Ｂ上で別のセグメント化されていないセットの標的構造１２２Ｂがセグメント化された、標的１４０を概略的に示す。図２１は、セグメント化されていない（または垂直にセグメント化された）標的構造１２２Ａ、１２２Ｂがセグメント化された背景１２１Ａ、１２１Ｂ上でセグメント化された、標的１４０を概略的に示す。セグメント化は、例えば、ＤＳＡプロセスのための各ガイディングライン９５を設計することによって実装可能な、セグメント化空間周波数、セグメント化の方向、セグメントの寸法（幅、長さ）、及びセグメント間の間隔について、標的１４０を通して変化し得る。
図２２〜図２４は、本発明のいくつかの実施形態による、いくつかのＳＣＯＬ標的ＤＳＡ設計の高レベル概略ブロック図である。ＳＣＯＬ標的構造１２２及び背景１２１は、例えば、ＤＳＡプロセスを使用して、同様にセグメント化され得、製造及び測定正確度を改善する。前の層１３０及び現在の層１３５のいずれかまたは両方の標的要素と各背景は、セグメント化され得る。限定されない実施例として、図２２〜図２４において、種々のセグメント化の可能性が、前の層の標的要素に関して示される。しかしながら、現在の層の標的要素及び背景部ものセグメント化も、また、本開示に含まれる。
図２２〜図２４は、セグメント化された間隙から構成されているようなセグメント化された前の層標的要素１２２Ａを概略的に示す一方、現在の層の標的要素１２２Ｂはセグメント化されておらず、前の層標的要素１２２Ａ（図２２及び図２４では重複しておらず、図２３では部分的に重複している）と異なる程度に重複している。ある実施形態において、標的構造１２２、標的要素１２２Ａ、１２２Ｂ及び／または背景形体のいずれかは、例えば、特定の標的設計要求に依存して、相互に垂直になるように、セグメント化されてもよい。ＤＳＡプロセスは、標的及び背景要素のいずれかに実装され得、そのうちのいずれかはそれぞれセグメント化され得る。
方法４００は、ＡＩＭ、ＡＩＭＩＤ、ＢｉＢ、ＢＬＯＳＳＯＭまたはＳＣＯＬ計測標的、及びそれらの均等物または変形を、誘導自己組織化（ＤＳＡ）プロセスによって製造することを含んでもよく、標的の少なくとも１つの標的要素は、ＤＳＡガイディングラインの方向、空間周波数、寸法、及び間隔などの、ＤＳＡプロセスの少なくとも１つの特徴によってその背景と区別される。標的のいずれかの層は、ＤＳＡプロセスによって製造され得、いずれかの関連するライン配向が使用されてもよい。セグメント化特徴は、標的内、標的構造内、及び背景領域内で変化し得る。共に具現化されたコンピュータ可読プログラムを有するコンピュータ可読記憶媒体を備えるコンピュータプログラム製品が提供される。コンピュータ可読プログラムは、上記に開示された方法に従って、例えば、方法４００と互換的に、種々のタイプの計測標的を設計するように構成される。また、共に具現化されたコンピュータ可読プログラムを有するコンピュータ可読記憶媒体を備えるコンピュータプログラム製品が提供される。コンピュータ可読プログラムは、上記に開示された方法に従って、例えば、方法４００に従って製造された標的の計測測定を実行するように構成される。以下の図２７の方法４００のさらなる段階を参照されたい。標的要素のＤＳＡ製造に関する設計、製造要素、及びステップは、上記に図示される計測標的１４０の設計のうちのいずれかの設計及び製造に組み込まれてもよい。
図２５は、本発明のいくつかの実施形態による、方法２００を示す高レベルフローチャートである。方法２００は、それらの順番とは関係なく、以下の段階のいずれかのような、標的１４０を製造する、準備する及び／または使用するための段階を含み得る。
方法２００は、誘導自己組織化（ＤＳＡ）プロセスによって重合体表面を製造すること（段階２０５）と、無規則重合体分子に対するより、直線的な規則重合体分子に対してより強力に、棒状分子を結合するように選択すること（段階２１０）と、規則領域及び無規則領域を含む重合体表面の上に棒状分子を結合すること（段階２２０）と、解離処理を、棒状分子と直線的な規則重合体分子との間の結合を維持しながら、無規則重合体分子に結合される棒状分子を除去するように構成すること（段階２３０）と、解離処理を重合体表面に適用すること（段階２４０）と、棒状分子が排他的に規則領域に結合された重合体表面を生じること（段階２５０）とを含んでもよい。
