JP2000151034A - セラミック回路基板 - Google Patents

セラミック回路基板

Info

Publication number
JP2000151034A
JP2000151034A JP10328590A JP32859098A JP2000151034A JP 2000151034 A JP2000151034 A JP 2000151034A JP 10328590 A JP10328590 A JP 10328590A JP 32859098 A JP32859098 A JP 32859098A JP 2000151034 A JP2000151034 A JP 2000151034A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit board
ceramic substrate
ceramic
metal
convex member
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10328590A
Other languages
English (en)
Inventor
Kouichiro Sugai
広一朗 菅井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Priority to JP10328590A priority Critical patent/JP2000151034A/ja
Publication of JP2000151034A publication Critical patent/JP2000151034A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Structure Of Printed Boards (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】セラミック基板に金属回路板を取着した際にセ
ラミック基板に大きな反りが発生してしまう。 【解決手段】セラミック基板1の表面に金属層2を被着
させるとともに、該金属層2に金属回路板3をロウ材4
を介して取着して成るセラミック回路基板であって、前
記セラミック基板1の表面外周部に枠状の凸部材1aを
取着するとともに、該凸部材1aの熱膨張係数を前記セ
ラミック基板1の熱膨張係数に対して5ppm/℃以下
の差とした。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、セラミック基板に
金属回路板をロウ付けにより接合させたセラミック回路
基板に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、パワーモジュール用基板やスイッ
チングモジュール用基板等の回路基板として、セラミッ
ク基板上に銅等から成る金属回路板をロウ付けにより接
合させたセラミックス回路基板がよく用いられている。
【0003】かかるセラミック回路基板は一般に、
(1)酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化マグネシウ
ム、酸化カルシウム等からなるセラミック原料粉末に有
機溶剤、溶媒を添加混合して泥漿物を作り、次にこれを
従来周知のドクターブレード法やカレンダーロール法等
によりシート状に成形して四角形状のセラミックグリー
ンシート(セラミック生シート)を形成し、(2)次に
前記セラミックグリーンシートの表面に、タングステン
やモリブデン等の高融点金属粉末に有機溶剤、溶媒を添
加混合して得た金属ペーストをスクリーン印刷法等の厚
膜形成技術を採用することによって所定パターンに印刷
塗布し、(3)次に前記金属ペーストを印刷塗布したセ
ラミックグリーンシートを還元雰囲気中、約1600℃
の温度で焼成し、セラミックグリーンシートと金属ペー
ストとを焼結一体化させて上面に金属層を有する酸化ア
ルミニウム質焼結体から成るセラミック基板を形成し、
(4)最後に、前記セラミック基板上面の金属層上に銅
等から成る所定パターンの金属回路板を間に銀ロウ等の
ロウ材を挟んで載置させるとともにこれを還元雰囲気
中、約900℃の温度に加熱してロウ材を溶融させ、該
