JP2019095108A - グロープラグ用セラミックヒータ及びグロープラグ - Google Patents

Abstract

【課題】簡易な構成で高い耐熱衝撃性を実現可能なセラミックヒータ及びセラミックグロープラグを提供する。【解決手段】本発明に係るグロープラグ１は、Ｕ字形に形成された発熱部１２を有する導電性セラミックス１１と、少なくとも発熱部１２を覆う絶縁性セラミックス１６と、を備える。絶縁性セラミックス１６は、外側に膨らむ曲面を外周面１６ｂに有する。発熱部１２は、絶縁性セラミックス１６の外周面１６ｂに近接する外面１２ｄと、その反対側の内面１２ｅと、を有する。発熱部１２の外面１２ｄは、絶縁性セラミックス１６の外周面１６ｂに沿うように形成されており、発熱部１２の内面１２ｅは、平面であるまたは凹んでいる。【選択図】図２

Description

本発明は、ディーゼルエンジン等の内燃機関の始動補助として使用されるグロープラグ用のセラミックヒータ及び当該セラミックヒータを備えたグロープラグに関する。

ディーゼルエンジンの始動補助用に使用されるグロープラグとして、セラミックスヒータ型グロープラグが知られている。このようなセラミックスヒータ型グロープラグは、セラミックヒータを備えており、当該セラミックヒータは、発熱部を有する導電性セラミックスと、導電性セラミックスを覆う絶縁性セラミックスを有している（例えば、特許文献１参照。）。

特開２００２−３３４７６８号公報

従来のセラミックヒータの多くは、軸線方向に延在する一対の延在部と、前記一対の延在部の各々の端部に接続された湾曲部と、を有するＵ字形に形成されている発熱部を有する導電性セラミックスを備えている。その一対の延在部は、特許文献１の図８（ｄ）に示されるように、軸線方向に垂直な断面が楕円形となるように形成されている。そして、その一対の延在部を絶縁性セラミックスが覆っている。このように一対の延在部の断面が楕円形の場合、絶縁性セラミックスの表面上において、発熱部に近い部分と遠い部分が存在することになる。このため、これらの部分の間で大きな温度差が生じ得る。

内燃機関始動フェーズ、特にコールドスタート時において、燃焼室内に浸入した水がセラミックヒータの表面に付着し、セラミックヒータの表面が急速に冷却される、いわゆる熱衝撃に曝されることがある。このとき、セラミックヒータの表面上に上記のような温度差が生じていると、表面が急冷された結果、セラミックヒータの内部で異なる熱膨張が生じ、ひいてはセラミックヒータの表面付近で大きさの異なる引張応力が生じる。このような異なる引張応力によるセラミックヒータの割れなどを防止すべく、絶縁性セラミックスのうち発熱部との間の薄肉部をあまり薄くすることができず、セラミックヒータの表面の温度を迅速に上昇させることができないなど、改善の余地があった。

そこで本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、簡易な構成で高い耐熱衝撃性を実現可能なセラミックヒータ及びセラミックグロープラグを提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明に係るセラミックヒータは、Ｕ字形に形成された発熱部を有する導電性セラミックスと、少なくとも発熱部を覆う絶縁性セラミックスと、を備え絶縁性セラミックスは、外側に膨らむ曲面を外面に有し、発熱部は、曲面に近接する外面と、その反対側の内面と、を有し、発熱部の外面は、曲面に沿うように形成されており、発熱部の内面は、平面であるまたは凹んでいる。

これにより、絶縁性セラミックスにおける、外周面と発熱部の外面との間の薄肉部において温度を均一にすることができ、燃焼室内に浸入した水などに起因する熱衝撃による影
響を低減することができる。また、発熱部を断面において細長く形成することができる。このため、絶縁性セラミックスの薄肉部を周方向に長く形成することができ、より広範囲で温度を均一にすることができる。

絶縁性セラミックスは、絶縁性セラミックスの曲面と、発熱部の外面との間に薄肉部を有していてもよい。薄肉部は、均一な厚さを有していてもよい。これにより、絶縁性セラミックス薄肉部において温度をより均一にすることができる。

発熱部の、その延在方向に垂直な断面は、三日月形であってもよい。また、発熱部の、その延在方向に垂直な断面は、均一な厚さを有していてもよい。これにより、延在部を断面においてより細長く形成することができる。このため、絶縁性セラミックスの薄肉部を周方向により長く形成することができ、より広範囲で温度を均一にすることができる。

