JP2020091942A - プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 - Google Patents
プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020091942A JP2020091942A JP2018226567A JP2018226567A JP2020091942A JP 2020091942 A JP2020091942 A JP 2020091942A JP 2018226567 A JP2018226567 A JP 2018226567A JP 2018226567 A JP2018226567 A JP 2018226567A JP 2020091942 A JP2020091942 A JP 2020091942A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- upper electrode
- plasma processing
- processing apparatus
- plasma
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 19
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 86
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 25
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 19
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 12
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 10
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 4
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
- H01J37/32642—Focus rings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32541—Shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
- H01J37/32266—Means for controlling power transmitted to the plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32568—Relative arrangement or disposition of electrodes; moving means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32577—Electrical connecting means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/334—Etching
- H01J2237/3341—Reactive etching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
実施形態に係るプラズマ処理装置においては、上部電極を内側上部電極および外側上部電極の2つの部分に分割して印加電圧を独立制御する。実施形態に係るプラズマ処理装置はさらに、外側上部電極の、処理空間に露出する面の少なくとも一部が、処理空間に露出する内側上部電極の面よりも上方に位置するように構成される。たとえば、外側上部電極には、処理空間に露出する内側上部電極の面よりも上方向に凹んだ凹部が設けられる。かかる凹部を設けることで、プラズマ処理が実行される処理空間を垂直方向に広げることができる。
図1は、第1の実施形態に係るプラズマ処理装置1の構成の一例を示す図である。このプラズマ処理装置は、下部2周波印加方式を採るカソードカップルの容量結合型プラズマエッチング装置として構成されており、たとえばアルミニウムまたはステンレス鋼等からなる金属製の円筒型チャンバ(処理容器)10を有している。チャンバ10は保安接地されている。
図2は、実施形態に係るプラズマ処理装置1の上部電極60,62の構造の一例をさらに詳細に示す図である。なお、図2においては特に図示しないが、各部材間には所定のクリアランスが設けられるものとする。
まず、実施形態に係る外側上部電極62の構造によって得られる効果の説明の前提として、プラズマ処理におけるチルト角(アウターチルト、インナーチルト)について説明する。
同じプラズマ処理装置を用いて異なるウエハにプラズマ処理たとえばエッチング処理を行ったときに、処理対象であるウエハのエッジ部に形成されるパターンの角度が変動する場合があることが知られている。
ところで、イオンシースの厚みは、電子密度(Ne)、電子温度(Te)、直流電圧(Vdc)により決定される。たとえば、電子密度が低いほど、また、電子温度が高いほど、イオンシースは厚くなる。そして、Ne,Teが一定の場合には、直流電圧の値が高いほど、イオンシースは厚くなる。
図8は、比較例1乃至比較例3および実施例1のプラズマ処理装置における電子密度の分布のシミュレーション結果について説明するための図である。
・比較例1
外側上部電極の大きさ:内径約340mm、外径約400mm
外側上部電極の下面位置:内側上部電極の下面よりもサセプタ側に約5mm突出
外側上部電極とフォーカスリングとの位置関係:外側上部電極の内周側端部はフォーカスリングの径方向中央よりも外側
外側上部電極の大きさ:内径約370mm、外径約400mm
外側上部電極の下面位置:内側上部電極の下面よりもサセプタ側に約5mm突出(比較例1と同様)
外側上部電極とフォーカスリングとの位置関係:外側上部電極の内径がフォーカスリングの外径よりも大きい
外側上部電極の大きさ:内径約400mm、外径約430mm
外側上部電極の下面位置:内側上部電極の下面よりもサセプタ側に約5mm突出(比較例1,2と同様)
外側上部電極とフォーカスリングとの位置関係:外側上部電極の内径がフォーカスリングの外径よりも大きい
・外側上部電極の大きさ:内径約340mm、外径約400mm
・凹部の位置:外側上部電極の内径約340mmの位置から約380mmの位置
外周側のテーパ位置は、径約380mm〜約400mmの位置
図9は、実施例1乃至実施例4のプラズマ処理装置における電子密度の分布のシミュレーション結果について説明するための図である。実施例1乃至実施例4のプラズマ処理装置の構成は以下の通りである。
フォーカスリングの大きさ:内径約300mm、外径約360mm
外側上部電極の構造:実施形態の凹部68dを備える
・実施例2(大径FR)
フォーカスリングの大きさ:内径約300mm、外径約380mm
外側上部電極の構造:実施形態の凹部68dを備える(実施例1と同じ)
・実施例3(小径FR)
フォーカスリングの大きさ:内径約300mm、外径約330mm
外側上部電極の構造:実施形態の凹部68dを備える(実施例1,2と同じ)
・実施例4(大径FR、大径・上方突出CR)
フォーカスリングの大きさ:内径約300mm、外径380mm
外側上部電極の構造:実施形態の凹部68dを備える(実施例1〜3と同じ)
カバーリング(CR)の構造:外径を実施例1〜3よりも拡大(約460mm)
CRの外周端が上方向に突出
(実施例1〜3よりもCR端の処理空間の上下方向長さが短い)
図10は、実施形態に係るプラズマ処理装置によって得られるチルト角の変動の改善効果を示す実験結果の図である。図10は、比較例1のプラズマ処理装置と、実施例2のプラズマ処理装置各々においてエッチングを行い、チルト角の変動を調べたものである。
10 チャンバ(処理容器)
12 サセプタ(下部電極)
26 排気装置
30 第1高周波電源(第1高周波給電部)
32 第2高周波電源(第2高周波給電部)
60 内側上部電極(シャワーヘッド)
62 外側上部電極
68d 凹部
76 処理ガス供給部
80 可変直流電源(第2の直流給電部)
82 可変直流電源(第1の直流給電部)
CR センターリング
FR フォーカスリング
I イオン
W ウエハ
S1,S2 イオンシース
Claims (9)
- 真空排気可能な処理容器と、
前記処理容器内で被処理基板を載置する下部電極と、
前記下部電極の外周部上に載置される環状部材と、
前記処理容器内で前記下部電極と対向して配置される内側上部電極と、
前記処理容器内で前記内側上部電極から電気的に絶縁してその半径方向外側にリング状に配置される外側上部電極と、
