JP2019102549A - 配線基板、及び、配線基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】電極群に集積回路の端子群を接合するための接合部の厚みにばらつきが生じ難い配線基板を実現する。【解決手段】配線基板（１）は、基板（１１）と、基板（１１）の第１主面に形成された電極群（１２）と、を備えている。基板（１１）の第２主面は、平坦である。基板（１１）の第２主面から各電極（１２＿ｉ）の頭頂部までの高さは、各電極（１２＿ｉ）の厚み（Ｂｉ）と該電極周辺の基板（１１）の厚み（Ａｉ）との和の最大値（Ｓmax＝Ａ１＋Ｂ１）よりも小さい。【選択図】図１

Description

本発明は、配線基板、及び、配線基板の製造方法に関する。

無線通信機器においては、複数のアンテナ素子からなるアンテナ素子群と、各アンテナ素子に接続された配線からなる配線群と、各配線に接続された電極からなる電極群とが基板表面に形成された配線基板が広く用いられている。このような配線基板は、しばしば、集積回路を実装した状態で使用される。配線基板への集積回路の実装は、通常、配線基板の電極群と集積回路の端子群とを半田等の接合部を介して接合することによって行わる。

このような配線基板においては、配線群を等長化する必要が生じることがある。例えば、アンテナ素子群をフェイズドアレイアンテナとして機能させる場合、配線群に含まれる経路の長さが異なると最大利得方向を所望の方向に制御することができなくなるため、配線群を等長化する必要が生じる。配線群が等長化された配線基板を開示した文献としては、例えば、特許文献１が挙げられる。

特許第５９７１５６６号公報

しかしながら、電極群が基板表面に形成された従来の配線基板においては、電極群に集積回路の端子群を接合するための接合部の厚みにばらつきが生じ易いという問題があった。

例えば、従来の配線基板４においては、図４の（ａ）に示すように、基板４１に反りが生じることがある。そうすると、配線基板４の電極群４２を構成する電極４２＿１，４２＿２，…から集積回路５の端子群５１を構成する端子５１＿１，５１＿２，…までの距離にばらつきが生じる。その結果、配線基板４の電極群４２と集積回路６の端子群５１との接合する接合部６＿１，６＿２，…の厚みにばらつきが生じる。

なお、同様の問題は、図４の（ｂ）に示すように、基板４１に窪みがある場合にも生じ得る。このような基板４１の窪みは、基板４１が多層基板である場合に、内部の配線層４１ｃが存在しない箇所において生じ易い。なお、図４の（ｂ）に例示した基板４１は、誘電体層４１ａ、接着剤層４１ｂ、配線層４１ｃ、及び誘電体層４１ｄを、この順に積層したものである。また、同様の問題は、図４の（ｃ）に示すように、電極群４２を構成する電極４２＿１，４２＿２，…の厚みにばらつきがある場合にも生じ得る。各電極４２＿ｉ（ｉ＝１，２，…）を流れる電流は、その電極４２＿ｉの表面を流れるからである。

配線基板の電極群と集積回路の端子群とを接合する接合部の厚みにばらつきが生じると、集積回路が実装された配線基板の性能が劣化する。例えば、特許文献１に記載の配線基板においては、配線基板の電極群と集積回路の端子群とを接合する接合部の厚みにばらつきが生じると、最大利得方向の制御性能が低下する。これは、集積回路の端子群から配線基板のアンテナ素子群までの電気長が不均一になるためである。

本発明は、上記の問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、電極群が形成された配線基板において、電極群に集積回路の端子群を接合するための接合部の厚みにばらつきが生じ難い配線基板を実現することにある。また、そのような配線基板を製造することが可能な製造方法を実現することにある。

上記の課題を解決するために、本発明に係る配線基板は、熱可塑性を有する基板と、上記基板の第１主面に形成された複数の電極からなる電極群と、を備え、上記基板の第２主面から上記電極群に含まれる各電極の頭頂部までの高さは、上記電極群に含まれる各電極の厚みと該電極周辺の上記基板の厚みとの和の最大値よりも小さい、ことを特徴とする。

上記の構成によれば、当該配線基板に集積回路を実装する場合に、当該配線基板の電極群と当該集積回路の端子群とを接合する接合部の厚みのばらつきを、従来の配線基板に当該集積回路を実装する場合よりも小さくすることができる。

本発明に係る配線基板において、上記基板の第２主面から上記電極群に含まれる各電極の頭頂部までの高さは、上記電極群に含まれる各電極の厚みと該電極周辺の上記基板の厚みとの和の最小値以下に揃っている、ことが好ましい。

上記の構成によれば、当該配線基板に集積回路を実装する場合に、当該配線基板の電極群と当該集積回路の端子群とを接合する接合部の厚みのばらつきを、更に小さくすることができる。

本発明に係る配線基板は、上記基板の第１主面又は第２主面に形成された、長さの等しい複数の配線からなる等長配線群を更に備え、上記電極群に含まれる各電極は、上記等長配線群に含まれる配線に接続されている、ことが好ましい。

上記の構成によれば、配線群が等長化された配線基板において、当該配線基板に集積回路を実装する場合に、当該配線基板の電極群と当該集積回路の端子群とを接合する接合部の厚みのばらつきを、従来の配線基板に当該集積回路を実装する場合よりも小さくすることができる。

本発明に係る配線基板は、上記基板の第１主面又は第２主面に形成された複数のアンテナ素子からなるアンテナ素子群を更に備え、上記電極群に含まれる各電極は、上記等長配線群に含まれる配線を介して、上記アンテナ素子群に含まれるアンテナ素子に接続されている、ことが好ましい。

上記の構成によれば、アンテナ素子群と電極群とを接続する配線群が等長化された配線基板において、当該配線基板に集積回路を実装する場合に、当該配線基板の電極群と当該集積回路の端子群とを接合する接合部の厚みのばらつきを、従来の配線基板に当該集積回路を実装する場合よりも小さくすることができる。

本発明に係る配線基板は、複数の端子からなる端子群を有する集積回路を更に備え、上記電極群に含まれる各電極は、接合部を介して、上記端子群に含まれる端子に接合されている、ことが好ましい。

上記の構成によれば、集積回路が実装された配線基板において、当該配線基板の電極群と上記集積回路の端子群とを接合する接合部の厚みのばらつきを、従来の配線基板に当該集積回路を実装する場合よりも小さくすることができる。

上記課題を解決するために、本発明に係る配線基板の製造方法は、熱可塑性を有する基板と上記基板の第１主面に形成された複数の電極からなる電極群とを備えた配線基板の製造方法であって、上記配線基板を加熱する加熱工程と、加熱された上記配線基板を互いに平行な２枚の平坦面で挟み込み、上記２枚の平坦面の間の距離が上記電極群に含まれる各電極の厚みと該電極周辺の上記基板の厚みとの和の最大値よりも小さくなるまで、上記２枚の平坦面を近づける矯正工程と、を含んでいる、ことを特徴とする。

上記の構成によれば、電極群を備えた配線基板であって、当該配線基板に集積回路を実装する場合に、当該配線基板の電極群と当該集積回路の端子群とを接合する接合部の厚みのばらつきを、従来の配線基板に当該集積回路を実装する場合よりも小さくすることが可能な配線基板を製造することができる。

本発明に係る配線基板の製造方法において、上記矯正工程は、加熱された上記配線基板を互いに平行な２枚の平坦面で挟み込み、上記２枚の平坦面の間の距離が上記電極群に含まれる各電極の厚みと該電極周辺の上記基板の厚みとの和の最小値以下になるまで、上記２枚の平坦面を近づける工程である、ことが好ましい。

上記の構成によれば、電極群を備えた配線基板であって、当該配線基板に集積回路を実装する場合に、当該配線基板の電極群と当該集積回路の端子群とを接合する接合部の厚みのばらつきを、更に小さくすることが可能な配線基板を製造することができる。

本発明の一態様によれば、電極群が形成された配線基板において、電極群に集積回路の端子群を接合するための接合部の厚みにばらつきが生じ難い配線基板を実現することができる。

本発明の一実施形態に係る配線基板の構成を示す図である。（ａ）は、配線基板の第１主面側の構成を示す平面図であり、（ｂ）は、配線基板の第２主面側の構成を示す平面図である。（ｃ）は、配線基板の好ましい構成を示す断面図であり、（ｄ）は、配線基板の更に好ましい構成を示す断面図である。 図１に示す配線基板の製造方法の流れを示すフローチャートである。 図２に示す製造方法の一実現例を示す図である。（ａ）は、加熱工程を実施する様子を示す模式図であり、（ｂ）〜（ｄ）は、矯正工程を実施する様子を示す模式図である。 従来の配線基板の構成を示す図である。（ａ）は、基板に反りのある配線基板の断面図であり、（ｂ）は、基板に窪みのある配線基板の断面図であり、（ｃ）は、電極の厚みにばらつきのある配線基板の断面図である。

（配線基板の構成）
本発明の一実施形態に係る配線基板１の構成について、図１を参照して説明する。図１において、（ａ）は、配線基板１の第１主面側の構成を示す平面図であり、（ｂ）は、配線基板１の第２主面側の構成を示す平面図である。（ｃ）は、配線基板１の好ましい構成を示す断面図であり、（ｄ）は、配線基板１の更に好ましい構成を示す断面図である。

なお、図１の（ｃ）及び（ｄ）に示す配線基板１の断面は、図１の（ａ）及び（ｂ）に示すαα’線で配線基板１を切断したときの断面である。ただし、配線基板１の特徴を分かり易く表現するために、各部の寸法は適宜調整されている。また、図１の（ｃ）及び（ｄ）においては、配線基板１に加えて、配線基板１に実装される集積回路２等を点線により示し、後述する配線群１３及びアンテナ素子群１４の図示は省略している。

配線基板１は、基板１１と、電極群１２と、配線群１３と、アンテナ素子群１４と、を備えている。電極群１２は、図１の（ａ）に示すように、基板１１の第１主面に形成されている。配線群１３及びアンテナ素子群１４は、図１の（ｂ）に示すように、基板１１の第２主面に形成されている。

基板１１は、誘電体材料により構成された、熱可塑性を有する板状部材である。基板１１の第１主面及び第２の主面は、平坦であってもよいし、窪み等の局所的な凹凸があってもよい。基板１１を構成する誘電体材料としては、例えば、フッ素系樹脂や液晶ポリマーなどの樹脂材料が挙げられる。

電極群１２は、複数の電極１２＿１，１２＿２，…の集合である。各電極１２＿ｉ（ｉ＝１，２，…）は、導体材料により構成されている。各電極１２＿ｉを構成する導体材料としては、例えば、銅などの金属材料が挙げられる。電極群１２は、例えば、プリント配線技術を用いて形成される。

配線群１３は、複数の配線１３＿１，１３＿２，…の集合である。各配線１３＿ｉ（ｉ＝１，２，…）は、導体材料により構成されている。各配線１３＿ｉを構成する導体材料としては、例えば、銅などの金属材料が挙げられる。配線群１３は、例えば、電極群１２と共にプリント配線技術を用いて形成される。本実施形態において、各配線１３＿ｉは、基板１１を貫通するビアを介して、対応する電極１２＿ｉに接続されている。また、本実施形態において、配線群１３は、４つの配線１３＿１〜１３＿４を有しており、各配線１３＿ｉは、４つの経路を有している。したがって、配線群１３は、計１６個の経路を有している。これら１６個の経路の長さは、全て等しい。このように、長さの等しい経路により構成される配線群のことを、「等長配線群」と呼ぶ。なお、本実施形態においては、配線群１３を基板１１の第２主面に形成する構成を採用しているが、配線群１３を基板１１の第１主面に形成する構成を採用しても構わない。

アンテナ素子群１４は、複数のアンテナ素子１４＿１，１４＿２，…の集合である。各アンテナ素子１４＿ｉ（ｉ＝１，２，…）は、導体材料により構成されている。各アンテナ素子１４＿ｉを構成する導体材料としては、例えば、銅などの金属材料が挙げられる。アンテナ素子群１４は、例えば、電極群１２及び配線群１３と共にプリント配線技術を用いて形成される。本実施形態において、各アンテナ素子１４＿ｉは、平面アンテナとして機能する４つの矩形導体により構成されている。各アンテナ素子１４＿ｉを構成する４つの矩形導体は、対応する配線１３＿ｉを構成する４つの経路を介して、対応する電極１２＿ｉに接続されている。なお、本実施形態においては、アンテナ素子群１４を基板１１の第２主面に形成する構成を採用しているが、アンテナ素子群１４を基板１１の第１主面に形成する構成を採用しても構わない。

この配線基板１には、図１の（ｃ）及び（ｄ）に示すように、集積回路２が実装される。集積回路２は、端子群２１を備えている。端子群２１は、複数の端子２１＿１，２１＿２，…の集合である。配線基板１への集積回路２の実装は、集積回路２の各端子２１＿ｉ（ｉ＝１，２，…）を、半田や銀ペーストなどの導体材料により構成された接合部３＿ｉ（ｉ＝１，２，…）を介して、対応する配線基板１の電極１２＿ｉに接合することにより実現される。

配線基板１においては、図１の（ｃ）に示すように、基板１１の第２主面から各電極１２＿ｉの頭頂部までの高さが、電極群１２に含まれる各電極１２＿ｉの厚みＢｉ（ｉ＝１，２，…）と該電極周辺の基板１１の厚みＡｉ（ｉ＝１，２，…）との和Ｓｉ＝Ａｉ＋Ｂｉの最大値Ｓmaxよりも小さいことが好ましい。なお、各電極１２＿ｉについて、該電極周辺の基板１１の厚みが一定でない場合、該電極周辺の基板１１の厚みの平均値を、該電極周辺の基板１１の厚みＡｉと見做すことができる。また、各電極１２＿ｉについて、該電極周辺の基板１１の厚みＡｉは、該電極が基板１１に埋め込まれる前の該電極直下の基板１１の厚みと言い換えることができる。

なお、図１の（ｃ）においては、各電極１２＿ｉの厚みＢｉの間にＢ１＞Ｂ２＞Ｂ３＞Ｂ４という関係が成り立ち、各電極１２＿ｉ周辺の基板１１の厚みＡｉの間にＡ１＝Ａ２＝Ａ３＝Ａ４という関係が成り立つ場合を例示している。この場合、電極群１２に含まれる各電極１２＿ｉの厚みＢｉと該電極周辺の基板１１の厚みＡｉとの和Ｓｉ＝Ａｉ＋Ｂｉの最大値Ｓmaxは、最も厚い電極１２＿１の厚みＢ１とその電極周辺の基板１１の厚みＡ１との和Ａ１＋Ｂ１になる。したがって、図１の（ｃ）に示す例においては、基板１１の第２主面から各電極１２＿ｉの頭頂部までの高さが、この最大値Ｓmax＝Ａ１＋Ｂ１よりも小さくなっている。このため、最も厚い電極１２＿１の下端が、基板１１に埋め込まれている。

以上のように構成された配線基板１によれば、集積回路２が実装された配線基板１における接合部３＿１，３＿２，…の厚みのばらつきを、全ての電極１２＿１，１２＿２，…が基板１１に埋め込まれていない場合よりも小さくすることができる。その結果、集積回路２が実装された配線基板１において生じ得る、接合部３＿１，３＿２，…の厚みのばらつきに起因する性能の劣化を抑えることができる。

また、配線基板１においては、図１の（ｄ）に示すように、基板１１の第２主面から各電極１２＿ｉの頭頂部までの高さが、電極群１２に含まれる各電極１２＿ｉの厚みＢｉと該電極周辺の基板１１の厚みＡｉとの和Ｓｉ＝Ａｉ＋Ｂｉの最小値Ｓmax以下に揃っていることが好ましい。

なお、図１の（ｄ）においては、各電極１２＿ｉの厚みＢｉの間にＢ１＞Ｂ２＞Ｂ３＞Ｂ４という関係が成り立ち、各電極１２＿ｉ周辺の基板１１の厚みＡｉの間にＡ１＝Ａ２＝Ａ３＝Ａ４という関係が成り立つ場合を例示している。この場合、電極群１２に含まれる各電極１２＿ｉの厚みＢｉと該電極周辺の基板１１の厚みＡｉとの和Ｓｉ＝Ａｉ＋Ｂｉの最小値Ｓminは、最も薄い電極１２＿４の厚みＢ４とその電極周辺の基板１１の厚みＡ４との和Ａ４＋Ｂ４になる。したがって、図１の（ｄ）に示す例においては、基板１１の第２主面から各電極１２＿ｉの頭頂部までの高さが、この最小値Ｓmin＝Ａ４＋Ｂ４に揃っている。このため、最も薄い電極１２＿４以外の電極１２＿１〜３の下端が、基板１１に埋め込まれている。

以上のように構成された配線基板１によれば、集積回路２が実装された配線基板１における接合部３＿１，３＿２，…の厚みを均一化することができる。その結果、集積回路２が実装された配線基板１において生じ得る、接合部３＿１，３＿２，…の厚みのばらつきに起因する性能の劣化を最小化することができる。

なお、本明細書において、基板１１の第２主面から各電極１２＿ｉの頭頂部までの高さが揃っているとは、基板１１の第２主面から各電極１２＿ｉの頭頂部までの高さのばらつきが配線長の許容誤差よりも小さいことを指す。例えば、ミリ波帯の高周波信号を処理する配線基板１における配線長の許容誤差は、１００μｍ程度である。したがって、基板１１の第２主面から各電極１２＿ｉの頭頂部までの高さのばらつきが１００μｍ以下であれば、基板１１の第２主面から各電極１２＿ｉの頭頂部までの高さは揃っていると見做すことができる。

（配線基板の製造方法）
本発明の一実施形態に係る製造方法Ｓ１について、図２を参照して説明する。図２は、製造方法Ｓ１の流れを示すフローチャートである。

製造方法Ｓ１は、基板１１に反りのある配線基板１から基板１１に反りのない配線基板１を製造する方法であり、図２に示すように、加熱工程Ｓ１１と、矯正工程Ｓ１２と、冷却工程Ｓ１３と、を含んでいる。加熱工程Ｓ１１、矯正工程Ｓ１２、及び冷却工程Ｓ１３の内容を説明すれば、以下のとおりである。

加熱工程Ｓ１１：基板１１に反りのある配線基板１を加熱する。基板１１は、熱可塑性を有するため、加熱により軟化して変形可能になる。

矯正工程Ｓ１２：加熱工程Ｓ１１において加熱された配線基板１を互いに平行に配置された２枚の平坦面Ｐ１，Ｐ２により挟み込み、２枚の平坦面Ｐ１，Ｐ２を近づける。これにより、基板１１の反りが解消され、基板１１の第１主面及び第２主面が平坦になる（窪みがある場合は、窪みを除いて平坦になる）。

冷却工程Ｓ１３：矯正工程Ｓ１２において基板１１の反りが解消された配線基板１を冷却する。基板１１は、熱可塑性を有するため、冷却により硬化して変形不可能になる。これにより、基板１１に反りのない配線基板１が得られる。

矯正工程Ｓ１２においては、２枚の平坦面Ｐ１，Ｐ２の間の距離Ｄが、電極群１２に含まれる各電極１２＿ｉの厚みＢｉと該電極周辺の基板１１の厚みＡｉとの和Ｓｉ＝Ａｉ＋Ｂｉの最大値Ｓmaxよりも小さくなるまで、２枚の平坦面Ｐ１，Ｐ２を近づけることが好ましい。これにより、矯正工程Ｓ１２において、最も厚い電極１２＿１の下端を、基板１１に埋め込み、基板１１の第２主面から各電極１２＿ｉの頭頂部までの高さを、上記の最大値Ｓmaxよりも小さくすることができる。この場合、図１の（ｃ）に示す好ましい配線基板１を製造することができる。なお、各電極１２＿ｉについて、該電極周辺の基板１１の厚みＡｉは、矯正工程Ｓ１２を実施する前の該電極直下の基板１１の厚みと言い換えることができる。

また、矯正工程Ｓ１２においては、２枚の平坦面Ｐ１，Ｐ２の間の距離Ｄが、電極群１２に含まれる各電極１２＿ｉの厚みＢｉと該電極周辺の基板１１の厚みＡｉとの和Ｓｉ＝Ａｉ＋Ｂｉの最小値Ｓmin以下になるまで、２枚の平坦面Ｐ１，Ｐ２を近づけることが更に好ましい。これにより、矯正工程Ｓ１２において、最も薄い電極１２＿４以外の電極１２＿１〜１２＿３の下端、又は全ての電極１２＿１〜１２＿４の下端を、基板１１に埋め込み、基板１１の第２主面から各電極１２＿ｉの頭頂部までの高さを、上記の最小値Ｓmin以下に揃えることができる。この場合、図１の（ｄ）に示す更に好ましい配線基板１を製造することができる。

なお、矯正工程Ｓ１２は、加熱工程Ｓ１１の後に実施されてもよいし、加熱工程Ｓ１１と並行して実施されてもよい。すなわち、配線基板１を加熱してから、２枚の平坦面Ｐ１，Ｐ２で挟み込んで加圧してもよいし、配線基板１を２枚の平坦面Ｐ１，Ｐ２で挟み込み、加熱しながら加圧してもよい。また、加熱工程Ｓ１１、矯正工程Ｓ１２、及び冷却工程Ｓ１３を実施することにより、基板１１の反りが完全に解消されることが好ましいが、これに限定されるものではない。すなわち、配線基板１の電極群１２に集積回路２の端子群２１を接合するための接合部３＿１，３＿２，…の厚みのばらつき小さくするという効果を得るためには、冷却工程Ｓ１３を実施した後の基板１１の反りが、加熱工程Ｓ１１を実施する前の基板１１の反りよりも小さければ十分であり、冷却工程Ｓ１３を実施した後の基板１１の反りが、完全に解消されていることを要さない。

また、配線基板１の製造方法Ｓ１は、加熱工程Ｓ１１の前に実施される前工程として、基板１１の表面に電極群１２を形成する電極形成工程（図２において不図示）を含んでいてもよい。この電極形成工程において、配線群１３及びアンテナ素子群１４を、電極群１２と共にプリント配線技術を用いて形成しても構わない。また、配線基板１の製造方法Ｓ１は、冷却工程Ｓ１３の後に実施される後工程として、集積回路２を配線基板１に実装する集積回路実装工程（図２において不図示）を含んでいてもよい。この集積回路実装工程は、例えば、集積回路２の各端子２１＿ｉを配線基板１の対応する電極１２＿ｉに接合することにより実現することができる。

本実施形態に係る製造方法Ｓ１の一実現例について、図３を参照して説明する。図３において、（ａ）は、加熱工程Ｓ１１を実施する様子を示す模式図であり、（ｂ）〜（ｄ）は、矯正工程Ｓ１２を実施する様子を示す模式図である。

図３に示した実現例は、ステージ９１と、押圧板９２と、移動機構９３と、を用いて製造方法Ｓ１を実現するものである。上述した平坦面Ｐ１は、ステージ９１の上面によって実現され、上述した平坦面Ｐ２は、押圧板９２の下面によって実現される。押圧板９２は、その下面がステージ９１の上面に対して平行に対向するように、ステージ９１の上方に配置され、ステージ９１の上面に直交する方向に移動可能なように、移動機構９３によって保持されている。また、ステージ９１には、ステージ９１の上面に載置された配線基板１を加熱するためのヒータが内蔵されている。

まず、図３の（ａ）に示すように、基板１１に歪みのある配線基板１をステージ９１の上面に載置し、ステージ９１に内蔵されたヒータを作動させる。これにより、基板１１に反りのある配線基板１を加熱する加熱工程Ｓ１１が実現される。

次に、図３の（ｂ）に示すように、押圧板９２を降下させる。これにより、加熱工程Ｓ１１において加熱された配線基板１をステージ９１の上面と押圧板９２の下面との間に挟み込み、ステージ９１の上面と押圧板９２の下面とを近づける矯正工程Ｓ１２が実現される。これにより、基板１１の反りが解消され、基板１１の第１主面及び第２主面が平坦になる（窪みがある場合は、窪みを除いて平坦になる）。

なお、押圧板９２の降下は、図３の（ｃ）に示すように、ステージ９１の上面と押圧板９２の下面との間の距離Ｄが、電極群１２に含まれる各電極１２＿ｉの厚みＢｉと該電極周辺の基板１１の厚みＡｉとの和Ｓｉ＝Ａｉ＋Ｂｉの最大値Ｓmaxよりも小さくなるまで行うことが好ましい。これにより、矯正工程Ｓ１２において、最も厚い電極１２＿１の下端を、基板１１に埋め込み、基板１１の第２主面から各電極１２＿ｉの頭頂部までの高さを、上記の最大値Ｓmaxよりも小さくすることができる。

また、押圧板９２の降下は、図３の（ｄ）に示すように、ステージ９１の上面と押圧板９２の下面との間の距離Ｄが、電極群１２に含まれる各電極１２＿ｉの厚みＢｉと該電極周辺の基板１１の厚みＡｉとの和Ｓｉ＝Ａｉ＋Ｂｉの最小値Ｓmin以下になるまで行うことが更に好ましい。これにより、矯正工程Ｓ１２において、最も薄い電極１２＿４以外の電極１２＿１〜１２＿３の下端、又は全ての電極１２＿１〜１２＿４の下端を、基板１１に埋め込み、基板１１の第２主面から各電極１２＿ｉの頭頂部までの高さを、上記の最小値Ｓmin以下に揃えることができる。

次に、ステージ９１に内蔵されたヒータを停止する。これにより、矯正工程Ｓ１２において基板１１の反りが解消された配線基板１を冷却（この場合、自然冷却）する冷却工程Ｓ１３が実現される。

なお、ここでは、基板１１に反りのある配線基板１から基板１１に反りのない配線基板１を製造する方法について説明したが、本実施形態に係る製造方法Ｓ１の適用範囲は、これに限定されない。すなわち、本実施形態に係る製造方法Ｓ１によれば、基板１１の第１主面及び／又は第２主面に局所的な凹凸（窪み又は膨れ）のある配線基板１から、基板１１の第２主面から各電極１２＿ｉの頭頂部までの高さが、（１）電極群１２に含まれる各電極１２＿ｉの厚みＢｉと該電極周辺の基板１１の厚みＡｉとの和Ｓｉ＝Ａｉ＋Ｂｉの最大値Ｓmaxよりも小さいか、又は、（２）電極群１２に含まれる各電極１２＿ｉの厚みＢｉと該電極周辺の基板１１の厚みＡｉとの和Ｓｉ＝Ａｉ＋Ｂｉの最小値Ｓmin以下に揃った配線基板１を製造することもできる。この場合、基板１１の局所的な凹凸は解消されないものの、基板１１の第２主面から各電極１２＿ｉの頭頂部までの高さが（１）又は（２）のようになるので、集積回路２が実装された配線基板１における接合部３＿１，３＿２，…の厚みのばらつきを、（１）全ての電極１２＿１，１２＿２，…が基板１１に埋め込まれていない場合よりも小さくするか、又は、（２）最小化することができる。

（付記事項）
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。

１ 配線基板
１１ 基板
１２ 電極群
１３ 配線群
１４ アンテナ素子群
２ 集積回路
２１ 端子群
Ｓ１ 配線基板の製造方法
Ｓ１１ 加熱工程
Ｓ１２ 矯正工程
Ｓ１３ 冷却工程

Claims (7)

1. 熱可塑性を有する基板と、
   上記基板の第１主面に形成された複数の電極からなる電極群と、を備え、
   上記基板の第２主面から上記電極群に含まれる各電極の頭頂部までの高さは、上記電極群に含まれる各電極の厚みと該電極周辺の上記基板の厚みとの和の最大値よりも小さい、
   ことを特徴とする配線基板。
2. 上記基板の第２主面から上記電極群に含まれる各電極の頭頂部までの高さは、上記電極群に含まれる各電極の厚みと該電極周辺の上記基板の厚みとの和の最小値以下に揃っている、
   ことを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
3. 上記基板の第１主面又は第２主面に形成された、複数の配線からなる等長配線群を更に備え、
   上記電極群に含まれる各電極は、上記等長配線群に含まれる配線に接続されている、
   ことを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板。
4. 上記基板の第１主面又は第２主面に形成された複数のアンテナ素子からなるアンテナ素子群を更に備え、
   上記電極群に含まれる各電極は、上記等長配線群に含まれる配線を介して、上記アンテナ素子群に含まれるアンテナ素子に接続されている、
   ことを特徴とする請求項３に記載の配線基板。
5. 複数の端子からなる端子群を有する集積回路を更に備え、
   上記電極群に含まれる各電極は、接合部を介して、上記端子群に含まれる端子に接合されている、
   ことを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の配線基板。
6. 熱可塑性を有する基板と上記基板の第１主面に形成された複数の電極からなる電極群とを備えた配線基板の製造方法であって、
   上記配線基板を加熱する加熱工程と、
   加熱された上記配線基板を互いに平行な２枚の平坦面で挟み込み、上記２枚の平坦面の間の距離が上記電極群に含まれる各電極の厚みと該電極周辺の上記基板の厚みとの和の最大値よりも小さくなるまで、上記２枚の平坦面を近づける矯正工程と、を含んでいる、
   ことを特徴とする、配線基板の製造方法。
7. 上記矯正工程は、加熱された上記配線基板を互いに平行な２枚の平坦面で挟み込み、上記２枚の平坦面の間の距離が上記電極群に含まれる各電極の厚みと該電極周辺の上記基板の厚みとの和の最小値以下になるまで、上記２枚の平坦面を近づける工程である、
   ことを特徴とする請求項６に記載の配線基板の製造方法。

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