JP2019054247A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2019054247A5
JP2019054247A5 JP2018172339A JP2018172339A JP2019054247A5 JP 2019054247 A5 JP2019054247 A5 JP 2019054247A5 JP 2018172339 A JP2018172339 A JP 2018172339A JP 2018172339 A JP2018172339 A JP 2018172339A JP 2019054247 A5 JP2019054247 A5 JP 2019054247A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
type cladding
cladding layer
nitride semiconductor
semiconductor light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2018172339A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP6905498B2 (ja
JP2019054247A (ja
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2017177659A external-priority patent/JP6405430B1/ja
Application filed filed Critical
Priority to JP2018172339A priority Critical patent/JP6905498B2/ja
Priority claimed from JP2018172339A external-priority patent/JP6905498B2/ja
Publication of JP2019054247A publication Critical patent/JP2019054247A/ja
Publication of JP2019054247A5 publication Critical patent/JP2019054247A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6905498B2 publication Critical patent/JP6905498B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2018172339A 2017-09-15 2018-09-14 窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体発光素子の製造方法 Active JP6905498B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018172339A JP6905498B2 (ja) 2017-09-15 2018-09-14 窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体発光素子の製造方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017177659A JP6405430B1 (ja) 2017-09-15 2017-09-15 窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体発光素子の製造方法
JP2018172339A JP6905498B2 (ja) 2017-09-15 2018-09-14 窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体発光素子の製造方法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017177659A Division JP6405430B1 (ja) 2017-09-15 2017-09-15 窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体発光素子の製造方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2019054247A JP2019054247A (ja) 2019-04-04
JP2019054247A5 true JP2019054247A5 (https=) 2019-11-07
JP6905498B2 JP6905498B2 (ja) 2021-07-21

Family

ID=66015300

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018172339A Active JP6905498B2 (ja) 2017-09-15 2018-09-14 窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体発光素子の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6905498B2 (https=)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113097359B (zh) * 2021-03-29 2022-08-26 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 半导体发光元件
EP4216291A1 (en) 2022-01-19 2023-07-26 Nichia Corporation Light emitting element and method of manufacturing same
JP7434416B2 (ja) * 2022-05-31 2024-02-20 日機装株式会社 窒化物半導体発光素子
JP2025017479A (ja) * 2023-07-25 2025-02-06 日機装株式会社 窒化物半導体発光素子

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3594826B2 (ja) * 1999-02-09 2004-12-02 パイオニア株式会社 窒化物半導体発光素子及びその製造方法
JP4895587B2 (ja) * 2005-11-29 2012-03-14 ローム株式会社 窒化物半導体発光素子
US8525221B2 (en) * 2009-11-25 2013-09-03 Toshiba Techno Center, Inc. LED with improved injection efficiency
JP5881393B2 (ja) * 2011-12-06 2016-03-09 国立大学法人山口大学 窒化物半導体発光素子およびその製造方法
JP6026116B2 (ja) * 2012-03-09 2016-11-16 シャープ株式会社 窒化物半導体発光素子およびその製造方法
KR102075987B1 (ko) * 2014-02-04 2020-02-12 삼성전자주식회사 질화물 반도체 발광소자
JP6306200B2 (ja) * 2014-09-22 2018-04-04 シャープ株式会社 窒化物半導体発光素子
JP6616126B2 (ja) * 2015-08-25 2019-12-04 シャープ株式会社 窒化物半導体発光素子

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2019054247A5 (https=)
JP5226320B2 (ja) 窒化物半導体発行素子及びその製造方法
CN105226149B (zh) 一种led外延结构及制作方法
CN104485400B (zh) 一种iii‑v族氮化物的外延结构及其生长方法
US20170141261A1 (en) Light Emitting Diodes and Fabrication Method
DE602009000219D1 (de) Verfahren zur Bildung einer Quantentopfstruktur und Verfahren zur Herstellung eines lichtemittierenden Halbleiterelements
JP2010021513A (ja) パターン形成基板を具備した窒化物半導体発光素子及びその製造方法
CN106601885A (zh) 一种发光二极管的外延结构及其生长方法
CN105870273B (zh) 一种氮化物发光二极管
CN105762241A (zh) 一种增强注入型的发光二极管的外延结构制作方法
CN103311397A (zh) 通过压力缓降生长改进的LED的p-GaN层
JP2016063176A (ja) 半導体発光素子
CN105990481A (zh) 发光器件及其制造方法
JP2011119333A (ja) 窒化物半導体発光素子
JP2016063175A (ja) 半導体発光素子
JP6905498B2 (ja) 窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体発光素子の製造方法
CN105845794A (zh) 一种氮化物发光二极管
CN106169526B (zh) 一种氮化物发光二极管
JP6405430B1 (ja) 窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体発光素子の製造方法
CN205621763U (zh) 一种半导体器件
JP2009105088A (ja) 半導体発光素子およびそれを用いる照明装置ならびに半導体発光素子の製造方法
WO2007091637A1 (ja) 半導体発光素子およびその製造方法
JP2015084453A5 (https=)
JP2005019964A5 (https=)
CN205723600U (zh) 一种增强注入型的发光二极管的外延结构