JP2019089259A - Ｍｅｍｓデバイス、液体吐出ヘッド、および液体吐出装置 - Google Patents

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功 ▲柳▼澤
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Abstract

【課題】接着剤による基板同士の接合の信頼性を向上させたＭＥＭＳデバイスを提供する。【解決手段】ＭＥＭＳデバイスは、第１コア部１２２と複数の第１バンプ配線１２３と、複数の第１個別配線３１１が積層される方向であるＺ軸方向において、第１コア部１２２と配線基板３０との間の幅であるＨ３は、接着剤１２４に含まれる固形粒子の最大粒子径よりも広く、第１の配線１２３ａと第２の配線１２３ｂとの間の幅、および第３の配線３１１ａと第４の配線３１１ｂとの間の幅であるＬ１は、固形粒子の最大粒子径よりも広い。【選択図】図７

Description

本発明は、ＭＥＭＳデバイス、液体吐出ヘッド、および液体吐出装置に関する。
従来、例えば、特許文献１に記載されているように、駆動ＩＣと封止板とを、接合した液体吐出ヘッドが知られている。
また、特許文献２に記載されているように、半導体基板と回路基板とを、接合した半導体装置が知られている。
特開２０１６−１７２３４５号公報 特開２００９−３３０１０号公報
特許文献１に記載の液体吐出ヘッド、および特許文献２に記載の半導体装置では、基板同士の接合には接着剤が用いられている。なお、接着剤には固形粒子（硬化剤、フィラー等）が含まれており、基板同士を接合する際に、固形粒子が不均一に分布してしまうと、接合強度が低下してしまう。
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
［適用例１］本適用例に係るＭＥＭＳデバイスは、第１の基板と、前記第１の基板上に形成された樹脂と、前記樹脂上に形成された、第１の配線と、第２の配線と、を含む複数の配線と、前記複数の配線と接合される第２の基板と、前記第２の基板上に形成された、第３の配線と、第４の配線と、を含む複数の配線と、を備え、前記第１の基板と前記第２の基板とは、接着剤を介して接合され、前記第１の基板と前記第２の基板とは、前記第１の配線と前記第３の配線とを介して電気的に接続され、前記第１の基板と前記第２の基板とは、前記第２の配線と前記第４の配線とを介して電気的に接続され、前記接着剤は、固形粒子を含み、前記樹脂と前記複数の配線が積層される方向である第１の方向において、前記樹脂と前記第２の基板との間の幅は、前記固形粒子の最大粒子径よりも広く、前記第１の配線と前記第２の配線との間の幅、または前記第３の配線と前記第４の配線との間の幅は、前記固形粒子の最大粒子径よりも広い、ことを特徴とする。
本適用例によれば、前記第２の基板と、前記樹脂と、前記複数の配線とで囲まれる領域（接合領域）の幅が接着剤に含まれる固形粒子の最大粒子径よりも広くなるため、基板同士の接合にて接合領域に接着剤を流動した際、接着剤に含まれる硬化剤やフィラー等の固形粒子が接合領域に行き渡りやすくなり、接合領域において固形粒子が均一に分布する。これにより、基板同士の接合強度を向上することができる。
従って、信頼性の高いＭＥＭＳデバイスを提供することができる。
［適用例２］上記適用例に記載のＭＥＭＳデバイスは、前記第１の方向における断面視において、前記第１の配線と前記第２の配線との間の領域の樹脂の膜厚は、前記第１の配線または前記第２の配線が形成された領域の樹脂の膜厚よりも薄いことが好ましい。
本適用例によれば、前記第２の基板と、前記樹脂と、前記複数の配線とで囲まれる領域（接合領域）の幅が接着剤に含まれる固形粒子の最大粒子径よりも広くなるため、基板同士の接合にて接合領域に接着剤を流動した際、接着剤に含まれる硬化剤やフィラー等の固形粒子が接合領域に行き渡りやすくなり、接合領域において固形粒子が均一に分布する。これにより、基板同士の接合強度を向上することができる。
従って、信頼性の高いＭＥＭＳデバイスを提供することができる。
［適用例３］上記適用例に記載のＭＥＭＳデバイスは、前記第１の配線および前記第２の配線の膜厚、または前記第３の配線および前記第４の配線の膜厚は、前記固形粒子の最大粒子径よりも厚いことが好ましい。
本適用例によれば、前記第２の基板と、前記樹脂と、前記複数の配線とで囲まれる領域（接合領域）の幅が接着剤に含まれる固形粒子の最大粒子径よりも広くなるため、基板同士の接合にて接合領域に接着剤を流動した際、接着剤に含まれる硬化剤やフィラー等の固形粒子が接合領域に行き渡りやすくなり、接合領域において固形粒子が均一に分布する。これにより、基板同士の接合強度を向上することができる。
従って、信頼性の高いＭＥＭＳデバイスを提供することができる。
［適用例４］上記適用例に記載のＭＥＭＳデバイスは、前記第１の方向における断面視において、前記第３の配線と前記第４の配線との間の領域の前記第２の基板の厚みは、前記第３の配線または前記第４の配線が形成された領域の前記第２の基板の厚みよりも薄いことが好ましい。
本適用例によれば、前記第２の基板と、前記樹脂と、前記複数の配線とで囲まれる領域（接合領域）の幅が接着剤に含まれる固形粒子の最大粒子径よりも広くなるため、基板同士の接合にて接合領域に接着剤を流動した際、接着剤に含まれる硬化剤やフィラー等の固形粒子が接合領域に行き渡りやすくなり、接合領域において固形粒子が均一に分布する。これにより、基板同士の接合強度を向上することができる。
従って、信頼性の高いＭＥＭＳデバイスを提供することができる。
［適用例５］本適用例に係るＭＥＭＳデバイスは、第１の基板と、前記第１の基板上に形成された、第１のバンプと、第２のバンプと、を含む複数のバンプと、前記複数のバンプと接合される第２の基板と、前記第２の基板上に形成された、第３の配線と、第４の配線と、を含む複数の配線と、を備え、前記第１の基板と前記第２の基板とは、接着剤を介して接合され、前記第１の基板と前記第２の基板とは、前記第１のバンプと前記第３の配線とを介して電気的に接続され、前記第１の基板と前記第２の基板とは、前記第２のバンプと前記第４の配線とを介して電気的に接続され、前記接着剤は、固形粒子を含み、前記第１の基板と前記第２の基板が積層される方向である第１の方向において、前記第１の基板と前記第２の基板との間の幅は、前記固形粒子の最大粒子径よりも広く、前記第１のバンプと前記第２のバンプとの間の幅、または前記第３の配線と前記第４の配線との間の幅は、前記固形粒子の最大粒子径よりも広いことを特徴とする。
本適用例によれば、前記第１の基板と、前記第２の基板と、前記複数のバンプと、前記複数の配線とで囲まれる領域（接合領域）の幅が接着剤に含まれる固形粒子の最大粒子径よりも広くなるため、基板同士の接合にて接合領域に接着剤を流動した際、接着剤に含まれる硬化剤やフィラー等の固形粒子が接合領域に行き渡りやすくなり、接合領域において固形粒子が均一に分布する。これにより、基板同士の接合強度を向上することができる。
従って、信頼性の高いＭＥＭＳデバイスを提供することができる。
［適用例６］上記適用例に係るＭＥＭＳデバイスは、前記第１のバンプおよび前記第２のバンプの膜厚、または前記第３の配線および前記第４の配線の膜厚は、前記固形粒子の最大粒子径よりも厚いことが好ましい。
本適用例によれば、前記第１の基板と、前記第２の基板と、前記複数のバンプと、前記複数の配線とで囲まれる領域（接合領域）の幅が接着剤に含まれる固形粒子の最大粒子径よりも広くなるため、基板同士の接合にて接合領域に接着剤を流動した際、接着剤に含まれる硬化剤やフィラー等の固形粒子が接合領域に行き渡りやすくなり、接合領域において固形粒子が均一に分布する。これにより、基板同士の接合強度を向上することができる。
従って、信頼性の高いＭＥＭＳデバイスを提供することができる。
［適用例７］上記適用例に記載のＭＥＭＳデバイスは、前記第１の方向における断面視において、前記第１のバンプまたは前記第２のバンプとの間の領域の前記第２の基板の厚みは、前記第１のバンプまたは前記第２のバンプと接合する領域の前記第２の基板の厚みよりも薄いことが好ましい。
本適用例によれば、前記第１の基板と、前記第２の基板と、前記複数のバンプと、前記複数の配線とで囲まれる領域（接合領域）の幅が接着剤に含まれる固形粒子の最大粒子径よりも広くなるため、基板同士の接合にて接合領域に接着剤を流動した際、接着剤に含まれる硬化剤やフィラー等の固形粒子が接合領域に行き渡りやすくなり、接合領域において固形粒子が均一に分布する。これにより、基板同士の接合強度を向上することができる。
従って、信頼性の高いＭＥＭＳデバイスを提供することができる。
［適用例８］本適用例に係る液体吐出ヘッドは、上記に記載のＭＥＭＳデバイスを備えることが好ましい。
本適用例によれば、信頼性の高い液体吐出ヘッドを提供することができる。
［適用例９］本適用例に係る液体吐出装置は、上記の液体吐出ヘッドを備えることが好ましい。
本適用例によれば、信頼性の高い液体吐出装置を提供することができる。
インクジェット式液体吐出装置の構成を説明する斜視図。 実施形態１に係る液体吐出ヘッドの分解斜視図。 実施形態１に係る液体吐出ヘッドの液体吐出面側の平面図。 実施形態１に係る図３のＡ−Ａ′線断面図。 実施形態１に係る図４の要部を拡大した断面図。 実施形態１に係る図５の要部をさらに拡大した断面図。 実施形態１に係る図６のＢ−Ｂ′線断面図。 実施形態２に係る図６のＢ−Ｂ′線断面図。 実施形態３に係る図６のＢ−Ｂ′線断面図。 実施形態４に係る図６の金属バンプを使用した断面図。 実施形態４に係る図１０のＣ−Ｃ′線断面図。 実施形態５に係る図１０のＣ−Ｃ′線断面図。
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。なお、以下の各図においては、各層や各部材を認識可能な程度の大きさにするため、各層や各部材の尺度を実際とは異ならせしめている。
液体吐出装置の一例であるインクジェット式液体吐出装置を例に挙げる。図１は、そのインクジェット式液体吐出装置を示す概略図である。図示するように、インクジェット式液体吐出装置Ｉにおいて、液体吐出ヘッド１は、インク供給手段を構成するカートリッジ２が着脱可能に設けられ、液体吐出ヘッド１を搭載したキャリッジ３は、装置本体４に取り付けられたキャリッジ軸５に軸方向移動自在に設けられている。
そして、駆動モーター６の駆動力が図示しない複数の歯車およびタイミングベルト７を介してキャリッジ３に伝達されることで、液体吐出ヘッド１を搭載したキャリッジ３はキャリッジ軸５に沿って移動される。一方、装置本体４には搬送手段としての搬送ローラー８が設けられており、紙等の記録媒体である記録シートＳが搬送ローラー８により搬送されるようになっている。なお、記録シートＳを搬送する搬送手段は、搬送ローラーに限られずベルトやドラム等であってもよい。
なお、上述したインクジェット式液体吐出装置Ｉでは、液体吐出ヘッド１がキャリッジ３に搭載されて主走査方向に移動するものを例示したが、特にこれに限定されず、例えば、液体吐出ヘッド１が固定されて、紙等の記録シートＳを副走査方向に移動させるだけで印刷を行う、所謂ライン式液体吐出装置にも本発明を適用することができる。
また、上述した例では、インクジェット式液体吐出装置Ｉは、液体貯留手段であるカートリッジ２がキャリッジ３に搭載された構成であるが、特にこれに限定されず、例えば、インクタンク等の液体貯留手段を装置本体４に固定して、貯留手段と液体吐出ヘッド１とをチューブ等の供給管を介して接続してもよい。また、液体貯留手段がインクジェット式液体吐出装置に搭載されていなくてもよい。
さらに、本発明は、広くヘッド全般を対象としたものであり、例えば、プリンター等の画像記録装置に用いられる各種のインクジェット式液体吐出ヘッド等の液体吐出ヘッド、液晶ディスプレイ等のカラーフィルターの製造に用いられる色材吐出ヘッド、有機ＥＬディスプレイ、ＦＥＤ（電界放出ディスプレイ）等の電極形成に用いられる電極材料吐出ヘッド、バイオｃｈｉｐ製造に用いられる生体有機物吐出ヘッド等にも適用することができる。
（実施形態１）
図２は、本発明の実施形態１に係る液体吐出ヘッドの一例であるインクジェット式液体吐出ヘッドの分解斜視図であり、図３はインクジェット式液体吐出ヘッドの平面図（液体吐出面２０ａ側の平面図）であり、図４は図３のＡ−Ａ′線断面図であり、図５は図４の要部を拡大した断面図であり、図６は更に図５の要部を拡大した断面図であり、図７は図６のＢ−Ｂ′線断面図である。
図示するように、本実施形態の液体吐出ヘッドの一例であるインクジェット式液体吐出ヘッド１（以下、液体吐出ヘッド１とも言う）は、流路形成基板１０、連通板１５、ノズルプレート２０、本実施形態の配線基板３０（第２の基板）、駆動回路１２０（第１の基板）、コンプライアンス基板４５等の複数の部材を備える。また、本実施形態のＭＥＭＳデバイスは、連通板１５上に積層された圧力発生室１２、配線基板３０、駆動回路１２０等を備える。流路形成基板１０は、ステンレス鋼やＮｉなどの金属、ＺｒＯ2あるいはＡｌ2Ｏ3を代表とするセラミック材料、ガラスセラミック材料、ＳｉＯ2、ＭｇＯ、ＬａＡｌＯ3のような酸化物などを用いることができる。本実施形態では、流路形成基板１０は、シリコン単結晶基板からなる。この流路形成基板１０には、一方面側から異方性エッチングすることにより、複数の隔壁によって区画された圧力発生室１２がインクを吐出する複数のノズル開口２１が並設される方向に沿って並設されている。以降、この方向を圧力発生室１２の並設方向、または第２の方向、またはＸ軸方向と称する。また、流路形成基板１０には、圧力発生室１２が第２の方向に並設された列が複数列、本実施形態では、２列設けられている。この圧力発生室１２が第２の方向に沿って形成された圧力発生室１２の列が複数列設された列設方向を、以降、第３の方向、またはＹ軸方向と称する。さらに、第２の方向及び第３の方向の双方に交差する方向を本実施形態では、第１の方向、またはＺ軸方向と称する。各図に示した座標軸は第２の方向、第３の方向、第１の方向を表しており、矢印の向かう方向を正（＋）方向、反対方向が負（−）方向ともいう。なお、本実施形態では、各方向（Ｘ、Ｙ、Ｚ）の関係を直交とするが、各構成の配置関係が必ずしも直交するものに限定されるものではない。
流路形成基板１０には、圧力発生室１２の第３の方向の一端部側に、当該圧力発生室１２よりも開口面積が狭く、圧力発生室１２に流入するインクの流路抵抗を付与する供給路等が設けられていてもよい。流路形成基板１０の一方面側（配線基板３０とは反対側であって−第１の方向）には、連通板１５とノズルプレート２０とが順次積層されている。すなわち、流路形成基板１０の一方面に設けられた連通板１５と、連通板１５の流路形成基板１０とは反対面側に設けられたノズル開口２１を有するノズルプレート２０と、を具備する。
連通板１５には、圧力発生室１２とノズル開口２１とを連通するノズル連通路１６が設けられている。連通板１５は、流路形成基板１０よりも大きな面積を有し、ノズルプレート２０は流路形成基板１０よりも小さい面積を有する。このように連通板１５を設けることによってノズルプレート２０のノズル開口２１と圧力発生室１２とを離せるため、圧力発生室１２の中にあるインクは、ノズル開口２１付近のインクで生じるインク中の水分の蒸発による増粘の影響を受け難くなる。また、ノズルプレート２０は圧力発生室１２とノズル開口２１とを連通するノズル連通路１６の開口を覆うだけでよいので、ノズルプレート２０の面積を比較的小さくすることができ、コストの削減を図ることができる。なお、本実施形態では、ノズルプレート２０のノズル開口２１が開口されて、インク滴が吐出される面を液体吐出面２０ａと称する。
また、連通板１５には、マニホールド１００の一部を構成する第１マニホールド部１７と、第２マニホールド部１８とが設けられている。第１マニホールド部１７は、連通板１５を厚さ方向（連通板１５と流路形成基板１０との積層方向）に貫通して設けられている。第２マニホールド部１８は、連通板１５を厚さ方向に貫通することなく、連通板１５のノズルプレート２０側に開口して設けられている。
さらに、連通板１５には、圧力発生室１２の第３の方向の一端部に連通する供給連通路１９が、圧力発生室１２毎に独立して設けられている。この供給連通路１９は、第２マニホールド部１８と圧力発生室１２とを連通する。
このような連通板１５としては、ステンレス鋼やＮｉなどの金属、ＺｒＯ2あるいはＡｌ2Ｏ3を代表とするセラミック材料、ガラスセラミック材料、ＳｉＯ2、ＭｇＯ、ＬａＡｌＯ3のような酸化物などを用いることができる。なお、連通板１５は、流路形成基板１０と線膨張係数が同等の材料が好ましい。すなわち、連通板１５として流路形成基板１０と線膨張係数が大きく異なる材料を用いた場合、加熱や冷却されることで、流路形成基板１０と連通板１５との線膨張係数の違いにより反りが生じてしまう。本実施形態では、連通板１５として流路形成基板１０と同じ材料、すなわち、シリコン単結晶基板を用いることで、熱による反りや熱によるクラック、剥離等の発生を抑制することができる。ノズルプレート２０には、各圧力発生室１２とノズル連通路１６を介して連通するノズル開口２１が形成されている。このようなノズル開口２１は、第２の方向に並設され、この第２の方向に並設されたノズル開口２１の列が第３の方向に２列形成されている。
このようなノズルプレート２０としては、例えば、ステンレス鋼（ＳＵＳ）等の金属、ポリイミド樹脂のような有機物、又はシリコン単結晶基板等を用いることができる。なお、ノズルプレート２０としてシリコン単結晶基板を用いることで、ノズルプレート２０と連通板１５との線膨張係数を同等として、加熱や冷却されることによる反りや熱によるクラック、剥離等の発生を抑制することができる。
一方、流路形成基板１０の連通板１５とは反対面側（配線基板３０側であって＋第１の方向）には、振動板５０が形成されている。本実施形態では、振動板５０として、流路形成基板１０側に設けられた酸化シリコンからなる弾性膜５１と、弾性膜５１上に設けられた酸化ジルコニウムからなる絶縁体膜５２と、を設けるようにした。なお、圧力発生室１２等の液体流路は、流路形成基板１０を一方面側（連通板１５が接合された面側）から異方性エッチングすることにより形成されており、圧力発生室１２等の液体流路の他方面は、弾性膜５１によって画成されている。もちろん、振動板５０は、特にこれに限定されるものではなく、弾性膜５１と絶縁体膜５２との何れか一方を設けるようにしてもよく、その他の膜が設けられていてもよい。
流路形成基板１０の振動板５０上には、本実施形態の圧力発生室１２内のインクに圧力変化を生じさせる駆動素子として圧電アクチュエーター１５０が設けられている。上述したように、流路形成基板１０には、圧力発生室１２が第２の方向に沿って複数並設され、圧力発生室１２の列が第３の方向に沿って２列並設されている。圧電アクチュエーター１５０は、実質的な駆動部である活性部が第２の方向に並設されて列を構成し、この圧電アクチュエーター１５０の活性部の列が第３の方向に２列並設されている。すなわち、駆動素子とは、実質的には圧電アクチュエーター１５０の活性部のことである。また、本実施形態では、駆動素子である圧電アクチュエーター１５０の活性部が設けられた駆動素子基板は、流路形成基板１０に相当する。
