JP2019090690A - ガス測定装置および方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】NOxセンサ周辺の酸素濃度をモニタする機構を用いないでガス濃度を測定する。【解決手段】NOx及び酸素を検出可能なNOxセンサ素子12と、酸素イオン伝導性固体電解質層及び一対の電極を有し、前記電極に電圧を印加されることで、前記電極間で酸素を移動させる酸素ポンプ11と、酸素ポンプの印加電圧を変更可能な電圧生成回路21と、電圧生成回路21の出力電圧を制御し、かつNOxセンサ素子からの出力を処理する処理部24を有する。処理部24は、酸素ポンプ11の印加電圧の一方向の変化に対して、NOxセンサ素子の出力の変曲点を検出し、その変曲点に基づいてNOxセンサ素子からの出力を選択する。【選択図】 図1
Description
本発明は、ガス測定装置および方法に係り、特に自動車の排気ガス等の被測定ガスに含まれるNOx濃度を検出するガス測定装置およびその方法に関する
NOxセンサ等のガスセンサが使用される環境では、検知対象ガス以外のガスが存在し、そのガスの中には検知対象ガスと同様にガスセンサが応答を示す妨害ガスが含まれている。従来のNOxセンサでは酸素が妨害ガスになるため、ジルコニア等の酸素イオン伝導性の固体電解質層の両側にPt電極を有し、Pt電極間に電圧を印加することで、酸素を一方の電極からもう一方の電極に移動させることが可能な酸素ポンプによって酸素を除去する構造がとられている。しかしながら、酸素濃度が低下しすぎると、検知対象ガスであるNOxが酸素ポンプを構成するPt電極で反応して、測定誤差になるという問題がある。このため、従来のNOxセンサでは、NOxセンサ周辺の酸素濃度をモニタし、酸素濃度が一定の値になるように酸素ポンプにより酸素の除去を制御している。
この関連技術として、例えば特許文献1には、被測定ガス中の所定のガス成分濃度を、酸素濃度やその変化に影響を受けることなく、連続的に且つ正確に測定可能とした、かかるガス成分濃度の測定技術が開示されている。
従来のNOxセンサでは、大気などの基準となる気体及びNOxセンサ周辺の酸素濃度をモニタする機構が必要である。大気の導入には構造上の制約があるため、ガスセンサの小型化ないし半導体によるワンチップ化が難しい。
本発明者らは、ガスセンサを小型化するための方策について種々検討を重ねた。その結果、酸素濃度をモニタする機構(例えば特許文献1において、センサ素子2の長手方向へ延びる基準空気導入通路10や基準電極24等)を削除できれば、ガスセンサを小型化してコスト低減が図れるのでは、と考えた。更に、酸素濃度をモニタする機構が無くても、酸素濃度の影響を受けないでNOx濃度を測定できる手法を検討した。
そこで、本発明の目的は、NOxセンサ周辺の酸素濃度をモニタする機構を不要にしてガス濃度を測定することができるガス測定装置および方法を提供することにある。
上記課題を解決するために、本発明に係るガス測定装置の好ましい例では、NOx及び酸素を検出可能なNOxセンサ素子と、酸素イオン伝導性固体電解質層及び電極を有し、前記電極に電圧を印加されることで、前記電極間で酸素を移動させる酸素ポンプと、前記酸素ポンプの印加電圧を変更可能な電圧生成回路と、前記電圧生成回路の出力電圧を制御し、かつ前記NOxセンサ素子からの出力を処理する処理部と、を有し、
前記処理部は、前記酸素ポンプの印加電圧の一方向の変化に対し前記NOxセンサ素子の出力の変曲点を検出し、前記変曲点に基づいて前記NOxセンサ素子からの出力の選択を行うことを特徴とするガス測定装置、として構成される。
本発明はまた、前記ガス測定装置におけるガス測定方法としても把握される。
前記処理部は、前記酸素ポンプの印加電圧の一方向の変化に対し前記NOxセンサ素子の出力の変曲点を検出し、前記変曲点に基づいて前記NOxセンサ素子からの出力の選択を行うことを特徴とするガス測定装置、として構成される。
本発明はまた、前記ガス測定装置におけるガス測定方法としても把握される。
本発明によれば、酸素濃度を測定するための基準となる気体を取り込む構造やNOxセンサ周辺の酸素濃度をモニタする機構を用いないで、ガス濃度を測定することができる。
本発明は、酸素ポンプの酸素除去率を変化させた時のNOxセンサの出力変化からNOxが酸素の影響を受けず、かつNOxが酸素ポンプのPt電極で反応していない状態を判断し、NOxセンサの出力値を選択することでNOx濃度を精度よく測定する。以下、図面を参照して、本発明の好ましい実施例を説明する。