また、上記目的を達成するために、本発明に係るセラミックヒータ型グロープラグは、上記のセラミックヒータを備えていてもよい。

本発明により、簡易な構成で高い耐熱衝撃性を実現可能なセラミックヒータ及びセラミックグロープラグを提供することができる。

第１の実施形態に係るグロープラグの軸線に沿った断面図である。 第１の実施形態に係るグロープラグ１の図１におけるＰ−Ｐ断面図である。 第１の実施形態に係るグロープラグ１の図１におけるＱ−Ｑ断面図である。 第１の実施形態に係るグロープラグ１の図１におけるＲ−Ｒ断面図である。 第２の実施形態に係るグロープラグ１の図１におけるＰ−Ｐ断面図である。 第２の実施形態に係るグロープラグ１の図１におけるＱ−Ｑ断面図である。 第３の実施形態に係るグロープラグ１の図１におけるＰ−Ｐ断面図である。 第３の実施形態に係るグロープラグ１の図１におけるＱ−Ｑ断面図である。

本発明の好ましい実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、以下に示す実施形態は一つの例示であり、本発明の範囲において、種々の実施形態をとりうる。

（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係るグロープラグ１の軸線に沿った断面図である。グロープラグ１は、内燃機関の燃焼室内（予燃焼型の内燃機関の場合には予燃焼室、直噴型の内燃機関の場合には内燃機関の燃焼室）に先端が挿入されて保持され、その先端が発熱することで内燃機関の始動を補助する。

グロープラグ１は、セラミックヒータ１０、外筒２０、およびハウジング３０を有する。セラミックヒータ１０は、軸線ｘの方向に延在する棒状の部材である。外筒２０は、金属で形成されており、先端が露出するようにセラミックヒータ１０の後端側の一部を収容し、セラミックヒータ１０と固定される。ハウジング３０も筒状の部材であり、外筒２０の後端側の一部を収容し、外筒２０に固定される。

ヒータエレメント１０は、導電性セラミックス１１と、導電性セラミックス１１を覆う絶縁性セラミックス１６と、を有する。導電性セラミックス１１は、発熱部１２と、リード１４と、を有する。

発熱部１２は、軸線ｘの方向に延在する一対の延在部１２ａ、１２ｂと、一対の延在部１２ａ、１２ｂの各々の先端に接続された湾曲部１２ｃと、を有するＵ字形に形成されている。

発熱部１２は、リード１４よりも高抵抗性を有する発熱抵抗体である。発熱部１２は、焼結により形成された焼結体であり、導電性セラミックスにより形成されている。発熱部１２は、例えば、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）などを含む炭化物、窒化物、珪化物などを主成分とする材料により形成されている。発熱部１２は、特に、高い耐熱性を有するとともに、比抵抗が小さい点で無機導電性を有する炭化タングステン（ＷＣ）を含有することが好ましい。

発熱部１２は、上記主成分の他に窒化珪素（Ｓｉ_３Ｎ_４）を含有しており、窒化珪素（Ｓｉ_３Ｎ_４）の含有率が２０質量％以上であるものが好ましい。例えば、発熱部１２となる導体成分は、窒化珪素質セラミックスを含む絶縁性セラミックス１６中の窒化珪素（Ｓｉ_３Ｎ_４）と比較して熱膨張率が大きいため、通常は引張応力がかかった状態にある。これに対して、発熱部１２中に窒化珪素（Ｓｉ_３Ｎ_４）を添加することにより、熱膨張率を絶縁性セラミックス１６の熱膨張率に近づけて、ヒータエレメント１０の昇温時及び降温時の熱膨張率の差による応力を緩和することができる。

また、発熱部１２に含まれる窒化珪素（Ｓｉ_３Ｎ_４）の含有率が４０質量％以下であるときには、発熱部１２の抵抗値を比較的小さくして安定させることができる。したがって、発熱部１２に含まれる窒化珪素（Ｓｉ_３Ｎ_４）の含有率は２０〜４０質量％であることが好ましい。より好ましくは、窒化珪素（Ｓｉ_３Ｎ_４）の含有率は２５〜３５質量％がよい。

なお、発熱部１２への同様の添加物として、窒化珪素（Ｓｉ_３Ｎ_４）の代わりに４〜１２質量％の窒化硼素（ＢＮ）を添加してもよい。さらに、発熱部１２には、元素周期表第４周期の４，５，６，７，８族の元素（チタン（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ））のうち少なくとも一種類を含有していてもよい。

例えば、チタン（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）の元素の発熱部１２における含有率は、０．５モル％以下であることが好ましい。

リード１４は、軸線ｘの方向に延在する正極側リード１４ａおよび負極側リード１４ｂからなる。正極側リード１４ａおよび負極側リード１４ｂは、一対の延在部１２ａ、１２ｂの各々の後端に接続されている。

正極側リード１４ａは、セラミックヒータ１０の後端まで軸線方向に延在しており、ヒータエレメント１０の後端において露出している。グロープラグ１は、接続部４０、およびリードワイヤ４２をさらに有し、この露出した部分は、キャップ状の接続部４０を介してリードワイヤ４２に電気的に接続されている。リードワイヤ４２は、正極電極に相当する。

負極側リード１４ｂは、セラミックヒータ１０の後端の手前まで軸線ｘの方向に延在している。負極側リード１４ｂは、セラミックヒータ１０の後端の手前の外周面に一部露出した露出部１４ｃを有する。

外筒２０は、その内周面が、収容されたセラミックヒータ１０の外周面とろう付による接合部２１を解して接合される。第１の実施形態ではろう付けに銀ろうが用いられるが、
これに限られないことはもちろんである。また、接合部２１の接合方法はろう付に限られず、他の接合方法であってもよい。こうして露出部１４ｃは、外筒２０の内面に接合され、外筒２０に電気的に接続される。外筒２０は、負極電極に相当する。

リード１４は、無機導電体である炭化タングステン（ＷＣ）を主成分とし、これに窒化珪素（Ｓｉ_３Ｎ_４）を含有率が１５質量％以上となるように添加することが好ましい。窒化珪素（Ｓｉ_３Ｎ_４）の含有率が増すにつれて正極側リード１４ａ及び負極側リード１４ｂの熱膨張率を絶縁性セラミックス１６に含有される窒化珪素（Ｓｉ_３Ｎ_４）の熱膨張率に近づけることができる。

窒化珪素の含有率が４０質量％以下であるときには、正極側リード１４ａ及び負極側リード１４ｂの抵抗値が小さくなるとともに安定する。したがって、窒化珪素（Ｓｉ_３Ｎ_４）の含有率は１５〜４０質量％が好ましい。より好ましくは、窒化珪素（Ｓｉ_３Ｎ_４）の含有率は２０〜３５質量％とするのがよい。

さらに、リード１４には、元素周期表第４周期の４，５，６，７，８族の元素（チタン（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ））のうち少なくとも一種類の酸化物及び／又は窒化物が含まれてもよい。例えば、チタン（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）の元素のリード１４における含有率は、０．５モル％以下であることが好ましい。

リード１４は、焼結により形成された焼結体であり、例えば、数十ＰＰＭ程度の酸化クロム（Ｃｒ_２Ｏ_３）等の希土類元素化合物を含む混合物であることが好ましい。

なお、リード１４は、発熱部１２よりも形成材料を多く含むなど、発熱部１２よりも単位長さ当たりの抵抗値が低くなるように発熱部１２と材料を異ならせてもよい。

絶縁性セラミックス１６は、焼結により形成された焼結体である。絶縁性セラミックス１６は、発熱部１２及びリード１４を覆っている。すなわち、発熱部１２及びリード１４は、絶縁性セラミックス１６に埋設されている。絶縁性セラミックス１６の外面１６ａは、円筒状の外周面１６ｂと、半球状の先端面１６ｃとからなる。

図２は、第１の実施形態に係るグロープラグ１の図１におけるＰ−Ｐ断面図である。Ｐ−Ｐ断面は、延在部１２ａ，１２ｂの延在方向である軸線ｘと垂直な断面である。上述のように、絶縁性セラミックス１６の外周面１６ｂは円筒状である。しかし、絶縁性セラミックス１６の外周面１６ｂは円筒状に限らず、例えばＰ−Ｐ断面が楕円、一部が円弧、一部が楕円など、外側に膨らむ曲面を有していればよい。

延在部１２ａ，１２ｂは、それぞれ、絶縁性セラミックス１６の外周面１６ｂに近接する外面１２ｄと、外面１２ｄの反対側であり且つ軸線ｘに向く内面１２ｅを有する。

外面１２ｄは、絶縁性セラミックス１６の外周面１６ｂの曲面に沿うように形成されている。具体的には、絶縁性セラミックス１６は、絶縁性セラミックス１６の外周面１６ｂと、延在部１２ａ，１２ｂの外面１２ｄとの間に薄肉部１６ｄを有する。この薄肉部１６ｄは、Ｐ−Ｐ断面において均一な厚さｔ１を有する。すなわち、絶縁性セラミックス１６の外周面１６ｂと延在部１２ａ，１２ｂの外面１２ｄとは平行となっている。上述のように第１の実施形態では、絶縁性セラミックス１６の外周面１６ｂは円筒状である。このため、延在部１２ａ，１２ｂの外面１２ｄは、Ｐ−Ｐ断面において円弧となっている。

外面１２ｄは、絶縁性セラミックス１６の外周面１６ｂの曲面に沿うように形成されて
いることにより、薄肉部１６ｄにおいて温度を均一にすることができ、燃焼室内に浸入した水などに起因する熱衝撃による影響を大幅に低減することができる。なお、延在部１２ａ，１２ｂの一方の外面１２ｄが、絶縁性セラミックス１６の外周面１６ｂの曲面に沿うように形成されていてもよい。

第１の実施形態では、内面１２ｅは平面となっている。このため、延在部１２ａ，１２ｂのＰ−Ｐ断面はＤ字形となっている。上述のように、従来の多くのグロープラグでは、延在部のＰ−Ｐ断面が楕円となっている。このため、延在部の内面は軸線ｘへ向かう方向に膨らむ弧となっている。しかしながら、延在部の断面積が大きくなれば延在部の抵抗値が下がり発熱しにくくなる。このため、延在部の外面を周方向に長く形成することは困難であった。第１の実施形態のように、延在部１２ａ，１２ｂの内面１２ｅが平面となっていることにより、小さな断面積を維持しつつ、延在部１２ａ，１２ｂをＰ−Ｐ断面において細長く形成することができる。このため、絶縁性セラミックス１６の薄肉部１６ｄを周方向に長く形成することができ、より広範囲で温度を均一にすることができる。なお、延在部１２ａ，１２ｂの一方の内面１２ｅが平面となっていてもよい。

さらに、第１の実施形態によれば、延在部１２ａ，１２ｂの外面１２ｄを絶縁性セラミックス１６の外周面１６ｂと平行に長く形成することができる。このため、絶縁性セラミックス１６の外周面１６ｂの温度を広範に亘って迅速に高めることができる。

図３は、第１の実施形態に係るグロープラグ１の図１におけるＱ−Ｑ断面図である。Ｑ−Ｑ断面は、湾曲部１２ｃの延在方向と垂直な断面であり、湾曲部１２ｃの湾曲の中心軸ｙを含む断面である。発熱部１２の湾曲部１２ｃは、絶縁性セラミックス１６の先端面１６ｃによって覆われている。上述のように先端面１６ｃは半球状に形成されている。しかし、先端面１６ｃは円筒状に限らず、例えばＱ−Ｑ断面が半楕円、一部が円弧、一部が楕円弧など、外側に膨らむ曲面を有していればよい。

発熱部１２は、先端面１６ｃに近接する外面１２ｆと、その反対側の内面１２ｇと、を有する。外面１２ｆは、先端面１６ｃに沿うように形成されている。具体的には、絶縁性セラミックス１６は、絶縁性セラミックス１６の先端面１６ｃと、湾曲部１２ｃの外面１２ｆとの間に薄肉部１６ｅを有する。この薄肉部１６ｅが、Ｑ−Ｑ断面において均一な厚さｔ１を有する。すなわち、湾曲部１２ｃの外面１２ｆは、絶縁性セラミックス１６の先端面１６ｃとの間隔が均一となっている。すなわち、湾曲部１２ｃの外面１２ｆは、Ｑ−Ｑ断面において円弧となっている。

外面１２ｆが先端面１６ｃに沿うように形成されていることにより、絶縁性セラミックス１６の薄肉部１６ｅにおいて温度を均一にすることができ、熱衝撃による影響を大幅に低減することができる。

さらに、第１の実施形態では、湾曲部１２ｃの内面１２ｇは、Ｑ−Ｑ断面が直線となる部分円筒面である。このため、湾曲部１２ｃのＱ−Ｑ断面はＤ字形となっている。これにより、絶縁性セラミックス１６の先端面１６ｃにおいても、絶縁性セラミックス１６の薄肉部を周方向に長く形成することができ、より広範囲で温度を均一にすることができる。

図４は、第１の実施形態に係るグロープラグ１の図１におけるＲ−Ｒ断面図である。リード１４は、発熱部１２よりも断面積を大きくなるよう形成されている。こうしてリード１４の単位長さ当たりの抵抗値を発熱部１２よりも低く抑えている。

正極側リード１４ａおよび負極側リード１４ｂは、それぞれ、絶縁性セラミックス１６の外周面１６ｂに近接する外面１４ｄ、および外面１４ｄの反対側であり且つ軸線ｘに向
く内面１４ｅを有する。

リード１４においても、外面１４ｄは、絶縁性セラミックス１６の外周面１６ｂの曲面に沿うように形成されている。具体的には、絶縁性セラミックス１６は、絶縁性セラミックス１６の外周面１６ｂと、正極側リード１４ａおよび負極側リード１４ｂのそれぞれとの間に薄肉部１６ｆを有する。この薄肉部１６ｆが、断面において均一な厚さｔ２を有する。すなわち、絶縁性セラミックス１６の外周面１６ｂと正極側リード１４ａおよび負極側リード１４ｂの各々の外面１４ｄとは、平行となっている。上述のように第１の実施形態では、絶縁性セラミックス１６の外周面１６ｂは円筒状である。このため、正極側リード１４ａおよび負極側リード１４ｂの各々の外面１４ｄは、断面において円弧となっている。

また、リード１４においても、内面１４ｅは平面となっている。このため、正極側リード１４ａおよび負極側リード１４ｂのそれぞれの断面はＤ字形となっている。

なお、正極側リード１４ａおよび負極側リード１４ｂの一方の外面１４ｄが、絶縁性セラミックス１６の外周面１６ｂの曲面に沿うように形成されていてもよい。また、正極側リード１４ａおよび負極側リード１４ｂの一方の内面１４ｅが平面となっていてもよい。さらに、正極側リード１４ａおよび負極側リード１４ｂはこのような形状に限定されず、例えば断面が従来のように楕円形でもよく、さらに、内面１４ｅが断面において外側に膨らむ弧となる曲面であってもよい。

（第２の実施形態）
図５は、第２の実施形態に係るグロープラグ１の図１におけるＰ−Ｐ断面図である。なお、第１の実施形態と同様の構成は同一の符号を付して説明を省略する。第２の実施形態に係るグロープラグは、第１の実施形態の延在部１２ａ，１２ｂに代えて延在部１１２ａ、１１２ｂを有する。

延在部１１２ａの外面１１２ｄは、第１の実施形態の延在部１２ａ，１２ｂの外面１２ｄと同様に、外周面１６ｂに沿うように形成されている。延在部１１２ａ，１１２ｂの内面１１２ｅは、第１の実施形態と異なり凹んでいる。具体的には、内面１１２ｅは、Ｑ−Ｑ断面が弧になる曲面となっている。このため、延在部１１２ａ，１１２ｂのＰ−Ｐ断面は三日月形となっている。これにより、延在部１１２ａ，１１２ｂをＰ−Ｐ断面において細長く形成することができる。このため、絶縁性セラミックス１６の薄肉部１６ｄを周方向に長く形成することができ、より広範囲で温度を均一にすることができる。

図６は、第２の実施形態に係るグロープラグ１の図１におけるＱ−Ｑ断面図である。湾曲部１１２ｃの外面１１２ｆは、第１の実施形態の湾曲部１２ｃの外面１２ｆと同様である。湾曲部１１２ｃの内面１１２ｇは、第１の実施形態と異なり凹んでいる。具体的には、内面１１２ｇは、Ｑ−Ｑ断面が弧になる曲面となっている。このため、湾曲部１１２ｃのＱ−Ｑ断面もまた三日月形となっている。これにより、絶縁性セラミックス１６の先端部においても、絶縁性セラミックス１６の薄肉部１６ｅを周方向に長く形成することができ、より広範囲で温度を均一にすることができる。

（第３の実施形態）
図７は、第３の実施形態に係るグロープラグ１の図１におけるＰ−Ｐ断面図である。なお、上述の実施形態と同様の構成は同一の符号を付して説明を省略する。第３の実施形態に係るグロープラグは、第１の実施形態の延在部１２ａ，１２ｂに代えて延在部２１２ａ，２１２ｂを有する。

延在部２１２ａの外面２１２ｄは、第１の実施形態の延在部１２ａ，１２ｂの外面１２ｄと同様に、外周面１６ｂに沿うように形成されている。延在部２１２ａ，２１２ｂの内面２１２ｅは、第１の実施形態と異なり凹んでいる。具体的には、内面２１２ｅは、Ｑ−Ｑ断面が弧になる曲面となっており、且つ延在部２１２ａ，２１２ｂは、Ｐ−Ｐ断面において均一な厚さを有している。すなわち、内面２１２ｅはＰ−Ｐ断面において外面２１２ｄと平行になっている。これにより、延在部２１２ａ，２１２ｂを断面において細長く形成することができる。このため、絶縁性セラミックス１６の薄肉部１６ｄを周方向に長く形成することができ、より広範囲で温度を均一にすることができる。なお、延在部２１２ａ，２１２ｂの一方が、Ｐ−Ｐ断面において均一な厚さを有していてもよい。

図８は、第３の実施形態に係るグロープラグ１の図１におけるＱ−Ｑ断面図である。湾曲部２１２ｃの外面２１２ｆは、第１の実施形態の湾曲部２１２ｃの外面１２ｆと同様である。湾曲部２１２ｃの内面２１２ｇは、第１の実施形態と異なり凹んでいる。具体的には、湾曲部２１２ｃの内面２１２ｇは、Ｑ−Ｑ断面が弧になる曲面となっており、且つ湾曲部２１２ｃは、Ｑ−Ｑ断面において均一な厚さを有している。すなわち、湾曲部２１２ｃの内面２１２ｇはＱ−Ｑ断面において湾曲部２１２ｃの外面との間隔は均一となっている。これにより、絶縁性セラミックス１６の先端部においても、絶縁性セラミックス１６の薄肉部１６ｅを周方向に長く形成することができ、より広範囲で温度を均一にすることができる。

１ グロープラグ，１０ セラミックヒータ，１１ 導電性セラミックス，１２ 発熱部，１２ａ 延在部，１２ｂ 延在部，１２ｃ 湾曲部，１２ｄ 外面，１２ｅ 内面，１２ｆ 外面，１２ｇ 内面，１４ リード，１４ａ 正極側リード，１４ｂ 負極側リード，１４ｃ 露出部，１４ｄ 外面，１４ｅ 内面，１６ 絶縁性セラミックス，１６ａ 外面，１６ｂ 外周面，１６ｃ 先端面，１６ｄ 薄肉部，１６ｅ 薄肉部，１６ｆ
薄肉部，２０ 外筒，２１ 接合部，３０ ハウジング，４０ 接続部，４２ リードワイヤ。

Claims (5)

1. Ｕ字形に形成された発熱部を有する導電性セラミックスと、
   少なくとも前記発熱部を覆う絶縁性セラミックスと、
   を備え
   前記絶縁性セラミックスは、外側に膨らむ曲面を外面に有し、
   前記発熱部は、前記曲面に近接する外面と、その反対側の内面と、を有し、
   前記発熱部の外面は、前記曲面に沿うように形成されており、前記発熱部の内面は、平面であるまたは凹んでいることを特徴とする、グロープラグ用のセラミックヒータ。
2. 前記絶縁性セラミックスは、前記絶縁性セラミックスの前記曲面と、前記発熱部の外面との間に薄肉部を有し、
   前記薄肉部は、均一な厚さを有することを特徴とする、請求項１に記載のセラミックヒータ。
3. 前記発熱部の、その延在方向に垂直な断面は、三日月形であることを特徴とする、請求項１または２に記載のセラミックヒータ。
4. 前記発熱部の、その延在方向に垂直な断面は、均一な厚さを有することを特徴とする、請求項１または２に記載のセラミックヒータ。
5. 請求項１から４のいずれか１項記載のセラミックヒータを備えることを特徴とするセラミックヒータ型グロープラグ。

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