JP2019059962A - 銅表面の粗化方法および配線基板の製造方法 - Google Patents
銅表面の粗化方法および配線基板の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019059962A JP2019059962A JP2017183064A JP2017183064A JP2019059962A JP 2019059962 A JP2019059962 A JP 2019059962A JP 2017183064 A JP2017183064 A JP 2017183064A JP 2017183064 A JP2017183064 A JP 2017183064A JP 2019059962 A JP2019059962 A JP 2019059962A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- copper
- etching
- micro
- agent
- roughening
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 94
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 91
- 239000010949 copper Substances 0.000 title claims abstract description 91
- 238000007788 roughening Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 135
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 104
- -1 halide ions Chemical class 0.000 claims abstract description 44
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 28
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 28
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 claims abstract description 20
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract description 13
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 229920006317 cationic polymer Polymers 0.000 claims description 5
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 claims description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 35
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 32
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 16
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 13
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 12
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 10
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 8
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 7
- VMQMZMRVKUZKQL-UHFFFAOYSA-N Cu+ Chemical compound [Cu+] VMQMZMRVKUZKQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 6
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 6
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 235000002639 sodium chloride Nutrition 0.000 description 5
- CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N Ascorbic acid Chemical compound OC[C@H](O)[C@H]1OC(=O)C(O)=C1O CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N 0.000 description 4
- WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M Potassium chloride Chemical compound [Cl-].[K+] WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 4
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 4
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 4
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 4
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- XTVVROIMIGLXTD-UHFFFAOYSA-N copper(II) nitrate Chemical compound [Cu+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O XTVVROIMIGLXTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 229940093915 gynecological organic acid Drugs 0.000 description 3
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 3
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 3
- JOOXCMJARBKPKM-UHFFFAOYSA-N 4-oxopentanoic acid Chemical compound CC(=O)CCC(O)=O JOOXCMJARBKPKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N Butyric acid Chemical compound CCCC(O)=O FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- JJLJMEJHUUYSSY-UHFFFAOYSA-L Copper hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Cu+2] JJLJMEJHUUYSSY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N Glycolic acid Chemical compound OCC(O)=O AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PVNIIMVLHYAWGP-UHFFFAOYSA-N Niacin Chemical compound OC(=O)C1=CC=CN=C1 PVNIIMVLHYAWGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N adipic acid Chemical compound OC(=O)CCCCC(O)=O WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000010323 ascorbic acid Nutrition 0.000 description 2
- 229960005070 ascorbic acid Drugs 0.000 description 2
- 239000011668 ascorbic acid Substances 0.000 description 2
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 2
- OPQARKPSCNTWTJ-UHFFFAOYSA-L copper(ii) acetate Chemical compound [Cu+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O OPQARKPSCNTWTJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- QTMDXZNDVAMKGV-UHFFFAOYSA-L copper(ii) bromide Chemical compound [Cu+2].[Br-].[Br-] QTMDXZNDVAMKGV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 150000001991 dicarboxylic acids Chemical class 0.000 description 2
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WLJVNTCWHIRURA-UHFFFAOYSA-N pimelic acid Chemical compound OC(=O)CCCCCC(O)=O WLJVNTCWHIRURA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IOLCXVTUBQKXJR-UHFFFAOYSA-M potassium bromide Chemical compound [K+].[Br-] IOLCXVTUBQKXJR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000001103 potassium chloride Substances 0.000 description 2
- 235000011164 potassium chloride Nutrition 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- JHJLBTNAGRQEKS-UHFFFAOYSA-M sodium bromide Chemical compound [Na+].[Br-] JHJLBTNAGRQEKS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- LDHQCZJRKDOVOX-UHFFFAOYSA-N trans-crotonic acid Natural products CC=CC(O)=O LDHQCZJRKDOVOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N valeric acid Chemical compound CCCCC(O)=O NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L zinc dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Zn+2] JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- WBYWAXJHAXSJNI-VOTSOKGWSA-M .beta-Phenylacrylic acid Natural products [O-]C(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1 WBYWAXJHAXSJNI-VOTSOKGWSA-M 0.000 description 1
- RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 1-methylsulfonylpiperidin-4-one Chemical compound CS(=O)(=O)N1CCC(=O)CC1 RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BMYNFMYTOJXKLE-UHFFFAOYSA-N 3-azaniumyl-2-hydroxypropanoate Chemical compound NCC(O)C(O)=O BMYNFMYTOJXKLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QEYMMOKECZBKAC-UHFFFAOYSA-N 3-chloropropanoic acid Chemical compound OC(=O)CCCl QEYMMOKECZBKAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RDFQSFOGKVZWKF-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxy-2,2-dimethylpropanoic acid Chemical compound OCC(C)(C)C(O)=O RDFQSFOGKVZWKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 description 1
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M Bromide Chemical compound [Br-] CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L Calcium chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Ca+2] UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- WBYWAXJHAXSJNI-SREVYHEPSA-N Cinnamic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C1=CC=CC=C1 WBYWAXJHAXSJNI-SREVYHEPSA-N 0.000 description 1
- 229910021591 Copper(I) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021590 Copper(II) bromide Inorganic materials 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002873 Polyethylenimine Polymers 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000011054 acetic acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000001361 adipic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011037 adipic acid Nutrition 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 description 1
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N anhydrous glutaric acid Natural products OC(=O)CCCC(O)=O JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- 235000010233 benzoic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229940006460 bromide ion Drugs 0.000 description 1
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 1
- 239000001110 calcium chloride Substances 0.000 description 1
- 229910001628 calcium chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011148 calcium chloride Nutrition 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 235000013985 cinnamic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229930016911 cinnamic acid Natural products 0.000 description 1
- 230000009918 complex formation Effects 0.000 description 1
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 description 1
- OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M copper(I) chloride Chemical compound [Cu]Cl OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000366 copper(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- HFDWIMBEIXDNQS-UHFFFAOYSA-L copper;diformate Chemical compound [Cu+2].[O-]C=O.[O-]C=O HFDWIMBEIXDNQS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- LDHQCZJRKDOVOX-NSCUHMNNSA-N crotonic acid Chemical compound C\C=C\C(O)=O LDHQCZJRKDOVOX-NSCUHMNNSA-N 0.000 description 1
- 229940076286 cupric acetate Drugs 0.000 description 1
- 229960003280 cupric chloride Drugs 0.000 description 1
- 229960004643 cupric oxide Drugs 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 1
- FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M iron chloride Chemical compound [Cl-].[Fe] FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- LDHQCZJRKDOVOX-IHWYPQMZSA-N isocrotonic acid Chemical compound C\C=C/C(O)=O LDHQCZJRKDOVOX-IHWYPQMZSA-N 0.000 description 1
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 description 1
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229940040102 levulinic acid Drugs 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- WBYWAXJHAXSJNI-UHFFFAOYSA-N methyl p-hydroxycinnamate Natural products OC(=O)C=CC1=CC=CC=C1 WBYWAXJHAXSJNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LNOPIUAQISRISI-UHFFFAOYSA-N n'-hydroxy-2-propan-2-ylsulfonylethanimidamide Chemical compound CC(C)S(=O)(=O)CC(N)=NO LNOPIUAQISRISI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000001968 nicotinic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229960003512 nicotinic acid Drugs 0.000 description 1
- 239000011664 nicotinic acid Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000010979 pH adjustment Methods 0.000 description 1
- 159000000001 potassium salts Chemical class 0.000 description 1
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 description 1
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 description 1
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 description 1
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 235000003441 saturated fatty acids Nutrition 0.000 description 1
- 150000004671 saturated fatty acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 159000000000 sodium salts Chemical class 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 239000001384 succinic acid Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- LTSUHJWLSNQKIP-UHFFFAOYSA-J tin(iv) bromide Chemical compound Br[Sn](Br)(Br)Br LTSUHJWLSNQKIP-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000021122 unsaturated fatty acids Nutrition 0.000 description 1
- 150000004670 unsaturated fatty acids Chemical class 0.000 description 1
- 229940005605 valeric acid Drugs 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
- 239000011592 zinc chloride Substances 0.000 description 1
- 235000005074 zinc chloride Nutrition 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C22/00—Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive liquid, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
- C23C22/05—Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive liquid, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using aqueous solutions
- C23C22/06—Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive liquid, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using aqueous solutions using aqueous acidic solutions with pH less than 6
- C23C22/48—Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive liquid, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using aqueous solutions using aqueous acidic solutions with pH less than 6 not containing phosphates, hexavalent chromium compounds, fluorides or complex fluorides, molybdates, tungstates, vanadates or oxalates
- C23C22/52—Treatment of copper or alloys based thereon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
- C23F1/16—Acidic compositions
- C23F1/18—Acidic compositions for etching copper or alloys thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
- H05K3/382—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the metal
- H05K3/383—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the metal by microetching
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/07—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
- H05K2203/0779—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing characterised by the specific liquids involved
- H05K2203/0786—Using an aqueous solution, e.g. for cleaning or during drilling of holes
- H05K2203/0789—Aqueous acid solution, e.g. for cleaning or etching
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
Description
本発明のマイクロエッチング剤は、銅の表面粗化に用いられる。マイクロエッチング剤は、有機酸、第二銅イオンおよびハロゲン化物イオンを含む酸性水溶液である。以下、本発明のマイクロエッチング剤に含まれる各成分について説明する。
第二銅イオンは、銅を酸化するための酸化剤として作用する。マイクロエッチング剤に配合する第二銅イオン源としては、塩化第二銅、臭化第二銅等のハロゲン化銅;硫酸第二銅、硝酸第二銅等の無機酸塩;ギ酸第二銅、酢酸第二銅等の有機酸塩;水酸化第二銅;酸化第二銅等が挙げられる。
有機酸は、第二銅イオンにより酸化された銅を溶解させる機能を有すると共に、pH調整の機能も有する。酸化された銅の溶解性の観点から、pKaが5以下の有機酸を使用することが好ましい。pKaが5以下の有機酸としては、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、カプロン酸等の飽和脂肪酸;アクリル酸、クロトン酸、イソクロトン酸等の不飽和脂肪酸;シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸等の脂肪族飽和ジカルボン酸;マレイン酸等の脂肪族不飽和ジカルボン酸;安息香酸、フタル酸、桂皮酸等の芳香族カルボン酸;グリコール酸、乳酸、リンゴ酸、クエン酸等のオキシカルボン酸、スルファミン酸、β−クロロプロピオン酸、ニコチン酸、アスコルビン酸、ヒドロキシピバリン酸、レブリン酸等の置換基を有するカルボン酸;及びそれらの誘導体等があげられる。有機酸は2種以上を併用してもよい。
ハロゲン化物イオンは、銅の溶解を補助し、密着性に優れた銅層表面を形成する機能を有する。ハロゲン化物イオンとしては、塩化物イオン、臭化物イオン等を例示できる。中でも、密着性に優れた粗化形状を均一に形成する観点から、塩化物イオンが好ましい。マイクロエッチング剤には2種以上のハロゲン化物イオンが含まれていてもよい。
本発明のマイクロエッチング剤は、上記の各成分をイオン交換水等に溶解させることにより調製できる。マイクロエッチング剤には、上記以外の成分が含まれていてもよい。例えば、粗化処理中のpHの変動を少なくするために、有機酸のナトリウム塩やカリウム塩やアンモニウム塩等の塩が含まれていてもよい。面内の粗化形状の均一化等を目的として、ノニオン性界面活性剤を添加してもよい。ノニオン性界面活性剤は、消泡剤としても作用する。銅の溶解安定性を向上させるためにアミン等の錯化剤を添加してもよい。その他、必要に応じて種々の添加剤を添加してもよい。これらの添加剤を使用する場合、マイクロエッチング剤中の添加剤の濃度は、0.0001〜20重量%程度が好ましい。
上記のマイクロエッチング剤は銅層表面の粗化に広く使用することができる。特に、0.5μm未満の低エッチング量で銅表面を処理した場合に、特徴的な粗化形状が形成され、プリプレグ、めっきレジスト、エッチングレジスト、ソルダーレジスト、電着レジスト、カバーレイ等の樹脂との密着性が良好である。また、粗化された銅表面はんだ付け性にも優れているため、ピングリッドアレイ(PGA)用やボールグリッドアレイ(BGA)用を含む種々の配線基板の製造に特に有用である。さらにリードフレームの表面処理にも有用である。
銅表面に、上記のマイクロエッチング剤を接触させることにより、銅の表面が粗化される。粗化処理において、銅表面にマイクロエッチング剤を接触させる方法は特に限定されないが、例えば処理対象の銅層表面にマイクロエッチング剤をスプレーする方法や、処理対象の銅層をマイクロエッチング剤中に浸漬する方法等があげられる。スプレーする場合は、マイクロエッチング剤の温度を10〜40℃とし、スプレー圧0.03〜0.3MPaで5〜120秒間の条件でエッチングすることが好ましい。浸漬する場合は、マイクロエッチング剤の温度を10〜40℃とし、5〜120秒間の条件でエッチングすることが好ましい。なお、浸漬する場合には、銅のエッチングによってマイクロエッチング剤中に生成した第一銅イオンを第二銅イオンに酸化するために、バブリング等によりマイクロエッチング剤中に空気の吹き込みを行うことが好ましい。
配線基板の製造においては、エッチングによるパターニング前の銅層の表面、およびパターニング後の銅層(銅配線)の表面に、プリプレグ、めっきレジスト、エッチングレジスト、ソルダーレジスト、電着レジスト、カバーレイ等の樹脂(樹脂組成物)を付着させる。樹脂を付着させる方法は特に限定されず、樹脂溶液の塗布、射出成型、押出成形、加熱プレス成形、レーザー溶着成形、溶射成形等の樹脂成形方法を採用できる。銅層を複数層含む配線基板を製造する場合は、複数の銅層のうち一層だけを上記のマイクロエッチング剤で処理してもよく、二層以上の銅層を上記のマイクロエッチング剤で処理してもよい。
表1に示す配合で水溶液(マイクロエッチング剤)を調製した。配合6の「ユニセンスFPV1000L」は、重量平均分子量10万〜50万のポリジメチルアミノエチルメタクリレート四級化物の20重量%水溶液(センカ製)である。表1に示す各配合の残部はイオン交換水である。
厚み35μmの電解銅箔に20μmの電解めっき銅を形成したテストピースのめっき表面に、表1に示す配合1〜7のマイクロエッチング剤(25℃)をスプレー圧0.05MPaの条件でスプレーし、エッチング量が0.1μmとなるようにエッチング時間を調整してエッチングを実施した。次いで、水洗を行い、温度25℃の3.5%塩酸にてエッチング処理面を10秒間スプレー処理後、水洗を行い、乾燥させた。乾燥後の各銅箔のエッチング処理面に感光性液状ソルダーレジスト(日立化成製「SR−7300G」を20μmの厚みで塗布し、硬化させて複合体を形成した。複合体のソルダーレジスト層表面に当て板として1.6mm厚の銅張積層板を接着剤(コニシ製「ボンドEセット」)で貼り付けた後、銅箔部分のみを幅1cmのライン形状となるようにカットした。その後、JIS C 6481に基づいて、ライン形状にカットされた銅箔とソルダーレジスト層との間のピール強度を測定した。結果を表1に示す。
配合1〜7のマイクロエッチング剤を用い、エッチング量が0.2μmまたは0.5μmとなるようにエッチング時間を変更してエッチングを行い、上記と同様に、洗浄およびソルダーレジスト層の形成を行い、複合体のピール強度を測定した。配合1〜7のエッチング剤により銅表面を粗化した試料のエッチング量とピール強度の関係をプロットしたグラフを図1に示す。
配合1〜5のマイクロエッチング剤を用い、エッチング深さが0.1μm、0.2μmまたは0.5μmとなるようにエッチング時間を変更してエッチングを行い、上記と同様に、洗浄およびソルダーレジスト層の形成を行い、複合体を形成した。複合体を、130℃、湿度85%の高度加速寿命試験(HAST)装置に50時間投入して吸湿劣化させた。吸湿劣化後の複合体を試料として、上記と同様にしてピール強度を測定した。エッチング深さと吸湿劣化後の試料のピール強度の関係をプロットしたグラフを図2に示す。
Claims (10)
- 銅の表面粗化に用いられるマイクロエッチング剤であって、
有機酸、第二銅イオンおよびハロゲン化物イオンを含み、
ハロゲン化物イオンのモル濃度が0.005〜0.1モル/Lである、マイクロエッチング剤。 - 第二銅イオンのモル濃度がハロゲン化物イオンのモル濃度の2.2倍以上である、請求項1に記載のマイクロエッチング剤。
- 第二銅イオンのモル濃度が、0.05〜2モル/Lである、請求項1または2に記載のマイクロエッチング剤。
- 重量平均分子量1000以上のカチオン性ポリマーを実質的に含まない、請求項1〜3のいずれか1項に記載のマイクロエッチング剤。
- 銅の表面に請求項1〜4のいずれか1項に記載のマイクロエッチング剤を接触させることにより、銅表面を粗化する、銅表面の粗化方法。
- 深さ方向の平均エッチング量が0.01〜0.4μmである、請求項5に記載の銅表面の粗化方法。
- 前記マイクロエッチング剤に、有機酸およびハロゲン化物イオンを含有する補給液を添加しながら、銅表面を粗化する、請求項5または6に記載の銅表面の粗化方法。
- 前記補給液が重量平均分子量1000以上のカチオン性ポリマーを実質的に含まない、請求項7に記載の銅表面の粗化方法。
- 銅の表面に請求項1〜4のいずれか1項に記載のマイクロエッチング剤を接触させることにより、銅表面を粗化する工程;および粗化後の銅表面に樹脂を付着させる工程、を有する、配線基板の製造方法。
- 前記銅表面を粗化する工程における深さ方向の平均エッチング量が0.01〜0.4μmである、請求項9に記載の配線基板の製造方法。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017183064A JP6338232B1 (ja) | 2017-09-22 | 2017-09-22 | 銅表面の粗化方法および配線基板の製造方法 |
PCT/JP2018/030714 WO2019058835A1 (ja) | 2017-09-22 | 2018-08-20 | 銅のマイクロエッチング剤、銅表面の粗化方法および配線基板の製造方法 |
US16/646,604 US11208726B2 (en) | 2017-09-22 | 2018-08-20 | Microetching agent for copper, copper surface roughening method and wiring board production method |
EP18859430.3A EP3680363B1 (en) | 2017-09-22 | 2018-08-20 | Microetching agent for copper, copper surface roughening method and wiring board production method |
KR1020207004107A KR102198155B1 (ko) | 2017-09-22 | 2018-08-20 | 구리의 마이크로 에칭제, 구리 표면의 조화 방법 및 배선 기판의 제조 방법 |
CN201880058835.9A CN111094628B (zh) | 2017-09-22 | 2018-08-20 | 微蚀刻剂、铜表面的粗化方法以及配线基板的制造方法 |
TW107130599A TWI704254B (zh) | 2017-09-22 | 2018-08-31 | 銅的微蝕刻劑、銅表面的粗化方法以及配線基板的製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017183064A JP6338232B1 (ja) | 2017-09-22 | 2017-09-22 | 銅表面の粗化方法および配線基板の製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018078570A Division JP6598917B2 (ja) | 2018-04-16 | 2018-04-16 | 銅のマイクロエッチング剤 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP6338232B1 JP6338232B1 (ja) | 2018-06-06 |
JP2019059962A true JP2019059962A (ja) | 2019-04-18 |
Family
ID=62487560
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017183064A Active JP6338232B1 (ja) | 2017-09-22 | 2017-09-22 | 銅表面の粗化方法および配線基板の製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11208726B2 (ja) |
EP (1) | EP3680363B1 (ja) |
JP (1) | JP6338232B1 (ja) |
KR (1) | KR102198155B1 (ja) |
CN (1) | CN111094628B (ja) |
TW (1) | TWI704254B (ja) |
WO (1) | WO2019058835A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11230644B1 (en) * | 2020-07-20 | 2022-01-25 | Mec Company Ltd. | Coating film-forming composition, method for producing surface-treated metal member, and method for producing metal-resin composite |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7363105B2 (ja) | 2019-05-31 | 2023-10-18 | 株式会社レゾナック | 感光性樹脂組成物、感光性樹脂フィルム、プリント配線板及び半導体パッケージ、並びにプリント配線板の製造方法 |
JP7129711B2 (ja) * | 2020-01-24 | 2022-09-02 | メック株式会社 | エッチング液、補給液および銅配線の形成方法 |
CN112481609A (zh) * | 2020-11-19 | 2021-03-12 | 苏州天承化工有限公司 | 一种铜表面处理液及其制备方法和应用 |
CN112553627A (zh) * | 2020-12-09 | 2021-03-26 | 淮安中顺环保科技有限公司 | 一种两段式退锡方法 |
KR102311273B1 (ko) * | 2021-02-08 | 2021-10-13 | 장정식 | 장기안정성이 향상된 전도성 구리 분말 기반 유성 페이스트 및 그 제조방법 |
CN113540470B (zh) * | 2021-06-08 | 2022-10-28 | 浙江工业大学 | 一种双面粗糙铜箔及其制备方法 |
CN114457335B (zh) * | 2022-02-15 | 2023-10-27 | 江西省科学院应用物理研究所 | 一种铜铁碳合金金相浸蚀剂及其使用方法 |
CN115449794A (zh) * | 2022-09-15 | 2022-12-09 | 昆山市板明电子科技有限公司 | 低微蚀量粗化微蚀液、其制备方法及铜面粗化方法 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2781954B2 (ja) | 1994-03-04 | 1998-07-30 | メック株式会社 | 銅および銅合金の表面処理剤 |
JP3458023B2 (ja) * | 1995-08-01 | 2003-10-20 | メック株式会社 | 銅および銅合金のマイクロエッチング剤 |
JP2923524B2 (ja) | 1995-08-01 | 1999-07-26 | メック株式会社 | 銅および銅合金のマイクロエッチング剤並びにマイクロエッチング方法 |
JP4063475B2 (ja) * | 1999-11-10 | 2008-03-19 | メック株式会社 | 銅または銅合金のエッチング剤 |
US7285229B2 (en) * | 2003-11-07 | 2007-10-23 | Mec Company, Ltd. | Etchant and replenishment solution therefor, and etching method and method for producing wiring board using the same |
US20050236359A1 (en) * | 2004-04-22 | 2005-10-27 | Ginning Hu | Copper/copper alloy surface bonding promotor and its usage |
JP2006111953A (ja) | 2004-10-18 | 2006-04-27 | Mec Kk | 銅又は銅合金のエッチング剤、その製造法、補給液及び配線基板の製造法 |
US7393461B2 (en) * | 2005-08-23 | 2008-07-01 | Kesheng Feng | Microetching solution |
US7456114B2 (en) * | 2005-12-21 | 2008-11-25 | Kesheng Feng | Microetching composition and method of using the same |
US7875558B2 (en) * | 2005-12-21 | 2011-01-25 | Kesheng Feng | Microetching composition and method of using the same |
US7645393B2 (en) | 2007-04-27 | 2010-01-12 | Kesheng Feng | Metal surface treatment composition |
EP2241653B1 (en) | 2009-04-15 | 2017-09-06 | ATOTECH Deutschland GmbH | Composition and method for micro etching of copper and copper alloys |
JP5935163B2 (ja) | 2012-03-30 | 2016-06-15 | ナガセケムテックス株式会社 | レジスト密着性向上剤及び銅配線製造方法 |
JP5219008B1 (ja) | 2012-07-24 | 2013-06-26 | メック株式会社 | 銅のマイクロエッチング剤及びその補給液、並びに配線基板の製造方法 |
US9338896B2 (en) * | 2012-07-25 | 2016-05-10 | Enthone, Inc. | Adhesion promotion in printed circuit boards |
US9011712B2 (en) | 2012-09-28 | 2015-04-21 | Mec Company Ltd. | Microetching solution for copper, replenishment solution therefor and method for production of wiring board |
JP5559288B2 (ja) | 2012-11-13 | 2014-07-23 | メック株式会社 | プリント配線板の製造方法及び表面処理装置 |
KR20150124540A (ko) | 2014-04-28 | 2015-11-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 식각액 및 이를 이용한 표시 장치의 제조 방법 |
-
2017
- 2017-09-22 JP JP2017183064A patent/JP6338232B1/ja active Active
-
2018
- 2018-08-20 US US16/646,604 patent/US11208726B2/en active Active
- 2018-08-20 WO PCT/JP2018/030714 patent/WO2019058835A1/ja unknown
- 2018-08-20 KR KR1020207004107A patent/KR102198155B1/ko active IP Right Grant
- 2018-08-20 EP EP18859430.3A patent/EP3680363B1/en active Active
- 2018-08-20 CN CN201880058835.9A patent/CN111094628B/zh active Active
- 2018-08-31 TW TW107130599A patent/TWI704254B/zh active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11230644B1 (en) * | 2020-07-20 | 2022-01-25 | Mec Company Ltd. | Coating film-forming composition, method for producing surface-treated metal member, and method for producing metal-resin composite |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI704254B (zh) | 2020-09-11 |
EP3680363A4 (en) | 2020-11-04 |
KR102198155B1 (ko) | 2021-01-04 |
EP3680363B1 (en) | 2021-12-22 |
TW201920766A (zh) | 2019-06-01 |
US11208726B2 (en) | 2021-12-28 |
KR20200020007A (ko) | 2020-02-25 |
WO2019058835A1 (ja) | 2019-03-28 |
CN111094628B (zh) | 2021-06-04 |
EP3680363A1 (en) | 2020-07-15 |
US20200263308A1 (en) | 2020-08-20 |
JP6338232B1 (ja) | 2018-06-06 |
CN111094628A (zh) | 2020-05-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6338232B1 (ja) | 銅表面の粗化方法および配線基板の製造方法 | |
US6426020B1 (en) | Etchant for copper or copper alloys | |
US9932678B2 (en) | Microetching solution for copper, replenishment solution therefor and method for production of wiring board | |
EP0757118B1 (en) | Method for microetching copper or copper alloy | |
US5532094A (en) | Composition for treating copper or copper alloy surfaces | |
JP5404978B1 (ja) | 銅のマイクロエッチング剤及びその補給液、並びに配線基板の製造方法 | |
JP6333455B1 (ja) | 銅のマイクロエッチング剤および配線基板の製造方法 | |
JP5599506B2 (ja) | 銅および銅合金のマイクロエッチングのための組成物および方法 | |
JP6598917B2 (ja) | 銅のマイクロエッチング剤 | |
JP2009046761A (ja) | 表面処理剤 | |
JP5317099B2 (ja) | 接着層形成液 | |
TW202146705A (zh) | 微蝕刻劑及配線基板之製造方法 | |
KR19980066842A (ko) | 구리 또는 구리합금에 대한 마이크로에칭 조성물 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180306 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180403 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180501 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6338232 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |