JP2019053288A5 - フォトマスク及び表示装置の製造方法 - Google Patents

Claims (11)

1. 透明基板上に転写用パターンが形成されたフォトマスクであって、
   前記転写用パターンは、
   透光部からなる、径Ｗ１（μｍ）の主パターンと、
   前記主パターンの近傍に配置された、露光装置によって解像されない幅ｄ（μｍ）をもつ補助パターンと、
   前記主パターンと前記補助パターンを除いた領域を構成する、遮光部とを含み、
   前記遮光部は、前記透明基板上に少なくとも遮光膜が形成されてなり、
   前記補助パターンは、前記主パターンの周囲を、前記遮光部を介して囲み、かつ、前記透明基板上に、露光光の代表波長の光を、略１８０度位相シフトする位相特性をもつとともに、前記代表波長の光に対する透過率Ｔ（％）をもつ半透光膜が形成されてなる位相シフト部からなり、
   前記補助パターンの一部の領域の透過光量が、前記補助パターンの他の領域の透過光量よりも低く、
   前記主パターンの幅が拡張される拡張修正が施されていることを特徴とする、フォトマスク。
2. 前記転写用パターンは、前記拡張修正が施された修正済転写用パターンと、正常な転写用パターンを含み、
   前記修正済転写用パターンの前記主パターンの周縁の断面は、前記正常な転写用パターンとは異なることを特徴とする、請求項１に記載のフォトマスク。
3. 透明基板上に転写用パターンが形成されたフォトマスクであって、
   前記転写用パターンは、
   透光部からなる、径Ｗ１（μｍ）の主パターンと、
   前記主パターンの近傍に配置された、露光装置によって解像されない幅ｄ（μｍ）を持つ補助パターンと、
   前記主パターンと前記補助パターンを除いた領域を構成する、遮光部とを含み、
   前記遮光部は、前記透明基板上に少なくとも遮光膜が形成されてなり、
   前記補助パターンは、前記主パターンの周囲を、前記遮光部を介して囲み、かつ、前記透明基板上に、露光光の代表波長の光を、略１８０度位相シフトする位相特性をもつとともに、前記代表波長の光に対する透過率Ｔ（％）をもつ半透光膜が形成されてなる位相シフト部からなり、
   前記補助パターンの一部の領域の透過光量が、前記補助パターンの他の領域の透過光量よりも低く、
   前記転写用パターンは、前記主パターンの幅が拡張される拡張修正が施された修正済転写用パターンと、正常な転写用パターンを含み、
   前記修正済転写用パターンは、前記正常な転写用パターンに対して、前記主パターンの面積が大きいことを特徴とする、フォトマスク。
4. 透明基板上に転写用パターンが形成されたフォトマスクであって、
   前記転写用パターンは、
   透光部からなる、径Ｗ１（μｍ）の主パターンと、
   前記主パターンの近傍に配置された、露光装置によって解像されない幅ｄ（μｍ）を持つ補助パターンと、
   前記主パターンと前記補助パターンを除いた領域を構成する、遮光部とを含み、
   前記遮光部は、前記透明基板上に少なくとも遮光膜が形成されてなり、
   前記補助パターンは、前記主パターンの周囲を、前記遮光部を介して囲み、かつ、前記透明基板上に、露光光の代表波長の光を、略１８０度位相シフトする位相特性をもつとともに、前記代表波長の光に対する透過率Ｔ（％）をもつ半透光膜が形成されてなる位相シフト部からなり、
   前記補助パターンの一部の領域の透過光量が、前記補助パターンの他の領域の透過光量よりも低く、
   前記転写用パターンは、前記主パターンの幅が拡張される拡張修正が施された修正済転写用パターンと、正常な転写用パターンを含み、
   前記修正済転写用パターンは、前記正常な転写用パターンに対して、前記主パターンの縦横比が異なることを特徴とする、フォトマスク。
5. 前記遮光部は、前記半透光膜と前記遮光膜とがこの順に形成されているか、または、前記遮光膜と前記半透光膜がこの順に形成されていることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１つに記載のフォトマスク。
6. 前記補助パターンは、前記主パターンの周囲を、前記遮光部を介して囲む多角形帯の領域内に配置されることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１つに記載のフォトマスク。
7. 前記補助パターンの前記一部の領域は、前記多角形帯の面積の１／８以下の領域であることを特徴とする、請求項６に記載のフォトマスク。
8. 前記補助パターンの前記一部の領域のＯＤは３以上であることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか１つに記載のフォトマスク。
9. 前記補助パターンの前記一部の領域には、前記遮光膜、又は前記遮光膜とは材料あるいは組成が異なる遮光性の補充膜が形成されていることを特徴とする、請求項１〜８のいずれか１つに記載のフォトマスク。
10. 前記補助パターンを透過する光によって、前記主パターンを透過する前記露光光が被転写体上に形成する光強度分布を変化させることにより、焦点深度または露光余裕度を増加させることを特徴とする、請求項１〜９のいずれか１つに記載のフォトマスク。
11. 請求項１〜１０のいずれか１つに記載のフォトマスクを露光装置により露光し、被転写体上に前記転写用パターンを転写することを含む、表示装置の製造方法。