JP2019102756A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
図12は、上記実施形態の第1変形例に係る半導体装置としてのトランジスタ1Bを示す平面図である。図13は、図12の一部を拡大して示す平面図である。なお、説明のため、図12及び図13においても絶縁膜21〜24の図示が省略されている。図12及び図13に示されるように、本変形例のトランジスタ1Bは、複数のドレイン電極31と、複数のソース電極32とを備えており、方向D2においてドレイン電極31及びソース電極32が交互に並んで配置されている。そして、ドレイン電極31とソース電極32との間の各領域には、ゲート電極33が配置されている。更に、各ゲート電極33に沿って、フィールドプレート34が設けられている。
図14は、上記実施形態の第2変形例に係る半導体装置としてのトランジスタ1Cを示す平面図である。説明のため、図14においても絶縁膜21〜24の図示が省略されている。本変形例のトランジスタ1Cと第1変形例のトランジスタ1Bとの相違点は、フィールドプレート接続配線の形状である。本変形例のトランジスタ1Cは、第1変形例のフィールドプレート接続配線35に代えて、フィールドプレート接続配線35Aを備える。フィールドプレート接続配線35Aは、不活性領域B1の第2部分B12上に設けられ、ソース配線42とフィールドプレート34とを電気的に接続する。フィールドプレート接続配線35Aは、フィールドプレート34からゲート接続配線43bに沿って延在する部分35aと、ゲート接続配線43bから離れる方向に延在したのち、ゲート接続配線43bに沿う方向に屈曲する部分35cとを含む。部分35cは、方向D1に沿って延在し、ゲートバスライン43cと交差して、ソース配線42の外部接続パッド42aに達する。例えば、部分35cはゲートバスライン43cの上方(絶縁膜22と絶縁膜23との間)を通過する。部分35cの端部は、ゲートバスライン43cを挟んでフィールドプレート34とは反対側に位置する。フィールドプレート接続配線35Aは、部分35cの端部において外部接続パッド42aと接続する。
図15は、上記実施形態の第3変形例に係る半導体装置としてのトランジスタ1Dを示す平面図である。説明のため、図15においても絶縁膜21〜24の図示が省略されている。本変形例のトランジスタ1Dと第1変形例のトランジスタ1Bとの相違点は、フィールドプレート接続配線の形状である。本変形例のトランジスタ1Dは、第1変形例のフィールドプレート接続配線35に代えて、フィールドプレート接続配線35Bを備える。フィールドプレート接続配線35Bは、第1変形例に示された部分35a及び35bと、第2変形例に示された部分35cとを含む。このような構成においても、上記実施形態に係るトランジスタ1Aと同様の効果を奏することができる。
図16は、上記実施形態の第4変形例に係る半導体装置としてのトランジスタ1Eを示す平面図である。説明のため、図16においても絶縁膜21〜24の図示が省略されている。本変形例のトランジスタ1Eと第1変形例のトランジスタ1Bとの相違点は、フィールドプレート接続配線の形状である。本変形例のトランジスタ1Eは、第1変形例のフィールドプレート接続配線35に代えて、フィールドプレート接続配線35Cを備える。フィールドプレート接続配線35Cは、不活性領域B1の第2部分B12上に設けられ、ソース配線42とフィールドプレート34とを電気的に接続する。フィールドプレート接続配線35Cは、フィールドプレート34からゲート接続配線43bに沿って延在する部分35aと、部分35aから方向D1に沿って延在し、ゲートバスライン43cと交差してソース配線42の外部接続パッド42aに達する部分35dとを含む。例えば、部分35dはゲートバスライン43cの上方(絶縁膜22と絶縁膜23との間)を通過する。部分35dの端部は、ゲートバスライン43cを挟んでフィールドプレート34とは反対側に位置する。フィールドプレート接続配線35Cは、部分35dの端部において外部接続パッド42aと接続する。
図17は、上記実施形態の第5変形例に係る半導体装置としてのトランジスタ1Fを示す平面図である。図18の(a)は、図17に示されたトランジスタ1FのXVIIIa−XVIIIa線に沿った断面図である。図18の(b)は、図17に示されたトランジスタ1AのXVIIIb−XVIIIb線に沿った断面図である。図18の(c)は、図17に示されたトランジスタ1AのXVIIIc−XVIIIc線に沿った断面図である。説明のため、図17においても絶縁膜21〜25の図示が省略されている。
Claims (5)
- 第1領域と、第1方向における前記第1領域の一端側に位置する第1部分及び他端側に位置する第2部分を含む第2領域とを有する窒化物半導体層と、
前記第1領域上に設けられて前記第1方向と交差する第2方向に並ぶソース電極、ゲート電極、及びドレイン電極と、
前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間に位置する部分を含むフィールドプレートと、
前記第2領域の前記第1部分上に設けられ前記ドレイン電極と電気的に接続されたドレイン配線と、
前記第2領域の前記第2部分上に設けられ前記ソース電極と電気的に接続されたソース配線と、
前記第2領域の前記第2部分上に設けられ前記ゲート電極と電気的に接続されたゲート配線と、
前記第2領域の前記第2部分上に設けられ、前記ゲート配線と交差し、前記ソース配線若しくは前記ソース電極と前記フィールドプレートとを接続するフィールドプレート接続配線と、
を備える、半導体装置。 - 前記フィールドプレート接続配線は、前記ゲート配線と前記窒化物半導体層との間を通過する、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記フィールドプレート接続配線は、前記フィールドプレートから延びる部分と、前記ゲート配線と前記窒化物半導体層との間を通過する部分とを含み、これらの部分が絶縁膜に形成されたビアホールを介して互いに接続する、請求項2に記載の半導体装置。
- 前記ゲート配線は、
前記第2領域の前記第2部分上に設けられた外部接続パッドと、
前記第1方向に沿って延び、前記外部接続パッドと前記ゲート電極とを接続するゲート接続配線と、を含み、
前記フィールドプレート接続配線は、前記ゲート接続配線と交差しつつ前記第1方向における前記ソース電極の端部外方へ延在し、該端部外方において前記ソース配線と接続する、請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記ゲート配線は、
前記第2領域の前記第2部分上において前記第2方向に沿って延びるゲートバスラインと、
前記第1方向に沿って延び、前記ゲートバスラインと前記ゲート電極とを接続するゲート接続配線と、を含み、
前記フィールドプレート接続配線は、前記ゲートバスラインと交差しつつ前記第1方向に沿って延在し、前記ゲートバスラインを挟んで前記フィールドプレートとは反対側に位置する部分において前記ソース配線と接続する、請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体装置。
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