圧電アクチュエーター１５０は、振動板５０側から順次積層された第１電極６０、圧電体層７０及び第２電極８０を有する。圧電アクチュエーター１５０を構成する第１電極６０は、圧力発生室１２毎に切り分けられており、圧電アクチュエーター１５０の実質的な駆動部である活性部毎に独立する個別電極を構成する。圧電体層７０は、第３の方向が所定の幅となるように第２の方向に亘って連続して設けられている。
圧力発生室１２の第３の方向の一端部側（マニホールド１００とは反対側）における圧電体層７０の端部は、第１電極６０の端部よりも外側に位置している。すなわち、第１電極６０の端部は圧電体層７０によって覆われている。また、圧力発生室１２の第３の方向のマニホールド１００側である他端側における圧電体層７０の端部は、第１電極６０の端部よりも内側（圧力発生室１２側）に位置しており、第１電極６０のマニホールド１００側の端部は、圧電体層７０に覆われていない。
圧電体層７０は、第１電極６０上に形成される分極構造を有する酸化物の圧電材料からなり、例えば、一般式ＡＢＯ3で示されるペロブスカイト型酸化物からなることができる。圧電体層７０に用いられるペロブスカイト型酸化物としては、例えば、鉛を含む鉛系圧電材料や鉛を含まない非鉛系圧電材料などを用いることができる。
なお、特に図示していないが、圧電体層７０には、圧力発生室１２間の各隔壁に対応する位置に凹部が形成されていてもよい。これにより、圧電アクチュエーター１５０を良好に変位させることができる。
第２電極８０は、圧電体層７０の第１電極６０とは反対面側に設けられており、複数の活性部に共通する共通電極を構成する。このような第１電極６０、圧電体層７０及び第２電極８０で構成される圧電アクチュエーター１５０は、第１電極６０と第２電極８０との間に電圧を印加することで変位が生じる。すなわち両電極の間に電圧を印加することで、第１電極６０と第２電極８０とで挟まれている圧電体層７０に圧電歪みが生じる。そして、両電極に電圧を印加した際に、圧電体層７０に圧電歪みが生じる部分（第１電極６０と第２電極８０とで挟まれた領域）を活性部と称する。これに対して、圧電体層７０に圧電歪みが生じない部分を非活性部と称する。また、圧電アクチュエーター１５０の圧力発生室１２に対向して可変可能な部分を可撓部と称し、圧力発生室１２の外側の部分を非可撓部と称する。
上述したように、圧電アクチュエーター１５０は、第１電極６０を複数の活性部毎に独立して設けることで個別電極とし、第２電極８０を複数の活性部に亘って連続して設けることで共通電極とした。もちろん、このような態様に限定されず、第１電極６０を複数の活性部に亘って連続して設けることで共通電極とし、第２電極を活性部毎に独立して設けることで個別電極としてもよい。また、振動板５０としては、弾性膜５１及び絶縁体膜５２を設けずに、第１電極６０のみが振動板として作用するようにしてもよい。また、圧電アクチュエーター１５０自体が実質的に振動板を兼ねるようにしてもよい。本実施形態では、圧電アクチュエーター１５０の活性部は、圧力発生室１２に対応して第２の方向に並設されており、このように第２の方向に並設された活性部の列が、第３の方向に２列設けられていることになる。
また、図４及び図５に示すように、圧電アクチュエーター１５０の第１電極６０からは、引き出し配線である個別リード電極９１が引き出されている。個別リード電極９１は、各列の活性部から第３の方向において列の外側に引き出されている。
また、圧電アクチュエーター１５０の第２電極８０からは、引き出し配線である共通リード電極９２が引き出されている。本実施形態では、共通リード電極９２は、２列の圧電アクチュエーター１５０のそれぞれの第２電極８０に導通している。また、共通リード電極９２は、複数の活性部に対して１本の割合で設けられている。
流路形成基板１０の圧電アクチュエーター１５０側の面には、配線基板３０が接合されている。配線基板３０は、流路形成基板１０と略同じ大きさを有する。配線基板３０は、ステンレス鋼やＮｉなどの金属、ＺｒＯ2あるいはＡｌ2Ｏ3を代表とするセラミック材料、ガラスセラミック材料、ＳｉＯ2、ＭｇＯ、ＬａＡｌＯ3のような酸化物などを用いることができる。本実施形態では、配線基板３０は、表面の面方位が（１１０）面に優先配向したシリコン単結晶基板からなる。また、配線基板３０の駆動素子である圧電アクチュエーター１５０とは反対側の面（＋Ｚ）を第１面３０１と称し、配線基板３０の圧電アクチュエーター１５０側の面（−Ｚ）を第２面３０２と称する。そして、図２及び図４等に示すように、配線基板３０の第１面３０１には、圧電アクチュエーター１５０を駆動するための信号を出力する駆動回路１２０が実装されている。すなわち、配線基板３０の駆動素子である圧電アクチュエーター１５０とは反対側の第１面３０１が駆動回路１２０側となっている。
駆動回路１２０には、圧電アクチュエーター１５０の活性部毎にトランスミッションゲート等のスイッチング素子が設けられており、入力された制御信号に基づいてスイッチング素子を開閉させて、外部から供給された駆動信号（ＣＯＭ）から所望のタイミングで圧電アクチュエーター１５０の活性部を駆動させる吐出信号を生成する。なお、ここで言う吐出信号とは、駆動素子である圧電アクチュエーター１５０の活性部を駆動させてノズル開口２１からインク滴を吐出させる信号に代表されるものであるが、これに限定されるものではなく、インク滴が吐出しない程度に圧電アクチュエーター１５０の活性部を駆動させる微振動駆動等のその他の駆動を行わせる信号も含むものである。このような駆動回路１２０としては、例えば、回路基板や半導体集積回路（ＩＣ）を用いることができる。ちなみに、駆動回路１２０によって圧電アクチュエーター１５０の各活性部の個別電極である第１電極６０には、駆動信号（ＣＯＭ）から生成した吐出信号を供給し、複数の活性部の共通電極である第２電極８０には基準電位となるバイアス電圧（ＶＢＳ）を供給することで、圧電アクチュエーター１５０の活性部は駆動される。
このような配線基板３０は、圧電アクチュエーター１５０の各列の活性部の並設方向であるＸ軸方向が長尺となるように設けられている。すなわち、配線基板３０は、Ｘ軸方向が長手方向となり、Ｙ軸方向が短手方向となるように配置されている。
また、図５及び図６に示すように、この配線基板３０の第１面３０１には、個別配線３１を構成する第１個別配線３１１と駆動信号配線３２と電源配線３３とバイアス配線３４を構成する第１バイアス配線３４１とが設けられている。
個別配線３１は、一端が駆動回路１２０に接続されると共に、他端が圧電アクチュエーター１５０の活性部の個別電極である第１電極６０に電気的に接続されて、駆動回路１２０からの吐出信号を圧電アクチュエーター１５０の第１電極６０に供給するものである。
個別配線３１を構成する第１個別配線３１１は、配線基板３０の第１面３０１のＹ軸方向の両端部のそれぞれに、Ｘ軸方向に複数並設されている。また、第１個別配線３１１は、Ｙ軸方向に沿って延設されており、一端において駆動回路１２０の各端子と電気的に接続され、他端において第１貫通配線３１５と電気的に接続されている。
ここで、第１貫通配線３１５は、配線基板３０を厚さ方向であるＺ軸方向に貫通して設けられた第１貫通孔３０３の内部に設けられたものであり、第１面３０１と第２面３０２とを中継して第１面３０１の第１個別配線３１１と詳しくは後述する第２面３０２の第２個別配線３１２とを接続する配線である。第１貫通配線３１５が設けられた第１貫通孔３０３は、配線基板３０をレーザー加工、ドリル加工、ドライエッチング加工（Ｂｏｓｃｈ法、非Ｂｏｓｃｈ法、イオンミリング）、ＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ ；誘導結合プラズマ）加工、ウェットエッチング加工、サンドブラスト加工等を行うことで形成することができる。このような第１貫通孔３０３内に第１貫通配線３１５が充填して形成されている。なお、第１貫通配線３１５は、銅（Ｃｕ）等の金属からなり、電解めっきや無電界めっきなどによって形成することができる。
また、第１貫通配線３１５は、第２面３０２で第２個別配線３１２と接続されている。第２個別配線３１２は、詳しくは後述するが、圧電アクチュエーター１５０の活性部の個別電極である第１電極６０に接続された個別リード電極９１と電気的に接続されている。すなわち、第１個別配線３１１と第１貫通配線３１５と第２個別配線３１２とで構成される個別配線３１は、圧電アクチュエーター１５０の活性部の個別電極である第１電極６０と同数設けられている。
また、配線基板３０の第１面３０１には、駆動信号配線３２が設けられている。駆動信号配線３２は、外部配線１３０から供給された駆動信号（ＣＯＭ）を駆動回路１２０に供給するためのものである。本実施形態の駆動信号配線３２は、配線基板３０のＸ軸方向に沿って外部配線１３０が接続される一端側から他端側に向かって延設されている。また、駆動信号配線３２は、本実施形態では、圧電アクチュエーター１５０の各列に対してＹ軸方向に２本ずつ、合計４本並設されている。
また、配線基板３０の第１面３０１には、電源配線３３が設けられている。電源配線３３は、駆動回路１２０に電力を供給するものであり、本実施形態では、駆動回路１２０の高電圧回路用に高圧電力を供給する高圧電源配線３３１とこれに対応した高圧用グランド配線３３２と駆動回路１２０に低電圧回路用に低圧電力を供給する低圧電源配線３３３とこれに対応した低圧用グランド配線３３４とを具備する。すなわち、本実施形態では、４種類の電源配線３３が設けられている。
このような電源配線３３は、配線基板３０のＸ軸方向に沿って外部配線１３０が接続される一端側から他端側に向かって設けられている。また、高圧電源配線３３１と高圧用グランド配線３３２と低圧電源配線３３３と低圧用グランド配線３３４とは、圧電アクチュエーター１５０の活性部の列毎に１本ずつ、すなわち、圧電アクチュエーター１５０の活性部の列毎に４本の合計８本設けられている。このような高圧電源配線３３１と高圧用グランド配線３３２と低圧電源配線３３３と低圧用グランド配線３３４とは、Ｙ軸方向に並設されている。また、圧電アクチュエーター１５０の活性部の各列に対応する駆動信号配線３２は、電源配線３３に対して一方側、本実施形態では、Ｙ軸方向において配線基板３０の電源配線３３よりも外側に配置されている。すなわち、Ｙ軸方向において配線基板３０の中央側に電源配線３３が配置され、配線基板３０の外側に駆動信号配線３２が配置されている。
配線基板３０の第１面３０１には、バイアス配線３４を構成する第１バイアス配線３４１が設けられている。バイアス配線３４は、外部配線１３０から供給されたバイアス電圧（ＶＢＳ）を圧電アクチュエーター１５０の活性部の共通電極である第２電極８０に供給するものである。
第１バイアス配線３４１は、Ｘ軸方向において配線基板３０の外部配線１３０が接続される一端部側にＸ軸方向に沿って設けられており、駆動信号配線３２や電源配線３３よりも短い長さを有する。すなわち、第１バイアス配線は、駆動回路１２０に接続することなく、直接圧電アクチュエーター１５０の共通電極である第２電極８０に接続すればよいため、Ｘ軸方向において駆動回路１２０が実装された領域に達しない長さで設けられている。本実施形態では、第１バイアス配線３４１は、Ｙ軸方向において電源配線３３の駆動信号配線３２とは反対側、すなわち、電源配線３３よりも配線基板３０の内側である中央側に配置されている。また、本実施形態では、第１バイアス配線３４１は、各圧電アクチュエーター１５０に対して１本ずつ、合計２本設けられている。
このような駆動信号配線３２と電源配線３３とは、図６に示すように、それぞれ配線基板３０の第１面３０１に設けられた第１溝３０４内に埋め込まれた第１埋設配線３５と、第１埋設配線３５を覆うように設けられた第１接続配線３６と、を具備する。
ここで、第１埋設配線３５が設けられた第１溝３０４は、配線基板３０の表面の（１１０）面に垂直な第１の（１１１）面と、第１の（１１１）面に相対向して（１１０）面に垂直な第２の（１１１）面と、で形成された内壁面を有する。このような第１溝３０４は、配線基板３０を、水酸化カリウム水溶液（ＫＯＨ）や水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）等のアルカリ溶液を用いた異方性エッチング（ウェットエッチング）することで高精度に形成することができる。また、本実施形態では、第１溝３０４の内壁面である第１の（１１１）面と、第２の（１１１）面とは、Ｘ軸方向に沿った直線状となるように配置されている。このように、第１溝３０４の内壁面をＸ軸方向に沿った直線状となるように形成することで、第１溝３０４及び第１埋設配線３５をＸ軸方向に亘って長尺に且つ省スペースに形成することができる。ちなみに、例えば、圧電アクチュエーター１５０の活性部の並設方向と配線基板３０の第１の（１１１）面及び第２の（１１１）面の面方向とを異ならせてもよい。また、本実施形態では、第１溝３０４及び第１埋設配線３５を直線状に沿って設けるようにしたが、特にこれに限定されず、例えば、第１溝３０４及び第１埋設配線３５が延設方向の途中で屈曲していてもよい。
このように形成された第１溝３０４は、横断面が矩形状となっている。もちろん、第１溝３０４は、異方性エッチングによって形成したものに限定されず、レーザー加工、ドリル加工、ドライエッチング加工、ＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ ；誘導結合プラズマ）加工、サンドブラスト加工等で形成してもよい。
そして、本実施形態では、このような第１溝３０４をＹ軸方向に同じ間隔で複数個、本実施形態では、各圧電アクチュエーター１５０の活性部の列に対して６個ずつ、合計１２個設けるようにした。具体的には、第１溝３０４は、圧電アクチュエーター１５０の各列に対して駆動信号配線３２の２個と、電源配線３３用の４個との合計６個が設けられている。もちろん、第１溝３０４の駆動信号配線３２及び電源配線３３に対応する数及び位置は特にこれに限定されず、１個であってもよく、また、２個以上の複数個であってもよい。
この第１溝３０４内に第１埋設配線３５が埋め込まれている。すなわち、第１埋設配線３５は、第１溝３０４内に充填されて形成されている。第１埋設配線３５は、銅（Ｃｕ）等の金属からなり、例えば、電解めっき、無電界めっき、導電性ペーストの印刷などの方法によって形成することができる。また、第１埋設配線３５は、第１貫通配線３１５とめっきによって同時に形成することも可能である。このように、第１埋設配線３５と第１貫通配線３１５とを同時に形成することで、製造工程を簡略化してコストを低減することができる。
第１接続配線３６は、各第１埋設配線３５を覆うように積層されている。この第１接続配線３６は、Ｙ軸方向において第１埋設配線３５の幅よりも若干広い幅を有するが、Ｙ軸方向で互いに隣り合う駆動信号配線３２及び電源配線３３が互いに短絡しないように間隔を空けて配置されている。なお、本実施形態の駆動信号配線３２や電源配線３３は、１本の第１埋設配線３５と１本の第１接続配線３６とによって構成されている。
このような第１接続配線３６としては、特に図示していないが、例えば、第１埋設配線３５側に設けられたチタン（Ｔｉ）等の密着層と、密着層上に設けられた金（Ａｕ）等の導電層とを積層したものを用いることができる。もちろん、その他の導電性材料で形成された層が積層されていてもよい。また、第１接続配線３６は、例えば、スパッタリング法等によって形成することができる。なお、第１接続配線３６は、例えば、第１個別配線３１１と同時に形成することもできる。このように、第１接続配線３６と第１個別配線３１１とを同時に形成することで、製造工程を簡略化してコストを低減することができる。
また、上記の密着層と導電層を埋設配線のマイグレーション、酸化に対しての保護膜とすることもできる。また、上記の導電層を、他の駆動回路基板に形成されたバンプやフレキシブルテープ（ＦＰＣ）、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｆｉｌｍ／Ｆｌｅｘ）との接合面とすることもできる。
また、第１接続配線３６は特に図示していないが、Ｘ軸方向において、第１埋設配線３５の端部の外側まで延設され、配線基板３０のＸ軸方向の端部近傍まで設けられている。このように、配線基板３０のＸ軸方向の一端部まで延設された第１接続配線３６にＦＰＣ等の外部配線１３０が電気的に接続される。外部配線１３０が接続された駆動信号配線３２には駆動信号（ＣＯＭ）が供給され、電源配線３３には電源が供給され、第１バイアス配線３４１には、バイアス電圧（ＶＢＳ）が供給される。そして、第１個別配線３１１と駆動信号配線３２と電源配線３３とは、第１面３０１において駆動回路１２０の各端子（図示なし）と電気的に接続されている。なお、特に図示していないが、配線基板３０の第１面３０１には、駆動回路１２０を制御するための、クロック信号（ＣＬＫ）、ラッチ信号（ＬＡＴ）、チェンジ信号（ＣＨ）、画素データ（ＳＩ）、設定データ（ＳＰ）等の制御信号を外部配線１３０から供給するための配線が設けられており、外部配線１３０と配線とが電気的に接続されていると共に、配線と駆動回路１２０の各端子とが電気的に接続されている。
ここで、第１埋設配線３５は、銅（Ｃｕ）等の金属を電解めっき、無電界めっき、導電性ペーストの印刷などの方法によって第１溝３０４内に形成した後、配線基板３０の第１面３０１の表面をケミカルメカニカルポリッシング（ＣＭＰ）等によって研磨することで平坦化されている。このとき、シリコンからなる配線基板３０と銅（Ｃｕ）等の金属からなる第１埋設配線３５との異種材料を同時に研磨することになるため、特に図示していないが、第１埋設配線３５は、配線基板３０の第１面３０１の表面よりも削られて後退する。つまり、第１埋設配線３５の第１面３０１側の表面は、第１面３０１よりも削られて凹んでしまう。そして、配線基板３０の第１面３０１に配線基板３０の表面と第１埋設配線３５の表面とに亘って第１接続配線３６を形成すると、第１接続配線３６は略同じ厚みで形成されるため、第１埋設配線３５の表面を覆う第１接続配線３６、すなわち、駆動信号配線３２や電源配線３３の表面には、第１埋設配線３５の凹みに沿った凹みが形成される。これに対して、第１埋設配線３５を覆わない第１接続配線３６、すなわち、第１個別配線３１１の表面には、凹みが形成されない。したがって、駆動回路１２０に接続される第１個別配線３１１の第１面３０１からの表面高さと、駆動回路１２０に接続される第１接続配線３６の第１面３０１からの表面高さとの間に差が生じる。つまり、第１埋設配線３５を有する駆動信号配線３２及び電源配線３３と第１バンプ電極１２１（駆動回路１２０）とが接続された接続部の界面は、第１個別配線３１１と第１バンプ電極１２１（駆動回路１２０）とが接続された接続部の界面よりも、配線基板３０側に位置する。
ここで、第１個別配線３１１（第３の配線、第４の配線を含む複数の配線）と駆動信号配線３２及び電源配線３３とに駆動回路１２０を実装する際に、金バンプなどの金属のみで形成された金属バンプを用いると、金属バンプは変形し難いことから、第１個別配線３１１と駆動信号配線３２及び電源配線３３との表面の差を吸収するまで、駆動回路１２０及び配線基板３０に反りを生じさせる必要がある。すなわち、駆動回路１２０及び配線基板３０を反らせて表面の差を吸収するには、駆動回路１２０を配線基板３０に向かって高い荷重で押圧しなくてはならない。
このため、本実施形態では、図５及び図６に示すように、駆動回路１２０の配線基板３０側の面に第１バンプ電極１２１を設け、第１バンプ電極１２１を介して駆動回路１２０の各端子（図示なし）と第１個別配線３１１と駆動信号配線３２と電源配線３３とをそれぞれ電気的に接続するようにした。
なお、本実施形態では、熱硬化性の接着剤１２４によって駆動回路１２０と配線基板３０とを接合することで、第１バンプ電極１２１と第１個別配線３１１、駆動信号配線３２及び電源配線３３との接続状態を維持するようにした。
ここで、第１バンプ電極１２１は、例えば、弾性を有する樹脂材料で形成された第１コア部１２２（樹脂）と、第１コア部１２２の表面の少なくとも一部を覆う第１配線である第１バンプ配線１２３（第１の配線、第２の配線を含む複数の配線）と、を有する。
第１コア部１２２は、弾性を有し、絶縁性を有する材料、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂などの感光性絶縁樹脂や熱硬化性絶縁樹脂等の樹脂で形成されている。
また、第１コア部１２２は、駆動回路１２０と配線基板３０とを接続する前において、ほぼ蒲鉾状に形成されている。ここで、蒲鉾状とは、駆動回路１２０に接する内面（底面）が平面であると共に、非接触面である外面側が湾曲面となっている柱状形状をいう。具体的に、ほぼ蒲鉾状とは、横断面がほぼ半円状、ほぼ半楕円状、ほぼ台形状であるものなどが挙げられる。
そして第１コア部１２２は、駆動回路１２０と配線基板３０とが相対的に近接するように押圧されることで、その先端形状が第１個別配線３１１、駆動信号配線３２及び電源配線３３の表面形状に倣うように弾性変形している。これにより、駆動回路１２０や配線基板３０に反りやうねりがあっても、第１コア部１２２がこれに追従して変形することにより、第１バンプ電極１２１と第１個別配線３１１、駆動信号配線３２及び電源配線３３とを確実に接続することができる。
図６、および図７に示すように、第１コア部１２２は、Ｘ軸方向に沿って直線状に連続して形成されている。そして、この第１コア部１２２は、Ｙ軸方向に複数並設されている。本実施形態では、駆動回路１２０のＹ軸方向の両端部のそれぞれに設けられた第１コア部１２２が、第１個別配線３１１と接続される第１バンプ電極１２１を構成する。また、駆動回路１２０のＹ軸方向の中央側に設けられた第１コア部１２２が、駆動信号配線３２や電源配線３３と接続される第１バンプ電極１２１を構成する。このような第１コア部１２２は、フォトリソグラフィー技術やエッチング技術によって形成することができる。
図７に示すＺ軸方向の断面（第１の方向における断面視）において、第１コア部１２２の表面に形成された第１バンプ配線１２３ａ（第１の配線）と第１バンプ配線１２３ｂ（第２の配線）との間の領域における第１コア部１２２の膜厚Ｈ１は、第１バンプ配線１２３ａまたは第１バンプ配線１２３ｂが形成された領域の膜厚Ｈ２よりも薄く形成されている。すなわち、第１コア部１２２に凹部が形成されている。ここで、配線基板３０の上面から第１コア部の凹部底面１２２ａまでの幅Ｈ３を、接着剤１２４に含まれる固形粒子の最大粒子径より広くなるよう形成する。
また、Ｘ軸方向にて隣接する第１バンプ配線１２３ａ（第１の配線）と、第１バンプ配線１２３ｂ（第２の配線）との間の幅、またはＸ軸方向にて隣接する第１個別配線３１１ａ（第３の配線）と、第１個別配線３１１ｂ（第４の配線）との間の幅であるＬ１を、接着剤１２４に含まれる固形粒子の最大粒子径より広くなるよう形成する。
なお、本実施形態では、Ｘ軸方向にて隣接する第１バンプ配線１２３ａ（第１の配線）と第１バンプ配線１２３ｂ（第２の配線）との間の幅、およびＸ軸方向にて隣接する第１個別配線３１１ａ（第３の配線）と第１個別配線３１１ｂ（第４の配線）との間の幅であるＬ１が、接着剤１２４に含まれる固形粒子の最大粒子径より広くなっている。
ここで、接着剤に含まれる硬化剤やフィラー等の粒子のうち、最大の粒子の最大長を最大粒子径という。なお、粒子径は例えば電子顕微鏡で測定可能である。
なお、第１バンプ配線１２３は、第１コア部１２２の少なくとも表面の一部を被覆している。このような第１バンプ配線１２３は、例えば、Ａｕ、ＴｉＷ、Ｃｕ、Ｃｒ（クロム）、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｗ、ＮｉＶ、Ａｌ、Ｐｄ（パラジウム）、鉛フリーハンダなどの金属や合金で形成されており、これらの単層であっても、複数種を積層したものであってもよい。そして、第１バンプ配線１２３は、第１コア部１２２の弾性変形によって第１個別配線３１１、駆動信号配線３２及び電源配線３３の表面形状に倣って変形しており、第１個別配線３１１、駆動信号配線３２及び電源配線３３のそれぞれと電気的に接合されている。したがって、駆動回路１２０を配線基板３０に押し当てる荷重を金属バンプに比べて低くすることができ、駆動回路１２０及び配線基板３０の反りを低減することができる。このような第１コア部１２２としては、駆動回路１２０や配線基板３０が反るよりも先に変形する弾性を有する材料であるのが好ましい。つまり、第１コア部１２２は、駆動回路１２０や配線基板３０よりもヤング率が低い材料を用いるのが好ましい。
また、配線基板３０の第２面３０２には、図５に示すように、個別配線３１を構成する第２個別配線３１２とバイアス配線を構成する第２バイアス配線３４２とが設けられている。
第２個別配線３１２は、第１貫通配線３１５に電気的に接続されると共に、流路形成基板１０に設けられた個別リード電極９１に電気的に接続されており、駆動回路１２０からの吐出信号を第１バンプ電極１２１と第１個別配線３１１と第１貫通配線３１５と第２個別配線３１２と個別リード電極９１とを介して圧電アクチュエーター１５０の活性部の個別電極である第１電極６０に供給する。
具体的には、第２個別配線３１２は、配線基板３０のＹ軸方向の両端部のそれぞれに、Ｘ軸方向に亘って複数並設されている。また、第２個別配線３１２は、Ｙ軸方向に沿って延設されており、一端において第１貫通配線３１５の端部を覆うことで第１貫通配線３１５と電気的に接続されている。すなわち、個別配線３１は、第１面３０１に設けられた第１個別配線３１１と第１貫通配線３１５と第２面３０２に設けられた第２個別配線３１２とを含む。また、第２個別配線３１２は、詳しくは後述する第２バンプ電極３９によって流路形成基板１０に設けられた個別リード電極９１と電気的に接続されている。
第２バイアス配線３４２は、図４、及び図５に示すように、第２貫通配線３４５に電気的に接続されると共に、流路形成基板１０に設けられた共通リード電極９２に電気的に接続されたものであり、外部配線１３０から供給されたバイアス電圧（ＶＢＳ）を第１バイアス配線３４１と第２貫通配線３４５と第２バイアス配線３４２と共通リード電極９２とを介して圧電アクチュエーター１５０の活性部の共通電極である第２電極８０に供給する。すなわち、圧電アクチュエーター１５０にバイアス電圧（ＶＢＳ）を供給するバイアス配線３４は、第１面３０１に設けられた第１バイアス配線３４１と第２貫通配線３４５と第２バイアス配線３４２とを具備する。また、第２バイアス配線３４２は、Ｘ軸方向に沿って延設されており、圧電アクチュエーター１５０の列毎に１本、合計２本がＹ軸方向に並設されている。
このように第２面３０２にバイアス配線３４を構成する第２バイアス配線３４２を設けることで、第１面３０１にＸ軸方向に亘ってバイアス配線３４を設ける必要がなく、第１面３０１にＸ軸方向に亘ってバイアス配線３４を設けるスペースが不要となって配線基板３０の小型化を図ることができる。つまり、バイアス配線３４の主要部分である第２バイアス配線３４２を第１面３０１に比べてスペースに余裕のある第２面３０２に設けることで、配線基板３０の大型化を抑制して、小型化を図ることができる。
ここで、第２個別配線３１２と第２バイアス配線３４２とは、第２バンプ電極３９を介してそれぞれ個別リード電極９１と共通リード電極９２とに電気的に接続されている。
なお、第２バイアス配線３４２は、Ｙ軸方向で並設された第２個別配線３１２の間に延設されており、この延設された部分において、図４及び図５に示すように第２バンプ電極３９を介して流路形成基板１０に設けられた共通リード電極９２と接続されている。
ここで、第２バンプ電極３９は、上述した駆動回路１２０に設けられた第１バンプ電極１２１と同様に、弾性を有する樹脂材料からなる第２コア部３９１と、第２コア部３９１の表面の少なくとも一部を覆う第２配線である第２バンプ配線３９２と、を有する。
第２コア部３９１は、上述した駆動回路１２０の第１バンプ電極１２１を構成する第１コア部１２２と同様の材料を用いて同様の断面形状で形成されている。このような第２コア部３９１は、Ｘ軸方向に直線状に連続して配置されている。また、第２コア部３９１は、Ｙ軸方向において、圧電アクチュエーター１５０の活性部の２列の外側のそれぞれに１本ずつの計２本と、圧電アクチュエーター１５０の活性部の２列の間に１本と、の合計３本が設けられている。そして、２列の圧電アクチュエーター１５０の活性部の外側に設けられた各第２コア部３９１が、第２個別配線３１２を個別リード電極９１に接続するための第２バンプ電極３９を構成する。また、圧電アクチュエーター１５０の活性部の２列の間に設けられた第２コア部３９１が、第２バイアス配線３４２と２列の圧電アクチュエーター１５０の共通リード電極９２とを接続するための第２バンプ電極３９を構成する。
また、第２個別配線３１２を個別リード電極９１に接続するための第２バンプ電極３９を構成する第２バンプ配線３９２は、本実施形態では、第２個別配線３１２を第２コア部３９１上まで延設することで、第２個別配線３１２を第２バンプ配線３９２として用いている。
同様に、第２バイアス配線３４２を共通リード電極９２に接続するための第２バンプ電極３９を構成する第２バンプ配線３９２は、本実施形態では、第２バイアス配線３４２を第２コア部３９１上まで延設することで、第２バイアス配線３４２を第２バンプ配線３９２として用いている。もちろん、第２個別配線３１２及び第２バイアス配線３４２と第２バンプ配線３９２とを別の配線として、両者の一部を積層することで電気的に接続するようにしてもよい。
なお、第２バイアス配線３４２は、Ｘ軸方向に沿って所定の間隔で複数箇所において第２コア部３９１上まで延設されている。つまり、第２バイアス配線３４２と共通リード電極９２を接続する第２バンプ電極３９は、Ｘ軸方向に亘って所定の間隔で複数設けられている。このような第２バイアス配線３４２は、上述のように、第２貫通配線３４５を介して第１面３０１の第１バイアス配線３４１と電気的に接続されている。このため、Ｘ軸方向に亘ってバイアス配線３４の電気抵抗値を実質的に低下させることができる。すなわち、バイアス配線３４を配線基板３０の第１面３０１に、長手方向であるＸ軸方向に亘って設けることなく、第２面３０２にバイアス配線３４の一部である第２バイアス配線３４２を複数設けることで、Ｘ軸方向に亘ってバイアス配線３４の電気抵抗値を低下させることができるため、バイアス配線３４の電流容量不足による電圧降下を抑制することができる。
さらに、第２バイアス配線３４２は、第２バンプ電極３９を介して共通リード電極９２とＹ軸方向の複数箇所で電気的に接続されている。このため、第２電極８０のＸ軸方向における電圧降下が抑制され、各活性部へのバイアス電圧の印加ばらつきを抑制することができる。
また、流路形成基板１０と配線基板３０とは、接着層３００によって接着されており、これにより、第２バンプ電極３９を構成する第２バンプ配線３９２である第２個別配線３１２及び第２バイアス配線３４２と個別リード電極９１及び共通リード電極９２とは互いに当接した状態で固定されている。
このように流路形成基板１０と配線基板３０とを接合する接着層３００によって、流路形成基板１０と配線基板３０との間には、内部に圧電アクチュエーター１５０が配置された空間である保持部１６０が形成されている。
このように第２個別配線３１２と第２バイアス配線３４２とを個別リード電極９１と共通リード電極９２とに第２バンプ電極３９によって接続することで、配線基板３０と流路形成基板１０との接続時の荷重を低減して、配線基板３０及び流路形成基板１０の反りを低減することができる。また、上述のように、駆動回路１２０を配線基板３０に実装する際に第１バンプ電極１２１を用いることで、配線基板３０と流路形成基板１０との間の第２バンプ電極３９がつぶれるように変形するのを抑制することができる。つまり、駆動回路１２０を配線基板３０に実装する際に、金バンプなどの金属のみで形成された金属バンプを用いた場合、駆動回路１２０を実装する際の荷重が高くなることから、配線基板３０と流路形成基板１０との間の第２バンプ電極３９がつぶれるように変形してしまう。第２バンプ電極３９がつぶれるように変形すると、第２バンプ電極３９が互いに隣り合う個別リード電極９１に接触するなどの短絡が生じてしまう虞がある。また、第２バンプ電極３９がつぶれるように変形すると、圧電アクチュエーター１５０と配線基板３０との間隔が短くなり、圧電アクチュエーター１５０が配線基板３０に当接することによって圧電アクチュエーター１５０の変形が阻害される虞がある。また、第２バンプ電極３９がつぶれるように変形すると、圧電アクチュエーター１５０と配線基板３０の第２面３０２に設けられた配線との距離が近くなり、配線と圧電アクチュエーター１５０の電極とが接触することや、放電により絶縁破壊が発生する虞がある。
本実施形態では、第１バンプ電極１２１を用いて駆動回路１２０を配線基板３０に実装する際の荷重を低くすることができるため、第２バンプ電極３９がつぶれるように変形するのを抑制することができる。したがって、圧電アクチュエーター１５０と配線基板３０との距離を保つことができ、つぶれた第２バンプ電極３９が互いに隣り合う個別リード電極９１等に接触して短絡するのを抑制することができる。また、配線基板３０が圧電アクチュエーター１５０の変形を阻害するのを抑制することができる。さらに、圧電アクチュエーター１５０と配線基板３０の第２面３０２に設けられた配線とが接触することや、放電により絶縁破壊が発生するのを抑制することができる。
ちなみに、第２バンプ電極３９の変形を抑制するために、駆動回路１２０を配線基板３０に実装してから配線基板３０と流路形成基板１０とを接合する方法も考えられるものの、駆動回路１２０は高価であるため、駆動回路１２０を先に実装した配線基板３０と流路形成基板１０との接合不良が生じると歩留まりが低下しコストが高くなってしまう。また、流路形成基板１０は、配線基板３０を接合することでハンドリングを向上した状態で異方性エッチング（ウェットエッチング）などの加工が行われるため、配線基板３０に先に駆動回路１２０が実装されていると、流路形成基板１０の加工が困難になる。したがって、製造工程の簡略化やコストを鑑みると配線基板３０と流路形成基板１０とを接合した後に、配線基板３０に駆動回路１２０を実装する必要があり、このような順番の製造工程では第２バンプ電極３９の変形が生じ易い。本実施形態では、配線基板３０と流路形成基板１０とを接合した後に、駆動回路１２０を第１バンプ電極１２１によって配線基板３０に実装することで、第２バンプ電極３９の変形を抑制することができる。
なお、本実施形態では、第１バンプ電極１２１の第１コア部１２２と、第２バンプ電極３９の第２コア部３９１とを同じ材料を用いるようにしたが、特にこれに限定されない。例えば、第２コア部３９１は、第１コア部１２２よりもヤング率が高い材料を用いるようにしてもよい。これにより、駆動回路１２０を配線基板３０に実装する際に、第２バンプ電極３９の変形をさらに抑制することができる。
また、本実施形態では、第２バンプ電極３９の数は、第１バンプ電極１２１の数よりも多いのが好ましい。このように第２バンプ電極３９の数を、第１バンプ電極１２１の数よりも多くすることで、駆動回路１２０を配線基板３０に実装する際の荷重が複数の第２バンプ電極３９に分散されるため、１つの第２バンプ電極３９に印加される荷重を低減して、第２バンプ電極３９の変形をさらに抑制することができる。
また、図５に示すように、配線基板３０と流路形成基板１０との積層方向であるＺ軸方向において、第２バンプ電極３９の高さは、第１バンプ電極１２１の第１コア部１２２の高さよりも高いのが好ましい。これにより、駆動回路１２０を配線基板３０に実装する際の荷重によって第２バンプ電極３９がつぶれるように変形したとしても、第２バンプ電極３９の変形による影響、すなわち、上述した第２バンプ電極３９が互いに隣り合う個別リード電極９１に接触することによる短絡、圧電アクチュエーター１５０の変形の阻害、配線基板３０の第２面３０２の配線と圧電アクチュエーター１５０の電極とが接触による短絡や放電による絶縁破壊を抑制することができる。
また、第２バンプ電極３９の各々の個別リード電極９１及び共通リード電極９２との接続面積は、第１バンプ電極１２１の各々の駆動回路１２０との接続面積よりも大きいことが好ましい。すなわち、第２バンプ電極３９の各々の個別リード電極９１及び共通リード電極９２との接続長は、第１バンプ電極１２１の各々の駆動回路１２０との接続長よりも大きい。これにより、駆動回路１２０を配線基板３０に実装する際の荷重を、第２バンプ電極３９の比較的広い接触面積で支えることができ、第２バンプ電極３９の変形を抑制することができる。
このように、第２個別配線３１２と第２バイアス配線３４２とを個別リード電極９１と共通リード電極９２とに接続する第２バンプ電極３９は、Ｘ軸方向に並設された列が、Ｙ軸方向に３列設けられている。つまり、圧電アクチュエーター１５０の活性部がＸ軸方向に並設された列の各々に対して、第２バンプ電極３９がＸ軸方向に並設された列が、Ｙ軸方向に２列設けられている。このような第２バンプ電極３９に対して、第１バンプ電極１２１は、Ｙ軸方向において、第２バンプ電極３９の列の間に設けられている。すなわち、Ｚ軸方向から平面視した際に、第１バンプ電極１２１は、Ｙ軸方向において、第２バンプ電極３９の列の間に配置されている。したがって、駆動回路１２０を配線基板３０に実装する際の荷重を、第１バンプ電極１２１の両側の第２バンプ電極３９によって支えることができ、荷重の偏りによる第２バンプ電極３９の偏った変形などを抑制することができる。
また、図２〜図４に示すように、このような流路形成基板１０、配線基板３０、連通板１５及びノズルプレート２０の接合体には、複数の圧力発生室１２に連通するマニホールド１００を形成するケース部材４０が固定されている。ケース部材４０は、平面視において上述した連通板１５と略同一形状を有し、配線基板３０に接合されると共に、上述した連通板１５にも接合されている。具体的には、ケース部材４０は、配線基板３０側に流路形成基板１０及び配線基板３０が収容される深さの凹部４１を有する。この凹部４１は、配線基板３０の流路形成基板１０に接合された面よりも広い開口面積を有する。そして、凹部４１に流路形成基板１０等が収容された状態で凹部４１のノズルプレート２０側の開口面が連通板１５によって封止されている。また、ケース部材４０には、凹部４１のＹ軸方向の両側に凹形状を有する第３マニホールド部４２が形成されている。この第３マニホールド部４２と、連通板１５に設けられた第１マニホールド部１７及び第２マニホールド部１８とによって本実施形態のマニホールド１００が構成されている。
ケース部材４０の材料としては、例えば、樹脂や金属等を用いることができる。ちなみに、ケース部材４０として、樹脂材料を成形することにより、低コストで量産することができる。
連通板１５のノズルプレート２０側の面には、コンプライアンス基板４５が設けられている。このコンプライアンス基板４５が、第１マニホールド部１７と第２マニホールド部１８のノズルプレート２０側の開口を封止している。このようなコンプライアンス基板４５は、本実施形態では、封止膜４６と、固定基板４７と、を具備する。封止膜４６は、可撓性を有する薄膜（例えば、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）やステンレス鋼（ＳＵＳ）等により形成された厚さが２０μｍ以下の薄膜）からなり、固定基板４７は、ステンレス鋼（ＳＵＳ）等の金属等の硬質の材料で形成される。この固定基板４７のマニホールド１００に対向する領域は、厚さ方向に完全に除去された開口部４８となっているため、マニホールド１００の一方面は可撓性を有する封止膜４６のみで封止された可撓部であるコンプライアンス部４９となっている。
ケース部材４０には、マニホールド１００に連通して各マニホールド１００にインクを供給するための導入路４４が設けられている。また、ケース部材４０には、配線基板３０が露出し、外部配線が挿通される接続口４３が設けられており、接続口４３に挿入された外部配線１３０が配線基板３０の各配線、すなわち、駆動信号配線３２と電源配線３３と第１バイアス配線３４１とに接続されている。
このような構成の液体吐出ヘッド１では、インクを噴射する際に、インクが貯留された液体貯留手段から導入路４４を介してインクを取り込み、マニホールド１００からノズル開口２１に至るまで流路内部をインクで満たす。その後、駆動回路１２０からの信号に従い、圧力発生室１２に対応する各圧電アクチュエーター１５０に電圧を印加することにより、圧電アクチュエーター１５０と共に振動板５０をたわみ変形させる。これにより、圧力発生室１２内の圧力が高まり所定のノズル開口２１からインク滴が噴射される。
以上述べたように、本実施形態に係るインクジェット式液体吐出装置によれば、以下の効果を得ることができる。
配線基板３０と、第１コア部１２２と、第１バンプ配線１２３と、第１個別配線３１１とで囲まれる接合領域において、第２の方向の幅Ｌ１と、第１の方向の幅Ｈ３が接着剤１２４に含まれる固形粒子の最大粒子径よりも広くなるため、配線基板３０と駆動回路１２０との接合にて接合領域に接着剤１２４を流動した際、接着剤１２４に含まれる硬化剤やフィラー等の固形粒子が接合領域に行き渡りやすくなり、接合領域において固形粒子が均一に分布する。これにより、基板同士の接合強度を向上することができる。なお、上述したＭＥＭＳデバイスの構成は、使用する接着剤１２４の接合時の流動性に合わせて適宜、設計する。
（実施形態２）
図８は、実施形態２に係る図６のＢ−Ｂ′線断面図である。本実施形態に係るインクジェット式液体吐出装置について、この図を参照して説明する。なお、実施形態１と同一の構成部位については、同一の番号を使用し、重複する説明は省略する。
図８に示すＸ軸方向の断面において、第１バンプ配線１２３の膜厚Ｈ４、または第１個別配線３１１の膜厚Ｈ５は、接着剤１２４に含まれる固形粒子の最大粒子径よりも厚くなるよう形成する。
なお、本実施形態では第１バンプ配線１２３の膜厚Ｈ４が、接着剤１２４に含まれる固形粒子の最大粒子径よりも厚くなるよう形成されている。ここで、図示しないが、第１個別配線３１１の膜厚Ｈ５が、接着剤１２４に含まれる固形粒子の最大粒子径よりも厚くなるよう形成してもよい。さらに、第１バンプ配線１２３の膜厚Ｈ４と、第１個別配線３１１の膜厚Ｈ５との和が、接着剤１２４に含まれる固形粒子の最大粒子径よりも厚くなるよう形成してもよい。
また、Ｘ軸方向にて隣接する第１バンプ配線１２３ａ（第１の配線）と、第１バンプ配線１２３ｂ（第２の配線）との間の幅、またはＸ軸方向にて隣接する第１個別配線３１１ａ（第３の配線）と、第１個別配線３１１ｂ（第４の配線）との間の幅であるＬ１を、接着剤１２４に含まれる固形粒子の最大粒子径より広くなるよう形成する。
なお、本実施形態では、Ｘ軸方向にて隣接する第１バンプ配線１２３ａ（第１の配線）と第１バンプ配線１２３ｂ（第２の配線）との間の幅、およびＸ軸方向にて隣接する第１個別配線３１１ａ（第３の配線）と第１個別配線３１１ｂ（第４の配線）との間の幅であるＬ１が、接着剤１２４に含まれる固形粒子の最大粒子径より広くなっている。
以上述べたように、本実施形態に係るインクジェット式液体吐出装置によれば、以下の効果を得ることができる。
配線基板３０と、第１コア部１２２と、第１バンプ配線１２３と、第１個別配線３１１とで囲まれる接合領域において、第２の方向の幅Ｌ１と、第１の方向の幅Ｈ６が接着剤１２４に含まれる固形粒子の最大粒子径よりも広くなるため、配線基板３０と駆動回路１２０との接合にて接合領域に接着剤１２４を流動した際、接着剤１２４に含まれる硬化剤やフィラー等の固形粒子が接合領域に行き渡りやすくなり、接合領域において固形粒子が均一に分布する。これにより、基板同士の接合強度を向上することができる。なお、上述したＭＥＭＳデバイスの構成は、使用する接着剤１２４の接合時の流動性に合わせて適宜、設計する。
（実施形態３）
図９は、実施形態３に係る図６のＢ−Ｂ′線断面図である。本実施形態に係るインクジェット式液体吐出装置について、この図を参照して説明する。なお、実施形態１と同一の構成部位については、同一の番号を使用し、重複する説明は省略する。
図９に示すＺ軸方向の断面（第１の方向における断面視）において、配線基板３０の上面に形成された第１個別配線３１１ａ（第３の配線）と第１個別配線３１１ｂ（第４の配線）との間の領域における配線基板３０の厚みＨ７は、第１個別配線３１１ａまたは第１個別配線３１１ｂが形成された領域の厚みＨ８よりも薄く形成されている。すなわち、配線基板３０に凹部が形成されている。ここで、配線基板の凹部底面３０ａから第１コア部１２２までの幅Ｈ９を、接着剤１２４に含まれる固形粒子の最大粒子径より広くなるよう形成する。なお、このような配線基板３０の凹部はフォトリソグラフィー技術やエッチング技術によって形成することができる。
また、Ｘ軸方向にて隣接する第１バンプ配線１２３ａ（第１の配線）と、第１バンプ配線１２３ｂ（第２の配線）との間の幅、またはＸ軸方向にて隣接する第１個別配線３１１ａ（第３の配線）と、第１個別配線３１１ｂ（第４の配線）との間の幅であるＬ１を、接着剤１２４に含まれる固形粒子の最大粒子径より広くなるよう形成する。
なお、本実施形態では、Ｘ軸方向にて隣接する第１バンプ配線１２３ａ（第１の配線）と第１バンプ配線１２３ｂ（第２の配線）との間の幅、およびＸ軸方向にて隣接する第１個別配線３１１ａ（第３の配線）と第１個別配線３１１ｂ（第４の配線）との間の幅であるＬ１が、接着剤１２４に含まれる固形粒子の最大粒子径より広くなっている。
以上述べたように、本実施形態に係るインクジェット式液体吐出装置によれば、以下の効果を得ることができる。
配線基板３０と、第１コア部１２２と、第１バンプ配線１２３と、第１個別配線３１１とで囲まれる接合領域において、第２の方向の幅Ｌ１と、第１の方向の幅Ｈ９が接着剤１２４に含まれる固形粒子の最大粒子径よりも広くなるため、配線基板３０と駆動回路１２０との接合にて接合領域に接着剤１２４を流動した際、接着剤１２４に含まれる硬化剤やフィラー等の固形粒子が接合領域に行き渡りやすくなり、接合領域において固形粒子が均一に分布する。これにより、基板同士の接合強度を向上することができる。なお、上述したＭＥＭＳデバイスの構成は、使用する接着剤１２４の接合時の流動性に合わせて適宜、設計する。
（実施形態４）
図１０は実施形態４に係る図６の第１コア部１２２と、第１バンプ配線１２３とを、第１金属バンプ電極８００（第１のバンプ、第２のバンプを含む複数のバンプ）に変更した断面図、図１１は実施形態４に係る図１０のＣ−Ｃ′線断面図である。本実施形態に係るインクジェット式液体吐出装置について、この図を参照して説明する。なお、実施形態１と同一の構成部位については、同一の番号を使用し、重複する説明は省略する。
図１０に示すように、駆動回路１２０と配線基板３０は、駆動回路上の第１金属バンプ電極８００と、配線基板上の第１個別配線３１１とを介して電気的に接続されている。第１金属バンプ電極８００は、金属のみで形成された金属バンプであり、本実施形態では金バンプを用いている。
図１１に示すＸ軸方向の断面において、第１金属バンプ電極８００の膜厚Ｈ１０、または第１個別配線３１１の膜厚Ｈ１１は、接着剤１２４に含まれる固形粒子の最大粒子径よりも厚くなるよう形成する。
なお、本実施形態では第１金属バンプ電極８００の膜厚Ｈ１０が、接着剤１２４に含まれる固形粒子の最大粒子径よりも厚くなるよう形成されている。ここで、図示しないが、第１個別配線３１１の膜厚Ｈ１１が、接着剤１２４に含まれる固形粒子の最大粒子径よりも厚くなるよう形成してもよい。さらに、第１金属バンプ電極８００の膜厚Ｈ１０と、第１個別配線３１１の膜厚Ｈ１１との和が、接着剤１２４に含まれる固形粒子の最大粒子径よりも厚くなるよう形成してもよい。
また、Ｘ軸方向にて隣接する第１金属バンプ電極８００ａ（第１のバンプ）と、第１金属バンプ電極８００ｂ（第２のバンプ）との間の幅、またはＸ軸方向にて隣接する第１個別配線３１１ａ（第３の配線）と、第１個別配線３１１ｂ（第４の配線）との間の幅であるＬ２を、接着剤１２４に含まれる固形粒子の最大粒子径より広くなるよう形成する。
なお、本実施形態では、Ｘ軸方向にて隣接する第１金属バンプ電極８００ａ（第１のバンプ）と第１金属バンプ電極８００ｂ（第２のバンプ）との間の幅、およびＸ軸方向にて隣接する第１個別配線３１１ａ（第３の配線）と第１個別配線３１１ｂ（第４の配線）との間の幅であるＬ２が、接着剤１２４に含まれる固形粒子の最大粒子径より広くなっている。
以上述べたように、本実施形態に係るインクジェット式液体吐出装置によれば、以下の効果を得ることができる。
配線基板３０と、駆動回路１２０と、第１金属バンプ電極８００と、第１個別配線３１１とで囲まれる接合領域において、第２の方向の幅Ｌ２と、第１の方向の幅Ｈ１２が接着剤１２４に含まれる固形粒子の最大粒子径よりも広くなるため、配線基板３０と駆動回路１２０との接合にて接合領域に接着剤１２４を流動した際、接着剤１２４に含まれる硬化剤やフィラー等の固形粒子が接合領域に行き渡りやすくなり、接合領域において固形粒子が均一に分布する。これにより、基板同士の接合強度を向上することができる。なお、上述したＭＥＭＳデバイスの構成は、使用する接着剤１２４の接合時の流動性に合わせて適宜、設計する。
（実施形態５）
図１２は、実施形態５に係る図１０のＣ−Ｃ′線断面図である。本実施形態に係るインクジェット式液体吐出装置について、この図を参照して説明する。なお、実施形態１、実施形態４と同一の構成部位については、同一の番号を使用し、重複する説明は省略する。
図１２に示すＺ軸方向の断面（第１の方向における断面視）において、第１金属バンプ電極８００ａ（第１のバンプ）と第１金属バンプ電極８００ｂ（第２のバンプ）との間の領域の配線基板３０の厚みＨ１３は、第１金属バンプ電極８００ａまたは第１金属バンプ電極８００ｂと接合する領域の厚みＨ１４よりも薄く形成されている。換言すれば、配線基板３０の上面に形成された第１個別配線３１１ａ（第３の配線）と第１個別配線３１１ｂ（第４の配線）との間の領域における配線基板３０の厚みＨ１３は、第１個別配線３１１ａまたは第１個別配線３１１ｂが形成された領域の厚みＨ１４よりも薄く形成されている。すなわち、配線基板３０に凹部が形成されている。ここで、配線基板の凹部底面３０ａから駆動回路１２０までの幅Ｈ１５を、接着剤１２４に含まれる固形粒子の最大粒子径より広くなるよう形成する。なお、このような配線基板３０の凹部はフォトリソグラフィー技術やエッチング技術によって形成することができる。
また、Ｘ軸方向にて隣接する第１金属バンプ電極８００ａ（第１のバンプ）と、第１金属バンプ電極８００ｂ（第２のバンプ）との間の幅、またはＸ軸方向にて隣接する第１個別配線３１１ａ（第３の配線）と、第１個別配線３１１ｂ（第４の配線）との間の幅であるＬ２を、接着剤１２４に含まれる固形粒子の最大粒子径より広くなるよう形成する。
なお、本実施形態では、Ｘ軸方向にて隣接する第１金属バンプ電極８００ａ（第１のバンプ）と第１金属バンプ電極８００ｂ（第２のバンプ）との間の幅、およびＸ軸方向にて隣接する第１個別配線３１１ａ（第３の配線）と第１個別配線３１１ｂ（第４の配線）との間の幅であるＬ２が、接着剤１２４に含まれる固形粒子の最大粒子径より広くなっている。
以上述べたように、本実施形態に係るインクジェット式液体吐出装置によれば、以下の効果を得ることができる。
配線基板３０と、駆動回路１２０と、第１金属バンプ電極８００と、第１個別配線３１１とで囲まれる接合領域において、第２の方向の幅Ｌ２と、第１の方向の幅Ｈ１５が接着剤１２４に含まれる固形粒子の最大粒子径よりも広くなるため、配線基板３０と駆動回路１２０との接合にて接合領域に接着剤１２４を流動した際、接着剤１２４に含まれる硬化剤やフィラー等の固形粒子が接合領域に行き渡りやすくなり、接合領域において固形粒子が均一に分布する。これにより、基板同士の接合強度を向上することができる。
Ｉ…インクジェット式液体吐出装置（液体吐出装置）、１…インクジェット式液体吐出ヘッド（液体吐出ヘッド）、２…カートリッジ、３…キャリッジ、４…装置本体、５…キャリッジ軸、６…駆動モーター、７…タイミングベルト、８…搬送ローラー、１０…流路形成基板（駆動素子基板）、１２…圧力発生室、１５…連通板、１６…ノズル連通路、１７…第１マニホールド部、１８…第２マニホールド部、１９…供給連通路、２０…ノズルプレート、２０ａ…液体吐出面、２１…ノズル開口、３０…配線基板、３０ａ…配線基板の凹部底面、３１…個別配線、３１１…第１個別配線、３１１a…第３の配線、３１１ｂ…第４の配線、３１２…第２個別配線、３１５…第１貫通配線、３２…駆動信号配線、３３…電源配線、３３１…高圧電源配線、３３２…高圧用グランド配線、３３３…低圧電源配線、３３４…低圧用グランド配線、３４…バイアス配線、３４１…第１バイアス配線、３４２…第２バイアス配線、３４５…第２貫通配線、３５…第１埋設配線、３６…第１接続配線、３９…第２バンプ電極、３９１…第２コア部、３９２…第２バンプ配線、４０…ケース部材、４１…凹部、４２…第３マニホールド部、４３…接続口、４４…導入路、４５…コンプライアンス基板、４６…封止膜、４７…固定基板、４８…開口部、４９…コンプライアンス部、５０…振動板、５１…弾性膜、５２…絶縁体膜、６０…第１電極、７０…圧電体層、８０…第２電極、９１…個別リード電極、９２…共通リード電極、１００…マニホールド、１２０…駆動回路、１２１…第１バンプ電極、１２２…第１コア部、１２２a…第１コア部の凹部底面、１２３…第１バンプ配線、１２３ａ…第１の配線、１２３ｂ…第２の配線、１２４…接着剤、１３０…外部配線、１５０…圧電アクチュエーター、１６０…保持部、３００…接着層、３０１…第１面、３０２…第２面、３０３…第１貫通孔、３０４…第１溝、８００…第１金属バンプ電極、８００ａ…第１のバンプ、８００ｂ…第２のバンプ、Ｓ…記録シート、Ｘ…第２の方向、Ｙ…第３の方向、Ｚ…第１の方向。

Claims (9)

  1. 第１の基板と、
    前記第１の基板上に形成された樹脂と、
    前記樹脂上に形成された、第１の配線と、第２の配線と、を含む複数の配線と、
    前記複数の配線と接合される第２の基板と、
    前記第２の基板上に形成された、第３の配線と、第４の配線と、を含む複数の配線と、
    を備え、
    前記第１の基板と前記第２の基板とは、接着剤を介して接合され、
    前記第１の基板と前記第２の基板とは、前記第１の配線と前記第３の配線とを介して電気的に接続され、
    前記第１の基板と前記第２の基板とは、前記第２の配線と前記第４の配線とを介して電気的に接続され、
    前記接着剤は、固形粒子を含み、
    前記樹脂と前記複数の配線が積層される方向である第１の方向において、前記樹脂と前記第２の基板との間の幅は、前記固形粒子の最大粒子径よりも広く、
    前記第１の配線と前記第２の配線との間の幅、または前記第３の配線と前記第４の配線との間の幅は、前記固形粒子の最大粒子径よりも広い、
    ことを特徴とするＭＥＭＳデバイス。
  2. 前記第１の方向における断面視において、前記第１の配線と前記第２の配線との間の領域の樹脂の膜厚は、前記第１の配線または前記第２の配線が形成された領域の樹脂の膜厚よりも薄い、
    ことを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳデバイス。
  3. 前記第１の配線および前記第２の配線の膜厚、または前記第３の配線および前記第４の配線の膜厚は、前記固形粒子の最大粒子径よりも厚い、
    ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のＭＥＭＳデバイス。
  4. 前記第１の方向における断面視において、前記第３の配線と前記第４の配線との間の領域の前記第２の基板の厚みは、前記第３の配線または前記第４の配線が形成された領域の前記第２の基板の厚みよりも薄い、
    ことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のＭＥＭＳデバイス。
  5. 第１の基板と、
    前記第１の基板上に形成された、第１のバンプと、第２のバンプと、を含む複数のバンプと、
    前記複数のバンプと接合される第２の基板と、
    前記第２の基板上に形成された、第３の配線と、第４の配線と、を含む複数の配線と、
    を備え、
    前記第１の基板と前記第２の基板とは、接着剤を介して接合され、
    前記第１の基板と前記第２の基板とは、前記第１のバンプと前記第３の配線とを介して電気的に接続され、
    前記第１の基板と前記第２の基板とは、前記第２のバンプと前記第４の配線とを介して電気的に接続され、
    前記接着剤は、固形粒子を含み、
    前記第１の基板と前記第２の基板が積層される方向である第１の方向において、前記第１の基板と前記第２の基板との間の幅は、前記固形粒子の最大粒子径よりも広く、
    前記第１のバンプと前記第２のバンプとの間の幅、または前記第３の配線と前記第４の配線との間の幅は、前記固形粒子の最大粒子径よりも広い、
    ことを特徴とするＭＥＭＳデバイス。
  6. 前記第１のバンプおよび前記第２のバンプの膜厚、または前記第３の配線および前記第４の配線の膜厚は、前記固形粒子の最大粒子径よりも厚い、
    ことを特徴とする請求項５に記載のＭＥＭＳデバイス。
  7. 前記第１の方向における断面視において、前記第１のバンプと前記第２のバンプとの間の領域の前記第２の基板の厚みは、前記第１のバンプまたは前記第２のバンプと接合する領域の前記第２の基板の厚みよりも薄い、
    ことを特徴とする請求項５または請求項６に記載のＭＥＭＳデバイス。
  8. 請求項１〜７のいずれか１項に記載のＭＥＭＳデバイスを備える液体吐出ヘッド。
  9. 請求項８に記載の液体吐出ヘッドを備える液体吐出装置。
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