方法２００は、セルロース、ナノチューブ、及び剛直棒重合体から棒状分子を選択すること（段階２１２）、例えば、棒状分子を、結合された領域上の規則のレベルに依存する結晶形態を有するセルロース分子であるように選択すること（段階２１３）を含んでもよい。方法２００は、規則領域と無規則領域との間の地形的差異を作成すること（段階２１５）及び／または無規則領域を少なくとも部分的にエッチングによって取り除くこと（段階２１８）をさらに含んでもよい。方法２００は、架橋分子（複数を含む）を含むように棒状分子を構成すること（段階２２２）と、規則及び無規則領域上への結合強度を規定するように選択すること（段階２２４）と、架橋分子（複数を含む）を重合体表面分子（複数を含む）として選択すること（段階２２６）の段階のうちのいずれかをさらに含んでもよい。
方法２００は、無規則領域をエッチングによって取り除くことであって、棒状分子が規則領域をエッチングから保護する、取り除くこと（段階２６０）及び／または追加のプロセスステップを適用するためのハードマスクとして、棒状分子を使用すること（段階２７０）を含んでもよい。こうして、方法２００は、ＤＳＡプロセスと、棒状分子を使用する規則領域の区別を使用して、多様な計測標的を製造すること（段階２８０）と、例えば標的要素及び／またはそれらの各背景をセグメント化すること（段階２８２）及び／またはＤＳＡプロセスの少なくとも１つの特徴によって、それらの各背景のための標的要素を区別すること（段階２８５）を含んでもよい。
方法２００は、製造された標的に計測測定アルゴリズムを調整することをさらに含んでもよい（段階２９０）。
図２６は、本発明のいくつかの実施形態による、方法３００を示す高レベルフローチャートである。方法３００は、それらの順番とは関係なく、以下の段階のいずれかのような、標的１４０を製造する、準備する及び／または使用するための段階を含み得る。
方法３００は、誘導自己組織化（ＤＳＡ）プロセスによって隣接する標的構造を製造すること（段階３１０）と、例えば、規則自己組織化を誘導するようにガイディングラインの端を構成すること（段階３３０）によって、標的構造間の境界領域を設計して、規則自己組織化を誘導すること（段階３２０）とを含んでもよい。
方法３００は、標的の寸法変動の指定の範囲または境界領域上の隣接する標的構造間の指定の閾値を、各ガイドライン製造プロセスに関連付けられた指定の最大プロセス不正確度に対応するように選択すること（段階３４０）と、ＤＳＡプロセスにおいて重合体分子の平行な自己組織化を生じるように境界領域を設計すること（段階３５０）とをさらに含んでもよい。
方法３００は、境界領域におけるガイディングライン端を、規則自己組織化を改善するように設計すること（段階３２５）及び／または境界領域を、寸法変動の指定の範囲内に規則ＤＳＡを提供するように設定すること（段階３２７）と、を含んでもよい。方法３００は、境界領域におけるガイディングライン端を、無規則領域の大きさを減少させるように設計すること（段階３３２）及び／またはガイディングライン端を、無規則領域の光学的効果を減少させるように設計すること（段階３３４）及び／または境界領域の１つの部分におけるガイディングライン端を、境界領域の第２の部分におけるガイディングラインに対する指定の閾値未満の距離を維持するように設計すること（段階３３６）と、を含んでもよい。
方法３００は、プロセス不正確度によって規定された最大境界領域幅になるように、指定の閾値を選択することをさらに含んでもよい（段階３４５）。
方法３００は、隣接する要素に平行である端面を持つように、ガイディングライン端を製造すること（段階３６０）及び／または境界領域の１つの部分におけるガイディングライン端を、境界領域の第２の部分において（隣接して垂直な）ガイディングラインに平行になるように設計すること（段階３６２）及び／またはガイディングライン端のいくつかを、他のガイディングライン端を越えて突出するように製造すること（段階３７０）を含んでもよい。
方法３００は、これらの原理に従って、かつ、局所の考慮について、特に計測標的における境界領域を設計すること（段階３８０）と、標的設計のうちのいずれかを製造すること（段階３８５）と、計測測定アルゴリズムを境界領域の設計に調整すること（段階３９０）と、を特に含んでもよい。
図２７は、本発明のいくつかの実施形態による、方法４００を示す高レベルフローチャートである。方法４００は、それらの順番とは関係なく、以下の段階のいずれかのような、標的１４０を製造する、準備する及び／または使用するための段階を含み得る。
方法４００は、誘導自己組織化（ＤＳＡ）プロセスによって製造されるように計測標的を設計すること（段階４１０）及び／またはＤＳＡプロセスの少なくとも１つの特徴によって、少なくとも１つの標的要素をその背景と区別すること（段階４３０）を含むＤＳＡプロセスを使用して計測標的を製造すること（段階４２０）を含んでもよい。