溶融したロウ材で金属層の表面全面と金属回路板の下面
全面とを接合することによって作成されている。
【0004】なお、前記セラミック回路基板は、例え
ば、セラミック基板の両端にねじ止め用の貫通孔を形成
しておき、セラミック回路基板を支持部材上に載置させ
るとともにセラミック回路基板の上面側より貫通孔内に
ネジ等を挿入し、そのネジの先端を支持部材に設けたネ
ジ溝に螺着させることによって支持部材上に固定される
ようになっている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来のセラミック回路基板においては、セラミック基板を
形成する酸化アルミニウム質焼結体の熱膨張係数が約7
ppm/℃、金属回路板を形成する銅の熱膨張係数が約
18ppm/℃であり、両者の熱膨張係数が大きく相違
することから、セラミック基板の表面に被着させた金属
層に金属回路板をロウ付けによって接合させた場合、セ
ラミック基板と金属回路板との間に両者の熱膨張係数の
相違に起因する大きな応力が発生し、該応力によってセ
ラミック回路基板に大きな反りが発生するという欠点を
有していた。またセラミック回路基板を支持部材上に、
例えば、ネジ等を使用して固定した場合、セラミック回
路基板に反りを是正する方向の応力が発生するとともに
これが金属回路板の外周部に集中し、金属回路板の外周
部に位置するセラミック基板にクラックや割れ等が発生
するという欠点も有していた。
【0006】本発明は上記欠点に鑑み案出されたもの
で、その目的はセラミック基板にクラックや割れ等が発
生することのない平坦なセラミック回路基板を提供する
ことにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、セラミック基
板の表面に金属層を被着させるとともに、該金属層に金
属回路板をロウ材を介して取着して成るセラミック回路
基板であって、前記セラミック基板の表面外周部に枠状
の凸部材を取着するとともに、該凸部材の熱膨張係数を
前記セラミック基板の熱膨張係数に対して5ppm/℃
以下の差としたことを特徴とするものである。
【0008】また本発明は、前記凸部材の厚みが前記セ
ラミック基板の厚みの0.5倍以上であり、かつ幅が
0.2mm以上であることを特徴とするものである。
【0009】本発明のセラミック回路基板によれば、セ
ラミック基板の外周部に、前記セラミック基板の熱膨張
係数との差が5ppm/℃以下である枠状の凸部材を、
例えば、厚みをセラミック基板の厚みの0.5倍以上
に、幅を0.2mm以上として取着したことから、セラ
ミック基板の表面に取着させた金属層に金属回路板をロ
ウ付けにより接合させる際、セラミック基板と金属回路
板との間に両者の熱膨張係数の相違に起因する応力が発
生し、該応力によってセラミック基板に反りが発生しよ
うとしても、その反りの発生は前記セラミック基板の外
周部に取着された枠状の凸部材が反りに対して梁の作用
をなすことによって有効に防止され、その結果、セラミ
ック回路基板は平坦となる。
【0010】またこのセラミック回路基板を支持部材上
に、例えば、ネジ等を使用して固定した場合、セラミッ
ク回路基板は平坦であることからセラミック回路基板に
反りを是正する方向の応力が発生することはなく、該是
正の応力によってセラミック基板にクラックや割れ等が
発生することもない。更に前記凸部材の熱膨張係数はセ
ラミック基板の熱膨張係数に対して5ppm/℃以下の
差であることから、セラミック基板と凸部材との間に、
両者の熱膨張係数の相違により大きな応力が発生するこ
ともなく、セラミック基板に凸部材を強固に取着させて
おくこともできる。
【0011】
【発明の実施の形態】次に、本発明を添付図面に基づき
詳細に説明する。図1は、本発明のセラミック回路基板
の一実施例を示し、1はセラミック基板、2は金属層、
3は金属回路板である。
【0012】前記セラミック基板1は四角形状をなし、
その上面の中央領域に金属層2が被着されており、該金
属層2には金属回路板3がロウ付けされている。
【0013】前記セラミック基板1は、例えば、酸化ア
ルミニウム質焼結体等から成り、酸化アルミニウム、酸
化珪素、酸化マグネシウム、酸化カルシウム等の原料粉
