JP7117242B2

JP7117242B2 - ホットスポット及び処理窓監視

Info

Publication number: JP7117242B2
Application number: JP2018536101A
Authority: JP
Inventors: ボリスゴロヴァネフスキ
Original assignee: KLA Corp
Current assignee: KLA Corp
Priority date: 2016-01-11
Filing date: 2017-01-06
Publication date: 2022-08-12
Anticipated expiration: 2037-01-06
Also published as: CN108475026A; US10354035B2; IL259823B; US20180232478A1; TWI730031B; CN112925177B; JP2019502959A; EP3403142B1; US10755016B2; IL285530A; CN112925177A; IL285530B; TW201732660A; JP7477564B2; EP3403142A4; CN108475026B; EP3403142A1; KR20180095717A; US20190286781A1; KR102424805B1

Description

本発明はイメージング及びスキャタロメトリ（散乱計測）オーバレイ計量の分野に関し、より具体的にはターゲットの設計及び生産における諸プロセス欠点の監視に関する。

（関連出願への相互参照）
本願は、２０１６年１月１１日付米国暫定特許出願第６２／２７７，２７４号の利益を主張する出願であるので、この参照を以てその全容を本願に繰り入れることにする。

テクノロジノードの微細化が進むもリソグラフィ波長が１９３ｎｍのままであるため、サブ波長ギャップが拡がっている。ギャップが拡がるにつれ、印刷済ウェハ上での形状がデザインレイアウト形状に対し類似性をますます呈さなくなってきており、光近接効果補正（ＯＰＣ）その他の分解能向上技術（ＲＥＴ）を以てしてさえもそうなっている。ＲＥＴツールは、この形状非忠実性について良好な解明性を有するものの、描画されたレイアウトを変更する能力を有していない。デザインツールは、描画されたレイアウトを修正する余力を有するものの、リソグラフィ効果についてそれらにより解明されることは限られていて、「ホットスポット」の防止を図れるデザインルールなる形態のそれになる。ホットスポットとは、なにがしかのリソグラフィ的印刷問題例えばピンチング、ブリッジング又はライン端部短縮が現れうる部位、ひいてはデバイス不調や許容不能な処理窓収縮が生じる部位のことであり、後掲の図１Ｂ中にその例が示されている。

一方、デザインルールはますます複雑化しており、ついにはリソグラフィ上の困難に対処する上でほとんど役立たないものになろうとしている。更に、デザインルールの複雑性に起因するホットスポット問題が、昨今のマルチパターニングプロセスでは重大な歩留まり制限要因の一つとなりつつある。

典型的なマスク製造及びホットスポット管理フローはデザインルールクリーンレイアウトで始まり、ＯＰＣ及びモデルベース検証（ＭＢＶ）がそれに後続する。ＯＰＣ及びＭＢＶを数回反復することでポストＯＰＣレイアウトをＭＢＶに合格させることができるが、モデルが完全でないことから、ウェハ上に欠陥が存在しないと保証することはできず、特にパターン複雑度が増したときにはそのようになる。結果として、ウェハ処理後のウェハ検査が、欠陥の所在個所を見いだすための必須なステップとなる。

２０ｎｍノード及びそれを上回る（即ちより小値の）ノードでは、歩留まり損失のうち系統的欠陥による部分が既に増大及び多様化している。系統的欠陥は、デザインの複雑度や複雑な先進ＯＰＣによって、またエッチング、化学研磨（ＣＭＰ）等に起因する物理的不調によっても、引き起こされうるものである。辺縁構造がプロセス変動に見舞われると、もたらされるパターンが、ピンチング、ブリッジング及びライン端部短縮を特徴とする変形した構造になってしまいかねない。

米国特許第７５５７９２１号

そうした現象はホットスポットの個数を増加させるものであり、それを識別し緩和するため多大な労力が費やされている。ホットスポットの発生を減らし、大量生産時の生産性をより高歩留まりなものにするため、設計上の弱点を予測し排除すること、例えばシミュレーションを用いるそれに、多大な労力が投入されている。しかしながら、設計者の目標に到達させるべくシミュレーションを校正した場合ですら、２０ｎｍノード及びそれを上回る（より小値に至る）ノードにおける先進的なプロセスでは、シミュレーションの結果とウェハ上の実印刷パターンとの間に大差が生じる。これは、処理マージンが少ないため実際のウェハ処理で生じる実際の欠陥をシミュレータでは予測できないことを、意味している。

更に、２Ｄ（二次元）デザインパターンでは、１Ｄ方向決めパターンに比べかなり広範な組合せの重要フィーチャが提供される。反対側にある２個のライン端部間（チップトゥチップ）又はライン端部とそれに垂直なトレンチとの間（チップトゥトレンチ）の距離の計測結果が、そのプロセスの関数として得られる。

図１Ａに、２Ｄパターン７５Ａをより単純なパターン７５Ｂへと分割し、別々のマスクマスク７８Ａ，７８Ｂを用い処理された要素７５Ｃへと更に分割する従来技術を、模式的に示す。このマルチパターニング方式では、２Ｄ領域（多角形）をスティッチ（継ぎ目）７３付の２個以上の多角形へと分割（７１）し（いわゆる層分解）、それらの構造を別々の処理用マスクへと（例．ダブルパターニング、例えばＬＥＬＥ即ちリソエッチリソエッチにより）更に分割（７２）する。こうした方式はＯＶＬ誤差及びプロセス変動に対し非常に敏感であり、ホットスポットの目立ち具合が甚だしく増大する。

