JP2019063885A - 加工装置 - Google Patents

加工装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2019063885A
JP2019063885A JP2017188336A JP2017188336A JP2019063885A JP 2019063885 A JP2019063885 A JP 2019063885A JP 2017188336 A JP2017188336 A JP 2017188336A JP 2017188336 A JP2017188336 A JP 2017188336A JP 2019063885 A JP2019063885 A JP 2019063885A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
holding
cleaning
holding area
suction
water
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2017188336A
Other languages
English (en)
Other versions
JP7034650B2 (ja
Inventor
関家 一馬
Kazuma Sekiya
一馬 関家
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Abrasive Systems Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Abrasive Systems Ltd filed Critical Disco Abrasive Systems Ltd
Priority to JP2017188336A priority Critical patent/JP7034650B2/ja
Publication of JP2019063885A publication Critical patent/JP2019063885A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7034650B2 publication Critical patent/JP7034650B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Dicing (AREA)
  • Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
  • Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

【課題】被加工物に加工が施された保持手段の保持領域から汚染物質を除去できる加工装置を提供することにある。【解決手段】加工装置の保持手段14は、被加工物を吸引保持する保持領域18と、保持領域18を支持する枠体19と、枠体19にバルブ32を介して連結される吸引源30と、枠体19にバルブ42を介して連結される水供給源40と、から少なくとも構成され、保持手段14に隣接し、保持領域18を洗浄する洗浄手段50が配設され、洗浄手段50は、ブラシ部53と、吸引部56と、を備え、水供給源30のバルブを開き、保持手段14の保持領域18に水Wを供給しつつブラシ部53で保持領域18に蓄積された汚染物質を浮上させて吸引部56で汚染物質が混入した洗浄後の廃液Bを吸引除去するように構成される。【選択図】図3

Description

本発明は、被加工物を保持する保持手段を洗浄する洗浄手段を備える加工装置に関する。
IC、LSI等の複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハは、切削装置によって個々のデバイスに分割され、携帯電話、パソコン等の電気機器に利用される。
また、ウエーハを吸引保持するチャックテーブルで保持し、分割予定ラインに沿ってデバイスの仕上がり厚みに相当する深さのハーフカット溝を形成する切削加工を実施し、その後、ウエーハの表面に保護部材を配設して裏面を研削し、ハーフカット溝を裏面に表出させて個々のデバイスに分割する先ダイシングと称される技術がある(例えば、特許文献1を参照。)。
特開2003−007653号公報
上記した特許文献1に記載された技術では、ウエーハを切削した際に生じる汚染物質、例えば、切削屑等のいわゆるコンタミが混入した切削水が、保持手段を構成する保持領域に進入する。そして、ウエーハを保持領域から搬出する際には、保持領域全域が露出して切削水が保持領域全面に触れることになる。
上記した切削装置の保持手段に備えられた保持領域は、微細な通気孔が形成されたポーラスセラミックス構成されることが多い。この保持領域に上記した切削屑等の汚染物質を含む切削水が触れると、上記した微細な通気孔が切削水に含まれる汚染物質によって塞がれる。これにより、保持領域の吸引力の低下を招くという問題がある。さらに、保持領域の表面に切削屑等が付着すると、保持領域の表面に微細な突起が形成されることになる。その状態で保持領域にウエーハを吸引保持し、ハーフカット溝を形成する切削加工を実施しようとすると、ハーフカット溝の深さ精度を低下させるという問題もある。
上記した問題は、切削加工時に限らず、ウエーハを研削して薄くする研削加工を実施した後、研削時にウエーハを保持していた保持手段からウエーハを搬出した後の保持手段の保持領域にも起こりうる。
本発明は、上記事実に鑑みなされたものであり、その主たる技術課題は、被加工物に加工が施された保持手段の保持領域から汚染物質を除去できる加工装置を提供することにある。
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、被加工物を保持する保持手段と、該保持手段に保持された被加工物に加工を施す加工手段と、を少なくとも備えた加工装置であって、該保持手段は、被加工物を吸引保持する保持領域と、該保持領域を支持する枠体と、該枠体にバルブを介して連結される吸引源と、該枠体にバルブを介して連結される水供給源と、から少なくとも構成され、該保持手段に隣接し、該保持領域を洗浄する洗浄手段が配設され、該洗浄手段は、ブラシ部と、吸引部と、を備え、該水供給源のバルブを開き、該保持手段の保持領域に水を供給しつつ該ブラシ部で保持領域に蓄積された汚染物質を浮上させて該吸引部で該汚染物質が混入した洗浄後の廃液を吸引除去するように構成される、加工装置が提供される。
該洗浄手段は、さらに、洗浄液を供給する洗浄液供給ノズルを備え、該保持手段の保持領域に該洗浄液を供給するようにすることもできる。
本発明は、被加工物を保持する保持手段と、該保持手段に保持された被加工物に加工を施す加工手段と、を少なくとも備えた加工装置であって、該保持手段は、被加工物を吸引保持する保持領域と、該保持領域を支持する枠体と、該枠体にバルブを介して連結される吸引源と、該枠体にバルブを介して連結される水供給源と、から少なくとも構成され、該保持手段に隣接し、該保持領域を洗浄する洗浄手段が配設され、該洗浄手段は、ブラシ部と、吸引部と、を備え、該水供給源のバルブを開き、該保持手段の保持領域に水を供給しつつ該ブラシ部で保持領域に蓄積された汚染物質を浮上させて該吸引部で該汚染物質が混入した洗浄後の廃液を吸引除去するように構成されていることにより、保持領域から浮上した切削屑等の汚染物質を直ちに吸引して除去することができ、保持領域に再付着することを防止することで、保持手段の吸引力の低下を抑制することができる。さらに、保持領域に付着した切削屑等に起因する微細な凹凸が加工時の精度を低下させることを抑制することができる。
本発明に実施形態に係る切削装置の斜視図である。 図1に示す切削装置に備えられた保持手段の概略斜視図である。 図2に示す保持手段、及び洗浄手段の概略斜視図である。 図3に示す洗浄手段の作動を説明するための(a)概略斜視図、及び(b)側面図である。
以下、本発明の実施形態に係る加工装置について、添付図面を参照して説明する。
図1には、本実施形態に係る加工装置の例として、切削装置1の斜視図が示されている。切削装置1の基台12には、被加工物である半導体ウエーハ2が載置される保持テーブル17を備えた保持手段14と、洗浄手段50と、アライメント手段20及び加工手段としての切削手段24を支持する枠部10と、が備えられている。基台12の前面側には、オペレータが加工条件等の装置に対する指示を入力するための操作手段4が設けられている。なお、基台12の上方は、加工時の切削屑、切削水等が外部に飛散しないように、切削装置1全体を覆うハウジングが配設されるが、図1では、説明の都合上省略している。
基台12の上面には、X軸方向に延在する矩形状の開口が形成され、この開口は保持テーブル17と共に移動されるカバー板15、蛇腹状の防水カバー16に覆われている。防水カバー16の下方には、保持テーブル17をX軸方向に移動させる移動手段(図示は省略する。)と、保持テーブル17を回転させる回転手段(図示は省略する。)と、が設けられている。保持テーブル17は、保持領域18と、保持領域18を囲繞して支持する枠体19とを備えている。
アライメント手段20は、保持テーブル17のX軸方向の移動経路の上方に配設され、被加工物の切削すべき分割予定ラインを検出する。アライメント手段20は、被加工物の表面を撮像する撮像手段22を備えており、撮像手段22により取得した画像に基づき、パターンマッチング等の処理によって被加工物上の切削すべき分割予定ラインを検出することができる。撮像手段22によって取得された画像は、図示しない表示手段に表示される。
切削手段24は、アライメント手段20のX方向に隣接して配設され、保持テーブル17に保持された被加工物に対して切削加工を施す。切削手段24は、アライメント手段20と一体的に構成されており、両者が連動してY軸方向及びZ軸方向に移動させられる。
切削手段24は、回転可能なスピンドル26の先端に切削ブレード28が装着されて構成され、Y軸方向及びZ軸方向に移動可能となっている。切削ブレード28は撮像手段22のX軸方向の延長線上に位置している。なお、X軸方向は図1に矢印Xで示す方向であり、Y軸方向は矢印Yで示す方向であってX方向に直交する方向である。Z軸方向は矢印Zで示す方向であって、X軸方向、及びY軸方向の双方に直交する方向である。X軸方向、Y軸方向で規定される平面は実質上水平である。
洗浄手段50は、基台12上の保持手段14に隣接する位置であって、上記した保持テーブル17の移動経路に沿った位置に配設される。図1に示すように、洗浄手段50は、基台12上に配置される洗浄基台51と、洗浄基台51に配設される伸縮ロッド51aと、伸縮ロッド51aに支持され昇降する洗浄具支持部52と、洗浄具支持部52に配設されるブラシ部53と、ブラシ部53を挟みX軸方向に隣接して配設される洗浄液供給ノズル55及び吸引部56と、を備えている。
図2を参照しながら、保持手段14について説明する。保持手段14は、保持テーブル17と、保持テーブル17に連結される吸引源30と、同じく保持テーブル17に連結される水供給源40とから少なくとも構成される。保持テーブル17は、被加工物を保持する保持領域18と、保持領域18を囲繞して支持する枠体19から構成される。保持領域18は、保持領域18の全域に形成された微細な通気孔を備えた円盤状のポーラスセラミックスからなる。枠体19は、枠体19の支持部19aを介して、図示しない吸引ポンプを備えた吸引源30に連結されている。枠体19と吸引源30を連結する吸引ライン34上には、制御部100によって開閉が自在に制御されるバルブ32が配設される。保持領域18の裏面と、枠体19との間には図示しない空間が形成されており、吸引源30を作動し、バルブ32を開とすると、保持領域18の全面に負圧が作用し、保持領域18に載置される円盤状の被加工物を吸引保持することができる。
枠体19には、枠体19の支持部19aを介して、図示しない水吐出ポンプ及び水タンクを備えた水供給源40が連結されている。枠体19と水供給源40を連結する水供給ライン44上には、制御部100によって開閉が自在に制御されるバルブ42が配設される。水供給源40を作動し、バルブ42を開とすると、保持領域18と枠体19によって形成される空間に水が供給され、保持領域18に形成された微細な通気孔から水を漏出させることができる。
図1、及び図3を参照しながら、洗浄手段50についてさらに詳細に説明する。洗浄基台51は、基台12内部にその一部が収容される。洗浄基台51に備えられた伸縮ロッド51aは、洗浄具支持部52に接続されており、洗浄基台51に収容されたエアーピストン等の駆動機構(図示は省略する。)により伸縮し、洗浄具支持部52をZ軸方向に昇降させる。なお、図3では、伸縮ロッド51aを1本のみ示しているが、実際には、X軸方向に離間して2本配設されている。洗浄具支持部52の昇降量は、制御部100により正確に制御される。ブラシ部53は、洗浄具支持部52をY軸方向から見て、略中央に配設されるものであり、洗浄具支持部52からY軸方向に延びるように配設される。ブラシ部53は、例えば、内部に硬質の芯材を備え(図示は省略する。)、該芯材の外周を覆うウレタンと、該ウレタンの表面に植毛された短いナイロン繊維からなる起毛部54とを備える。ブラシ部53は、洗浄具支持部52内に配設されたモータ(図示は省略する。)に連結されており、制御部100からの指示信号により回転するように構成されている。
ブラシ部53とX軸方向に隣接した位置には、洗浄液供給ノズル55と、吸引部56とが配設される。図3に示すように、洗浄液供給ノズル55、及び吸引部56は、ブラシ部53と同様に、洗浄具支持部52によって支持され、ブラシ部53をX軸方向において挟むように、ブラシ部53に近接した位置に配設される。洗浄液供給ノズル55、及び吸引部56も、Y軸方向に延びるように形成される。
洗浄液供給ノズル55は、中空のパイプ材により形成され、洗浄具支持部52を介して洗浄液L(例えば、希釈フッ酸)を貯留する図示しない洗浄液タンク、及び圧送ポンプ等を備えた洗浄液供給源60に接続される。洗浄液供給ノズル55と洗浄液供給源60とを連結する洗浄液供給ライン64上には、バルブ62が配設され、制御部100により開閉自在に制御される。洗浄液供給ノズル55には、長手方向全体に渡ってブラシ部53の下方に向けて洗浄液Lが供給されるように、洗浄液供給孔(図示は省略する。)が長手方向全体に渡って複数形成されている。なお、上記した洗浄液供給孔に代えて、洗浄液供給ノズル55の長手方向に亘るスリットを設けるようにしてもよい。また、洗浄液Lは必ずしも上記した希釈フッ酸に限定されず、被加工物に応じて適宜選択されるものであり、水、又は純水であってもよい。
吸引部56は、洗浄具支持部52を介して、図示しない吸引ポンプ、及び廃液タンクを備えた廃液吸引源70に接続される。吸引部56と廃液吸引源70とを連結する廃液排出ライン74上には、バルブ72が配設され、制御部100により開閉自在に制御される。吸引部56の下面には、長手方向(Y軸方向)に伸びる開口部56aが形成されている。
上記した保持手段14、洗浄手段50は、切削装置1全体を制御する制御部100によって制御される。制御部100は、コンピュータにより構成され、制御プログラムに従って演算処理する中央演算処理装置(CPU)と、制御プログラム等を格納するリードオンリメモリ(ROM)と、演算結果等を一時的に格納するための読み書き可能なランダムアクセスメモリ(RAM)と、入力インターフェース、及び出力インターフェースとを備えている(詳細についての図示は省略する。)。
本実施形態に係る切削装置1は、概ね以上のように形成されており、以下に切削装置1の作用について説明する。
図1に示すように、切削装置1の保持テーブル17の保持領域18に、被加工物として、例えば半導体ウエーハ2を載置し、吸引源30を作動して吸引保持する。保持テーブル17をX軸方向に移動させることにより、吸引保持された半導体ウエーハ2における分割予定ラインを撮像手段22によって撮像し撮像手段22及び切削手段24をY軸方向で移動させることで、半導体ウエーハ2の分割予定ラインと切削手段24の切削スピンドル28との位置合わせ、所謂アライメントを行う。アライメントを実施したならば、アライメントによって得られた位置情報に基づき、保持テーブル17をX軸方向に加工送りして、切削ブレード28を下降させて切り出し送りし、半導体ウエーハの分割予定ラインに沿って切削加工を行う。この切削加工は、例えば、ハーフカット溝の形成とすることができる。このようにして切削加工を終えたならば、保持領域18に作用している吸引源30の作動を停止して吸引保持状態を解除して半導体ウエーハ2を次工程に搬送する。なお、図1では、搬送手段については図示を省略している。
1枚の半導体ウエーハ2に対する切削加工を終えたならば、次の未加工の半導体ウエーハ2を保持領域18に載置して吸引保持し、次の半導体ウエーハ2に対する加工を実施することになるが、本実施形態では、その前に、保持領域18を洗浄する洗浄工程を実施する。図1、図3及び図4を参照しながら、洗浄手段50の作用についてより具体的に説明する。なお、洗浄手段50を作動させる際は、保持手段14の吸引源30は停止させられる。
保持領域18の洗浄を実施するに際し、保持テーブル17を、図1において保持テーブル17が位置付けられている位置、すなわち、洗浄手段50の手前側に位置付ける。次に、図3に示すように、保持テーブル17をX軸方向に移動させて、洗浄手段50に近接する位置に位置付ける。次いで、伸縮ロッド51aを駆動して、洗浄具支持部52を下降させて、保持領域18が直下に位置付けられた場合に、ブラシ部53の起毛部54が保持領域18の表面に接する高さに調整する。次いで、水供給源40を作動させ、バルブ42を開とし、保持領域18に対して水Wを供給する。次いで、洗浄具支持部52に備えられたモータ(図示は省略する。)を駆動してブラシ部53を矢印Rで示す方向に回転させる。これと共に、洗浄液供給源60、及び廃液供給源70を作動し、バルブ62、72を開とする。これにより洗浄準備工程が完了する。
上記した洗浄準備工程が完了したならば、図3に矢印Xで示す方向に、保持テーブル17を移動させる。保持テーブル17が移動すると、まず、保持領域18の先端部が、吸引部56の下面の開口部56a部に対向する位置に達し、さらに、保持テーブル17を移動させることで、図4(a)に示すように、保持領域18が、ブラシ部53の下方に達する。図4(b)に示すように、ブラシ部53は、矢印Rの方向に回転することで、保持領域18の表面に起毛部54が回転接触してブラッシングする。上記したように、保持領域18には、枠体19を介して水Wが供給されており、保持領域18の表面から漏出している。この水供給源30から供給される水Wと、ブラシ部53の起毛部54のブラッシング作用により、保持領域18の表面に付着した汚染物質を浮上させる。そして、回転するブラシ部53の作用により、水と汚染物質を、吸引部56が配設された方向に掃き出す。掃き出された水と汚染物質は、ブラシ部53のX軸方向において直後に配設された吸引部56に導かれ、他所に飛散させることなく直ちに吸引除去される。これにより、汚染物質が保持領域18に残り、保持領域18の吸引力を低下させることを抑制する。
さらに、本実施形態では、保持テーブル17の移動方向に洗浄水供給ノズル55が配設されている。図4(b)に示すように、洗浄液供給ノズル55からは、洗浄液Lが、ブラシ部53の起毛部54と保持領域18との接触部分に向けて噴射される。これにより、保持領域18に形成された微細な通気孔に詰まっていた切削屑等を含む汚染物質が、さらに浮上させられる。そして、枠体19を介して保持領域18に供給された水Wと、洗浄液供給ノズル55から供給された洗浄液Lと、浮上させられた汚染物質とを含む廃液Bは、開口部56aから吸引され、廃液排出ライン74を通り、廃液吸引源70に吸引される。廃液吸引源70に空気と共に吸引された廃液Bは、空気と分離されて図示しない廃液タンクに収容される。なお、廃液タンクに達する前の廃液排出ライン74上にフィルターを設置して、切削屑等の汚染物質を捕集するようにしてもよい。
本発明は、上記した実施形態に限定されず、本発明の技術的範囲に含まれる限り、種々の変形例が想定される。上記した実施形態では、洗浄手段50に対し、ブラシ部53に加え、洗浄液供給手段55を備えるようにしていたが、洗浄液供給手段55を備えない構成としてもよい。保持領域18に対し、水供給源30から水を供給して保持領域18から水を漏出させると共に、ブラシ部53で保持領域18の表面をブラッシングすることで、汚染物質を浮上させることができ、浮上させて水と混合された汚染物質を、直ちに吸引部56によって吸引除去することができる。
上記した実施形態では、1枚の半導体ウエーハ2を切削加工する毎に、洗浄手段50を作動して洗浄を実施したが、これに限定されず、複数回の切削加工を実施する毎、或いは切削加工の実施が所定時間経過する毎に洗浄手段50を作動させるようにしてもよい。
上記した実施形態では、本発明を切削装置に適用した例を示したが、本発明はこれに限定されず、被加工物を研削して薄化する研削装置に適用することもできる。その場合の加工手段は、回転する研削砥石を含む研削手段であり、洗浄手段は、研削時に被加工物を保持する保持手段に隣接するように配設される。
1:切削装置
2:半導体ウエーハ
4:操作手段
10:枠部
12:基台
15:カバー板
16:防水カバー
17:保持テーブル
18:保持領域
19:枠体
20:アライメント手段
22:撮像手段
24:切削手段
26:スピンドル
28:切削ブレード
30:吸引源
34:吸引ライン
40:水供給源
44:水供給ライン
50:洗浄手段
51:洗浄基台
51a:伸縮ロッド
52:洗浄具支持部
53:ブラシ部
54:起毛部
55:洗浄液供給ノズル
56:吸引部
60:洗浄液供給源
64:洗浄液供給ライン
70:廃液吸引源
74:廃液排出ライン
100:制御部

Claims (2)

  1. 被加工物を保持する保持手段と、該保持手段に保持された被加工物に加工を施す加工手段と、を少なくとも備えた加工装置であって、
    該保持手段は、被加工物を吸引保持する保持領域と、該保持領域を支持する枠体と、該枠体にバルブを介して連結される吸引源と、該枠体にバルブを介して連結される水供給源と、から少なくとも構成され、
    該保持手段に隣接し、該保持領域を洗浄する洗浄手段が配設され、
    該洗浄手段は、ブラシ部と、吸引部と、を備え、
    該水供給源のバルブを開き、該保持手段の保持領域に水を供給しつつ該ブラシ部で保持領域に蓄積された汚染物質を浮上させて該吸引部で該汚染物質が混入した洗浄後の廃液を吸引除去するように構成される、加工装置。
  2. 該洗浄手段は、洗浄液を供給する洗浄液供給ノズルを備え、該保持手段の保持領域に該洗浄液を供給する、請求項1に記載の加工装置。
JP2017188336A 2017-09-28 2017-09-28 加工装置 Active JP7034650B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017188336A JP7034650B2 (ja) 2017-09-28 2017-09-28 加工装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017188336A JP7034650B2 (ja) 2017-09-28 2017-09-28 加工装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2019063885A true JP2019063885A (ja) 2019-04-25
JP7034650B2 JP7034650B2 (ja) 2022-03-14

Family

ID=66337109

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017188336A Active JP7034650B2 (ja) 2017-09-28 2017-09-28 加工装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP7034650B2 (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111660157A (zh) * 2020-06-08 2020-09-15 苏州辰轩光电科技有限公司 减薄机
CN112847082A (zh) * 2019-11-11 2021-05-28 株式会社迪思科 保持面清洗装置
KR20210113829A (ko) * 2020-03-09 2021-09-17 동명대학교산학협력단 스프레이 노즐을 활용한 연마장치에서 공기시스템을 이용한 연마입자 비산 방지시스템 및 제어방법
CN114274050A (zh) * 2021-12-31 2022-04-05 安徽傲宇数控科技有限公司 一种冬季防冻型水射流切割机
KR102489080B1 (ko) * 2022-03-14 2023-01-17 윤스랩 주식회사 반도체 cmp 공정의 웨이퍼 세정용 pva 롤러
KR102489082B1 (ko) * 2022-03-14 2023-01-17 윤스랩 주식회사 웨이퍼 세정을 위한 화학기계적 연마 장치
JP7370262B2 (ja) 2020-01-28 2023-10-27 株式会社ディスコ 切削装置及び切削方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001277095A (ja) * 2000-03-31 2001-10-09 Mitsubishi Materials Corp パッドコンディショニング装置及びパッドコンディショニング方法
JP2002144228A (ja) * 2000-11-01 2002-05-21 Sony Corp ウェーハ研削装置及びその洗浄方法
KR20130053528A (ko) * 2011-11-14 2013-05-24 삼성전자주식회사 반도체 척 테이블 세척 시스템
JP2015054359A (ja) * 2013-09-10 2015-03-23 株式会社ディスコ 研削装置
WO2017073845A1 (ko) * 2015-10-29 2017-05-04 주식회사 엘지실트론 드레싱 장치 및 이를 포함하는 웨이퍼 연마 장치