末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して泥漿状となす
とともにこれを従来周知のドクターブレード法やカレン
ダーロール法等を採用し、シート状に成形してセラミッ
クグリーンシート(セラミック生シート)を得、次に、
前記セラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を
施し、所定形状となすとともにこれを高温(約1600
℃)で焼成することによって、あるいは酸化アルミニウ
ム等の原料粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して
原料粉末を調整するとともに該原料粉末をプレス成形機
によってに所定形状に形成し、しかる後、前記形成体を
約1600℃の温度で焼成することによって製作され
る。
【0014】また前記セラミック基板1はその上面に金
属層2が被着されており、該金属層2は金属回路板3を
セラミック基板1にロウ付けする際の下地金属層として
作用する。
【0015】前記金属層2はタングステン、モリブデ
ン、マンガン等の高融点金属粉末により形成されてお
り、タングステンやモリブデン、マンガン等の高融点金
属粉末に適当な有機バインダー、溶剤、可塑剤等を添加
混合して得た金属ペーストを焼成によってセラミック基
板1となるセラミックグリーンシートの上面に予め従来
周知のスクリーン印刷法等により所定パターンに印刷塗
布しておくことによってセラミック基板1の上面に所定
パターン、所定厚み(10〜50μm)に被着される。
【0016】なお、前記金属層2はその表面にニッケ
ル、金等の良導電性で、耐蝕性及びロウ材との濡れ性が
良好な金属をメッキ法により1μm乃至20μmの厚み
に被着させておくと、金属層2の酸化腐食を有効に防止
することができるとともに金属層2と金属回路板3との
ロウ付けを極めて強固になすことができる。従って、前
記金属層2の酸化腐食を有効に防止し、金属層2と金属
回路板3とのロウ付けを強固と成すには金属層2の表面
にニッケル、金等の良導電性で、耐蝕性及びロウ材との
濡れ性が良好な金属を1μm乃至20μmの厚みに層着
させておくことが好ましい。
【0017】また前記金属層2の上面には金属回路板3
がロウ材4を介して取着されている。
【0018】前記金属回路板3は銅やアルミニウム等の
金属材料から成り、セラミック基板1の上面に形成した
金属層2上に金属回路板3を、例えば、銀ロウ材(銀:
72重量%、銅:28重量%)やアルミニウムロウ材
(アルミニウム:88重量%、シリコン:12重量%)
等からなるロウ材4を挟んで載置させ、しかる後、これ
を真空中もしくは中性、還元性雰囲気中、所定温度(銀
ロウ材の場合は約900℃、アルミニウムロウ材の場合
は約600℃)で加熱処理し、ロウ材4を溶融せしめる
とともに金属層2の上面と金属回路板3の下面とに接合
させることによってセラミック基板1上に取着されるこ
ととなる。
【0019】なお、前記銅やアルミニウム等からなる金
属回路板3は、銅やアルミニウム等のインゴット(塊)
に圧延加工法や打ち抜き加工法等、従来周知の金属加工
法を施すことによって、例えば、厚さが500μmで、
金属層2のパターン形状に対応する所定パターン形状に
形成される。
【0020】また前記金属回路板3はその表面に、ニッ
ケル、金等の良導電性で、且つ耐蝕性及びロウ材4との
濡れ性が良好な金属をメッキ法により1μm乃至20μ
mの厚みに被着させておくと、金属回路板3の酸化腐食
を有効に防止し、且つ金属回路板3と外部電気回路との
電気的接続を良好となすとともに金属回路板3に半導体
素子等の電子部品を強固に固着させることができる。従
って、前記金属回路板3はその表面にニッケル、金等を
1μm乃至20μmの厚みに層着させておくことが好ま
しい。
【0021】更に、前記上面に金属回路板3が取着され
ているセラミック基板1はその外周部に断面が四角形状
をなす枠状の凸部材1aが取着されている。
【0022】前記凸部材1aはセラミック基板1に反り
が発生するのを防止する梁の作用をなし、セラミック基
板1に被着される金属層2に金属回路板3を銀ロウ等の
ロウ材4を介してロウ付けする際、金属回路板3とセラ
ミック基板1との間に両者の熱膨張係数の相違により応
