JP2019073399A - Surface treatment method and device, and glass substrate - Google Patents

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Abstract

To strike balance between adhesiveness to a part to be left of a film pasted on a subject to be treated, and peeling easiness to a part to be peeled off.SOLUTION: Such a subject 9 to be treated that a film 7 containing a part 7a to be left and a part 7b to be peeled off is pasted on a surface 9s to be treated through an adhesive 8, is subjected to surface treatment before pasting. Process gas is changed to plasma and blown off from a treatment head 10 so as to have a contact with the surface 9s to be treated. Each surface energy of a remaining corresponding part 9a where the part 7a to be left is pasted, and of a peeling corresponding part 9b where the part 7b to be peeled off is pasted is differentiated mutually.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、ガラス基板などの被処理基板を表面処理する方法および装置、並びにガラス基板に関し、特に残す部分と剥がす部分を含む偏光板などの光学フィルムが透明接着剤を介して被処理面に貼り付けられる被処理基板に適した表面処理方法及び装置、並びにガラス基板に関する。   The present invention relates to a method and apparatus for surface treating a substrate to be treated such as a glass substrate, and a glass substrate, and in particular, an optical film such as a polarizing plate including a remaining portion and a peeling portion The present invention relates to a surface treatment method and apparatus suitable for a substrate to be treated and a glass substrate.

例えば液晶パネルは、2枚の合わせガラスの間に液晶が封入されている。各ガラスの表面には偏光板が設けられている。
現行の製造プロセスでは、2枚のマザーガラス基板の対向すべき面にそれぞれ回路形成等の処理を施した後、貼り合わせることで、マザーセルを形成する。該マザーセルをスクライブブレイクによって複数の液晶パネルに分割し、洗浄したうえでフィルム状の偏光板を貼り付けている(特許文献1等参照)。偏光板の貼り付け面には接着剤が塗布され、かつ剥離フィルムで覆われている。剥離フィルムを剥がして、液晶パネルのガラス表面に偏光板を接着する(特許文献2等参照)。
For example, in a liquid crystal panel, liquid crystal is sealed between two laminated glasses. A polarizing plate is provided on the surface of each glass.
In the current manufacturing process, after processing such as circuit formation is performed on the surfaces of the two mother glass substrates to be opposite to each other, mother cells are formed by bonding. The mother cell is divided into a plurality of liquid crystal panels by scribing break, and after cleaning, a film-like polarizing plate is attached (see Patent Document 1 etc.). An adhesive is applied to the affixing surface of the polarizing plate and covered with a peeling film. The peeling film is peeled off, and a polarizing plate is adhered to the glass surface of the liquid crystal panel (see Patent Document 2 and the like).

特許文献3においては、液晶セルにオゾンを供給しながらUV光を照射することによって、液晶セルの表面の濡れ性を高めて、偏光板の接着性を改善している。   In patent document 3, the wettability of the surface of a liquid crystal cell is improved by irradiating UV light, supplying ozone to a liquid crystal cell, and the adhesiveness of a polarizing plate is improved.

偏光板には、接着性だけでなく、リワーク性(剥離容易性、再利用性)も求められている(特許文献4〜6)。
特許文献4においては、液晶セルに偏光板を貼り合わせ、その上にリワーク用フィルムを貼り合わせた後、偏光板とリワーク用フィルムを同時に剥がすことで、リワーク性を改善している。
特許文献5においては、ガラス板に水を塗布し、その上に偏光板を積層することによって、リワーク性を改善している。
特許文献6においては、偏光板の粘着剤として、ポリビニルアセタール含有組成物を用いることによって、リワーク性を改善している。
Not only adhesiveness but reworkability (peelability, reusability) is also required for the polarizing plate (patent documents 4 to 6).
In Patent Document 4, after a polarizing plate is attached to a liquid crystal cell and a rework film is attached thereto, the rework property is improved by simultaneously peeling off the polarizing plate and the rework film.
In Patent Document 5, reworkability is improved by applying water to a glass plate and laminating a polarizing plate thereon.
In patent document 6, rework property is improved by using a polyvinyl acetal containing composition as an adhesive of a polarizing plate.

特開2017−142316号公報JP, 2017-142316, A 特開2003−131211号公報Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-131211 特開平09−281472号公報Unexamined-Japanese-Patent No. 09-281472 特開2008−268255号公報JP, 2008-268255, A 特開2014−112232号公報JP, 2014-112232, A 特許第4421714号公報Patent No. 4421714

発明者等は、液晶パネルの製造プロセスの効率化に取り組んでいるところである。その一案としてエンドカットプロセスを発案した。すなわち、マザーセルとほぼ同じ大きさのマザー偏光板を用意し、マザーセルの形成後、スクライブブレイク前に、前記マザー偏光板をマザーセルに貼り付け、その後、マザー偏光板の不要部分をレーザーカットして剥離したうえで、スクライブブレイクを行なう。そうすることによって、ライン数の激減、作業人員の削減、パーティクルの抑制、多種サイズ対応の容易化等の利点が得られる。
一方、かかるエンドカットプロセスにおいては、製品部分となる箇所のマザー偏光板はしっかりと貼り付けられ、不要部分のマザー偏光板は剥離しやすいことが求められる。前述したように、接着性の改善技術(前掲特許文献3等)や、リワーク性の改善技術(前掲特許文献4〜6)は、種々提案されているが、接着性とリワーク性(剥離容易性)の双方を改善させることは容易でない。
本発明は、かかる事情に鑑み、残す部分と剥がす部分を含む偏光板などのフィルムを、ガラスなどの被処理基板に貼り付ける際に、接着性とリワーク性(剥離容易性)の両立を図ることを目的とする。
The inventors are in the process of improving the efficiency of the liquid crystal panel manufacturing process. We proposed an end cut process as one of the ideas. That is, a mother polarizing plate having substantially the same size as the mother cell is prepared, and after forming the mother cell, the mother polarizing plate is attached to the mother cell before scribing break, and then the unnecessary portion of the mother polarizing plate is laser cut and peeled off. And scribe break. By doing so, advantages such as a drastic reduction in the number of lines, a reduction in the number of workers, suppression of particles, and easy handling of various sizes can be obtained.
On the other hand, in such an end cut process, it is required that the mother polarizing plate of the part to be a product part be firmly attached and the mother polarizing plate of the unnecessary part be easy to peel off. As described above, various techniques have been proposed for improving adhesion (Patent Document 3 and the like as described above) and techniques for improving reworkability (Patent Documents 4 to 6 described above), but adhesion and reworkability (peelability) It is not easy to improve both).
In the present invention, in view of such circumstances, when affixing a film such as a polarizing plate including a remaining part and a part to be peeled off to a substrate to be treated such as glass, coexistence of adhesiveness and reworkability (peelability) is achieved. With the goal.

前記課題を解決するため、本発明方法は、残す部分と剥がす部分を含むフィルムが接着剤を介して被処理面に貼り付けられる被処理基板を、前記貼り付け前に表面処理する方法であって、
プロセスガスをプラズマ化して前記被処理面に接触させるプラズマ処理工程と、
前記プラズマ処理工程中又はその前後において、前記被処理面における、前記残す部分が貼られる残置対応部分と、前記剥がす部分が貼られる剥離対応部分との表面エネルギーを互いに相違させる処置を施す処置工程と、
を備えたことを特徴とする。
本発明装置は、残す部分と剥がす部分を含むフィルムが接着剤を介して被処理面に貼り付けられる被処理基板を、前記貼り付け前に表面処理する装置であって、
プロセスガスをプラズマ化して前記被処理面に接触させるプラズマ処理部と、
前記プラズマ処理部による処理中又はその前後において、前記被処理面における、前記残す部分が貼られる残置対応部分と、前記剥がす部分が貼られる剥離対応部分との表面エネルギーを互いに相違させる処置を施す処置部と、
を備えたことを特徴とする。
これによって、接着性と剥離容易性を両立させることができる。
好ましくは、残置対応部分については相対的に接着性が高くなり、剥離対応部分については相対的に剥離容易性が高くなるように、これら対応部分どうしの表面エネルギーに相違すなわちコントラストを付ける。そうすることで、接着性と剥離容易性を確実に両立させることができる。
前記処置工程は、プラズマ処理工程前に行ってもよく、プラズマ処理工程中にプラズマ処理と併行して行なってもよく、プラズマ処理工程後に行ってもよい。
プラズマ処理工程前の処置工程では、該処置工程でコントラストが付くのではなく、該処置工程後にプラズマ処理工程を行なうとコントラストが付くような処置(例えばマスク)を施すことが好ましい。
プラズマ処理工程後に処置工程を行なう場合は、プラズマ処理工程ではコントラストが付かず、その後の処置工程でコントラストが付くことが好ましい。
In order to solve the above-mentioned problems, the method of the present invention is a method of surface-treating a substrate to be treated on which a film including a remaining portion and a portion to be peeled is attached to a surface to be treated via an adhesive. ,
A plasma processing step of plasmatizing a process gas and contacting the surface to be processed;
A treatment step of performing treatment to make the surface energy of the remaining portion corresponding to the remaining portion to be attached and the peeling corresponding portion to which the portion to be peeled be different from each other during or before or after the plasma treatment step ,
It is characterized by having.
The apparatus according to the present invention is an apparatus for surface-treating a substrate to be treated on which a film including a remaining part and a part to be peeled off is attached to a surface to be treated through an adhesive before the attachment.
A plasma processing unit configured to plasmat a process gas and contact the processing surface;
A treatment is performed to make the surface energy of the remaining portion on the surface to be treated to be attached be different from the surface energy of the peeling corresponding portion to be attached, during or before or after the processing by the plasma processing unit. Department,
It is characterized by having.
By this, adhesiveness and peelability can be made to make compatible.
Preferably, the surface energy of the corresponding portions is differentiated or contrasted such that the adhesion is relatively high for the remaining portion, and the peelability is relatively high for the peeling portion. By doing so, adhesiveness and peelability can be reliably achieved.
The treatment step may be performed before the plasma treatment step, may be performed in parallel with the plasma treatment during the plasma treatment step, or may be performed after the plasma treatment step.
In the treatment step before the plasma treatment step, it is preferable to apply treatment (e.g., a mask) in which contrast is not obtained in the treatment step but is obtained when the plasma treatment step is performed after the treatment step.
When the treatment step is performed after the plasma treatment step, it is preferable that no contrast is given in the plasma treatment step and the contrast is given in the subsequent treatment step.

前記被処理基板に対して相対移動可能な処理ヘッドから前記プラズマ化したプロセスガスを吹き出して前記被処理面に接触させ、
前記処理ヘッドが前記残置対応部分へ向けられている時と前記剥離対応部分へ向けられている時のプラズマ処理度を互いに異ならせることが好ましい。
これによって、プラズマ処理工程中に処置工程を行ない、被処理面の表面エネルギーにコントラストを付けることができる。残置対応部分については、プラズマ処理度を強くすることで、表面エネルギーを高めることが好ましい。剥離対応部分については、プラズマ処理度を弱くすることで、表面エネルギーが高くなるのを抑えることが好ましい。
前記プラズマ処理度の調節方法としては、残置対応部分に対する処理時間を長くし、剥離対応部分に対する処理時間を短くしてもよい。
例えば、処理ヘッドが残置対応部分へ向けられている時は処理ヘッドと被処理基板との相対移動速度を低速にし、処理ヘッドが剥離対応部分へ向けられている時は処理ヘッドと被処理基板との相対移動速度を高速にしてもよい。
処理ヘッドが残置対応部分へ向けられている時はプロセスガス流量を大きくし、処理ヘッドが剥離対応部分へ向けられている時は、プロセスガス流量を小さくするかプロセスガスの吹き出しを停止してもよい。
前記プロセスガスの組成を、前記処理ヘッドが前記残置対応部分へ向けられている時と前記剥離対応部分へ向けられている時とで異ならせてもよい。
The process gas converted into plasma is blown out from a processing head movable relative to the substrate to be brought into contact with the processing surface,
It is preferable that the degree of plasma processing be different when the processing head is directed to the remaining portion and the portion corresponding to the peeling.
Thus, the treatment step can be performed during the plasma treatment step to contrast the surface energy of the treated surface. The surface energy is preferably increased by strengthening the degree of plasma treatment for the remaining portion. It is preferable to suppress the increase in the surface energy by weakening the degree of plasma treatment for the part corresponding to peeling.
As a method of adjusting the degree of plasma processing, the processing time for the remaining portion corresponding portion may be extended, and the processing time for the portion corresponding to peeling may be shortened.
For example, when the processing head is directed to the remaining position, the relative moving speed between the processing head and the processing substrate is reduced, and when the processing head is directed to the peeling position, the processing head and the processing substrate The relative movement speed of may be increased.
If the processing head is directed to the remaining part, increase the process gas flow rate, and if the processing head is directed to the peeling part, reduce the process gas flow or stop the process gas from blowing out. Good.
The composition of the process gas may be different between when the processing head is directed to the residual corresponding portion and when directed to the peeling corresponding portion.

前記プロセスガスは、窒素(N)及び酸素(O)を含むことが好ましい。これによって、接着性を向上できる。窒素に代えて、ヘリウム(He)、ネオン(Ne)、アルゴン(Ar)等の希ガス、その他の不活性ガスを用いてもよい。
前記プロセスガスを、大気圧近傍の放電空間においてプラズマ化することが好ましい。前記プラズマは、大気圧近傍下における大気圧プラズマであることが好ましい。
本明細書において大気圧近傍とは、1.013×10〜50.663×10Paの範囲を言い、圧力調整の容易化や装置構成の簡便化を考慮すると、1.333×10〜10.664×10Paが好ましく、9.331×10〜10.397×10Paがより好ましい。
The process gas preferably contains nitrogen (N 2 ) and oxygen (O 2 ). Adhesiveness can be improved by this. Instead of nitrogen, a rare gas such as helium (He), neon (Ne), argon (Ar) or the like, or another inert gas may be used.
The process gas is preferably plasmatized in a discharge space near atmospheric pressure. The plasma is preferably an atmospheric pressure plasma near atmospheric pressure.
In the present specification, the vicinity of the atmospheric pressure means a range of 1.013 × 10 4 to 50.663 × 10 4 Pa, and in consideration of facilitation of pressure adjustment and simplification of the device configuration, 1.333 × 10 4 ~10.664 × 10 4 Pa, and more preferably from 9.331 × 10 4 ~10.397 × 10 4 Pa.

前記被処理基板に対して相対移動可能な処理ヘッドから前記プラズマ化したプロセスガスを吹き出して前記被処理面に接触させ、
前記処理ヘッドが前記残置対応部分へ向けられている時と前記剥離対応部分へ向けられている時のプロセスガスの組成を互いに異ならせることにしてもよい。
たとえば、プロセスガス成分としてNとOを用い、かつ残置対応部分の処理時はOを供給することでNとOの混合ガスをプロセスガスとし、剥離対応部分の処理時はOの供給を停止することでNのみのプロセスガスとする。これによって、残置対応部分については表面エネルギーを高め、剥離対応部分については表面エネルギーが高くなるのを抑えることができる。
The process gas converted into plasma is blown out from a processing head movable relative to the substrate to be brought into contact with the processing surface,
The composition of the process gas may be different from each other when the processing head is directed to the remaining portion and the portion corresponding to the peeling.
For example, using N 2 and O 2 as a process gas component, and leaving time processing corresponding portion is a mixed gas of N 2 and O 2 as a process gas by supplying O 2, when processing of the peeling corresponding parts O the process gas N 2 only by stopping the supply of 2. As a result, it is possible to increase the surface energy of the remaining portion corresponding portion and to suppress the increase of the surface energy of the peeling portion.

前記剥離対応部分及び残置対応部分の一方を保護マスクで覆ったうえで、前記プラズマ処理工程を行なうことが好ましい。
これによって、保護マスクをした部分はプラズマ処理されず、保護マスクをしていない部分だけがプラズマ処理される。したがって、被処理面の表面エネルギーにコントラストを付けることができる。
前記保護マスクで覆う工程は、プラズマ処理工程前の処置工程となる。
It is preferable to perform the plasma treatment step after covering one of the peeling corresponding portion and the remaining portion corresponding portion with a protective mask.
As a result, the portion with the protective mask is not plasma treated, and only the portion without the protective mask is plasma treated. Therefore, the surface energy of the surface to be treated can be contrasted.
The step of covering with the protective mask is a treatment step before the plasma treatment step.

前記プラズマ化したプロセスガスを前記被処理面の全域に均等に接触させた後、前記処置工程を行なうことにしてもよい。つまり、プラズマ処理工程によって残置対応部分と剥離対応部分を均等にプラズマ処理することで、これら対応部分の表面エネルギーを一旦、均一にした後、処置工程によって残置対応部分と剥離対応部分の表面エネルギーにコントラストを付けてもよい。これによって、被処理面の処理前の表面状態にばらつきがあったとしても、残置対応部分の全域を均一かつ高い表面エネルギーにでき、剥離対応部分の全域を均一かつ低い表面エネルギーにでき、接着性及び剥離容易性のばらつきを防止できる。
前記プラズマ処理後の処置工程としては、前記処理ヘッドを用いたプラズマ処理、前記保護マスクを用いたプラズマ処理、残置対応部分だけへの空気吹付けなどが挙げられる。
The treatment step may be performed after the plasmatized process gas is uniformly brought into contact with the entire area of the surface to be treated. That is, the surface energy of these remaining parts is once equalized by plasma treating the remaining parts and the peeling parts uniformly by the plasma processing step, and then the surface energy of the remaining parts and the peeling parts is obtained by the treatment process. You may add contrast. As a result, even if the surface condition of the surface to be treated is uneven, the entire area of the remaining portion can be made uniform and high in surface energy, and the whole area of the peeling portion can be made uniform and low in surface energy. And it is possible to prevent variations in ease of peeling.
Examples of the treatment process after the plasma treatment include plasma treatment using the treatment head, plasma treatment using the protective mask, and air blowing only on the remaining corresponding part.

撥水化マスクを前記剥離対応部分に設けたうえで、プラズマ化によって前記被処理面の表面エネルギーを高めるプロセスガスによって前記プラズマ処理工程を行なってもよい。前記撥水化マスクは、前記プラズマ化されたプロセスガスとの相互作用によって表面エネルギーが低下することが好ましい。
前記撥水化マスクとしては、ブラックマトリックスやバンクが挙げられる。この場合の前記プロセスガスとしては、例えばフッ素含有化合物とNの混合ガスが挙げられる。フッ素含有化合物としては、CF、C、C、C等のPFC(パーフルオロカーボン)、CHF、CH、CHF等のHFC(ハイドロフルオロカーボン)、SF、NF、XeFが挙げられる。前記プロセスガスがプラズマ化されることによって、フッ素系活性種と窒素系活性種が生成される。撥水化マスクはフッ素系活性種との相互作用によって表面エネルギーが低下し、残置対応部分は窒素系活性種との接触によって表面エネルギーが高まる。
前記撥水化マスクを設ける工程は、プラズマ処理工程前の処置工程となる。
After the water repellent mask is provided on the peeling corresponding portion, the plasma treatment step may be performed using a process gas that raises the surface energy of the surface to be treated by plasmatization. The water repelling mask preferably has a reduced surface energy by interaction with the plasmatized process gas.
Examples of the water repellent mask include a black matrix and a bank. The Examples of the process gas in the case, for example, a mixed gas of fluorine-containing compound and N 2 and the like. As the fluorine-containing compound, PFC (perfluorocarbon) such as CF 4 , C 2 F 4 , C 2 F 6 , C 3 F 8 or the like, HFC (hydrofluorocarbon) such as CHF 3 , CH 2 F 2 , CH 3 F or the like SF 6 , NF 3 and XeF 2 can be mentioned. By converting the process gas into plasma, fluorine-based active species and nitrogen-based active species are generated. The surface energy of the water repellent mask is reduced by the interaction with the fluorine-based active species, and the surface corresponding to the remaining part is increased by the contact with the nitrogen-based active species.
The step of providing the water repellent mask is a treatment step before the plasma treatment step.

また、本発明は、残す部分と剥がす部分を含むフィルムが接着剤を介して貼り付けられる被貼付面を有するガラス基板であって、
前記被貼付面における、前記残す部分が貼られる残置対応部分と、前記剥がす部分が貼られる剥離対応部分との表面エネルギーが互いに異なることを特徴とする。
前記ガラス基板における前記残置対応部分の表面エネルギーが、前記剥離対応部分の表面エネルギーより高いことが好ましい。
これによって、残置対応部分については親水性が相対的に高く(対水接触角が小さく)、水系接着剤との接着性ひいては前記フィルムの前記残す部分との接着性を確保できる。一方、剥離対応部分については親水性が相対的に低く(対水接触角が大きく)、前記フィルムの剥がす部分に対する剥離容易性を確保できる。
Moreover, this invention is a glass substrate which has a to-be-adhered surface to which the film containing the part left and the part to peel off is affixed via an adhesive agent,
It is characterized in that surface energy of a remaining corresponding portion to which the remaining portion is pasted and a peeling corresponding portion to which the peeled portion is pasted on the surface to be attached are different from each other.
It is preferable that the surface energy of the remaining portion corresponding to the glass substrate is higher than the surface energy of the peeling corresponding portion.
As a result, the remaining corresponding portion has a relatively high hydrophilicity (small contact angle to water), and the adhesion to the water-based adhesive and hence the adhesion to the remaining portion of the film can be secured. On the other hand, the part corresponding to peeling has a relatively low hydrophilicity (a large contact angle to water), and the peelability of the film to the peeled part can be ensured.

本発明によれば、被処理基板に貼り付けられるフィルムの残す部分に対する接着性と、剥がす部分に対する剥離容易性を両立できる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the adhesiveness with respect to the remaining part of the film affixed on a to-be-processed board | substrate and the ease of peeling with respect to the part to peel off are compatible.

図1は、本発明の第1実施形態に係る表面処理装置の概略構成を示す正面断面図である。FIG. 1 is a front cross-sectional view showing a schematic configuration of a surface treatment apparatus according to a first embodiment of the present invention. 図2は、前記表面処理装置の斜視図である。FIG. 2 is a perspective view of the surface treatment apparatus. 図3(a)は、偏光板の貼り付け工程を示す正面断面図である。図3(b)は、レーザーカット工程を示す正面図である。図3(c)は、剥離工程を示す正面断面図である。Fig.3 (a) is front sectional drawing which shows the affixing process of a polarizing plate. FIG.3 (b) is a front view which shows a laser cutting process. FIG.3 (c) is front sectional drawing which shows a peeling process. 図4は、本発明の第2実施形態に係る表面処理装置を概略的に示す斜視図である。FIG. 4 is a perspective view schematically showing a surface treatment apparatus according to a second embodiment of the present invention. 図5は、前記第2実施形態に係る表面処理装置の側面断面図である。FIG. 5 is a side sectional view of the surface treatment apparatus according to the second embodiment. 図6は、本発明の第3実施形態に係る表面処理装置を概略的に示す斜視図である。FIG. 6 is a perspective view schematically showing a surface treatment apparatus according to a third embodiment of the present invention. 図7は、前記第3実施形態に係る表面処理装置の正面図である。FIG. 7 is a front view of the surface treatment apparatus according to the third embodiment. 図8は、本発明の第4実施形態に係る表面処理装置を概略的に示す斜視図である。FIG. 8 is a perspective view schematically showing a surface treatment apparatus according to a fourth embodiment of the present invention. 図9は、本発明の第5実施形態に係る表面処理装置を概略的に示す斜視図である。FIG. 9 is a perspective view schematically showing a surface treatment apparatus according to a fifth embodiment of the present invention. 図10は、前記第5実施形態に係る表面処理装置の正面図である。FIG. 10 is a front view of the surface treatment apparatus according to the fifth embodiment.

以下、本発明の実施形態を図面にしたがって説明する。
図1〜図3は、本発明の第1実施形態を示したものである。処理対象のガラス基板9は、複数の液晶パネルとなるべきマザーセルである。図3(a)に示すように、ガラス基板9の被処理面9s(被貼付面)には、マザー偏光板7(フィルム)が接着剤8を介して貼り付けられる。マザー偏光板7は、例えばTAC(セルローストリアセテート)/PVA(ポリビニルアルコール)/TACや、TAC/PVA/COP(シクロオレフィンポリマー)や、TAC/PVA/アクリル系樹脂などの光学積層樹脂フィルムによって構成されている。接着剤8は、例えば水溶性のポリビニルブチラール(PVB)含有組成物によって構成されている。なお、本発明の偏光板及び接着剤の材質がこれらのものに限定されるものではない。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
1 to 3 show a first embodiment of the present invention. The glass substrate 9 to be processed is a mother cell to be a plurality of liquid crystal panels. As shown in FIG. 3A, the mother polarizing plate 7 (film) is attached to the surface to be processed 9s (surface to be attached) of the glass substrate 9 with the adhesive 8 interposed therebetween. The mother polarizing plate 7 is made of, for example, an optical laminated resin film such as TAC (cellulose triacetate) / PVA (polyvinyl alcohol) / TAC, TAC / PVA / COP (cycloolefin polymer), or TAC / PVA / acrylic resin. ing. The adhesive 8 is made of, for example, a water-soluble polyvinyl butyral (PVB) -containing composition. In addition, the material of the polarizing plate of this invention and an adhesive agent is not limited to these things.

図3(c)に示すように、マザー偏光板7は、残す部分7aと、剥がす部分7bを含む。被処理面9sには、残す部分7aが貼られる残置対応部分9aと、剥がす部分7bが貼られる剥離対応部分9bとが設定されている。好ましくは、生産性の観点から複数の残置対応部分9aが縦横に等間隔で規則的に配置されている。被処理面9sにおける残余の部分が、剥離対応部分9bとなっている。   As shown in FIG. 3C, the mother polarizing plate 7 includes a remaining portion 7a and a portion 7b to be peeled off. On the processing surface 9s, a remaining corresponding portion 9a to which the remaining portion 7a is attached and a peeling corresponding portion 9b to which the peeled portion 7b is attached are set. Preferably, from the viewpoint of productivity, the plurality of remaining corresponding parts 9a are regularly arranged at equal intervals in the longitudinal and lateral directions. The remaining part of the surface 9s to be treated is the peeling corresponding part 9b.

前記マザー偏光板7を貼り付ける前のガラス基板9に対して、次のような表面処理がなされる。
概説すると、被処理面9sに対して、偏光板7の接着性向上のためのプラズマ処理を行なう(プラズマ処理工程)。該プラズマ処理工程中、残置対応部分9aに対するプラズマ処理度と、剥離対応部分9bに対するプラズマ処理度とを互いに異ならせることによって、残置対応部分9と剥離対応部分9bの表面エネルギーを互いに相違させる処置を施す(処置工程)。
The following surface treatment is performed on the glass substrate 9 before the mother polarizing plate 7 is attached.
Generally speaking, plasma treatment is performed on the surface 9s to be treated to improve the adhesion of the polarizing plate 7 (plasma treatment step). In the plasma processing step, the treatment for making the surface energy of the remaining corresponding portion 9 and the surface energy of the peeling corresponding portion 9b different from each other by making the plasma treatment degree for the remaining corresponding portion 9a different from the plasma treatment degree for the peeling corresponding portion 9b. Apply (treatment process).

<表面処理装置>
図1は、前記プラズマ処理工程及び処置工程を行なう表面処理装置1を示したものである。表面処理装置1は、基板支持手段2と、局所処理ヘッド10と、移動手段20を備えている。
基板支持手段2によって、ガラス基板9が、被処理面9sを上へ向けて水平に支持されている。基板支持手段2は、ガラス基板9を載せるステージであってもよく、ガラス基板9の縁部を把持するホルダであってもよい。
<Surface treatment device>
FIG. 1 shows a surface treatment apparatus 1 for performing the plasma treatment step and the treatment step. The surface treatment apparatus 1 includes a substrate support unit 2, a local treatment head 10, and a moving unit 20.
The glass substrate 9 is horizontally supported by the substrate supporting unit 2 with the surface 9s to be treated facing upward. The substrate support means 2 may be a stage on which the glass substrate 9 is mounted, or may be a holder for gripping the edge of the glass substrate 9.

図1及び図2に示すように、基板支持手段2で支持されたガラス基板9の上方に局所処理ヘッド10が配置されている。局所処理ヘッド10は、スポットノズル状になっている。
図1に示すように、局所処理ヘッド10の内部には、二重円筒電極11H,11Eが設けられている。中心電極11Hは、例えばパルス波状の高周波電力を供給する高周波電源12に接続されている。中心電極11Hを囲む円筒状の外側電極11Eは電気的に接地されている。少なくとも片方の電極の対向面(例えば外側電極11Eの内周面)には固体誘電体が設けられている。中心電極11Hの外周面と外側電極11Eの内周面との間に、円筒状の電極間空間15(放電空間)が形成されている。
As shown in FIGS. 1 and 2, the local processing head 10 is disposed above the glass substrate 9 supported by the substrate support means 2. The local processing head 10 is shaped like a spot nozzle.
As shown in FIG. 1, double cylindrical electrodes 11H and 11E are provided inside the local processing head 10. The center electrode 11H is connected to, for example, a high frequency power supply 12 that supplies high frequency power of pulse wave form. The cylindrical outer electrode 11E surrounding the center electrode 11H is electrically grounded. A solid dielectric is provided on the opposing surface of at least one of the electrodes (for example, the inner peripheral surface of the outer electrode 11E). A cylindrical inter-electrode space 15 (discharge space) is formed between the outer peripheral surface of the center electrode 11H and the inner peripheral surface of the outer electrode 11E.

電極間空間15の上流端にプロセスガス供給部13が連なっている。プロセスガス供給部13は、プロセスガスを電極間空間15に供給する。プロセスガスとしては、窒素(N)に微量の酸素(O)を添加した混合ガスが用いられている。窒素に対する酸素の添加量は、例えばppmオーダー(1ppm以上1%未満)であり、好ましくは250ppm程度である。 At the upstream end of the inter-electrode space 15, a process gas supply unit 13 is connected. The process gas supply unit 13 supplies a process gas to the interelectrode space 15. As a process gas, a mixed gas obtained by adding a trace amount of oxygen (O 2 ) to nitrogen (N 2 ) is used. The amount of oxygen added to nitrogen is, for example, on the order of ppm (1 ppm or more and less than 1%), and preferably about 250 ppm.

電極間空間15の下流端にスポット状の吹出口14が連なっている。吹出口14は、局所処理ヘッド10の下端部に配置され、基板支持手段2で支持されたガラス基板9と近接している。
更に局所処理ヘッド10の下端部には、吸込口(図示省略)が設けられていてもよい。
At the downstream end of the interelectrode space 15, a spot-like outlet 14 is connected. The outlet 14 is disposed at the lower end of the local processing head 10 and is in close proximity to the glass substrate 9 supported by the substrate support means 2.
Furthermore, a suction port (not shown) may be provided at the lower end portion of the local processing head 10.

局所処理ヘッド10は、図1において簡略して図示する移動手段20によって、ガラス基板9に対して、x方向及びy方向(被処理面9sに沿う直交する2方向)へ相対移動される。
ガラス基板9が固定され、局所処理ヘッド10が移動されてもよく、局所処理ヘッド10が固定され、ガラス基板9が移動されてもよい。
移動手段20は、基板支持手段2を兼ねるXYステージであってもよく、局所処理ヘッド10の支持手段を兼ねる多関節アームロボットであってもよい。
The local processing head 10 is moved relative to the glass substrate 9 in the x direction and the y direction (two directions orthogonal to the processing surface 9s) by moving means 20 schematically illustrated in FIG.
The glass substrate 9 may be fixed, the local processing head 10 may be moved, the local processing head 10 may be fixed, and the glass substrate 9 may be moved.
The moving means 20 may be an XY stage which doubles as the substrate support means 2, or may be an articulated arm robot which doubles as a support means of the local processing head 10.

表面処理装置1は、次のように動作する。
<プラズマ処理工程>
電源12から電極11へ電力を供給するとともに、プロセスガス供給部13からプロセスガスを処理ヘッド10へ供給する。前記電力供給によって、一対の電極11間に大気圧グロー放電が生成され、電極間空間15が、大気圧近傍の放電空間となる。該放電空間15にプロセスガス供給部13からのプロセスガスが導入され、放電空間15内においてプロセスガスがプラズマ化(励起、活性化、ラジカル化、イオン化を含む)される。
プラズマ化されたプロセスガス(以下、適宜「プラズマガス」と称す)は、放電空間15から吹出口14へ流れ、吹出口14から吹き出される。該プラズマガスが、ガラス基板9の被処理面9sに接触されることによって、被処理面9sのプラズマ表面処理がなされる。
The surface treatment apparatus 1 operates as follows.
<Plasma treatment process>
Power is supplied from the power source 12 to the electrode 11, and a process gas is supplied from the process gas supply unit 13 to the processing head 10. By the power supply, an atmospheric pressure glow discharge is generated between the pair of electrodes 11, and the interelectrode space 15 becomes a discharge space near the atmospheric pressure. The process gas from the process gas supply unit 13 is introduced into the discharge space 15, and the process gas is plasmatized (including excitation, activation, radicalization, ionization) in the discharge space 15.
A process gas (hereinafter appropriately referred to as “plasma gas”) converted into plasma flows from the discharge space 15 to the outlet 14 and is blown out from the outlet 14. The plasma gas is brought into contact with the surface 9 s of the glass substrate 9 to perform plasma surface treatment of the surface 9 s.

<処置工程>
併行して、残置対応部分9aに対するプラズマ処理度は相対的に強く、剥離対応部分9bに対するプラズマ処理度は相対的に弱くするよう、プラズマ処理度を調節する。
具体的には、移動手段20によって、前記吹き出し中の処理ヘッド10を、被処理面9sの残置対応部分9aと剥離対応部分9bのうち、主に残置対応部分9aに向ける。そして、例えば図2の白抜き矢印aに示すように、処理ヘッド10を各残置対応部分9aの輪郭の内側部分に沿って環状に相対移動させる。これによって、プラズマガスが残置対応部分9aに接触されることによって、残置対応部分9aがプラズマ表面処理される。具体的には親水化処理されることで、表面エネルギーが高くなる。このため、濡れ性が高められ、対水接触角が小さくなる。
一方、処理ヘッド10が剥離対応部分9b上に在るときや、処理ヘッド10が隣の残置対応部分9aへ移るために剥離対応部分9b上を通過するときは、プラズマガスの吹付け流量を制限する。つまり、吹付け流量を残置対応部分9aのときより小さくしたり、吹付けを停止したりする。これによって、剥離対応部分9bの親水化処理が抑えられ、表面エネルギーの上昇が抑えられる。
この結果、残置対応部分9と剥離対応部分9bの表面エネルギーが互いに相違してコントラストが付く処置が施される。
<Treatment process>
In parallel, the degree of plasma treatment for the remaining portion corresponding portion 9a is relatively strong, and the degree of plasma treatment for the peeling corresponding portion 9b is relatively weak, so that the degree of plasma treatment is adjusted.
Specifically, the moving means 20 mainly directs the processing head 10 being blown out to the remaining corresponding part 9a among the remaining corresponding part 9a and the peeling corresponding part 9b of the processing surface 9s. Then, for example, as shown by the white arrow a in FIG. 2, the processing head 10 is relatively moved in an annular manner along the inner portion of the contour of each remaining portion 9a. As a result, the plasma gas is brought into contact with the remaining portion corresponding portion 9a, whereby the remaining portion corresponding portion 9a is subjected to plasma surface treatment. Specifically, the surface energy is increased by the hydrophilization treatment. Therefore, the wettability is enhanced and the contact angle to water is reduced.
On the other hand, when the processing head 10 is on the peeling corresponding portion 9b or when the processing head 10 passes over the peeling corresponding portion 9b to move to the next remaining corresponding portion 9a, the flow rate of plasma gas is restricted. Do. That is, the blowing flow rate is made smaller than that of the remaining portion corresponding portion 9a, or the blowing is stopped. As a result, the hydrophilization treatment of the peeling corresponding portion 9b is suppressed, and the increase in surface energy is suppressed.
As a result, the surface energy of the remaining corresponding portion 9 and the peeling corresponding portion 9b are different from each other, and a treatment with contrast is performed.

前記コントラストを付けるために、プラズマガスの吹付け流量を制限したり制限を解除したりする方法としては、供給部13からのプロセスガス供給流量を調整する方法の他、プロセスガス供給流量を一定に保持しつつ、プラズマ化された後のプロセスガス(プラズマガス)の流れをメカニカルに変更したり、処理ヘッド10のガラス基板9に対する相対速度を変更したりする方法が挙げられる。電極11H,11Eの温度上昇などを避ける観点からは、プロセスガス供給流量は一定に保持するのが好ましい。
プラズマガスの流れをメカニカルに変更する方法としては、吹出口14の下方に遮蔽板を進退可能に設け、残置対応部分9a上では遮蔽板が吹出口14から退避されることで、プラズマガスがそのままガラス基板9に吹き付けられるようにし、剥離対応部分9b上では遮蔽板が吹出口14とガラス基板9との間に介在されることで、プラズマガスが遮蔽板に遮られてガラス基板9から逸れた方向へ流れるようにしてもよい。或いは、バルブを用いてプラズマガスの流路をメカニカルに変更してもよい。
処理ヘッド10のガラス基板9に対する相対速度を変更する場合には、プラズマガスを一定流量で吹き出しながら、処理ヘッド10が残置対応部分9a上に在る時は低速で移動され、剥離対応部分9b上に在る時は高速で移動されるようにするとよい。
第1実施形態によれば、装置1の制御プログラムを変更することによって、残置対応部分9a及び剥離対応部分9bの種々のレイアウトに対応できる。また、第1実施形態によれば、後記マスク5,6が不要である。
処理ヘッド10を複数設け、これら複数の処理ヘッド10を同時に作動させて、被処理面9s上の複数箇所を同時に表面処理してもよい。
As a method of limiting the flow rate of the plasma gas or removing the limitation in order to apply the contrast, in addition to the method of adjusting the flow rate of the process gas from the supply unit 13, the flow rate of the process gas is made constant. There is a method of mechanically changing the flow of the process gas (plasma gas) after being plasmatized or changing the relative velocity of the processing head 10 to the glass substrate 9 while holding it. From the viewpoint of avoiding the temperature rise of the electrodes 11H and 11E, it is preferable to keep the process gas supply flow rate constant.
As a method of mechanically changing the flow of plasma gas, a shielding plate is provided below the blowout port 14 so as to be able to move forward and backward, and the shielding plate is retracted from the blowout port 14 on the remaining corresponding portion 9a. The plasma gas is interrupted by the shielding plate and deviated from the glass substrate 9 by being sprayed onto the glass substrate 9 and the shielding plate being interposed between the blowout port 14 and the glass substrate 9 on the peeling corresponding portion 9 b It may flow in the direction. Alternatively, a valve may be used to mechanically change the flow path of plasma gas.
When the relative velocity of the processing head 10 to the glass substrate 9 is changed, the processing head 10 is moved at a low speed when the processing head 10 is on the remaining corresponding portion 9a while blowing the plasma gas at a constant flow rate. It is good to move at high speed when you are in
According to the first embodiment, by changing the control program of the apparatus 1, it is possible to cope with various layouts of the remaining corresponding portion 9a and the peeling corresponding portion 9b. Further, according to the first embodiment, the masks 5 and 6 are unnecessary.
A plurality of processing heads 10 may be provided, and the plurality of processing heads 10 may be operated at the same time to simultaneously treat a plurality of locations on the processing surface 9s.

<処理後のガラス基板9>
前記処理後のガラス基板9は、被処理面9s(被貼付面)における残置対応部分9aと剥離対応部分9bとの表面エネルギーが互いに異なり、残置対応部分9aの表面エネルギーが、剥離対応部分9bの表面エネルギーより高くなる。したがって、残置対応部分9aについては親水性(濡れ性)を高くでき、剥離対応部分9bについては親水性(濡れ性)が高まるのを抑制できる。よって、残置対応部分9aの対水接触角が、剥離対応部分9bの対水接触角よりも小さくなる。対水接触角と水溶性接着剤8の接着性との間には、相関関係がある。
<Glass substrate 9 after treatment>
The surface energy of the residual corresponding portion 9a and the peeling corresponding portion 9b on the surface to be treated 9s (the surface to be attached) is different from each other, and the surface energy of the residual corresponding portion 9a is that of the peeling corresponding portion 9b. It is higher than the surface energy. Therefore, hydrophilicity (wettability) can be made high about remaining corresponding part 9a, and it can control that hydrophilicity (wettability) increases about exfoliation corresponding part 9b. Thus, the water contact angle of the remaining portion 9a is smaller than the water contact angle of the peeling portion 9b. There is a correlation between the contact angle to water and the adhesion of the water-soluble adhesive 8.

<貼り付け工程>
図3(a)に示すように、前記処理度調節付きの処理工程の後、ガラス基板9の被処理面9sの全面にマザー偏光板7を貼り付ける。被処理面9sのうち、残置対応部分9aにおいては、十分に親水化処理されているため、マザー偏光板7の裏面の接着剤8がしっかりと接着される。
<Paste process>
As shown in FIG. 3A, after the processing step with adjustment of the processing degree, the mother polarizing plate 7 is attached to the entire surface of the surface 9s to be processed of the glass substrate 9. Of the processed surface 9s, the remaining corresponding portion 9a is sufficiently hydrophilized, so the adhesive 8 on the back surface of the mother polarizing plate 7 is firmly bonded.

<レーザーカット工程>
図3(b)に示すように、次に、レーザーカット機4によって、マザー偏光板7における残す部分7aと剥がす部分7bの境に沿ってレーザー4aを照射して切れ目7cを入れる。
<Laser cutting process>
As shown in FIG. 3B, next, the laser cutting machine 4 irradiates the laser 4a along the boundary between the remaining part 7a and the part 7b to be peeled off in the mother polarizing plate 7 to make a cut 7c.

<剥離工程>
図3(c)に示すように、次に、マザー偏光板7における剥がす部分7bを剥離する。剥離対応部分9bは、殆ど親水化処理されていないため、容易に剥離することができる。
この結果、残す部分7aに対する良好な接着性と、剥がす部分7bに対する剥離容易性(リワーク性)とを両立させることができる。
<Peeling process>
Next, as shown in FIG. 3C, the peeling portion 7b of the mother polarizing plate 7 is peeled off. The peeling corresponding portion 9b is hardly subjected to the hydrophilization treatment, and thus can be easily peeled.
As a result, good adhesion to the remaining portion 7a and releasability (reworkability) to the peeled portion 7b can be compatible.

<スクライブブレイク工程>
図示は省略するが、その後、スクライブ装置によって、剥離後の剥離対応部分9bにスクライブ線を入る。続いて、ブレイク装置によって、ガラス基板9をスクライブ線に沿ってブレイクを行なう。これによって、ガラス基板9(マザーセル)が複数の液晶パネルに分割される。各液晶パネルには、既に偏光板が貼られているから、その後のライン数が激減し、液晶パネルの製造効率を向上でき、更に作業人員の削減、パーティクルの抑制、多種サイズ対応の容易化等の利点を得ることができる。
ガラス基板9(マザーセル)には残置対応部分9aが縦横に等間隔で規則的に配置されているため、液晶パネルの切り出しが容易である。これによって、生産性を向上できる。
<Scribe Break Process>
Although illustration is omitted, a scribing line then enters a scribe line into the peeling corresponding portion 9b after peeling. Subsequently, a break device breaks the glass substrate 9 along the scribe line. Thereby, the glass substrate 9 (mother cell) is divided into a plurality of liquid crystal panels. Since a polarizing plate is already attached to each liquid crystal panel, the number of lines after that is drastically reduced, the manufacturing efficiency of the liquid crystal panel can be improved, the number of working personnel is reduced, particles are suppressed, and various sizes are easily handled You can get the benefits of
Since the remaining parts 9a are regularly arranged at equal intervals in the vertical and horizontal directions on the glass substrate 9 (mother cell), the liquid crystal panel can be easily cut out. This can improve productivity.

次に、本発明の他の実施形態を説明する。以下の実施形態において既述の形態と重複する構成に関しては、図面に同一符号を付して説明を省略する。
<第2実施形態>
図4及び図5は、本発明の第2実施形態を示したものである。第2実施形態の表面処理装置1Bにおいては、処理ヘッド10Bがガラス基板9の幅の数分の1程度の幅を有している。処理ヘッド10B内には、平行平板電極構造をなす一対の電極11が設けられている。電極間空間15の下流端が、処理ヘッド10Bの下端部の吹出口14Bに連なっている。吹出口14Bは、処理ヘッド10Bの幅方向(図5において紙面と直交する方向)へ延びるスリット状になっている。吹出口14Bの幅寸法は、残置対応部分9aの幅寸法W9aと実質的に等しい。
Next, another embodiment of the present invention will be described. The same numerals are given to a drawing about a configuration which overlaps with a form as stated above in the following embodiments, and explanation is omitted.
Second Embodiment
4 and 5 show a second embodiment of the present invention. In the surface treatment apparatus 1B of the second embodiment, the treatment head 10B has a width which is about a fraction of the width of the glass substrate 9. In the processing head 10B, a pair of electrodes 11 having a parallel plate electrode structure is provided. The downstream end of the inter-electrode space 15 is in communication with the outlet 14B at the lower end of the processing head 10B. The blower outlet 14B is in the form of a slit extending in the width direction of the processing head 10B (the direction orthogonal to the paper surface in FIG. 5). The width dimension of the blower outlet 14B is substantially equal to the width dimension W 9a of the remaining corresponding portion 9a.

表面処理装置1Bのプロセスガス供給源13は、窒素供給部13aと酸素供給部13bとを別々に有している。酸素供給部13bからの供給ラインが、開閉バルブ13vを介して窒素供給部13aからの供給ラインと合流し、処理ヘッド10Bの電極間空間15に接続されている。   The process gas supply source 13 of the surface treatment apparatus 1B has a nitrogen supply unit 13a and an oxygen supply unit 13b separately. The supply line from the oxygen supply unit 13b joins the supply line from the nitrogen supply unit 13a via the on-off valve 13v, and is connected to the interelectrode space 15 of the processing head 10B.

処理ヘッド10Bは、残置対応部分9aの各列に位置合わせされたうえで、ガラス基板9に対して幅方向と直交する移動方向(図4の白抜き矢印bに沿う方向)へ相対移動される。これによって、処理ヘッド10Bは、残置対応部分9aと剥離対応部分9bの上を交互に横切る。併行して、プロセスガスを電極間空間15内でプラズマ化して吹出口14Bから吹き出し、被処理面9sに接触させる(プラズマ処理工程)。かつ、処理ヘッド10Bが残置対応部分9a上に在る時と剥離対応部分9b上に在る時とでプロセスガスの組成が互いに異なるように調整される(処置工程)。すなわち、処理ヘッド10Bのガラス基板9に対する相対位置に応じてOガスの供給がオンオフ制御される。詳しくは、残置対応部分9a上に在るときは、開閉バルブ13vを開くことでプロセスガスをNとOの混合ガスとする。一方、剥離対応部分9b上に在るときは、開閉バルブ13vを閉じることでプロセスガスをNのみとする。これによって、残置対応部分9aは表面エネルギーをより低くでき、剥離対応部分9bは表面エネルギーが低くなるのを抑えることができ、被処理面9sに表面エネルギーのコントラストを付けることができる。
残置対応部分9aが等間隔で規則的に配置されているため、前記オンオンフ制御が容易である。
処理ヘッド10Bを残置対応部分9aの1つ列に沿って動かした後は、隣接する別の列にずらして同様の処理を行なう。残置対応部分9aの列数に対応する回数だけ処理ヘッド10Bを往復移動させることによって、被処理面9sの全域を処理でき、第1実施形態(図1及び図2)よりもタクトを短縮できる。
第2実施形態においては、第1実施形態と同様に、プラズマ処理工程中に、前記コントラストを付ける処置工程が行われる。
The processing head 10B is moved relative to the glass substrate 9 in the moving direction (direction along the white arrow b in FIG. 4) with respect to the glass substrate 9 after being aligned with each row of the remaining corresponding portions 9a. . Thus, the processing head 10B alternately crosses over the remaining corresponding portion 9a and the peeling corresponding portion 9b. At the same time, the process gas is plasmatized in the interelectrode space 15 and blown out from the outlet 14B to be in contact with the surface 9s to be treated (plasma treatment step). In addition, the composition of the process gas is adjusted to be different from each other when the processing head 10B is on the remaining corresponding portion 9a and on the peeling corresponding portion 9b (treatment step). That is, the supply of O 2 gas is on / off controlled in accordance with the relative position of the processing head 10 B to the glass substrate 9. More specifically, when on the remaining portion corresponding portion 9a, the process gas is made to be a mixed gas of N 2 and O 2 by opening the on-off valve 13v. Meanwhile, when in the peeling corresponding portion 9b is a process gas and only N 2 by closing the opening and closing valve 13v. As a result, the remaining corresponding portion 9a can lower the surface energy, the peeling corresponding portion 9b can suppress the decrease in the surface energy, and the surface energy can be contrasted on the surface 9s to be processed.
The on-off control is easy because the remaining parts 9a are regularly arranged at equal intervals.
After the processing head 10B is moved along one row of the remaining portion 9a, the same processing is performed by shifting to another adjacent row. By reciprocating the processing head 10B the number of times corresponding to the number of rows of the remaining corresponding portion 9a, the entire area of the processing surface 9s can be processed, and the tact can be shortened compared to the first embodiment (FIGS. 1 and 2).
In the second embodiment, as in the first embodiment, the treatment step of contrasting is performed during the plasma treatment step.

<第3実施形態>
図6及び図7は、本発明の第3実施形態を示したものである。第3実施形態においては、プラズマ処理工程の前に、表面エネルギーのコントラストを付けるための処置工程が施される。すなわち、プラズマ処理工程の前に、処置工程としてガラス基板9の剥離対応部分9bに保護マスク5が設けられる。残置対応部分9aにはマスクがされない。
保護マスク5の材質は、金属でもよく、樹脂でもよく、セラミックでもよい。
保護マスク5は、ガラス基板9に載せて被処理面9sと接触させてもよく、ガラス基板9から若干浮かしてもよい。保護マスク5をガラス基板9に接着する必要はない。
Third Embodiment
6 and 7 show a third embodiment of the present invention. In the third embodiment, a treatment step for contrasting surface energy is performed prior to the plasma treatment step. That is, before the plasma treatment process, the protection mask 5 is provided on the peeling corresponding portion 9 b of the glass substrate 9 as the treatment process. The remaining portion 9a is not masked.
The material of the protective mask 5 may be metal, resin, or ceramic.
The protective mask 5 may be placed on the glass substrate 9 to be in contact with the processing surface 9 s or may be slightly floating from the glass substrate 9. It is not necessary to bond the protective mask 5 to the glass substrate 9.

前記マスクの後、表面処理装置1Cによってプラズマ処理工程を行なう。表面処理装置1Cの処理ヘッド10Cひいては電極11及びスリット状吹出口14Cは、ガラス基板9の幅と同等の幅を有している。プロセスガスとしては、第1実施形態と同様にNとOの混合ガスを用いることができる。第2実施形態のような組成調整を行なう必要はない。該プロセスガスをプラズマしてなるプラズマガスが、処理ヘッド10Cの幅方向の全域から均等に吹き出される。 After the mask, a plasma treatment process is performed by the surface treatment apparatus 1C. The processing head 10C of the surface treatment apparatus 1C and hence the electrodes 11 and the slit-like outlet 14C have a width equal to the width of the glass substrate 9. As the process gas, a mixed gas of N 2 and O 2 can be used as in the first embodiment. There is no need to adjust the composition as in the second embodiment. A plasma gas formed by plasma of the process gas is uniformly blown out from the entire region in the width direction of the processing head 10C.

前記吹き出しと併行して、図6において模式的に示す移動手段20によって、処理ヘッド10Cが、ガラス基板9に対して幅方向と直交する移動方向bに相対移動される。これによって、プラズマガスが、残置対応部分9aに接触し、該残置対応部分9aがプラズマ親水化処理される。剥離対応部分9bには、マスク5によってプラズマガスの接触が阻止されるために、親水化処理が行われない。これによって、処置工程後(マスク形成後)のプラズマ処理工程において、被処理面9sに表面エネルギーのコントラストが付けられる。この結果、残す部分7aに対する良好な接着性と、剥がす部分7bに対する剥離容易性(リワーク性)とを両立させることができる。
第3実施形態においては、幅広の処理ヘッド10Cによって、ガラス基板9の幅方向の全域の残置対応部分9aを一度に処理できる。処理ヘッド10Cをガラス基板9の長さ方向へ片道移動させることで、ガラス基板9全体の残置対応部分9aを処理できる。したがって、プラズマ処理工程の所要時間(タクト)を短縮できる。
At the same time as the blowout, the processing head 10C is moved relative to the glass substrate 9 in the moving direction b orthogonal to the width direction by the moving means 20 schematically shown in FIG. Thereby, the plasma gas contacts the remaining corresponding portion 9a, and the remaining corresponding portion 9a is subjected to plasma hydrophilization treatment. The peeling corresponding portion 9 b is not subjected to a hydrophilization treatment because the mask 5 prevents the plasma gas from contacting the plasma gas. Thereby, in the plasma treatment process after the treatment process (after mask formation), the surface energy is contrasted on the surface 9s to be treated. As a result, good adhesion to the remaining portion 7a and releasability (reworkability) to the peeled portion 7b can be compatible.
In the third embodiment, the wide remaining processing portion 10a of the entire area in the width direction of the glass substrate 9 can be processed at one time by the wide processing head 10C. By moving the processing head 10 </ b> C one-way in the length direction of the glass substrate 9, the remaining corresponding portion 9 a of the entire glass substrate 9 can be processed. Therefore, the required time (tact) of the plasma treatment process can be shortened.

プラズマ処理工程後、マスク5を除去する。その後のマザー偏光板7の貼り付け工程以降の手順は、第1実施形態と同様である。   After the plasma treatment process, the mask 5 is removed. The procedure after the attachment process of the mother polarizing plate 7 thereafter is the same as that of the first embodiment.

<第4実施形態>
図8は、本発明の第4実施形態を示したものである。第4実施形態においては、プラズマ処理工程の後に、表面エネルギーのコントラストを付けるための処置工程が施される。
第4実施形態の表面処理装置1Dは、第3実施形態と同様の幅広処理ヘッド10Dを有している。該処理ヘッド10Dをガラス基板9の長手方向に沿う移動方向bへ相対移動させながら、NとOの混合ガスからなるプロセスガスを処理ヘッド10Dに供給してプラズマ化して吹き出し、被処理面9sに接触させる(プラズマ処理工程)。これによって、被処理面9sの表面エネルギーが高まる。しかも、被処理面9sの全域に均等にプラズマガスが接触されることによって、被処理面9sの全域がほぼ均一な表面エネルギー状態になる。したがって、プラズマ処理工程前の被処理面9sの親水度(対水接触角)が場所によってばらついていたとしても、そのばらつきを解消できる。第4実施形態のプラズマ処理工程は均一化工程でもある。
好ましくは、当該プラズマ処理工程(均一化工程)におけるプラズマ処理度は後記処置工程としてのプラズマ処理度よりも弱くする。例えば、処理ヘッド10Dのガラス基板9に対する移動速度を、高速にすることで、プラズマ処理度を弱くできる。
或いは、該プラズマ処理工程(均一化工程)においては、プロセスガス成分としてCF等のフッ素含有化合物を含ませ、被処理面9aの全域を撥水化処理することで表面エネルギーを低くしてもよい。
Fourth Embodiment
FIG. 8 shows a fourth embodiment of the present invention. In the fourth embodiment, after the plasma treatment step, a treatment step for contrasting surface energy is performed.
The surface treatment apparatus 1D of the fourth embodiment has a wide processing head 10D similar to that of the third embodiment. While relatively moving the processing head 10D in the moving direction b along the longitudinal direction of the glass substrate 9, a process gas consisting of a mixed gas of N 2 and O 2 is supplied to the processing head 10D to be plasmatized and blown out. Contact with 9s (plasma treatment step). This increases the surface energy of the surface 9s to be treated. In addition, the plasma gas is uniformly brought into contact with the entire area of the surface 9s to be treated, whereby the entire area of the surface 9s to be treated is brought into a substantially uniform surface energy state. Therefore, even if the degree of hydrophilicity (water contact angle) of the surface 9s to be treated before the plasma treatment step varies depending on the location, the variation can be eliminated. The plasma processing step of the fourth embodiment is also a homogenization step.
Preferably, the degree of plasma treatment in the plasma treatment step (homogenization step) is weaker than the degree of plasma treatment as a treatment step described later. For example, by increasing the moving speed of the processing head 10D with respect to the glass substrate 9, the plasma processing degree can be weakened.
Alternatively, in the plasma treatment step (homogenization step), a fluorine-containing compound such as CF 4 is contained as a process gas component, and the entire surface of the surface 9a to be treated is treated to be water repellent to reduce surface energy. Good.

前記プラズマ処理工程(均一化工程)の後、処置工程を行なう。該処置工程では、第1〜第3実施形態のプラズマ処理と同じ処理を行ってもよい。例えば第1実施形態(図1及び図2)のスポットノズル状の処理ヘッド10を用いて、残置対応部分9aだけをプラズマ処理する。これによって、残置対応部分9aの表面エネルギーが、前記プラズマ処理工程(均一化工程)の終了時よりも高くなる。剥離対応部分9bの表面エネルギーは、前記プラズマ処理工程(均一化工程)の終了時の大きさにとどまる。したがって、被処理面9sの表面エネルギーにコントラストを付けることができる。   After the plasma treatment step (homogenization step), a treatment step is performed. In the treatment step, the same treatment as the plasma treatment of the first to third embodiments may be performed. For example, using the spot nozzle processing head 10 of the first embodiment (FIGS. 1 and 2), only the remaining corresponding portion 9a is subjected to plasma processing. As a result, the surface energy of the remaining portion corresponding portion 9a becomes higher than that at the end of the plasma treatment step (uniformization step). The surface energy of the peeling corresponding portion 9 b remains at the size at the end of the plasma treatment step (homogenization step). Therefore, the surface energy of the surface 9s to be treated can be contrasted.

或いは、第4実施形態の処置工程として、第2実施形態(図4及び図5)と同様に、短幅の処理ヘッド10Bを用い、かつOガスの供給をオンオフ制御することによって、被処理面9sの表面エネルギーにコントラストを付けることにしてもよい。
或いは、第4実施形態の処置工程として、第3実施形態(図6及び図7)と同様に、保護マスク5を被処理面9sに被せた後、幅広の処理ヘッド10Cからプラズマガスを吹き付けることで、被処理面9sの表面エネルギーにコントラストを付けることにしてもよい。
Alternatively, as the treatment process of the fourth embodiment, as in the second embodiment (FIG. 4 and FIG. 5), the short width processing head 10B is used, and the supply of O 2 gas is on / off controlled. The surface energy of the surface 9s may be contrasted.
Alternatively, as in the treatment process of the fourth embodiment, as in the third embodiment (FIGS. 6 and 7), after covering the protection mask 5 on the surface 9s to be treated, the plasma gas is sprayed from the wide treatment head 10C. Then, the surface energy of the surface 9s to be treated may be contrasted.

さらに、第4実施形態の処置工程は、必ずしもプラズマ処理に限られず、非プラズマ処理であってもよい。例えば、図示は省略するが、スポット状ノズルを用いて、残置対応部分9aだけに空気等のプラズマ化されていないガスを吹き付けることにしてもよい。該非プラズマガス中の酸素等の成分が、前記プラズマ処理工程(均一化工程)で活性化された残置対応部分9aの表面成分と相互作用を起こすことによって、被処理面9sの表面エネルギーにコントラストを付けることができる。   Furthermore, the treatment process of the fourth embodiment is not necessarily limited to plasma treatment, and may be non-plasma treatment. For example, although not shown, a non-plasma gas such as air may be sprayed only on the remaining corresponding portion 9a using a spot-like nozzle. A component such as oxygen in the non-plasma gas interacts with the surface component of the remaining corresponding portion 9a activated in the plasma processing step (homogenization step) to contrast the surface energy of the processing surface 9s. Can be attached.

この結果、残す部分7aに対する接着性を向上できるとともに、剥がす部分7bに対する剥離容易性(リワーク性)を確保できる。しかも、剥離対応部分9bの表面状態が均一であるために、剥がす部分7bを場所による偏り無く剥離できる。   As a result, the adhesion to the remaining portion 7a can be improved, and the removability (reworkability) to the peeled portion 7b can be ensured. And since the surface state of exfoliation corresponding part 9b is uniform, exfoliation part 7b can be exfoliated without the bias by a place.

<第5実施形態>
図9及び図10は、本発明の第5実施形態を示したものである。第5実施形態においては、プラズマ処理工程の前に、表面エネルギーのコントラストを付けるための処置工程が施される。
詳しくは、撥水化マスク6を剥離対応部分9bに被膜する(処置工程)。撥水化マスク6としては、ブラックマトリックスやバンクなどの樹脂マスクが挙げられる。
Fifth Embodiment
9 and 10 show a fifth embodiment of the present invention. In the fifth embodiment, a treatment step for contrasting surface energy is performed prior to the plasma treatment step.
Specifically, the water repellent mask 6 is coated on the peeling corresponding portion 9b (treatment step). Examples of the water repellent mask 6 include resin masks such as a black matrix and a bank.

次に、表面処理装置1Eによってプラズマ処理工程を行なう。表面処理装置1Eは、第3実施形態(図6)と同様の幅広処理ヘッド10Eを有している。プロセスガスとしては、CFとNの混合ガスが用いられている。該プロセスガスが、プロセスガス供給源13Eから処理ヘッド10Eに供給されてプラズマ化されることによって、フッ素系活性種及び窒素活性種を含むプラズマガスが生成される。
CFに代えて、C、C、Cその他のフッ素含有化合物を用いてもよい。
Next, a plasma treatment process is performed by the surface treatment apparatus 1E. The surface treatment apparatus 1E has a wide processing head 10E similar to that of the third embodiment (FIG. 6). As a process gas, a mixed gas of CF 4 and N 2 is used. The process gas is supplied from the process gas supply source 13E to the processing head 10E to be plasmatized, thereby generating a plasma gas containing fluorine-based active species and nitrogen-active species.
Instead of CF 4 , C 2 F 4 , C 2 F 6 , C 3 F 8 and other fluorine-containing compounds may be used.

処理ヘッド10Eをガラス基板9の長手方向に沿う移動方向bへ相対移動させながら、前記プラズマガスを吹き出し、被処理面9sの全域に接触させる(プラズマ処理工程)。これによって、マスクされていない残置対応部分9aは、プラズマガス中の主に窒素系活性種との相互作用によって表面エネルギーが高まり、親水化される。一方、マスク6の表面は、プラズマガス中の主にフッ素系活性種との相互作用によって表面エネルギーが低下し、撥水化される。マスク6の下の剥離対応部分9bは、当初の表面状態を保つ。   While relatively moving the processing head 10E in the moving direction b along the longitudinal direction of the glass substrate 9, the plasma gas is blown out and brought into contact with the whole area of the processing surface 9s (plasma processing step). As a result, the remaining uncorresponded portion 9a which is not masked is enhanced in surface energy by interaction with mainly nitrogen-based active species in the plasma gas and is hydrophilized. On the other hand, the surface energy of the surface of the mask 6 is reduced by the interaction with mainly the fluorine-based active species in the plasma gas, and the surface of the mask 6 is made water repellent. The peeling corresponding portion 9b below the mask 6 maintains the original surface condition.

その後、マスク6を除去せずに、被処理面9sの全域に偏光板7を貼り付ける。以降の手順は、第1実施形態と同様である。
偏光板7におけるマスク6に被さった部分7bは、マスク6の撥水化によって容易に剥がすことができ、マスクされていない残置対応部分9aに被さった部分7aは、親水化された残置対応部分9aにしっかりと貼り付けることができる。
Thereafter, the polarizing plate 7 is attached to the entire area of the processing surface 9s without removing the mask 6. The subsequent procedure is the same as that of the first embodiment.
The portion 7b of the polarizing plate 7 which covers the mask 6 can be easily peeled off by the water repellency of the mask 6, and the portion 7a of which the remaining portion 9a which is not masked is covered is the remaining portion 9a which is hydrophilized. Can be firmly attached to the

本発明は、前記実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲において種々の改変をなすことができる。
例えば、残置対応部分9aに対するプラズマ処理時のプロセスガス組成と、剥離対応部分9bに対するプラズマ処理時のプロセスガス組成を互いに異ならせることで、残置対応部分9aに対しては親水化処理する一方、剥離対応部分9bに対しては撥水化処理してもよい。
接着剤の材質やプロセスガスの組成などによっては、剥離対応部分9bのプラズマ処理度を残置対応部分9aのプラズマ処理度より大きくしてもよく、残置対応部分9aはプラズマ処理せずに剥離対応部分9bだけをプラズマ処理してもよい。残置対応部分9aに保護マスク5を設けてもよい。
ガラス基板9に貼り付けられるフィルムは、偏光板7に限られず、位相差フィルムその他の光学フィルムであってもよく、更には保護フィルム、装飾フィルム、その他種々のフィルムであってもよい。
処理対象ないしはフィルム貼付対象のガラス基板9は、液晶パネル用マザーセルに限られず、液晶パネル自体のガラス基板、その他の光学ガラス基板であってもよく、更には汎用のガラス基板であってもよい。
被処理基板は、液晶パネルのマザーセルその他のガラス基板に限られず、光学フィルム、ウェハー等であってもよい。
The present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention.
For example, by making the process gas composition at the time of plasma processing to the remaining corresponding portion 9a and the process gas composition at the time of plasma processing to the peeling corresponding portion 9b different from each other, the remaining corresponding portion 9a is subjected to hydrophilic treatment Water repellent treatment may be performed on the corresponding portion 9b.
Depending on the material of the adhesive and the composition of the process gas, the degree of plasma treatment of the peeling corresponding portion 9b may be larger than the plasma treatment degree of the remaining corresponding portion 9a, and the remaining corresponding portion 9a is not subjected to plasma treatment but the peeling corresponding portion Only 9b may be plasma treated. The protective mask 5 may be provided on the remaining portion corresponding portion 9a.
The film to be attached to the glass substrate 9 is not limited to the polarizing plate 7, and may be a retardation film or other optical film, and may be a protective film, a decorative film, or other various films.
The glass substrate 9 to be treated or to which a film is to be attached is not limited to the mother cell for a liquid crystal panel, and may be a glass substrate of the liquid crystal panel itself, another optical glass substrate, or a general-purpose glass substrate.
The substrate to be treated is not limited to the mother cell of the liquid crystal panel and other glass substrates, and may be an optical film, a wafer or the like.

本発明は、例えば液晶パネルの製造ラインに適用できる。   The present invention can be applied to, for example, a production line of a liquid crystal panel.

1,1B〜1E 表面処理装置
2 基板支持手段
4 レーザーカット機
5 マスク
7 偏光板(フィルム)
7a 残す部分
7b 剥がす部分
8 接着剤
9 ガラス基板(被処理基板)
9a 残置対応部分
9b 剥離対応部分
9c 切れ目
9s 被処理面(被貼付面)
10,10B〜10E 処理ヘッド
11,11H,11E 電極
12 電源
13 プロセスガス供給源
14,14B,14C 吹き出し口
20 移動手段
1, 1 B to 1 E Surface treatment apparatus 2 Substrate support means 4 Laser cutting machine 5 Mask 7 Polarizer (film)
7a Remaining part 7b Peeling part 8 Adhesive 9 Glass substrate (substrate to be treated)
9a Remaining corresponding portion 9b Peeling corresponding portion 9c Cut 9s treated surface (surface to be stuck)
10, 10 B to 10 E Processing Heads 11, 11 H, 11 E Electrodes 12 Power Source 13 Process Gas Supply Source 14, 14 B, 14 C Outlet 20 Moving Means

Claims (9)

残す部分と剥がす部分を含むフィルムが接着剤を介して被処理面に貼り付けられる被処理基板を、前記貼り付け前に表面処理する方法であって、
プロセスガスをプラズマ化して前記被処理面に接触させるプラズマ処理工程と、
前記プラズマ処理工程中又はその前後において、前記被処理面における、前記残す部分が貼られる残置対応部分と、前記剥がす部分が貼られる剥離対応部分との表面エネルギーを互いに相違させる処置を施す処置工程と、
を備えたことを特徴とする表面処理方法。
A method of surface-treating a substrate to be treated, to which a film including a remaining portion and a portion to be peeled is attached to a surface to be treated via an adhesive before the attachment,
A plasma processing step of plasmatizing a process gas and contacting the surface to be processed;
A treatment step of performing treatment to make the surface energy of the remaining portion corresponding to the remaining portion to be attached and the peeling corresponding portion to which the portion to be peeled be different from each other during or before or after the plasma treatment step ,
A surface treatment method comprising:
前記被処理基板に対して相対移動可能な処理ヘッドから前記プラズマ化したプロセスガスを吹き出して前記被処理面に接触させ、
前記処理ヘッドが前記残置対応部分へ向けられている時と前記剥離対応部分へ向けられている時のプラズマ処理度を互いに異ならせることを特徴とする請求項1に記載の表面処理方法。
The process gas converted into plasma is blown out from a processing head movable relative to the substrate to be brought into contact with the processing surface,
The surface treatment method according to claim 1, wherein the degree of plasma treatment is made different between when the treatment head is directed to the remaining portion corresponding portion and when it is directed to the peeling portion.
前記被処理基板に対して相対移動可能な処理ヘッドから前記プラズマ化したプロセスガスを吹き出して前記被処理面に接触させ、
前記処理ヘッドが前記残置対応部分へ向けられている時と前記剥離対応部分へ向けられている時のプロセスガスの組成を互いに異ならせることを特徴とする請求項1に記載の表面処理方法。
The process gas converted into plasma is blown out from a processing head movable relative to the substrate to be brought into contact with the processing surface,
The surface treatment method according to claim 1, wherein the composition of the process gas is made different from each other when the processing head is directed to the remaining corresponding portion and when directed to the peeling corresponding portion.
前記剥離対応部分及び残置対応部分の一方を保護マスクで覆ったうえで、前記プラズマ処理工程を行なうことを特徴とする請求項1に記載の表面処理方法。   The surface treatment method according to claim 1, wherein the plasma treatment step is performed after covering one of the peeling corresponding portion and the remaining portion corresponding portion with a protective mask. 前記プラズマ化したプロセスガスを前記被処理面の全域に均等に接触させた後、前記処置工程を行なうことを特徴とする請求項1〜4の何れか1項に記載の表面処理方法。   The surface treatment method according to any one of claims 1 to 4, wherein the treatment step is performed after the plasmatized process gas is uniformly brought into contact with the entire area of the surface to be treated. 撥水化マスクを前記剥離対応部分に設けたうえで、
プラズマ化によって前記被処理面の表面エネルギーを高めるプロセスガスによって前記プラズマ処理工程を行ない、
前記撥水化マスクは、前記プラズマ化されたプロセスガスとの相互作用によって表面エネルギーが低下することを特徴とする請求項1に記載の表面処理方法。
After providing a water repellent mask on the part corresponding to peeling,
Performing the plasma treatment step with a process gas that raises the surface energy of the surface to be treated by plasmatization;
The surface treatment method according to claim 1, wherein the water repelling mask has a reduced surface energy due to the interaction with the plasmatized process gas.
残す部分と剥がす部分を含むフィルムが接着剤を介して被処理面に貼り付けられる被処理基板を、前記貼り付け前に表面処理する装置であって、
プロセスガスをプラズマ化して前記被処理面に接触させるプラズマ処理部と、
前記プラズマ処理部による処理中又はその前後において、前記被処理面における、前記残す部分が貼られる残置対応部分と、前記剥がす部分が貼られる剥離対応部分との表面エネルギーを互いに相違させる処置を施す処置部と、
を備えたことを特徴とする表面処理装置。
An apparatus for surface-treating a substrate to be treated on which a film including a remaining portion and a portion to be peeled is attached to a surface to be treated through an adhesive before the attachment,
A plasma processing unit configured to plasmat a process gas and contact the processing surface;
A treatment is performed to make the surface energy of the remaining portion on the surface to be treated to be attached be different from the surface energy of the peeling corresponding portion to be attached, during or before or after the processing by the plasma processing unit. Department,
A surface treatment apparatus comprising:
残す部分と剥がす部分を含むフィルムが接着剤を介して貼り付けられる被貼付面を有するガラス基板であって、
前記被貼付面における、前記残す部分が貼られる残置対応部分と、前記剥がす部分が貼られる剥離対応部分との表面エネルギーが互いに異なることを特徴とするガラス基板。
It is a glass substrate which has a to-be-adhered surface on which a film including a remaining part and a part to be peeled off is attached via an adhesive,
The glass substrate characterized in that surface energy of a remaining corresponding portion to which the remaining portion is pasted and a peeling corresponding portion to which the peeled portion is pasted in the bonded surface are different from each other.
前記残置対応部分の表面エネルギーが、前記剥離対応部分の表面エネルギーより高いことを特徴とする請求項7に記載のガラス基板。   The glass substrate according to claim 7, wherein the surface energy of the remaining corresponding portion is higher than the surface energy of the peeling corresponding portion.
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