例えば、方法４００は、標的要素のうちのいずれかまたは両方及び各背景領域をセグメント化することによって、標的要素を、それらの各背景領域と区別すること（段階４４０）と、ＤＳＡプロセスを使用してセグメント化を実装すること（段階４５０）と、を含んでもよい。随意的に、方法４００は、少なくとも１つの標的要素を、ＤＳＡにより製造された背景における空間になるように設計することを含んでもよい（段階４６０）。
方法４００は、少なくとも１つの標的層を、製造されたＤＳＡによって製造されるように設計すること（段階４１２）及び／またはＳＣＯＬ、ＡＩＭ、ＡＩＭＩＤ、ＢｉＢ、及びＢＬＯＳＳＯＭ標的のいずれかをＤＳＡに基づく標的として設計することをさらに含んでもよい（段階４１５）。
方法４００は、ガイドラインの存在、方向、空間周波数及び寸法のうちのいずれかとして、ＤＳＡ特徴を選択すること（段階４３２）と、例えば、ＤＳＡガイディングラインの方向を通して、標的要素をそれらの各背景領域と区別することと、をさらに含んでもよい（段階４３５）。
方法４００は、設計された標的に計測測定アルゴリズムを調整することをさらに含んでもよい（段階４７０）。
上記の記載において、実施形態は、本発明の実施例または実装例である。「１つの実施形態」、「実施形態」、「ある実施形態」、または「いくつかの実施形態」の種々の外観は、必ずしもすべてが同じ実施形態を指す必要はない。
本発明の種々の形体は単一の実施形態の文脈において記載されてもよいが、形体も、別々に、またはいずれかの適切な組み合わせにおいて提供されてもよい。反対に、本発明は、明確にするために別個の実施形態の文脈において本願に記載されてもよいが、本発明はまた、単一の実施形態に実装されてもよい。
本発明のある実施形態は、上記に開示された異なる実施形態からの形体を含んでもよく、ある実施形態は、上記に開示された他の実施形態からの要素を組み込んでもよい。特定の実施形態の文脈における、文脈における本発明の要素の開示は、特定の実施形態のみで使用されるようにそれらを限定すると受け止められるべきではない。
さらに、本発明が、種々の方法で実行され得るまたは実践され得ることと、本発明が、上記の記載で概略が説明されているものではないある実施形態に実装され得ることとが理解されるべきである。
本発明は、それらの図、または対応する記載に限定されない。例えば、フローは必ずしも、各図示されたボックスまたは状態を通じて移動する必要はない、または図示され記載された通りの順番で移動する必要はない。
本願で使用される技術用語及び科学用語の意味は、別段の指定がない限り、本発明が属する技術の分野における通常の知識を有する者によって一般に理解されるべきである。
本発明は、限られた数の実施形態について記載されているが、これらは本発明の範囲に対する限定であると解釈されるべきではなく、むしろ、好適な実施形態のうちのいくつかの例示として解釈されるべきである。他の考えられる変形、修正、及び適用も、本発明の範囲内である。したがって、本発明の範囲は、このように記載されたものによって限定されるべきではなく、むしろ添付の特許請求の範囲及びそれらの法的均等物によって限定されるべきである。

Claims (21)

  1. 計測標的を、誘導自己組織化（ＤＳＡ）プロセスによって製造することを含む方法であって、前記標的のうちの少なくとも１つの標的要素が、前記ＤＳＡプロセスのうちの少なくとも１つの特徴によって、前記少なくとも１つの標的要素に関連する背景と区別される、方法。
  2. 前記ＤＳＡプロセスの前記少なくとも１つの特徴が、前記少なくとも１つの標的要素と前記少なくとも１つの標的要素に関連する背景との間に光学的区別を提供するように構成され、前記方法が、前記光学的区別を測定することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
  3. 前記光学的区別及び前記測定が、偏光を使用して実行される、請求項２に記載の方法。
  4. 前記ＤＳＡにより製造された計測標的の形体を、前記測定の後に除去することをさらに含む、請求項２に記載の方法。
  5. 前記ＤＳＡプロセスの前記特徴が、偏光を使用して少なくとも１つの標的要素と前記少なくとも１つの標的要素に関連する背景との間の区別を可能にするように選択され、あるいは、ＤＳＡガイディングラインの存在、方向、空間周波数、及び寸法から構成されるグループから選択される、請求項１に記載の方法。
  6. 前記計測標的が、ＳＣＯＬ、ＡＩＭ、ＡＩＭＤ、ＢＬＯＳＳＯＭ、及びＢｉＢから構成されるグループから選択された少なくとも１つの標的タイプである、請求項１に記載の方法。
  7. 前記計測標的の前の層及び現在の層のうちの少なくとも１つにおける標的要素に適用される、請求項１に記載の方法。
