JP2020091942A5 - - Google Patents

Claims (9)

1. プラズマ処理容器と、
   前記プラズマ処理容器内に配置され、基板載置領域を有するサセプタと、
   前記サセプタの上方に配置される上部電極であり、前記サセプタと前記上部電極との間にプラズマ処理空間が規定され、前記上部電極は、内側電極と前記内側電極を取り囲む外側電極とを含み、前記外側電極は、前記内側電極から電気的に絶縁され、前記内側電極は、前記プラズマ処理空間に露出する内側露出面を有し、前記外側電極は、前記プラズマ処理空間に露出する外側露出面を有し、前記外側露出面の少なくとも一部は、前記内側露出面の上方に配置される、上部電極と、
   前記外側電極に第１の可変直流電圧を印加する第１の直流給電部と、
   を有する、プラズマ処理装置。
2. 前記外側露出面は、径方向外向きのテーパ状突起を有する請求項１に記載のプラズマ処理装置。
3. 前記内側露出面は、径方向内向きのテーパ状突起を有する請求項１または２に記載のプラズマ処理装置。
4. 前記外側電極を保持するクランプと、
   前記クランプの下部および外側側面に隣接配置される接地ブロックと、
   をさらに備える請求項１から３のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
5. 前記外側露出面は、前記内側露出面から約３ｍｍ高い環状面を有する請求項１から４のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
6. 前記サセプタの前記基板載置領域上に載置された基板を取り囲むように配置される環状部材をさらに有し、
   前記環状部材は、３６０ｍｍから３８０ｍｍの範囲内の外径を持つ請求項１から５のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
7. 前記内側電極に第２の可変直流電圧を印加する第２の直流給電部をさらに備える請求項１から６のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
8. バイアス高周波電力を前記サセプタに印加するバイアス高周波給電部をさらに備える請求項１から７のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
9. 請求項１から８のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置を用いて、プラズマ処理時の電子密度のピークを、前記サセプタに載置された基板の外周上または外周よりも径方向外側に生じさせるプラズマ処理方法。