図１Ｂに、処理窓に関わるホットスポットの挙動を従来技術に従い模式的に示す。描写８０Ａ，８０Ｂは、順に処理コーナ，処理ギャップ内にあるホットスポットの非限定的二例を模式的に表したものであり、従来技術の非限定的な例たるネッキングホットスポット８２，ブリッジングホットスポット８４を順に有している。

以下のものは本発明の初期的理解をもたらす簡略な概要である。この概要は必ずしも本発明の根幹要素を特定し又は技術的範囲を限定するものではなく、後掲の記述への導入部として働くに過ぎない。

本発明の一態様は、少なくとも２個の周期的構造を有する計量オーバレイターゲットであり、それら周期的構造のうち少なくとも１個が、その周期的構造に対応するセグメント化方向に沿い反復する非対称的な要素を有するものを、提供するものである。

本発明のこれらの、更なる及び／又はその他の態様及び／又は長所は、後掲の詳細記述にて説明されており、場合によってはその詳細記述から推論することができ、及び／又は、本発明の実施により学習することができる。

本発明の諸実施形態についてより良好な理解を図るため、並びにそれらをどのようにして実施すればよいかを示すため、以下、対応する諸要素又は部分に一貫して同様の符号が付されている添付図面を、純粋な例示により参照することにする。

添付図面は以下の通りである。

２Ｄパターンをより単純なパターンへと分割し、別々のマスクマスクを用い処理された要素へと更に分割する従来技術を、模式的に描いた図である。処理窓との関連でのホットスポットの挙動を従来技術に従い模式的に描いた図である。従来技術に係るイメージングターゲットの周期的構造の模式図である。従来技術に係るイメージングターゲット内周期的構造の諸要素の上位模式図である。本発明の幾つかの実施形態に係る、オーバレイターゲット内周期的構造及びその構成部分、並びにオーバレイターゲットの周期的構造の諸要素に関する様々な非限定的要素デザイン例、の模式図である。本発明の幾つかの実施形態に係る方法を描いた上位フローチャートである。

以下の記述では本発明の諸態様を述べている。説明が目的であるので、本発明の全般的理解を図るべく具体的な構成及び細部を説明している。とはいえ、本件技術分野に習熟した者（いわゆる当業者）にはやはり自明な通り、本発明は本願記載の具体的な細部抜きで実施しうるものである。更に、本発明が曖昧にならないよう周知の特徴を省略又は簡略化しているところがある。図面への具体的参照については、図中の細目が例示であり本発明の例証的議論のみを目的としていること、並びに本発明の諸原理及び概念的諸側面の最有用で理解しやすい記述と覚しきものを提供する企図で提示されていることを、強調しておく。但し、本発明の根本的理解に必要なそれを超え詳細に本発明の構造的細部を示すような試みはしておらず、本発明の幾通りかの形態を実際にはどのように実施すればよいかが記述と併せ図面からいわゆる当業者にわかるようにしている。

本発明の少なくとも１個の実施形態を詳細に説明する前にご理解頂きたいのは、本発明の適用先が、後掲の記述中で説明され又は図面中に描かれる諸部材の構成及び配列の細部に限られていないことである。本発明は、様々なやり方で実施又は実行されうる他の諸実施形態だけでなく、開示されている諸実施形態の組合せにも適用することができる。また、本願で採用されている表現法及び用語法が記述を目的としており、限定と見なされるべきではないことも、ご理解頂きたい。

別様の具体的な明言がない限り、後掲の議論から明らかな通り、本明細書の随所にあり例えば「処理」、「情報処理」、「計算」、「導出」、「拡張」等の語が用いられている議論は、コンピュータ若しくは情報処理システム又はそれに類する電子情報処理装置の動作及び／又はプロセスのうち、その情報処理システムのレジスタ及び／又はメモリ内で物理量例えば電子的な量として表現されるデータを操作及び／又は変換し、その情報処理システムのメモリ、レジスタその他、同類の情報格納、伝送又は表示装置にて物理量として同様に表現される他のデータにするものを、指しているものと認められる。

開示されている発明はイメージング及びスキャタロメトリオーバレイターゲットの双方に適用可能であるが、イメージング技術に非限定的な形態で関連付けられたターゲットデザイン例を本願では提示している。同様の手法を用いスキャタロメトリターゲットを設計してもよい。

オーバレイ（ＯＶＬ）イメージングツールの光学的分解能は割合に低く、ミクロン（μｍ）レベルのフィーチャをオーバレイターゲットの分解可能要素として用いることが求められる。他方、非イメージング又は非分解的な技術（例．スキャタロメトリ）では、ターゲットの設計に同様の意義が課されることになる。これら「大型」フィーチャは昨今のプロセスデザインルールと調和していないので、対応するセグメント化／ダミー化（例．より小スケールのサブ要素を用い「より大型」なミクロンスケールのターゲット要素、通常は図３に示す如く周期的パターンを形成するそれを満たすこと）が求められる。適正にセグメント化すればオーバレイターゲットの挙動はデバイスの挙動により近くなる。しかしながら、垂直ラインセグメント化（図３中の非限定的な描写９６を参照のこと）ではデバイス同様のライン端部短縮（ＬＥＳ）が悩みとなり、リソグラフィ光学系の収差又は軸外れ照明に起因する非対称ＬＥＳの場合には、このＬＥＳがオーバレイ計測に影響を及ぼすこととなりかねない。更に、平行ラインセグメント化（図３中の非限定的な描写９８を参照のこと）では、セグメント化されたバーにおける外側ラインの幅が内側ラインの幅と異なるものになる、という一種のＰＰＥ（パターン配置誤差）が悩みとなる。

図２は、従来技術に係る先進的イメージングターゲット９０の周期的構造の模式図である。従来技術によれば、イメージングターゲット９０（例．ＡＩＭターゲット即ち先進イメージング計量ターゲット）により、２個超の層に係るＯＶＬを計測することができる。提示例のＡＩＭターゲットは周期的構造９１Ａ，９１Ｂ，９１Ｃを有している。ＡＩＭターゲットは、通常、Ｘ，Ｙ両方向に係るＯＶＬ計測を担当する諸ブロックを有している。図２上の例は、方向毎に２個のブロックを有し時計回り対称性を呈している。通常、それらの設計先はウェハ内の別々の層、例えば２個の先行形成層及びレジスト層である外側層、中葉層及び内側層内である。周期的構造９１Ａ，９１Ｂ，９１Ｃは要素９５で組成されており、それら要素９５は、個別層に係るＤＲ（デザインルール）上の要請次第で、様々な周期的構造９１Ａ，９１Ｂ，９１Ｃ内で互いに同様になることも別様になることもある。図３は、従来技術に係るイメージングターゲット９０内周期的構造９１Ａ，９１Ｂ，９１Ｃの諸要素９５の上位模式図である。要素９５は、通常は、要素９５のセグメント化物を形成しているサブ要素９６とスペース９７とを有するセグメント化されたバーであり、そのスペース９７は、（デザイン９２の如く）空白のまま残されるか（デザイン９４の如く）サブ要素９８を有するセグメント化されたダミー化デザイン９７Ａで満たされている。バー９５のセグメント化物は垂直９６でも平行９８でもかまわない。いずれの従来技術事例でもサブ要素９６，９８は対称バーである。

本発明の諸実施形態によれば、「大型」ターゲットフィーチャを変換し特別に設計されたターゲットを用いる効率的で経済的な方法であり、ホットスポット例えばＬＥＳをオーバレイと併せ（又はオーバレイから分離して）監視すること、並びにＬＥＳ及びホットスポット検討の従来型検討手法たるＣＤ－ＳＥＭ（限界寸法走査型電子顕微鏡）計測の所要回数を減らすことが可能なものが、提供される。

ある種の実施形態では、ＯＶＬツール及びＯＶＬアルゴリズムを、特別に設計されたターゲットと併用することで、ホットスポット及び／又は処理窓が監視される。有益なことに、ＣＤ－ＳＥＭ的ツールをホットスポットのインライン検出及び監視に用いる従来技術、ひいてはスループットが非常に低くツール所有コスト（ＣｏＯ）が高い従来技術に対し、開示されている方法及びターゲットでは効果的なホットスポット監視を実現して歩留まり改善に導くことができる。加えて、ホットスポット監視とＯＶＬ計測を組み合わせることで、ウェハ計測スループット及びウェハリアルエステート（ウェハ占有率）を改善することができる。

プロセス欠点監視方法と併せ、非限定的な例たる計量イメージングターゲットが提供される。ターゲットは周期的構造を有するものとし、それら周期的構造のうち少なくとも１個を、その周期的構造に対応するセグメント化方向に沿い反復する非対称な要素を有するものとする。それら要素の非対称性は様々なやり方、例えばそれら要素のセグメント化方向に対し垂直な方向に沿い非対称的なサブ要素を反復させるやり方で設計することができる。それらサブ要素の非対称性は、監視対象プロセス欠点、例えば諸種ホットスポット、ライン端部短縮、処理窓パラメタ等の種類に従い、様々なやり方で設計することができる。計測結果を用い、プロセスを改善すること及び／又は計量計測の正確性を高めることができる。

図４は、オーバレイターゲット１００内及びその部分１０９内の周期的構造１０１、並びに本発明の幾つかの実施形態に係るオーバレイターゲット１００の周期的構造１０１の諸要素１０５に関する様々な非限定的要素デザイン例１０５Ａ～１０５Ｅ、の模式図である。オーバレイターゲット１００はイメージングターゲット１００及び／又はスキャタロメトリターゲット１００を構成しうるものであり、複数個の図示部分１０９を有するものとしそれらを様々なレイアウトに従い配列すること、例えば図２のイメージングターゲット９０に類する構成や他の諸構成に従い配列することができる。どのようなデザインのイメージング及びスキャタロメトリターゲットでも本願開示の如き周期的構造を採用しうるので、この模式図は本発明の実施形態を限定するものではない。描かれている周期的構造は、いずれも、イメージング又はスキャタロメトリオーバレイターゲット１００の一部分とすることができる。周期的構造１０１Ａ，１０１Ｂ，１０１Ｃのうち少なくとも１個を要素１０５で組成すればよく、その要素１０５が別々の周期的構造１０１Ａ，１０１Ｂ，１０１Ｃ内で互いに同様でも別様でもかまわない。周期的構造１０１Ａ，１０１Ｂ，１０１Ｃは別々の層内に及び／又は別々の処理工程との関連で設計しうるものであり、例えば（ｉ）オーバレイ計測用に望ましいプロセス層、（ｉｉ）ＬＥＳ監視用セグメント化を伴うアンカーセームレジスト層（例．１０５Ａ～１０５Ｅ又はそれと等価なデザインのいずれか）、並びに（ｉｉｉ）アンカーレジスト層（セグメント化無し）に、周期的構造１０１Ａ，１０１Ｂ，１０１Ｃを所在させることができる。何個の別様な周期的構造１０１をイメージング及び／又はスキャタロメトリオーバレイターゲット１００内に設計してもよく（２個、３個、４個又はそれ以上の個数の周期的構造１０１）、要素１０５の設計上の詳細は計測の目的、例えばＬＥＳ、諸種ホットスポット（上記を参照）、並びに後述する付加的な諸目的と、場合によってはオーバレイ計測との組合せに従い、選択すればよい。

ターゲットセグメント化物即ち要素１０５のセグメント化物は、デバイス様構造の可反復パターン（群）として設計すればよい。これらの構造はオーバレイイメージングツールの光学的分解能を遙かに下回るものにすることができ、またＬＥＳ効果（その他の監視に望ましい種類のホットスポット）の結果としてセグメント化バー（のエッジ又は重心）が動く形態、即ちＬＥＳ及び／又はホットスポットの存在及び場合によってはその規模が示される形態に設計することができる。

図４には、その類いの様々なパターン１０５Ａ～１０５Ｅが非限定的形態にて模式的に例示されている。描かれている諸例は、ＯＶＬターゲットのうち（描かれている方向指示によれば）Ｘ方向に沿ったＯＶＬ計測を担う部分１０９と、そのＯＶＬターゲットのうちＹ方向に沿ったＯＶＬ計測を担う部分１０９、例えば同例を９０°回すことで生成されうる部分と、の双方に適用することができる。各例証には、ギャップ９７が各要素１０５Ａ～１０５Ｅ間にある例１０２と、平行セグメント化を伴うバー９８が各要素１０５Ａ～１０５Ｅ間に描かれている例１０４とが含まれている。セグメント化バー９８は、計測ターゲットのフィルインダミー化物として、アンカーバーとして、或いは他の何らかの機能部分として用いうる。平行バーセグメント化がこの例で選ばれているのは専ら可視化のためであり、これは個別の層向けの所要バー機能及びデザインルールに基づき別様に設計されることもありうる。バーが非セグメント化バーや非対称セグメント化バーとされることさえありうる。

要素１０５（バーにより非限定的形態で例示されているそれ）は、構造１０１Ａ，１０１Ｂ及び／又は１０１Ｃに対応する計測方向（図４中にて「Ｙ」と付記されているそれ）に沿い、セグメント化されていて反復性で且つ非対称的なものにするとよい。反復性非対称要素１０５を、計測（反復）方向に対し垂直な方向（図４中にて「Ｙ」と付記されているそれ）に沿い内部セグメント化してもよい。反復性非対称要素１０５は、デザイン例１０５Ａ～１０５Ｅ中に描かれている通り、垂直方向（Ｙ）に沿い反復するサブ要素１１０を有し、それらサブ要素がセグメント化方向（Ｘ）に沿い非対称的なものにするとよい。

ある種の実施形態によれば、サブ要素１１０を、ギャップ１１２によりデザイン１０５Ａ、１０５Ｃ及び１０５Ｄ中に描かれている通り、少なくとも１回途切れるラインを有するものとすることができる。サブ要素１１０を、サブ要素１１０の設計用に何らかのＯＰＣフィーチャを有し、それによりサブ要素１１０の片側のＰＰＥを少なくする一方、そのサブ要素１１０の逆側を、単純な線とするか、所望ホットスポットの監視向けに設計されたフィーチャを有するものとしてもよい。

ある種の実施形態によれば、サブ要素１１０を、例えば１０５Ｂ中の不等ライン１１４，１１６、１０５Ｄ中の不等ライン１１４，１１６、並びに１０５Ｃ，１０５Ｅ中の同じ長さのライン１１０によりデザイン１０５Ｂ～１０５Ｅ中に描かれている通り、少なくとも２本の平行ラインセグメントを有するものとすることができる。

ある種の実施形態によれば、それら平行ラインセグメントのうち少なくとも幾本かを、ラインセグメント１１４，１１６によりデザイン１０５Ｄ中に、またデザイン１０５Ｂ及び１０５Ｅ中に描かれている通り、相互接続ライン１１８を介し相互接続することができる。

ある種の実施形態によれば、サブ要素１１０のうち少なくとも幾つかを、デザイン１０５Ｃ、１０５Ｄ及び１０５Ｅ中に描かれている通り、垂直方向（Ｙ）に沿い縦ライン１２２を有するものとすることができる。

ある種の実施形態によれば、ライン１１０及び／又はラインセグメント１１４，１１６，１１９のうち少なくとも幾本かを、デザイン１０５Ｃ中に例示されている通り、縦ライン１２２のうち少なくとも幾本かに相互接続することができる。

ある種の実施形態によれば、サブ要素１１０のうち少なくとも幾つかを、例えばデザイン１０５Ｂ及び１０５Ｅ中に描かれている通り、垂直方向（Ｙ）に沿い相互接続することができる。

ある種の実施形態によれば、サブ要素１１０を、例えばデザイン１０５Ａ、１０５Ｃ及び１０５Ｄ中に描かれている通り、垂直方向（Ｙ）に沿い互いに間隔配置することができる（スペース１１７を参照）。

ある種の実施形態によれば、非対称要素１０５を、セグメント化方向（Ｘ）に対し垂直に非対称配置された、少なくとも１本のライン１２０を有するものとすることができる。例えばデザイン１０５Ａでは（垂直方向Ｙに沿い延びる）１本の縦ライン１２０が示されており、デザイン１０５Ｅではライン１１８が同様に配置されている。それらフィーチャの寸法（主にＣＤ）は個別の層に係るデザインルールに依存しており、そのプロセスにより許容される最小値（例．現在の最も先進的なプロセスでは７ｎｍ）からそのプロセスにより許容される最大値（例．非限定的な諸例では３００ｎｍ）まで変化させること及び隠れピッチを算入することができる。

明示すべきことに、デザイン特性の種類を示すのに用いた符号は相互排他的なものではなく、ある特定のデザインフィーチャにより上述のデザイン原理を複数個実現するようにしてもよい。更に、別々のデザイン１０５Ａ～１０５Ｅに由来する諸要素を組み合わせることで、上に列記した諸原理や本発明のうち同様に考えられる部分に従い、更なるデザイン及び異なるデザインを生み出してもよい。デザイン１０５Ａ～１０５Ｅに由来する諸要素は動作可能な何らかの組合せをなすよう組み合わせればよく、ある特定の図面にある特定の要素が描かれているが他の図面には描かれていないとしても、その役割は単なる説明目的であり非限定的なものである。

ある種の実施形態は、開示されているデザインパターンのうちいずれかを呈する要素１０５を有し少なくとも１個の周期構造を呈するスキャタロメトリオーバレイターゲットを備える。

ある種の実施形態は、ターゲット１００のターゲットデザインファイルと、ターゲット１００のうちいずれかから計測された計量信号と、を備える（例えば従来技術のターゲットパターン９０に示す如くターゲットデザイン全体は様々なパターンに従い複数個のターゲット要素１０５で構成される）。

パターン配置誤差（ＰＰＥ）を計測するため要素デザインに対し修正を施してもよい。フィーチャ形状、サイズ、ピッチ及びライン対スペース比の違いはＰＰＥに違いをもたらすので、そうした違いをサブ要素１１０に設計的に組み込みＰＰＥ計測に役立てることができる。

ある種の実施形態によれば、ターゲット１００（並びにそれから導出されたターゲットデザイン）を、任意種類のホットスポットを監視可能となるよう、且つリソグラフィ工程に加え任意の処理工程例えばエッチング及びＣＭＰにて処理窓を監視しうるよう、設計することができる。

ある種の実施形態によれば、ターゲット１００（並びにそれから導出されたターゲットデザイン）を用い、非対称なＬＥＳ、ＰＰＥ又はＣＭＰ効果を計測すること及びオーバレイ結果から減ずることで、オーバレイ計測の正確性を向上させることができる。

有益なことに、開示されている２Ｄパターンでは、単一方向決めパターンに対しかなり広範な組合せの重要フィーチャが提供される。逆側にある２個のライン端部間（チップトゥチップ）又はライン端部とそれに垂直なトレンチとの間（チップトゥトレンチ）の距離の計測結果を、そのプロセスの関数として得ることができる。

ターゲットデザインは、首尾一貫したターゲットシミュレーション及びオーバレイツール設定最適化を行うシミュレーションツール等、オーバレイツールのイメージングデバイスへとターゲット画像を伝搬させる何らかのリソグラフィシミュレーションソフトウェアを用い、最適化すればよい。

有益なことに、開示されている発明によれば、ウェハリアルエステート及びＣｏＯに何ら大きな影響を及ぼすことなく、標準的なオーバレイツール及びアルゴリズムを利用することができる。スループットが高く、用い方が単純で、結果が短時間で得られるため、開示されている発明によれば、ホットスポットのサンプリング回数を大きく増やし、より良好なプロセス監視を行うことができる。

図５は、本発明の幾つかの実施形態に係る方法２００を示す上位フローチャートである。本方法の諸ステージは上述したターゲット１００に関し実行しうるものであり、それを以て随意に設計された方法２００とすることができる。方法２００は、少なくとも１個のコンピュータプロセッサ（図示せず）、例えばターゲット設計モジュール（図示せず）内のそれにより、少なくとも部分的に実現することができる。ある種の実施形態に係るコンピュータプログラム製品では、それに備わるコンピュータ可読格納媒体によりコンピュータ可読プログラムが体現されると共に、方法２００のうち関連するステージを実行するようそのコンピュータ可読プログラムが構成される。ある種の実施形態は、方法２００の諸実施形態により設計された個々のターゲットのターゲットデザインファイルを有する。ある種の実施形態は、ターゲット１００及び／又は方法２００の諸実施形態により設計されたターゲットから計測された、信号を有する。方法２００を、リソグラフィのシミュレーションによりターゲット１００を設計し、その上でそのターゲットデザインを最適化するものにしてもよい。

方法２００は、少なくとも２個の周期的構造を有するものとなるよう計量イメージングターゲットを設計するステージ２１０と、それら周期的構造のうち少なくとも１個をその周期的構造に対応するセグメント化方向に沿い反復する非対称的な要素で組成するステージ２２０とを、有するものとすることができる。

方法２００は、そのセグメント化方向に対し垂直な方向に沿い周期性を呈するようそれら反復性非対称要素を構成するステージ２３０と、場合によっては当該垂直方向に沿い反復する非対称的なサブ要素でそれら反復性非対称要素を組成するステージ２４０とを、有するものとすることができる。

方法２００は、少なくとも１回途切れるラインを有するものとなるようそれらサブ要素を構成するステージ２４２と、少なくとも２本の平行ラインセグメントを有するものとなるようそれらサブ要素を構成するステージ２４４と、相互接続されるようそれら平行ラインセグメントのうち少なくとも幾本かを構成するステージ２４６と、上記垂直方向に沿った縦ラインをそれらサブ要素のうち少なくとも幾つかに導入するステージ２５０と、上記ライン又はラインセグメントのうち少なくとも幾本かをそれら縦ラインのうち少なくとも幾本かに相互接続するステージ２５２と、のうちいずれかを有するものとすることができる。

方法２００は、それらサブ要素のうち少なくとも幾つかを上記垂直方向に沿い相互接続するステージ２６０、及び／又は、それらサブ要素のうち少なくとも幾つかを当該垂直方向に沿い互いに間隔配置するステージ２７０を、有するものとすることができる。

方法２００は、縦ライン（群）を非対称配置するステージ２８０、即ちセグメント化方向に対し垂直な少なくとも１本のラインを非対称配置するステージを、有するものとすることができる。

方法２００は、設計２１０を少なくとも１個のコンピュータプロセッサにより実行するステージ２９０、及び／又は、計量イメージングターゲットを作成するステージ２９２、及び／又は、その計量イメージングターゲットから計量信号を導出するステージ２９４を、有するものとすることができる。

本発明の諸態様について、本発明の諸実施形態に係る方法、装置（システム）及びコンピュータプログラム製品のフローチャート描写及び／又は部分図を参照し記述してきた。ご理解頂けるように、そのフローチャート描写及び／又は部分図の各部分や、同フローチャート描写及び／又は部分図の諸部分の組合せを、コンピュータプログラム命令により実現することができる。それらコンピュータプログラム命令を、汎用コンピュータ、専用コンピュータその他のプログラマブルなデータ処理装置に備わるプロセッサに供給することでマシンを構成することができ、ひいては、フローチャート及び／又は部分図若しくはその諸部分にて特定した機能／動作を実現する手段を、そのコンピュータその他のプログラマブルなデータ処理装置に備わるプロセッサにより実行される命令を以て生成することができる。

また、それらコンピュータプログラム命令をコンピュータ可読媒体内に格納し、コンピュータその他のプログラマブルデータ処理装置を初めとする諸装置に対し特定形態で機能せよと指令することができ、ひいては、フローチャート及び／又は部分図若しくはその諸部分にて特定した機能／動作を実現する命令が組み込まれた産品を、そのコンピュータ可読媒体内に格納された命令を以て提供することができる。

また、それらコンピュータプログラム命令をコンピュータその他のプログラマブルデータ処理装置を初めとする諸装置上にロードし、そのコンピュータその他のプログラマブル装置を初めとする諸装置上で一連の動作ステップを実行させることにより、コンピュータ実行プロセスを提供することができ、ひいては、フローチャート及び／又は部分図若しくはその諸部分にて特定した機能／動作を実現するプロセスを、そのコンピュータその他のプログラマブル装置上で実行される命令を以て提供することができる。

上掲のフローチャート及び図面は本発明の諸実施形態に係るシステム、方法及びコンピュータプログラム製品の潜在的諸実現形態のアーキテクチャ、機能及び動作を示すものである。この点に関して言えば、そのフローチャート又は部分図の各部分により表されるモジュール、セグメント又は一部のコードを、記述されている論理機能（群）を実現するための可実行命令が１個又は複数個組み込まれたものとすることができる。これもまた注記すべきことに、ある種の代替的実現形態では、その部分に記されている諸機能が図示のそれとは別の順序で実行されることもあろう。例えば、相次ぐかたちで示されている２個の部分を実際には実質同時に実行するようにしてもよいし、場合によってはそれらの部分を逆の順序で実行してもよいのであり、どのようにするかは関連する機能によって左右される。これもまた注記すべきことに、その部分図及び／又はフローチャート描写の各部分や部分図及び／又はフローチャート描写の諸部分の組合せを、記述されている機能又は動作を実行する専用ハードウェアベースシステムによって実現することが可能であるほか、コンピュータ命令や専用ハードウェアの組合せによって実現することが可能である。