  8. 共に具現化されたコンピュータ可読プログラムを有するコンピュータ可読記憶媒体を備えるコンピュータプログラム製品であって、前記コンピュータ可読プログラムが、請求項１に記載の方法と互換性がある計測標的を設計するように構成され、あるいは、前記方法に従って製造された標的の計測光学測定を実行するように構成される、コンピュータプログラム製品。
  9. ２つの隣接する標的構造を誘導自己組織化（ＤＳＡ）プロセスによって製造する方法であって、複数の標的構造間の境界領域が、第１の標的構造の第１のガイディングラインと、第２の標的構造の各々のガイドラインの複数のガイディングライン端を含み、
    前記第１のガイディングラインに対する指定の閾値未満の距離を維持するように前記境界領域における前記ガイディングライン端を設計することと、
    前記境界領域の幅が各ガイドライン製造プロセスに関連する特定の最大プロセス不正確度閾値までの標的要素を製造することと、
    を含む、方法。
  10. 前記指定の閾値を選択して、前記ＤＳＡプロセスにおいて平行な自己組織化を生じることと、
    前記ガイディングライン端を、前記第１のガイディングラインに平行である端部を有するように設計すること、あるいは、前記ガイディングライン端を、前記第１のガイディングラインに対して他のガイディングライン端を越えて突出するように設計することと、
    をさらに含む、請求項９に記載の方法。
  11. 請求項９に記載の方法に従って複数の隣接する標的要素の対を設計することを含む、計測標的を設計する方法。
  12. 共に具現化されたコンピュータ可読プログラムを有するコンピュータ可読記憶媒体を備えるコンピュータプログラム製品であって、前記コンピュータ可読プログラムが、請求項１１に記載の計測標的を設計する前記方法を実行するように構成され、あるいは、請求項９に記載の方法に従って製造された標的の計測測定を実行するように構成される、コンピュータプログラム製品。
  13. 背景エリアをセグメント化することによって、標的要素をその背景エリアと区別することを含み、前記セグメント化が、請求項１，９のいずれか１項に記載の方法に従ったＤＳＡプロセスによって実行される、計測標的を設計する方法。
  14. 誘導自己組織化（ＤＳＡ）プロセスによって製造された少なくとも１つの層を含む計測標的であって、前記少なくとも１つの層が、前記ＤＳＡプロセスのうちの少なくとも１つの特徴によって少なくとも１つの標的要素に関連する背景と区別される少なくとも１つの標的要素を含む、計測標的。
  15. 前記ＤＳＡプロセスの前記少なくとも１つの特徴が、偏光を使用して、前記少なくとも１つの標的要素と前記少なくとも１つの標的要素に関連する背景との間の区別を可能にするように構成され、あるいは、ＤＳＡガイディングラインの存在、方向、空間周波数、及び寸法から構成されるグループの少なくとも１つから選択される、請求項１４に記載の計測標的。
  16. 前記計測標的が、ＳＣＯＬ、ＡＩＭ、ＡＩＭＩＤ、ＢＬＯＳＳＯＭ、及びＢｉＢから構成されるグループの少なくとも１つから選択される、請求項１４に記載の計測標的。
  17. 前記少なくとも１つの層が、前記計測標的の前の層及び現在の層のうちの少なくとも１つである、請求項１４に記載の計測標的。
  18. 誘導自己組織化（ＤＳＡ）プロセスによって製造された少なくとも２つの隣接する標的構造を含む計測標的であって、前記標的構造間の境界領域が、前記標的構造の一方の第１のガイディングライン及び他方の標的構造の各々のガイドラインの複数のガイディングライン端を含み、前記境界領域での前記ガイディングライン端が、前記境界領域の幅が各ガイドライン製造プロセスに関連付けられた指定の最大プロセス不正確度閾値までである、標的要素を製造する際、前記第１のガイディングラインに対する指定の閾値未満の距離を維持するように設計される、計測標的。
  19. 前記指定の閾値が、前記ＤＳＡプロセスにおいて重合体分子の平行な自己組織化を生じるように選択される、請求項１８に記載の計測標的。
  20. 前記ガイディングライン端が、前記第１のガイディングラインに平行である端部を有するように設計され、あるいは、前記ガイディングライン端のいくつかが、前記第１のガイディングラインに対して他のガイディングライン端を越えて突出するように設計される、請求項１８に記載の計測標的。
  21. セグメント化された背景上の少なくとも１つの標的要素または少なくとも１つのセグメント化された標的要素を含み、前記セグメント化が、請求項１，９のいずれか１項に記載の方法に従ったＤＳＡプロセスによって実行される、計測標的。
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