力が発生し、該応力によってセラミック基板1に反りが
発生しようとしてもその反りの発生は前記凸部材1aが
梁の作用をなすことから有効に阻止され、セラミック回
路基板は平坦となる。
【0023】前記凸部材1aは鉄−ニッケル−コバルト
合金、鉄−ニッケル合金、タングステン、モリブデン、
銅−タングステン合金等の金属材料、或いは酸化ベリリ
ウム質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、酸化アルミ
ニウム質焼結体等の無機物から形成されている。
【0024】前記セラミック基板1の外周部への凸部材
1aの被着は、凸部材1aが、例えば、酸化アルミニウ
ム質焼結体等の無機物からなる場合、酸化アルミニウ
ム、酸化珪素、酸化マグネシウム、酸化カルシウムに有
機溶剤、溶媒等を添加混合して原料粉末を調整し、次に
これを所定の金型内に充填するとともに一定圧力を押圧
して成形体を得、しかる後、この成形体を焼成によって
セラミック基板1となるセラミックグリーンシートの上
面外周部に載置させておき、セラミックグリーンシート
の焼成と同時に焼成することによってセラミック基板1
の上面外周部に取着され、また鉄−ニッケル−コバルト
合金等の金属材料から成る場合には、セラミック基板1
の上面外周部に予めモリブデン、タングステン、マンガ
ン等の高融点金属粉末から成る枠状のメタライズ金属層
を被着させておき、該メタライズ金属層に金属材料から
なる凸部材1aをロウけすることによってセラミック基
板1の上面外周部に取着される。
【0025】前記凸部材1aはまたその熱膨張係数がセ
ラミック基板1の熱膨張係数に対して5ppm/℃以下
の差となる材質より形成されており、そのためセラミッ
ク基板1と凸部材1aの両者に熱が印加されても両者間
に大きな熱応力が発生することはなく、凸部材1aをセ
ラミック基板1上に極めて強固に被着させておくことが
できる。
【0026】なお、前記凸部材1aはその熱膨張係数が
セラミック基板1の熱膨張係数に対し5ppm以上の差
を有したものとなるとと凸部材1aをセラミック基板1
との間に発生する熱応力によって凸部材1aがセラミッ
ク基板1より剥離してしまう。従って、前記凸部材1a
はその熱膨張係数をセラミック基板1の熱膨張係数に対
し5ppm以下としておくことに特定される。
【0027】また、前記凸部材1aはその厚みがセラミ
ック基板1の厚みの0.5倍未満、あるいは幅が0.2
mm未満となると、セラミック基板1と金属回路板3と
の間に発生する応力によってセラミック基板1に反りが
発生してしまう危険性がある。従って、前記セラミック
基板1に反りが全く発生しないようにするには前記凸部
材1aの厚みはセラミック基板1の厚みの0.5倍以
上、幅は0.2mm以上としておくことが好ましい。
【0028】更に、前記凸部材1aはセラミック基板1
の外周部全域にわたって設ける必要はなく、外周各辺に
任意の長さに設けておいて枠状としてもよい。
【0029】また更に、前記凸部材1aはセラミック基
板1の上面側外周部のみに形成されるものではなく、上
下両面の外周部に形成しておいてもよい。セラミック基
板1の上下両面の外周部に凸部材1aを形成した場合、
セラミック基板1の上面側に取着された凸部材1aの厚
みと下面側に取着された凸部材1aの厚みの合計がセラ
ミック基板1の厚みに対し0.5倍以上となるようにし
ておくとセラミック基板1に反りが発生するのを極めて
有効に防止することができる。
【0030】更にまた、前記凸部材1aはその断面が四
角形状のものに限定されるものではなく、三角形上や半
円形状等であってもよい。
【0031】また一方、前記四角形状をなすセラミック
基板1はその両端に上下に貫通する孔径が、例えば、3
mm〜4mmの貫通孔5が形成されている。
【0032】前記貫通孔5はセラミック回路基板を支持
部材(不図示)上にネジ等を用いて固定する際、ネジの
挿通孔として作用し、セラミック回路基板を支持部材上
に載置させるとともにセラミック基板1の上面側より貫
通孔5内にネジ等を挿入し、そのネジの先端を支持部材
に設けたネジ溝に螺着させることによってセラミック回
路基板は支持部材上に固定されるようになっている。こ
の場合、セラミック回路基板は凸部材1aの形成により
平坦となっていることからセラミック回路基板の反りを
是正する応力が発生することはなく、該応力によってセ
ラミック基板1にクラックや割れ等が発生することもな
くなる。
【0033】前記貫通孔5はセラミック基板1にドリル
孔あけ加工を施すことによってセラミック基板1の両端
の所定位置に所定形状に形成される。
【0034】かくして、上述のセラミック回路基板によ
れば、セラミック基板1の上面に取着させた金属回路板
3に半導体素子等の電子部品を固着させ、半導体素子等
の電極をボンディングワイヤ等の電気的接続手段を介し
て金属回路板3に電気的に接続させれば半導体素子等の
電子部品はセラミック回路基板に実装され、金属回路板
3を外部電気回路と接続される。
【0035】〔実験例〕次に本発明の作用効果を以下の
実験例に基づき説明する。まず、厚さ:0.5mm、
幅:25mm、長さ:50mmの酸化アルミニウム質焼
結体から成るセラミック基板を準備する。
【0036】次に前記セラミック基板の上面外周部に表
1に示す幅;(mm)、厚さ;h(mm)を有する枠状
の凸部材を形成し、しかる後、前記セラミック基板の短
辺部を支持してセラミック基板の中央部を押圧し、セラ
ミック基板に100μmのたわみが発生する際の荷重の
大きさを調べ、その荷重の大きさによってセラミック基
板の反りの発生のし易さを確認した。
【0037】上記の結果を表1に示す。
【0038】
【表1】
【0039】表1の結果から判るように、上面外周部に
凸部材を設けていない従来のセラミック基板は0.32
kgfという小さな荷重によって100μmのたわみが
発生し、極めて反りを発生し易いものであるのに対し、
本発明のセラミック基板の上面外周部に凸部材を設けた
ものは0.55kgf以上という従来品に比べ1.7倍
以上の荷重を加えた際にはじめて100μmのたわみが
発生し、反りが発生し難いことが判る。特に凸部材の厚
みをセラミック基板の厚みに対し、0.5倍以上、幅を
0.2mm以上とすると1.1kgf以上という従来品
に比べ約3倍以上の荷重を加えなければセラミック基板
に100μmのたわみは発生せず、極めて反りが発生し
難いことが判る。
【0040】なお、本発明は上述の実施例に限定される
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば
種々の変更は可能であり、例えば、セラミック回路基板
として熱放散性が要求される場合には、セラミック基板
を酸化アルミニウム質焼結体に代えて熱伝導率の優れた
窒化アルミニウム質焼結体や窒化珪素質焼結体で形成す
ればよい。
【0041】
【発明の効果】本発明のセラミック回路基板によれば、
セラミック基板の外周部に、前記セラミック基板の熱膨
張係数との差が5ppm/℃以下である枠状の凸部材
を、例えば、厚みをセラミック基板の厚みの0.5倍以
上に、幅を0.2mm以上として取着したことから、セ
ラミック基板の表面に取着させた金属層に金属回路板を
ロウ付けにより接合させる際、セラミック基板と金属回
路板との間に両者の熱膨張係数の相違に起因する応力が
発生し、該応力によってセラミック基板に反りが発生し
ようとしても、その反りの発生は前記セラミック基板の
外周部に取着された枠状の凸部材が反りに対して梁の作
用をなすことによって有効に防止され、その結果、セラ
ミック回路基板は平坦となる。
【0042】またこのセラミック回路基板を支持部材上
に、例えば、ネジ等を使用して固定した場合、セラミッ
ク回路基板は平坦であることからセラミック回路基板に
反りを是正する方向の応力が発生することはなく、該是
正の応力によってセラミック基板にクラックや割れ等が
発生することもない。更に前記凸部材の熱膨張係数はセ
ラミック基板の熱膨張係数に対して5ppm/℃以下の
差であることから、セラミック基板と凸部材との間に、
両者の熱膨張係数の相違により大きな応力が発生するこ
ともなく、セラミック基板に凸部材を強固に取着させて
おくこともできる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の配線基板の一実施例を示す断面図であ
る。
【符号の説明】
1・・・・セラミック基板 1a・・・凸部材 2・・・・金属層 3・・・・金属回路板 4・・・・ロウ材 5・・・・貫通孔

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】セラミック基板の表面に金属層を被着させ
    るとともに、該金属層に金属回路板をロウ材を介して取
    着して成るセラミック回路基板であって、前記セラミッ
    ク基板の表面外周部に枠状の凸部材を取着するととも
    に、該凸部材の熱膨張係数を前記セラミック基板の熱膨
    張係数に対して5ppm/℃以下の差としたことを特徴
    とするセラミック回路基板。
  2. 【請求項2】前記凸部材の厚みが前記セラミック基板の
    厚みの0.5倍以上であり、かつ幅が0.2mm以上で
    あることを特徴とする請求項1に記載のセラミック回路
    基板。
JP10328590A 1998-11-18 1998-11-18 セラミック回路基板 Pending JP2000151034A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10328590A JP2000151034A (ja) 1998-11-18 1998-11-18 セラミック回路基板

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10328590A JP2000151034A (ja) 1998-11-18 1998-11-18 セラミック回路基板

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000151034A true JP2000151034A (ja) 2000-05-30

Family

ID=18211982

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10328590A Pending JP2000151034A (ja) 1998-11-18 1998-11-18 セラミック回路基板

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2000151034A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016056203A1 (ja) * 2014-10-07 2016-04-14 Dowaメタルテック株式会社 金属-セラミックス回路基板およびその製造方法
CN106132069A (zh) * 2016-06-28 2016-11-16 广东欧珀移动通信有限公司 Pcb板及具有其的移动终端
EP3471517A4 (en) * 2016-06-10 2019-06-05 Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. CERAMIC CONDUCTOR PLATE AND METHOD FOR PRODUCING A CERAMIC CONDUCTOR PLATE

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016056203A1 (ja) * 2014-10-07 2016-04-14 Dowaメタルテック株式会社 金属-セラミックス回路基板およびその製造方法
JP2016074565A (ja) * 2014-10-07 2016-05-12 Dowaメタルテック株式会社 金属−セラミックス回路基板およびその製造方法
EP3471517A4 (en) * 2016-06-10 2019-06-05 Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. CERAMIC CONDUCTOR PLATE AND METHOD FOR PRODUCING A CERAMIC CONDUCTOR PLATE
US10485112B2 (en) 2016-06-10 2019-11-19 Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. Ceramic circuit substrate and method for producing ceramic circuit substrate
CN106132069A (zh) * 2016-06-28 2016-11-16 广东欧珀移动通信有限公司 Pcb板及具有其的移动终端

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2003101184A (ja) セラミック回路基板およびその製造方法
JPH09275166A (ja) 窒化アルミニウム基材を用いた半導体装置用部材及びその製造方法
JP2000151034A (ja) セラミック回路基板
JP2003133662A (ja) セラミック回路基板
JP3709085B2 (ja) セラミック回路基板
JP3677398B2 (ja) セラミック回路基板および電子装置
JP3688884B2 (ja) セラミック回路基板
JP2002246717A (ja) セラミック回路基板
JP2000340715A (ja) 半導体素子搭載用配線基板およびこれを用いた半導体装置
JP2002043478A (ja) セラミック回路基板
JP2000340716A (ja) 配線基板
WO2021200801A1 (ja) セラミックス回路基板、電子デバイス、金属部材、及びセラミックス回路基板の製造方法
WO2022019242A1 (ja) 回路基板および回路基板の製造方法
JP2001210948A (ja) セラミック回路基板
JP2004014827A (ja) 高周波用パッケージの製造方法
JP4427467B2 (ja) 配線基板およびそれを用いた電気素子モジュール
JPH07211822A (ja) 半導体素子収納用パッケージ
JP2005101415A (ja) セラミックス回路基板およびその製造方法
JP2003100983A (ja) セラミック回路基板
JPH11289037A (ja) 放熱用金属板およびそれを用いた電子部品用パッケージ
JPH05267496A (ja) セラミックス配線基板の製造方法
JP2002009403A (ja) セラミック回路基板および半導体素子モジュール
JP2001094223A (ja) セラミック回路基板
JP3709168B2 (ja) 半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置
JP3236836B2 (ja) 電子装置

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20050428

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050517

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20050920