JP2009192927A - 多階調フォトマスク及びそれを用いたパターン転写方法 - Google Patents
多階調フォトマスク及びそれを用いたパターン転写方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】本発明の多階調フォトマスクは、透明基板21上に遮光領域A、第1半透光領域B(暗い半透光領域)、第2半透光領域C(明るい半透光領域)及び透光領域Dを設ける。第1半透光領域Bは広い領域のパターンであり、第2半透光領域Cは狭い幅を含むパターンである。第1半透光領域B部及び第2半透光領域Cは、露光光に対する実効透過率がほぼ等しい。
【選択図】図4
Description
今までは、半透光領域を構成する半透過膜の透過率は、パターン形状によらず、その膜と露光光によって決定する膜固有の透過率で規定していた。このように規定された透過率に基づいて半透過膜の膜材や厚さを設定する場合において、半透光領域の面積が露光機の解像度に対して十分に大きいときには特に問題は生じない。しかしながら、半透光領域の面積や幅が微小になった場合には、パターンの端部において生じる露光光の回折が無視できないため、半透光領域に隣接する遮光部や透光部の影響により、実際の露光時には半透過膜固有の透過率とは異なる値となることがある。
2 照射光学系
3 フォトマスク
4 対物レンズ系
4a シミュレータレンズ
4b 結像レンズ
5 撮像手段
6 視野絞り
7 開口絞り
11 演算手段
12 表示手段
13 筐体
14 制御手段
15 移動操作手段
21 透明基板
22 遮光膜
23 反射防止膜
24,27 第1半透過膜
25,28 第2半透過膜
26 レジスト層
31〜33 フォトスペーサ領域
Claims (7)
- 透明基板上に設けられた、露光光を遮光する遮光膜と、前記露光光を一部透過させる半透過膜とにそれぞれ所定のパターン加工を施すことにより、透光領域、遮光領域、及び半透光領域を持つ転写パターンを形成した多階調フォトマスクであって、前記半透光領域は、特定のパターン形状に対する第1半透光部と、前記パターン形状と異なるパターン形状に対する第2半透光部とを有し、前記第1半透光部及び前記第2半透光部は、前記露光光に対する実効透過率がほぼ等しいことを特徴とする多階調フォトマスク。
- 前記第1半透光部と前記第2半透光部は、膜構成が異なって形成されることを特徴とする請求項1記載の多階調フォトマスク。
- 前記半透過膜は、それぞれ異なる透過率を持つ第1半透過膜及び第2半透過膜を有して構成されており、前記第1半透光部は前記第1半透過膜を有して構成され、前記第2半透光部は前記第2半透過膜を有して構成されていることを特徴とする請求項2記載の多階調フォトマスク。
- 前記半透過膜は、それぞれ所定の透過率を持つ第1半透過膜及び第2半透過膜を有して構成されており、前記第1半透光部は前記第1半透過膜を有して構成され、前記第2半透光部は前記第1半透過膜及び第2半透過膜を有して構成されていることを特徴とする請求項1記載の多階調フォトマスク。
- 前記第1半透光部及び前記第2半透光部における実効透過率が15%〜70%であることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれかに記載の多階調フォトマスク。
- 前記第1半透光部と前記第2半透光部は、前記遮光領域に隣接して挟まれた半透光部を持つパターンを有し、前記第1半透光部と前記第2半透光部のうち、前記パターンの幅が相対的に小さい半透過部を有する半透光部は、透過率が相対的に高い半透過膜の膜構成を有し、前記パターンの幅が相対的に大きい半透光部を有する半透光部は、透過率が相対的に低い半透過膜の膜構成を有することを特徴とする請求項1から請求項5のいずれかに記載の多階調フォトマスク。
- 請求項1から請求項6のいずれかに記載の多階調フォトマスクを用い、露光機による露光光を照射することによって前記多階調フォトマスクの転写パターンを被加工層に転写することを特徴とするパターン転写方法。
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---|---|---|---|---|
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JP2009271213A (ja) * | 2008-05-01 | 2009-11-19 | Hoya Corp | 多階調フォトマスク及びその製造方法、並びにパターン転写方法 |
KR101414343B1 (ko) | 2012-09-26 | 2014-07-02 | 호야 가부시키가이샤 | 포토마스크의 제조 방법, 포토마스크, 패턴 전사 방법 및 플랫 패널 디스플레이의 제조 방법 |
KR20160020054A (ko) * | 2014-08-13 | 2016-02-23 | 주식회사 에스앤에스텍 | 다계조 포토 마스크 및 그의 제조 방법 |
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09146257A (ja) * | 1995-11-27 | 1997-06-06 | Nec Corp | フォトマスク及びその製造方法 |
JP2003177506A (ja) * | 2001-12-13 | 2003-06-27 | Sony Corp | フォトリソグラフィ用マスク、薄膜形成方法、並びに液晶表示装置及び液晶表示装置の製造方法 |
JP2007178649A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Dainippon Printing Co Ltd | 階調マスク |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09146257A (ja) * | 1995-11-27 | 1997-06-06 | Nec Corp | フォトマスク及びその製造方法 |
JP2003177506A (ja) * | 2001-12-13 | 2003-06-27 | Sony Corp | フォトリソグラフィ用マスク、薄膜形成方法、並びに液晶表示装置及び液晶表示装置の製造方法 |
JP2007178649A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Dainippon Printing Co Ltd | 階調マスク |
JP2007249198A (ja) * | 2006-02-20 | 2007-09-27 | Hoya Corp | 4階調フォトマスクの製造方法、及びフォトマスクブランク |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009244350A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-22 | Hoya Corp | 多階調フォトマスク及びその製造方法、並びにパターン転写方法 |
JP2009271213A (ja) * | 2008-05-01 | 2009-11-19 | Hoya Corp | 多階調フォトマスク及びその製造方法、並びにパターン転写方法 |
KR101414343B1 (ko) | 2012-09-26 | 2014-07-02 | 호야 가부시키가이샤 | 포토마스크의 제조 방법, 포토마스크, 패턴 전사 방법 및 플랫 패널 디스플레이의 제조 방법 |
KR20160020054A (ko) * | 2014-08-13 | 2016-02-23 | 주식회사 에스앤에스텍 | 다계조 포토 마스크 및 그의 제조 방법 |
KR102157644B1 (ko) * | 2014-08-13 | 2020-09-21 | (주)에스앤에스텍 | 다계조 포토 마스크 및 그의 제조 방법 |
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