JP2019102638A5 - - Google Patents
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Description
他の態様においては支持アセンブリの組立方法が提供される。方法は、準備する工程と、形成する工程と、固定配置する工程とを含む。準備する工程では、静電チャックと、フォーカスリングと、静電チャックを支持するチャック支持面、及び、チャック支持面を囲むように形成され、フォーカスリングを支持するリング支持面を有する下部電極と、少なくとも１つの導電部材と、少なくとも１つの導電部材を囲む絶縁部材と、が準備される。形成する工程では、リング支持面上にコンタクト電極が形成される。固定配置する工程では、コンタクト電極、少なくとも１つの導電部材、及び、フォーカスリングが電気的に接続されるように、リング支持面上に絶縁部材を介してフォーカスリングが固定配置される。この方法によれば、上述した支持アセンブリを組み立てることができる。
プラズマ処理装置１０は、高周波電源６１を更に備えている。高周波電源６１は、プラズマ生成用の高周波を発生する電源である。高周波は、２７〜１００ＭＨｚの範囲内の周波数、例えば６０ＭＨｚの周波数を有する。高周波電源６１は、整合器６５及び電極プレート２１を介して、下部電極１８に接続される。整合器６５は、高周波電源６１の出力インピーダンスと負荷側（下部電極１８側）のインピーダンスを整合させる。なお、高周波電源６１は、整合器６５を介して上部電極３０に接続されていてもよい。
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4559595B2 (ja) * | 2000-07-17 | 2010-10-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体の載置装置及びプラズマ処理装置 |
| JP4419474B2 (ja) * | 2002-08-27 | 2010-02-24 | Ｊｓｒ株式会社 | 異方導電性シートおよびインピーダンス測定用プローブ |
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| JP5227264B2 (ja) * | 2009-06-02 | 2013-07-03 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置，プラズマ処理方法，プログラム |
| JP5357639B2 (ja) * | 2009-06-24 | 2013-12-04 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
| JP5563347B2 (ja) * | 2010-03-30 | 2014-07-30 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP5584517B2 (ja) * | 2010-05-12 | 2014-09-03 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及び半導体装置の製造方法 |
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| JP5741124B2 (ja) * | 2011-03-29 | 2015-07-01 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| SG10201604037TA (en) * | 2011-11-24 | 2016-07-28 | Lam Res Corp | Symmetric rf return path liner |
| JP5970268B2 (ja) * | 2012-07-06 | 2016-08-17 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置および処理方法 |
| JP5982206B2 (ja) * | 2012-07-17 | 2016-08-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 下部電極、及びプラズマ処理装置 |
| JP5602282B2 (ja) * | 2013-06-06 | 2014-10-08 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置およびフォーカスリングとフォーカスリング部品 |
| JP6219229B2 (ja) * | 2014-05-19 | 2017-10-25 | 東京エレクトロン株式会社 | ヒータ給電機構 |
| US10163610B2 (en) * | 2015-07-13 | 2018-12-25 | Lam Research Corporation | Extreme edge sheath and wafer profile tuning through edge-localized ion trajectory control and plasma operation |
| WO2017069238A1 (ja) * | 2015-10-21 | 2017-04-27 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック装置 |
| US10062599B2 (en) * | 2015-10-22 | 2018-08-28 | Lam Research Corporation | Automated replacement of consumable parts using interfacing chambers |
| US9852889B1 (en) * | 2016-06-22 | 2017-12-26 | Lam Research Corporation | Systems and methods for controlling directionality of ions in an edge region by using an electrode within a coupling ring |
| JP2018006299A (ja) * | 2016-07-08 | 2018-01-11 | 東芝メモリ株式会社 | プラズマ処理装置用処理対象支持台、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| US20180061696A1 (en) * | 2016-08-23 | 2018-03-01 | Applied Materials, Inc. | Edge ring or process kit for semiconductor process module |
| US20190119815A1 (en) * | 2017-10-24 | 2019-04-25 | Applied Materials, Inc. | Systems and processes for plasma filtering |
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