上掲の記述における実施形態とは本発明の一例又は一実現形態のことである。「一実施形態」、「ある実施形態」、「ある種の実施形態」又は「各種実施形態」なる様々な表記が全て同じ実施形態群を指すとは限らない。本発明の諸特徴には単一実施形態の文脈で記述可能なものがあるが、それら特徴を別々に又は任意の好適組合せで提供することもできる。逆に、本願では明瞭化のため本発明を幾つかの実施形態の文脈で記述したところがあるが、単一実施形態の態で本発明を実施することもできる。本発明のある種の実施形態には先に開示した別々の実施形態の特徴を含めうるし、ある種の実施形態には先に開示した他の諸実施形態から要素を組み込みうる。本発明の諸要素がある特定の実施形態の文脈で開示されていることを以て、その特定の実施形態だけにそれらの用途が限定されるものと解すべきではない。更に、ご理解頂けるように、本発明は様々なやり方で実行又は実現することが可能であるし、上掲の記述で概要を示したそれとは異なるある種の諸実施形態にて本発明を実施することが可能である。

本発明はそれらの図面やそれに対応する記述に限定されるものではない。例えば、フローが、図示されているボックス又は状態それぞれを通ることや、図示及び記述されているそれと厳密に同じ順序で通ることは必要でない。本願で用いられている技術用語及び科学用語の意味合いは、別途定めてある場合を除き、本発明が属する分野におけるいわゆる当業者による理解通り、常識的に理解されるべきである。本発明を有限個数の実施形態との絡みで記述してきたが、それらを以て本発明の技術的範囲についての限定事項と解すべきではなく、寧ろその好適な諸実施形態のうち幾つかの例示として解すべきである。他の潜在的な変形、修正及び応用もまた本発明の技術的範囲に入るものとする。このように、本発明の技術的範囲は、ここまで記述してきた事項によってではなく、別項の特許請求の範囲及びそれらの法的均等物によって限定されるべきものである。

Claims

ウェーハと、
上記ウェーハ上に設けられた少なくとも２個の周期的構造と、を備える、計量オーバレイターゲットであって
上記周期的構造のうち少なくとも１個が、その周期的構造に対応するセグメント化方向に沿い反復する非対称的な要素を含み、
上記反復する非対称的な要素が、上記セグメント化方向に対し垂直な方向に沿い内部周期性を呈し、
上記反復する非対称的な要素が、上記垂直な方向に沿い反復するサブ要素を有し、それらサブ要素が上記セグメント化方向に沿い非対称的であり、上記非対称的な要素によりライン端部短絡（ＬＥＳ）とホットスポットの少なくともいずれかが計測され、
上記サブ要素が、少なくとも１回途切れるラインを有し、
上記サブ要素の少なくとも一部が、前記垂直な方向に沿った、該サブ要素に接続された縦ラインを有する、
計量オーバレイターゲット。
請求項１に記載の計量オーバレイターゲットであって、上記サブ要素が、少なくとも２本の平行ラインセグメントを有する計量オーバレイターゲット。
請求項２に記載の計量オーバレイターゲットであって、上記平行ラインセグメントのうち少なくとも幾本かが相互接続されている計量オーバレイターゲット。
請求項１に記載の計量オーバレイターゲットであって、上記ライン又はラインセグメントのうち少なくとも幾本かが、上記縦ラインのうち少なくとも幾本かに相互接続されている計量オーバレイターゲット。
請求項１に記載の計量オーバレイターゲットであって、上記サブ要素のうち少なくとも幾つかが、上記垂直な方向に沿い相互接続されている計量オーバレイターゲット。
請求項１に記載の計量オーバレイターゲットであって、上記サブ要素のうち少なくとも幾つかが、上記垂直な方向に沿い互いに間隔配置されている計量オーバレイターゲット。
請求項１に記載の計量オーバレイターゲットであって、上記非対称的な要素が、上記セグメント化方向に対し垂直であり非対称配置されている少なくとも１本のラインを有する計量オーバレイターゲット。
少なくとも２個の周期的構造を有するよう計量オーバレイターゲットを設計し、上記設計が少なくとも１つのコンピュータプロセッサにより実行され、
上記少なくとも１つのコンピュータプロセッサを用いて、上記周期的構造のうち少なくとも１個を、その周期的構造に対応するセグメント化方向に沿い反復する非対称的な要素で組成し、
上記少なくとも１つのコンピュータプロセッサを用いて、上記セグメント化方向に対し垂直な方向に沿い内部周期性を呈するよう、上記反復する非対称的な要素を構成し、
上記少なくとも１つのコンピュータプロセッサを用いて、上記垂直な方向に沿い反復するサブ要素を有するよう上記反復する非対称的な要素を構成し、それらサブ要素が上記セグメント化方向に沿い非対称であり、上記非対称的な要素によりライン端部短絡（ＬＥＳ）とホットスポットの少なくともいずれかが計測され、
上記少なくとも１つのコンピュータプロセッサを用いて、上記サブ要素が少なくとも１回途切れるラインを有するよう構成し、
上記少なくとも１つのコンピュータプロセッサを用いて、上記サブ要素の少なくとも一部に、前記垂直な方向に沿った縦ラインを導入し、上記縦ラインが上記サブ要素に接続され、
ウェーハ上に前記少なくとも２個の周期的構造を備える前記計量オーバレイターゲットを製造する、
方法。
請求項８に記載の方法であって、更に、上記少なくとも１つのコンピュータプロセッサを用いて、上記サブ要素が少なくとも２本の平行ラインセグメントを有するよう構成する方法。
請求項９に記載の方法であって、更に、上記少なくとも１つのコンピュータプロセッサを用いて、上記平行ラインセグメントのうち少なくとも幾本かを相互接続されるよう構成する方法。
請求項８に記載の方法であって、更に、上記ライン又はラインセグメントのうち少なくとも幾本かを、上記縦ラインのうち少なくとも幾本かに相互接続する方法。
請求項８に記載の方法であって、更に、上記サブ要素のうち少なくとも幾つかを、上記垂直な方向に沿い相互接続する方法。
請求項８に記載の方法であって、更に、上記サブ要素のうち少なくとも幾つかを、上記垂直な方向に沿い互いに間隔配置する方法。
請求項８に記載の方法であって、更に、前記少なくとも１つのコンピュータプロセッサを用いて、上記セグメント化方向に対し垂直な少なくとも１本のラインを非対称配置する方法。
ウェーハと、
上記ウェーハ上に設けられた少なくとも２個の周期的構造と、を備える計量スキャトロメトリオーバレイターゲットであって
上記周期的構造のうち少なくとも１個が、その周期的構造に対応するセグメント化方向に沿い反復する非対称的な要素を含み、
上記反復する非対称的な要素が、上記セグメント化方向に対し垂直な方向に沿い内部周期性を呈し、
上記反復する非対称的な要素が、上記垂直な方向に沿い反復するサブ要素を有し、それらサブ要素が上記セグメント化方向に沿い非対称的であり、上記非対称的な要素によりライン端部短絡（ＬＥＳ）とホットスポットの少なくともいずれかが計測され、
上記サブ要素が、少なくとも１回途切れるラインを有し、
上記サブ要素の少なくとも一部が、前記垂直な方向に沿った、該サブ要素に接続された縦ラインを有する計量スキャトロメトリオーバレイターゲット。
ウェーハと、
上記ウェーハ上に設けられた少なくとも２個の周期的構造と、を備える計量イメージングオーバレイターゲットであって
上記周期的構造のうち少なくとも１個が、その周期的構造に対応するセグメント化方向に沿い反復する非対称的な要素を含み、
上記反復する非対称的な要素が、上記セグメント化方向に対し垂直な方向に沿い内部周期性を呈し、
上記反復する非対称的な要素が、上記垂直な方向に沿い反復するサブ要素を有し、それらサブ要素が上記セグメント化方向に沿い非対称的であり、上記非対称的な要素によりライン端部短絡（ＬＥＳ）とホットスポットの少なくともいずれかが計測され、
上記サブ要素が、少なくとも１回途切れるラインを有し、
上記サブ要素の少なくとも一部が、前記垂直な方向に沿った、該サブ要素に接続された縦ラインを有する計量イメージングオーバレイターゲット。
計量ターゲットを有するオーバーレイツールを使用するステップと、
上記オーバーレイツールを用いて上記計量ターゲットから計量信号を得るステップと、
を含む方法であって、
上記計量ターゲットが、
ウェーハと、
上記ウェーハ上に設けられた少なくとも２個の周期的構造と、を有し、それら周期的構造のうち少なくとも１個が、その周期的構造に対応するセグメント化方向に沿い反復する非対称的な要素を有し、
上記反復する非対称的な要素が、上記セグメント化方向に対し垂直な方向に沿い内部周期性を呈し、
上記反復する非対称的な要素が、上記垂直な方向に沿い反復するサブ要素を有し、それらサブ要素が上記セグメント化方向に沿い非対称的であり、上記非対称的な要素によりライン端部短絡（ＬＥＳ）とホットスポットの少なくともいずれかが計測され、
上記サブ要素が、少なくとも１回途切れるラインを有し、
上記サブ要素の少なくとも一部が、上記垂直な方向に沿った、該サブ要素に接続された縦ラインを有する、
方法。
請求項１７に記載の方法であって、上記サブ要素が、少なくとも２本の平行ラインセグメントを有する方法。
請求項１８に記載の方法であって、上記平行ラインセグメントのうち少なくとも幾本かが相互接続されている方法。
請求項１７に記載の方法であって、上記ライン又はラインセグメントのうち少なくとも幾本かが、上記縦ラインのうち少なくとも幾本かに相互接続されている方法。
請求項１７に記載の方法であって、上記サブ要素のうち少なくとも幾つかが、上記垂直な方向に沿い相互接続されている方法。
請求項１７に記載の方法であって、上記サブ要素のうち少なくとも幾つかが、上記垂直な方向に沿い互いに間隔配置されている方法。
請求項１７に記載の方法であって、上記非対称的な要素が、上記セグメント化方向に対し垂直であり非対称配置されている少なくとも１本のラインを有する方法。
請求項１７に記載の方法であって、さらに、上記計量信号を用いてホットスポットを監視する、方法。
請求項１７に記載の方法であって、さらに、上記計量信号を用いてプロセスウィンドウを監視する、方法。