図1は、一実施例に供するガス測定装置のブロック図である。
図1において、ガス測定装置は、主に、NOxセンサ1と、NOxセンサ制御回路(以下単に制御回路という)2から構成される。NOxセンサ制御回路2の出力信号がECU(Electronic Control Unit)3に提供されて、エンジンやその他電子機器の制御が行なわれる。
図1において、ガス測定装置は、主に、NOxセンサ1と、NOxセンサ制御回路(以下単に制御回路という)2から構成される。NOxセンサ制御回路2の出力信号がECU(Electronic Control Unit)3に提供されて、エンジンやその他電子機器の制御が行なわれる。
NOxセンサ1は、酸素ポンプ11と、FET型NOxセンサ素子(以下単にNOxセンサ素子という)12と、FET型リファレンス素子(以下単にリファレンス素子という)13を有して構成される。NOxセンサ素子12は、NOx及び酸素濃度に応じて閾値電圧が変化する。リファレンス素子13はNOx及び酸素に反応せず温度による特性変化や製造による特性のばらつきを補正するために使用される。酸素ポンプ11は、酸素イオン伝導性の固体電解質層の両側に配置された電極に電圧を印加することで、酸素を電極間で移動させる。
制御回路2は、NOxセンサ素子12のドレイン28、ゲート29、ソース20の各端子、及びリファレンス素子13のドレイン31、ゲート32、ソース33の各端子に電圧や電流を印加し、及びそれらの端子の電流や電圧を検出する検出回路22と、検出回路22の出力電圧をデジタル信号に変換するADC(アナログデジタルコンバータ)23と、ADC23の信号を補正演算し、NOx濃度の演算及び電圧生成回路21の制御を行う演算処理部(MCU:Micro Controller)24と、MCU24の出力信号をECU3に出力するための入出力回路25と、酸素ポンプ11に印加する電圧を生成する電圧生成回路21を備えて構成される。検出回路22はNOxセンサ素子12の閾値の変化を検出する。MCU24は、制御信号35によって電圧生成回路21の生成電圧を制御する。電圧生成回路21は、駆動電圧信号26により酸素ポンプを制御する。27は酸素ポンプ11の一方の電極のグラウンド接続信号である。
なお、電圧生成回路21の機能をDAC(デジタルアナログコンバータ)が備えている場合には、電圧生成回路21はDACと呼ばれることがある。また、本実施例では、NOxセンサ素子12及びリファレンス素子13に、FET型半導体を用いているが、容量型半導体を用いることもできる。また、演算処理部24は単に処理部或いは制御部と称してもよい(特許請求の範囲では処理部と称している)。また、電圧生成回路21は電圧制御回路或いは電圧制御部と称してもよい。
図2は、NOxセンサ1の断面構造を示す。
NOxセンサ1は半導体構造を成し、Siチップに、酸素ポンプ11と、NOxセンサ素子12と、リファレンス素子13が形成される。なお、通常のセンサ素子が備えるヒータ等の構成要素の図示は省略されている。この半導体構造は従来のような、酸素濃度をモニタする機構を有しない。
NOxセンサ1は半導体構造を成し、Siチップに、酸素ポンプ11と、NOxセンサ素子12と、リファレンス素子13が形成される。なお、通常のセンサ素子が備えるヒータ等の構成要素の図示は省略されている。この半導体構造は従来のような、酸素濃度をモニタする機構を有しない。
NOxセンサ素子12は、Si基板47上に形成されたウェル48上に、拡散層49、53、54と、ゲート絶縁膜50と金属酸化物層51とPt電極52が形成されて構成される。拡散層49はドレイン、拡散層53はソース、拡散層54はウェル48への給電端子であり、ゲート絶縁膜50と金属酸化物層51とPt電極52がゲートを構成する。
リファレンス素子13は、ウェル61上に、拡散層55、56、60と、ゲート絶縁膜57と、金属酸化物層58とPt電極59が形成されて構成される。拡散層60はドレイン、拡散層56はソース、拡散層55はウェル61への給電端子であり、ゲート絶縁膜57と金属酸化物層58とPt電極59がゲートを構成する。
シリコン酸化物層45及び46には、NOxセンサ1の外部と連通する導入路44が形成され、NOxセンサ素子12のPt電極52がNOxセンサ1の外部にある排気ガス(被測定ガス)に曝される。また、NOxセンサ1の外部から排気ガスがNOxセンサ素子12のPt電極に達するまでの間の領域に、一対のPt電極41と43、及び酸素イオン伝導性固体電解質層42により酸素ポンプ11が形成される。Pt電極41と42の間に電圧を印加することで、導入路44内の排ガス中の酸素を導入路44の外部に排出することができる。
NOxセンサ素子12は、導入路44に導かれる排気ガス中のNOx及びO2に反応するが、リファレンス素子13のPt電極59はシリコン酸化物層46に覆われているため、排気ガス中のNOx及びO2に反応しない。
NOxセンサ素子12は、導入路44に導かれる排気ガス中のNOx及びO2に反応するが、リファレンス素子13のPt電極59はシリコン酸化物層46に覆われているため、排気ガス中のNOx及びO2に反応しない。
図3は酸素ポンプの印加電圧とNOxセンサの出力の関係を示す波形図である。
電圧生成回路21によって酸素ポンプ11の印加電圧を可変制御しながら、NOxセンサ素子12の出力を測定する。
酸素ポンプの印加電圧(V)が低い期間(領域A)は酸素の除去が十分ではないためNOxセンサの出力は主に酸素との反応によるものになる。酸素ポンプの印加電圧が上昇するに従って酸素の除去率が上昇すると、導入路44内の酸素濃度が低下する(領域AにおけるNOxセンサ出力が右下がりの状態)。そして、酸素濃度がNOx濃度より十分低くなると、NOxセンサ出力は排気ガス中のNOx濃度で決まる値となり、酸素ポンプの印加電圧に依存しない値になる(NOxセンサ出力が定常状態)。この状態が図3の領域Bである。
電圧生成回路21によって酸素ポンプ11の印加電圧を可変制御しながら、NOxセンサ素子12の出力を測定する。
酸素ポンプの印加電圧(V)が低い期間(領域A)は酸素の除去が十分ではないためNOxセンサの出力は主に酸素との反応によるものになる。酸素ポンプの印加電圧が上昇するに従って酸素の除去率が上昇すると、導入路44内の酸素濃度が低下する(領域AにおけるNOxセンサ出力が右下がりの状態)。そして、酸素濃度がNOx濃度より十分低くなると、NOxセンサ出力は排気ガス中のNOx濃度で決まる値となり、酸素ポンプの印加電圧に依存しない値になる(NOxセンサ出力が定常状態)。この状態が図3の領域Bである。
さらに酸素ポンプの印加電圧を上げていくと、NOxセンサ出力の酸素濃度が更に低下する。すると、酸素ポンプのPt電極とNOxが反応し始めるため、NOxセンサ素子12に到達するNOxが減少し、NOxセンサの出力が低下する。この状態が図3の領域Cである。
このように、領域BにおけるNOxセンサの出力が排気ガス中のNOx濃度に対応していることが分る。そこで、演算処理部24によって、領域BのデータをNOx濃度の正しいデータとして選択して、補正処理を行う。この処理結果がECU3に出力される。
このように、領域BにおけるNOxセンサの出力が排気ガス中のNOx濃度に対応していることが分る。そこで、演算処理部24によって、領域BのデータをNOx濃度の正しいデータとして選択して、補正処理を行う。この処理結果がECU3に出力される。
図4は、図3の領域Bにおけるデータを選択する動作を説明するための波形図である。
酸素ポンプの印加電圧(V)を一定周期で変化させると、図示ように、NOxセンサの出力に変曲点(T1〜T11)が発生する。領域Bは変曲点(例えば、T1−T2、T4−T5)に挟まれていることが分る。NOxセンサの出力値を2回微分すると、変曲点でパルスが発生する。そこで、2回微分のパルスを検出しパルスの間(例えば、T1−T2、T4−T5)データを領域Bのデータとして選択する。例えば、酸素ポンプの印加電圧を上昇させている時は正のパルスが出てから負のパルスがでるまでの間(T1−T2)のデータを選択して、領域BにおけるNOx濃度のデータと判断する。酸素ポンプの印加電圧が下降している時は負のパルスが出てから正のパルスが出るまで間(T4−T5)のデータを、同様にして領域BにおけるNOx濃度のデータと判断する。印加電圧の上昇と下降の切り替え時に発生するパルス(例えばT3、T6、T9)は無視する。このように抽出されたNOx濃度データが制御回路2の出力としてECU3へ提供される。
酸素ポンプの印加電圧(V)を一定周期で変化させると、図示ように、NOxセンサの出力に変曲点(T1〜T11)が発生する。領域Bは変曲点(例えば、T1−T2、T4−T5)に挟まれていることが分る。NOxセンサの出力値を2回微分すると、変曲点でパルスが発生する。そこで、2回微分のパルスを検出しパルスの間(例えば、T1−T2、T4−T5)データを領域Bのデータとして選択する。例えば、酸素ポンプの印加電圧を上昇させている時は正のパルスが出てから負のパルスがでるまでの間(T1−T2)のデータを選択して、領域BにおけるNOx濃度のデータと判断する。酸素ポンプの印加電圧が下降している時は負のパルスが出てから正のパルスが出るまで間(T4−T5)のデータを、同様にして領域BにおけるNOx濃度のデータと判断する。印加電圧の上昇と下降の切り替え時に発生するパルス(例えばT3、T6、T9)は無視する。このように抽出されたNOx濃度データが制御回路2の出力としてECU3へ提供される。
上記のように、酸素ポンプの印加電圧(V)を変化させて、その電圧変化に伴うNOxセンサの出力変化から最適な領域のデータを選択することで、導入路44内の酸素濃度をモニタすることなく、酸素の影響を低減し、NOx濃度を精度良く検出することができる。
上記の制御動作は、演算処理部24におけるマイクロプログラムの実行によって行われる(図5A、図5Bのフローチャート)。
上記の制御動作は、演算処理部24におけるマイクロプログラムの実行によって行われる(図5A、図5Bのフローチャート)。
次に、図5A、図5Bを参照して、演算処理部24による制御動作について説明する。
演算処理部24による計算上、図3の波形図における領域B(変曲点の期間)の、2つ変曲点を検出するために、計算上、フラグ(Flag)1、フラグ(Flag)2なる変数を導入する。フラグ1は領域Bの開始時を示し、フラグ2は領域Bの終了時を示す変数である。フラグ1が1になってからフラグ2が1になるまでの期間が領域Bに相当し、NOx濃度を正しく測定できる期間である。
演算処理部24による計算上、図3の波形図における領域B(変曲点の期間)の、2つ変曲点を検出するために、計算上、フラグ(Flag)1、フラグ(Flag)2なる変数を導入する。フラグ1は領域Bの開始時を示し、フラグ2は領域Bの終了時を示す変数である。フラグ1が1になってからフラグ2が1になるまでの期間が領域Bに相当し、NOx濃度を正しく測定できる期間である。
まず、フラグ1及び2をゼロ(0)にリセットし、NOxセンサ出力の記録値を全て破棄して、初期状態に設定する(S501,S502)。次に、酸素ポンプ11の印加電圧のスイープを開始する(S503)。そして、NOxセンサ素子12の出力を演算処理部24内のメモリ(不図示)に記録する。なお、メモリ記録されるNOxの情報は、NOxセンサ素子12の出力であって検出回路22を介して検出され、ADC23でAD変換されたデジタル値データである。
その後、演算処理部24は、取得されたNOxセンサ出力を2回微分して値ΔV”を計算する(S505)。そして、算出した2回微分値ΔV”と所定値Vtpとを比較してその大小を判断する(S506)。比較の結果、ΔV”>Vtpならば、ΔV”に正のパルスが発生しており、変曲点であると判断する。ΔV”>Vtpでなければ(S506:NO)、2回微分値ΔV”と他の所定値Vtmとを比較する(S521)。その比較の結果、ΔV”<Vtmならば(S521:YES)、ΔV”に負のパルスが発生していると判断する。正もしくは負のパルスが発生した場合は、酸素ポンプ11の電圧が上昇しているか下降しているかで、図3の波形図における領域Bの開始時に相当するか、終了時に相当するかが変わるので、酸素ポンプ11の印加電圧が上昇しているか、下降しているかを判断して(S507,S522)処理を変更する。
ΔV”>Vtpかつ酸素ポンプ11の電圧が上昇している場合(S507:YES)は、図3の波形図における領域Bの開始時(図4であればT1、T7)に相当すると判断し、フラグ1=1に設定する。ΔV”>Vtpかつ酸素ポンプ11の電圧が下降している場合(S507:NO)でかつ、フラグ1=1(S531:YES)であれば、図3の波形図における領域Bの終了時(図4におけるT5、T11)と判断しフラグ2=1に設定する(S532)。フラグ1が1でない場合(S531:NO)ΔV”のパルスは正しく変曲点が検出できていないと判断し、フラグ1、2は変更せずに、次の処理(S509)に移行する。
ΔV”<Vtm(S521:YES)かつ酸素ポンプ11の電圧が上昇していない、つまり下降している場合(S522:NO)は、図3の波形図における領域Bの開始時(図4であればT4、T10)に相当すると判断し、フラグ1=1に設定する。酸素ポンプ11の電圧が上昇している場合(S522:YES)でかつ、フラグ1=1(S521:YES)であれば、図3の波形図における領域Bの終了時(図4におけるT2、T8)と判断しフラグ2=1に設定する(S524)。フラグ1が1でない場合(S521:NO)ΔV”のパルスは正しく変曲点が検出できていないと判断し、フラグ1、2は変更せずに、次の処理(S509)に移行する。また、ΔV”>Vtpでもなく、ΔV”<Vtmでもない場合、変曲点ではないと判断して、フラグの操作は何もせずに次ぎの処理(S509)に移行する。上記フラグ処理の後、ステップS509(図5B)に移行して、フラグ1=1でかつフラグ2=1、を判断する(S509)。その判断の結果、YESであれば、フラグ1=1になった時間とフラグ2=1になった間の時間(例えば図4のT1からT2、T4からT5、T7からT8、T10からT11の間の期間)のNOxセンサ出力値を、NOx濃度を正しく反映した値として選択、補正を行い、I/O25を介してECU3等の外部装置に出力する(S510)。上記の処理により、センサ制御回路2は1回の正しいNOx濃度を提供できた。
その後、演算処理部24は、2回目のNOx濃度を取得するために、初期設定を行う。すなわち、フラグ1及び2を”0”にリセットして(S511)、先のNOxセンサ出力の記録値を破棄する(S512)。そして、酸素ポンプの印加電圧が最大値になっているか(S512)、及び酸素ポンプの印加電圧が最小値になっているか(S542)、を判断する。この判断の結果、酸素ポンプの印加電圧が最大値であれば(S512:YES)、フラグ1及びフラグ2を0に設定して(S513)、NOxセンサ出力の記録値を全て破棄して(S515)、酸素ポンプの印加電圧の減少方向のスイープを開始する(S515)。また、上記判断の結果、酸素ポンプの印加電圧が最小値であれば(S542:YES)、フラグ1及びフラグ2を0に設定して(S543)、NOxセンサ出力の記録値を全て破棄して(S544)、酸素ポンプの印加電圧の上昇方向のスイープを開始する(S545)。
これにより、処理はステップS504に戻って、演算処理部24は、酸素ポンプ11の印加電圧の次の位相の変曲点の検出に基づくその変曲点の期間におけるNOxセンサ出力の検出、計算処理を行うことになる。
実施例2は、実施例1に対して、NOx濃度が非常に低く酸素ポンプの印可電圧を変動させてもNOxに変曲点が発生しない場合の制御の例である。
図6は、酸素ポンプの印可電圧(V)とNOxセンサ出力の関係を示す。NOx濃度が低いため、電圧生成回路21が酸素ポンプの印可電圧を変化させてもNOxセンサ出力は減少し続けて変曲点は発生しない。このように変曲点が発生しない場合、演算処理部24は、酸素ポンプ11の印可電圧が最大の時のNOxセンサの出力値をNOxセンサの出力データとして使用する。これにより、NOx濃度が非常に低く変曲点が発生しない場合でも、ECU3への出力データ34を正しく更新することができる。
実施例3は、実施例1に対して、NOx濃度が低くNOxを正確に計測できる酸素ポンプの印可電圧の範囲が狭い場合の制御の例である。
図7は、酸素ポンプ印可電圧とNOxセンサ出力の関係を示す。NOx濃度が低いため、実施例1に比べて、酸素ポンプの電圧が高く酸素濃度が薄い状態にならないとNOx濃度との反応がNOxセンサの主な反応にならない。一方で酸素ポンプ11のPt電極でNOxが反応し始める酸素濃度は変化しないので、NOx濃度を正しく計測できる酸素ポンプの印可電圧の範囲は狭くなってしまう。
図8は波形図を示す。なお、簡単のため排気ガス中のNOx濃度が一定の場合の波形図を示す。電圧生成回路21は、実施例1と同様に酸素ポンプの印可電圧(V)を上下させる。しかし、実施例1に比べて変曲点の間隔t1が短いので、本来NOx濃度を正しく測定できる範囲のデータを適当に取得できない可能性がある。そこで、演算処理部24は、変曲点によるピーク値の間隔t1が規定値以下の場合には、酸素ポンプ11の印可電圧の波形を変更制御する。すなわち、変曲点のピークがあった範囲に酸素ポンプ印可電圧の変更範囲をしぼり、時間当たりの酸素ポンプ印可電圧の変化量を小さくする。つまり、電圧波形V1の波形の傾斜を緩やかにした電圧波形V2を生成することで、NOx濃度を正しく測定できる電圧が酸素ポンプ11に印可されている時間t2が長くなり、NOx濃度の正しいデータを取得することができる。
実施例4は、実施例1に対して、導入路44内のガスと外部のガスの入れ替わりが遅い場合の酸素ポンプの印可電圧の制御の例である。
図9は波形図を示す。なお、簡単のため排気ガス中のNOx濃度が一定の場合の波形図を示す。電圧生成回路21が酸素ポンプ11の印可電圧(V)を上げて、導入路44内の酸素濃度を下げた後に酸素ポンプ11の印加電圧(V)を下げて導入路44内の酸素濃度を外部排気ガスと同濃度に戻す場合に、導入路44内のガスと外部のガスの入れ替わりが酸素ポンプの印可電圧の変化に比べて遅い(即ち電圧期間tdwが短い)と、酸素濃度が期待した濃度まで上昇しない可能性がある。その場合、演算処理部24は、酸素ポンプ11の印可電圧を下げる時間(tdw)を導入路44のガスの入れ替わり速度に応じた長さ(tdw>tup)に変更することで、酸素濃度が所望の値まで変化させることができる。
図10は、実施例5におけるガス測定装置を示すブロック図を示す。
実施例5は、実施例1に対して、酸素ポンプ11の電流を測定するための電流計62が追加されている。演算処理部24は、NOxセンサ素子12の出力と、電流計62で計測した酸素ポンプ11の電流と、導入路44内の酸素濃度と、導入路44内の酸素濃度の時間変化を基に、排気ガス中に含まれる酸素濃度を計算する。導入路44内の酸素濃度は、酸素ポンプの印加電圧が低く、酸素濃度がNOx濃度より十分高い状態でのNOxセンサの出力から、NOx濃度の影響を差し引くことで導入路44内の酸素濃度を計測することができる。以下に酸素濃度の計算式を示す。
実施例5は、実施例1に対して、酸素ポンプ11の電流を測定するための電流計62が追加されている。演算処理部24は、NOxセンサ素子12の出力と、電流計62で計測した酸素ポンプ11の電流と、導入路44内の酸素濃度と、導入路44内の酸素濃度の時間変化を基に、排気ガス中に含まれる酸素濃度を計算する。導入路44内の酸素濃度は、酸素ポンプの印加電圧が低く、酸素濃度がNOx濃度より十分高い状態でのNOxセンサの出力から、NOx濃度の影響を差し引くことで導入路44内の酸素濃度を計測することができる。以下に酸素濃度の計算式を示す。
Fo2_in = β・(Do2_out - Do2_in) ・・・(1)
Fo2_out = α・Io2 ・・・(2)
Fo2_in = Fo2_out - c・ΔDo2_in ・・・(3)
Do2_out = (α/β)・Io2 + (c/β)・ΔDo2_out + Do2_out ・・・(4)
Fo2_in :導入路44に流れ込む単位時間当たりの酸素
Fo2_out :酸素ポンプ11によって導入路44から排出される単位時間当たりの酸素
Io2 : 酸素ポンプに流れる電流
Do2_in :導入路44内の酸素濃度
ΔDo2_in :導入路44内の酸素濃度の時間変化
Do2_out :排気ガス中の酸素濃度
α :定数
β :拡散係数や導入路の断面積で決まる係数
c :導入路44の体積で決まる定数
Fo2_out = α・Io2 ・・・(2)
Fo2_in = Fo2_out - c・ΔDo2_in ・・・(3)
Do2_out = (α/β)・Io2 + (c/β)・ΔDo2_out + Do2_out ・・・(4)
Fo2_in :導入路44に流れ込む単位時間当たりの酸素
Fo2_out :酸素ポンプ11によって導入路44から排出される単位時間当たりの酸素
Io2 : 酸素ポンプに流れる電流
Do2_in :導入路44内の酸素濃度
ΔDo2_in :導入路44内の酸素濃度の時間変化
Do2_out :排気ガス中の酸素濃度
α :定数
β :拡散係数や導入路の断面積で決まる係数
c :導入路44の体積で決まる定数
式(1)は導入路44に外部の排気ガスから流れ込む酸素の量Fo2_inを示す。Fo2_inは排気ガス中の酸素濃度と導入路44内の酸素濃度の差分に比例する。係数βは酸素の拡散のしやすさを示す係数で、拡散係数や導入路の断面積の広さによって決まり、温度依存性を持つ。
式(2)は酸素ポンプによって導入路44から外部に排出される酸素の量Fo2_outを示す。Fo2_outは、酸素ポンプの電流量Io2に比例する。αは定数である。式(3)はFo2_outとFo2_inの関係を示す。Fo2_inはFo2_outと導入路44内の酸素濃度の時間変化ΔDo2_inに定数cを掛けた値の差分に等しい。式(3)に式1、2を代入して整理すると、式(4)になる。
式(4)から、排気ガス中の酸素濃度Do2_outは、酸素ポンプの電流Io2と、導入路44内部の酸素濃度Do2_inと、導入路44内部の酸素濃度の時間変化ΔDo2_inが分かれば計算で求めることができる。これにより、追加の酸素センサを搭載することなく、NOxと酸素を測定することができる。
実施例6は、実施例1に対して、酸素ポンプ11の印可電圧の制御が異なる。
図11は波形図を示す。なお、簡単のため排気ガス中のNOx濃度が一定の場合の波形図を示す。
図11は波形図を示す。なお、簡単のため排気ガス中のNOx濃度が一定の場合の波形図を示す。
電圧生成回路21が酸素ポンプ11の印可電圧を上昇させた後、タイミングT3で酸素ポンプの動作を止める。すなわち酸素ポンプの印可電圧が0Vになる。酸素ポンプの動作を止めることで、導入路44内部の酸素濃度は排気ガスの酸素濃度と等しくなる。よって、演算処理部24は、NOxセンサ素子12の出力が安定するまで酸素ポンプのオフ状態を維持するように、電圧生成回路21を制御し、酸素ポンプ11がオフ時のNOxセンサ素子の出力を取得する。この取得したデータの値からNOx濃度によるNOxセンサ素子の出力分を引けば、排気ガス中の酸素濃度を求めることができる。これにより、追加の酸素センサを搭載することなく、NOxと酸素を測定することができる。
実施例7は、実施例1に対して、酸素ポンプ11の印加電圧の制御が異なる。酸素ポンプ11の印加電圧に対するNOxセンサの出力依存性は、温度や製造ばらつきによって変化する。製造時の特性検査で温度や酸素濃度、NOx濃度を変化させた時の特性を測定しておき、その特性に応じて酸素ポンプの印加電圧の変更範囲を変化させる。
図12はガス測定装置を示すブロック図を示す。実施例1に対して、NOxセンサ素子の温度を測定するための温度センサ63と、温度センサの駆動及び、信号の検出を行う温度計測回路64が追加されている。65は温度センサ63の制御信号、66は温度センサ63の計測信号である。温度計測回路64が検出した値は信号67により、温度情報読み取り信号としてMCU24に取り込まれる。事前に測定した特性と温度の関係のデータベース(DB)がMCU24内の不揮発メモリに記録されている。MCU24は、DBに保持した特性や温度を参照して、温度センサ63の測定温度に応じて酸素ポンプ11の印加電圧の変化範囲を変更することができる。
図13は、3種類の酸素ポンプ11の印加電圧に対するNOxセンサ出力依存性の関係を示す。製造ばらつきや温度によってそれぞれ特性が異なり、変曲点が発生する電圧がそれぞれ異なる。例えば、状態2は状態1に対して温度が高い場合を示す。温度が高い場合は、酸素ポンプ11と酸素の反応が高くなり、変曲点が発生する酸素ポンプ11の印加電圧は状態1に比べて低くなる。また状態3は状態1よりも温度が低い場合を示し、変曲点が発生する酸素ポンプの印加電圧は状態1に比べて高くなる。
図14は酸素ポンプ11の印加電圧の制御状態を示す。状態1、2、3それぞれで、変曲点に対してΔVだけ余裕を持った電圧範囲で酸素ポンプ11の印加電圧のスイープを行う。例えば、状態1の場合は、Vo1−ΔVから、Vo2+ΔVの範囲である。これにより、電圧のスイープ範囲を製造ばらつきや温度に応じて最適化することができ、NOxセンサの応答性を速くすることができる。
以上の説明したように、本発明の好ましい実施例によれば、酸素濃度を測定するための基準となる気体を取り込む構造及びNOxセンサ周辺の酸素濃度をモニタする機構が不要となる。これにより、NOxセンサの構造の自由度が増すので、センサ素子の小型化やSiチップでワンチップ化したNOxセンサを実現することができる。
1:NOxセンサ
2:NOxセンサ制御回路
3:ECU
11:酸素ポンプ
12:センサ素子
13:リファレンス素子
21:電圧生成回路
22:検出回路
23:アナログデジタルコンバータ
24:演算処理部(MCU)
25:入出力回路
2:NOxセンサ制御回路
3:ECU
11:酸素ポンプ
12:センサ素子
13:リファレンス素子
21:電圧生成回路
22:検出回路
23:アナログデジタルコンバータ
24:演算処理部(MCU)
25:入出力回路
Claims (14)
- NOx及び酸素を検出可能なNOxセンサ素子と、
酸素イオン伝導性固体電解質層及び電極を有し、前記電極に印加される電圧に応じて前記電極間で酸素を移動させる酸素ポンプと、
前記酸素ポンプの印加電圧を可変制御する電圧生成回路と、
前記電圧生成回路の出力電圧を制御し、かつ前記NOxセンサ素子の出力を処理する処理部と、を有し、
前記処理部は、前記酸素ポンプの印加電圧の一方向の変化に対して前記NOxセンサ素子の出力の変曲点を検出し、前記変曲点に基づいて前記NOxセンサ素子からの出力の選択を行う、ことを特徴とするガス測定装置。 - 前記処理部は、前記NOxセンサ素子の出力の変曲点のうち電圧の下降と上昇の切り替え時の変曲点を除き、前記酸素ポンプ印加電圧の上昇時に発生する第1の変曲点と第2の変曲点が発生する中間の電圧を印加した時のNOxセンサ素子の出力を選択して該出力を補正する、請求項1のガス測定装置。
- 前記処理部は、前記NOxセンサ素子の出力の変曲点のうち電圧の下降と上昇の切り替え時の変曲点を除き、前記酸素ポンプ印加電圧の上昇時に発生する第1の変曲点が発生してから第2の変曲点が発生するまでのNOxセンサ素子の出力を平均化する、請求項1のガス測定装置。
- 前記処理部は、前記NOxセンサ素子の出力の変曲点を判断するためのNOxセンサ素子の出力の2回微分値が前記酸素ポンプの印加電圧に対して一定の幅を持つ場合、前記NOxセンサ素子の出力を2回微分して、該2回微分値の絶対値が規定値よりも小さい場合のデータを選択して平均化する、請求項3のガス測定装置。
- 前記処理部は、前記NOxセンサ素子の出力の変曲点が検出されない場合に、前記酸素ポンプ印加電圧が最大の時の前記NOxセンサ素子の出力値を検出値として選択して、補正演算する、請求項1のガス測定装置。
- 前記処理部は、前記NOxセンサ素子の出力の変曲点の間隔が狭くて、前記NOxセンサ素子の出力からデータの選択が難しい場合に、前記酸素ポンプの印加電圧の変化速度及び又は変化範囲を変更して、その後前記NOxセンサ素子の出力から該データを選択する、請求項1のガス測定装置。
- 前記処理部は、前記酸素ポンプの印加電圧の上昇時間と下降時間が異なるように前記電圧生成回路を制御する、請求項1のガス測定装置。
- 前記処理部は、前記酸素ポンプの前記電極間に流れる電流を計測し、前記NOxセンサ素子の出力の変曲点のうち電圧の下降と上昇の切り替え時の変曲点は除き、前記電流とNOxセンサ素子の出力値から酸素濃度を計算する、請求項1のガス測定装置。
- 前記処理部は、前記酸素ポンプの印加電圧を0Vにした時のNOxセンサ素子の出力と、前記変曲点に基づいて選択されたNOx濃度に相当するNOxセンサ素子の出力から酸素濃度を計算する、請求項1のガス測定装置。
- 前記NOxセンサ素子と、前記酸素ポンプと、NOx及び酸素に反応せず温度による特性変化を補正するリファレンス素子は、Si基板上に形成された半導体構造を成し、該半導体構造は、酸素濃度をモニタする機構を有しない、請求項1のガス測定装置。
- 前記NOxセンサ素子の製造時の検査で、各温度で取得した前記NOxセンサ素子の出力の前記変曲点が発生する前記酸素ポンプの印加電圧のデータを記憶する不揮発メモリと、前記NOxセンサ素子の温度を計測する温度センサと、を有し、
前記処理部は、前記不揮発メモリに記憶されたデータと、前記温度センサの計測値を基に、前記酸素ポンプの印加電圧の駆動範囲を決定する、請求項1のガス測定装置。 - NOxセンサ素子がNOx及び酸素を検出するステップと、
酸素ポンプが、酸素イオン伝導性固体電解質層に対して所定に配置された電極に印加される電圧に応じて、前記電極間で酸素を移動させるステップと、
電圧生成回路が、前記酸素ポンプの印加電圧を可変制御する電圧生成ステップと、
前記電圧生成回路の出力電圧を制御し、かつ前記NOxセンサ素子の出力を処理する処理ステップと、を有し、
前記処理ステップは、前記酸素ポンプの印加電圧の一方向の変化に対して前記NOxセンサ素子の出力の変曲点を検出し、前記変曲点に基づいて前記NOxセンサ素子からの出力を選択する、ことを特徴とするガス測定方法。 - NOxセンサ素子がNOx及び酸素を検出するステップと、
酸素ポンプが、酸素イオン伝導性固体電解質層に対して所定に配置された電極に印加される電圧に応じて、前記電極間で酸素を移動させるステップと、
電圧生成回路が、前記酸素ポンプの印加電圧を可変制御する電圧生成ステップと、
前記電圧生成回路の出力電圧を制御し、かつ前記NOxセンサ素子の出力を処理する処理ステップと、を有し、
前記処理ステップは、前記酸素ポンプの印加電圧の上昇に伴い、前記NOxセンサ素子の出力において、酸素濃度がNOx濃度よりも低くなりかつ酸素濃度がNOxの検出に影響を及ぼさない範囲で、前記処理ステップは前記NOxセンサ素子の出力からNOx濃度のデータを選択する、ことを特徴とするガス測定方法。 - 前記処理ステップは、前記酸素ポンプの印加電圧の一方向の変化に対して前記NOxセンサ素子の出力の変曲点を検出し、前記変曲点に基づいて前記影響を及ぼさない範囲を判断して、前記NOxセンサ素子の出力から前記NOx濃度のデータを選択する、請求項13のガス測定方法。
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