前記内側および外側上部電極と前記下部電極との間の処理空間に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
高周波放電によって前記処理ガスのプラズマを生成するための第1高周波を前記下部電極もしくは前記内側および外側上部電極に印加する第1高周波給電部と、
前記外側上部電極に可変の第1の直流電圧を印加する第1の直流給電部と、
を有するプラズマ処理装置であって、
前記外側上部電極は、前記処理空間に露出する面の少なくとも一部が前記処理空間に露出する前記内側上部電極の面よりも上方にあることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記外側上部電極の外周部は、径方向外側に向けて前記処理空間側に突出するテーパ形状を有する請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記内側上部電極の外周部は、内周側から外周側に向けて前記処理空間から遠ざかるテーパ形状を有する請求項1または2に記載のプラズマ処理装置。
- 前記外側上部電極を保持するクランプ部材と、
前記クランプ部材よりも前記処理空間側に配置される接地用部材と、
をさらに備える請求項1から3のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。 - 前記外側上部電極は、前記内側上部電極の表面から約3mm凹んだ底面を有する凹部を有する請求項1から4のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記環状部材の外径は、360mmから380mmの範囲内である請求項1から5のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記内側上部電極に可変の第2の直流電圧を印加する第2の直流給電部をさらに備える請求項1から6のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記被処理基板にプラズマ中のイオンを引き込むための第2高周波を前記下部電極に印加する第2高周波給電部をさらに備える請求項1から7のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。
- 請求項1から8のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置を用いて、プラズマ処理時の電子密度のピークを前記被処理基板の外周上または外周よりも径方向外側に生じさせるプラズマ処理方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018226567A JP7142551B2 (ja) | 2018-12-03 | 2018-12-03 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
TW108142287A TW202109603A (zh) | 2018-12-03 | 2019-11-21 | 電漿處理裝置及電漿處理方法 |
KR1020190158360A KR20200067104A (ko) | 2018-12-03 | 2019-12-02 | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 |
US16/699,953 US10847348B2 (en) | 2018-12-03 | 2019-12-02 | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
CN201911220416.3A CN111261511B (zh) | 2018-12-03 | 2019-12-03 | 等离子体处理装置和等离子体处理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018226567A JP7142551B2 (ja) | 2018-12-03 | 2018-12-03 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020091942A true JP2020091942A (ja) | 2020-06-11 |
JP2020091942A5 JP2020091942A5 (ja) | 2021-09-16 |
JP7142551B2 JP7142551B2 (ja) | 2022-09-27 |
Family
ID=70850601
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018226567A Active JP7142551B2 (ja) | 2018-12-03 | 2018-12-03 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10847348B2 (ja) |
JP (1) | JP7142551B2 (ja) |
KR (1) | KR20200067104A (ja) |
CN (1) | CN111261511B (ja) |
TW (1) | TW202109603A (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7378276B2 (ja) * | 2019-11-12 | 2023-11-13 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
KR20220040804A (ko) | 2020-09-24 | 2022-03-31 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 |
KR20240063924A (ko) * | 2021-09-29 | 2024-05-10 | 램 리써치 코포레이션 | 에지 용량성 커플링 플라즈마 (capacitively coupled plasma, ccp) 챔버 구조체 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000208483A (ja) * | 1999-01-08 | 2000-07-28 | Mitsubishi Electric Corp | ウェハ処理装置及びウェハ処理方法 |
JP2004193565A (ja) * | 2002-11-26 | 2004-07-08 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置の電極板 |
JP2009239012A (ja) * | 2008-03-27 | 2009-10-15 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマエッチング方法 |
JP2016522539A (ja) * | 2013-04-17 | 2016-07-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 均一なプラズマ密度を有する容量結合プラズマ装置 |
JP2016184610A (ja) * | 2015-03-25 | 2016-10-20 | 株式会社東芝 | 上部電極、エッジリングおよびプラズマ処理装置 |
JP2017212051A (ja) * | 2016-05-23 | 2017-11-30 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005303099A (ja) * | 2004-04-14 | 2005-10-27 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
US7951262B2 (en) * | 2004-06-21 | 2011-05-31 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and method |
JP4672456B2 (ja) * | 2004-06-21 | 2011-04-20 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
US7993489B2 (en) * | 2005-03-31 | 2011-08-09 | Tokyo Electron Limited | Capacitive coupling plasma processing apparatus and method for using the same |
JP4642528B2 (ja) * | 2005-03-31 | 2011-03-02 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