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001277095A (ja) * 2000-03-31 2001-10-09 Mitsubishi Materials Corp パッドコンディショニング装置及びパッドコンディショニング方法
JP2002144228A (ja) * 2000-11-01 2002-05-21 Sony Corp ウェーハ研削装置及びその洗浄方法
KR20130053528A (ko) * 2011-11-14 2013-05-24 삼성전자주식회사 반도체 척 테이블 세척 시스템
JP2015054359A (ja) * 2013-09-10 2015-03-23 株式会社ディスコ 研削装置
WO2017073845A1 (ko) * 2015-10-29 2017-05-04 주식회사 엘지실트론 드레싱 장치 및 이를 포함하는 웨이퍼 연마 장치
JP2018527753A (ja) * 2015-10-29 2018-09-20 エスケイ・シルトロン・カンパニー・リミテッド ドレッシング装置及びこれを含むウエハー研磨装置

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112847082A (zh) * 2019-11-11 2021-05-28 株式会社迪思科 保持面清洗装置
JP7370262B2 (ja) 2020-01-28 2023-10-27 株式会社ディスコ 切削装置及び切削方法
KR20210113829A (ko) * 2020-03-09 2021-09-17 동명대학교산학협력단 스프레이 노즐을 활용한 연마장치에서 공기시스템을 이용한 연마입자 비산 방지시스템 및 제어방법
KR102343032B1 (ko) 2020-03-09 2021-12-24 동명대학교산학협력단 스프레이 노즐을 활용한 연마장치에서 공기시스템을 이용한 연마입자 비산 방지시스템 및 제어방법
CN111660157A (zh) * 2020-06-08 2020-09-15 苏州辰轩光电科技有限公司 减薄机
CN114274050A (zh) * 2021-12-31 2022-04-05 安徽傲宇数控科技有限公司 一种冬季防冻型水射流切割机
KR102489080B1 (ko) * 2022-03-14 2023-01-17 윤스랩 주식회사 반도체 cmp 공정의 웨이퍼 세정용 pva 롤러
KR102489082B1 (ko) * 2022-03-14 2023-01-17 윤스랩 주식회사 웨이퍼 세정을 위한 화학기계적 연마 장치

Also Published As

Publication number Publication date
JP7034650B2 (ja) 2022-03-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2019063885A (ja) 加工装置
JP2013236002A (ja) 保持テーブル
JP6271192B2 (ja) 研削装置
JP2007083392A (ja) シンギュレーション装置
JP5845555B2 (ja) ダイシング装置
JP2003168659A (ja) 高圧洗浄ノズルを有するシンギュレーション装置
JP7398946B2 (ja) 研磨装置
JP2008098574A (ja) ウエーハの研磨装置
KR20210096555A (ko) 절삭 장치 및 절삭 방법
KR20210056898A (ko) 유지면 세정 장치
TW202305923A (zh) 加工裝置
JP2019155589A (ja) ドレッシング装置及びドレッシング方法
JP2010098029A (ja) 加工装置の排水機構
JP5660903B2 (ja) 加工装置
JP7161412B2 (ja) 洗浄ユニット
JP2008147344A (ja) 加工装置
JP6403564B2 (ja) 洗浄装置
JP2003168658A (ja) ドレスバーを有するシンギュレーション装置
JP6552105B2 (ja) ドレッシング装置及びドレッシング方法
JP6422805B2 (ja) 切削装置
JP7493465B2 (ja) 加工装置及び被加工物の搬出方法
WO2022201665A1 (ja) ウエハ吸着チャック機構の洗浄装置
US20230115306A1 (en) Cleaning assembly
JP2019186497A (ja) 洗浄装置
JP7444633B2 (ja) 加工装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20200703

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20210630

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210713

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210906

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20220208

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20220302

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7034650

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150