US20080006205A1 (en) * | 2006-07-10 | 2008-01-10 | Douglas Keil | Apparatus and Method for Controlling Plasma Potential |
JP5484981B2 (ja) * | 2010-03-25 | 2014-05-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板載置台及び基板処理装置 |
JP5982206B2 (ja) * | 2012-07-17 | 2016-08-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 下部電極、及びプラズマ処理装置 |
JP5695117B2 (ja) * | 2013-04-04 | 2015-04-01 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング方法 |
US10109478B2 (en) * | 2016-09-09 | 2018-10-23 | Lam Research Corporation | Systems and methods for UV-based suppression of plasma instability |
-
2018
- 2018-12-03 JP JP2018226567A patent/JP7142551B2/ja active Active
-
2019
- 2019-11-21 TW TW108142287A patent/TW202109603A/zh unknown
- 2019-12-02 US US16/699,953 patent/US10847348B2/en active Active
- 2019-12-02 KR KR1020190158360A patent/KR20200067104A/ko active Search and Examination
- 2019-12-03 CN CN201911220416.3A patent/CN111261511B/zh active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000208483A (ja) * | 1999-01-08 | 2000-07-28 | Mitsubishi Electric Corp | ウェハ処理装置及びウェハ処理方法 |
JP2004193565A (ja) * | 2002-11-26 | 2004-07-08 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置の電極板 |
JP2009239012A (ja) * | 2008-03-27 | 2009-10-15 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマエッチング方法 |
JP2016522539A (ja) * | 2013-04-17 | 2016-07-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 均一なプラズマ密度を有する容量結合プラズマ装置 |
JP2016184610A (ja) * | 2015-03-25 | 2016-10-20 | 株式会社東芝 | 上部電極、エッジリングおよびプラズマ処理装置 |
JP2017212051A (ja) * | 2016-05-23 | 2017-11-30 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20200067104A (ko) | 2020-06-11 |
JP7142551B2 (ja) | 2022-09-27 |
CN111261511A (zh) | 2020-06-09 |
US20200176226A1 (en) | 2020-06-04 |
US10847348B2 (en) | 2020-11-24 |
TW202109603A (zh) | 2021-03-01 |
CN111261511B (zh) | 2024-06-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5264231B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
US7988814B2 (en) | Plasma processing apparatus, plasma processing method, focus ring, and focus ring component | |
JP5064707B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
US20070227666A1 (en) | Plasma processing apparatus | |
JP6552346B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP5348848B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2016506592A (ja) | 均一なプラズマ密度を有する容量結合プラズマ装置 | |
CN111261511B (zh) | 等离子体处理装置和等离子体处理方法 | |
JP2019176030A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP4935149B2 (ja) | プラズマ処理用の電極板及びプラズマ処理装置 | |
CN111095498B (zh) | 载置台、基板处理装置以及边缘环 | |
US20170338084A1 (en) | Plasma processing method | |
KR20180054495A (ko) | 이중 주파수 표면파 플라즈마 소스 | |
US8034213B2 (en) | Plasma processing apparatus and plasma processing method | |
KR102245821B1 (ko) | 배플 및 이를 가지는 기판 처리 장치 | |
US11171007B2 (en) | Plasma processing apparatus and plasma etching method | |
JP7175160B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2000331996A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2023053335A (ja) | 載置台及び基板処理装置 | |
US20210020408A1 (en) | Substrate support assembly, substrate processing apparatus, and edge ring | |
US20210319987A1 (en) | Edge ring, stage and substrate processing apparatus | |
JP5064708B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
US20200267826A1 (en) | Substrate processing apparatus | |
JP2021097065A (ja) | リングアセンブリ、基板支持体及び基板処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210804 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210804 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220523 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220607 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220729 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220816 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220913 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7142551 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |