TWI691608B - 光罩之修正方法、光罩之製造方法、光罩及顯示裝置之製造方法 - Google Patents

光罩之修正方法、光罩之製造方法、光罩及顯示裝置之製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明提供一種以穩定之條件高效率地修正轉印用圖案中產生之缺陷而使該轉印用圖案之轉印性恢復的光罩之修正方法及由其形成之修正光罩。 提供一種具備形成於透明基板上之轉印用圖案之光罩之修正方法。轉印用圖案包含：直徑W1(μm)之主圖案，其包含透光部；輔助圖案，其配置於主圖案之附近，且具有不被曝光裝置解像之寬度d(μm)；及遮光部，其構成將主圖案與輔助圖案除外之區域。遮光部係於透明基板上至少形成遮光膜而成。輔助圖案具有相對於曝光之光之代表波長之光的透過率T(%)，並且將主圖案之周圍介隔遮光部而包圍。於輔助圖案產生白缺陷，且該白缺陷為輔助圖案之面積之1/8以下時，於白缺陷部分形成遮光性之補充膜。

Description

光罩之修正方法、光罩之製造方法、光罩及顯示裝置之製造方法
本發明係關於一種有利地用於以液晶顯示器或有機EL(Electro Luminescence，電致發光)顯示器為代表之顯示裝置之製造之光罩之修正(修復)方法及藉由該方法獲得之光罩、光罩之製造方法以及顯示裝置之製造方法。
於專利文獻1中記載有一種光罩，其係具備藉由將成膜於透明基板上之半透光膜及低透光膜分別圖案化而形成之轉印用圖案者，上述半透光膜使處於i光線～g光線之波長範圍之代表波長之光偏移大致180度，並且具有相對於上述代表波長之光之透過率T(%)，上述低透光膜相對於上述代表波長之光，具有較上述半透光膜之透過率T(%)低之透過率T2(%)，上述轉印用圖案具有：直徑W1(μm)之主圖案，其包含上述透明基板露出之透光部；寬度d(μm)之輔助圖案，其配置於上述主圖案之附近，且包含在上述透明基板上形成有上述半透光膜之半透光部；及低透光部，其配置於上述轉印用圖案中形成上述主圖案及上述輔助圖案之區域以外之區域，且於上述透明基板上至少形成有上述低透光膜。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2016-024264號公報
[發明所欲解決之問題]
目前，於包含液晶顯示裝置或EL顯示裝置等之顯示裝置中，期望更明亮、且省電力，並且高精細、高速顯示、廣視角等顯示性能之提高。
例如，就用於上述顯示裝置之薄膜電晶體(Thin Film Transistor：TFT)而言，構成TFT之複數個圖案中形成於層間絕緣膜之接觸孔若不具有確實地使上層及下層之圖案連接之作用則無法保證正確之動作。另一方面，例如，為了儘量增大液晶顯示裝置之開口率，形成為明亮且省電力之顯示裝置，要求接觸孔之直徑充分小等，伴隨顯示裝置之高密度化之要求，期望孔圖案之直徑亦微細化(例如未達3 μm)。例如，需要直徑為0.8 μm以上且2.5 μm以下之孔圖案，進而，需要直徑為2.0 μm以下之孔圖案，具體而言，具有0.8～1.8 μm之直徑之圖案之形成亦成為課題。
且說，於與顯示裝置相比，積體度較高，圖案之微細化明顯進展之半導體裝置(LSI(Large Scale Integration，大型積體電路))製造用光罩之領域中，為了獲得較高之解像性，而曝光裝置應用較高之數值孔徑NA(numerical aperture)(例如超過0.2)之光學系統，存在推進了曝光之光之短波長化之經過。其結果，於該領域中，多使用KrF或ArF之準分子雷射(分別為248 nm、193 nm之單一波長)。
另一方面，於顯示裝置製造用之微影術領域中，為了提高解像性，應用如上所述之方法並不普遍。例如，該領域中所使用之曝光裝置所具有之光學系統之NA(數值孔徑)為0.08～0.15左右。又，曝光光源亦多使用i光線、h光線、或g光線，藉由使用主要包含該等之寬波長光源，而獲得用以照射大面積(例如，一邊為300～2000 mm之四邊形)之光量，重視生產效率或成本之傾向較強。
然而，於顯示裝置之製造中，如上所述圖案之微細化要求亦變高。此處，將半導體裝置製造用之技術直接應用於顯示裝置之製造存在若干問題。例如，向具有高NA(數值孔徑)之高解像度之曝光裝置轉變需要較大之設備投資，無法獲得與顯示裝置之價格之整合性。又，關於曝光波長之變更(以單一波長使用ArF準分子雷射之類之短波長)，若應用於具有大面積之顯示裝置，則除了生產效率降低以外，還因仍然需要相當之設備投資之方面而不妥。即，一方面追求先前沒有之圖案之微細化，而另一方面，不能喪失作為現有之優點之成本或效率之方面成為顯示裝置製造用光罩之問題點。
另一方面，於專利文獻1中記載有一種光罩，其具有包含透光部之主圖案、配置於其附近之包含相位偏移部之輔助圖案、及形成於其等以外之區域之低透光部。該光罩可對透過主圖案與輔助圖案之兩者之曝光之光之相互干涉進行控制，大幅度地改善透過光之空間圖像。而且，該光罩可於在顯示面板基板等被轉印體上穩定地形成微細之孤立孔圖案時等有利地利用。
如專利文獻1中所記載般，相對於主圖案而於被轉印體上直接配置不解像之適當之設計之輔助圖案於提高主圖案之轉印性時有效。但，輔助圖案為精緻地設計之微細圖案，於其位置產生缺陷之情形時之應對措施成為課題。
一般而言，於光罩之製造過程中，使圖案缺陷之產生為零極其困難。例如，因不需要之膜之殘留或異物(顆粒)之混入等所致之多餘缺陷(亦稱為黑缺陷)、或因必需之膜之缺失所致之缺失缺陷(亦稱為白缺陷)之產生於現實中無法避免。設想此種情形，設置利用檢查檢測該等缺陷並藉由修正裝置修正(修復)缺陷之步驟。關於修正之方法，一般地，針對白缺陷，使修正膜堆積，針對黑缺陷，將多餘部分藉由能量線之照射而去除，根據需要使修正膜堆積。主要可藉由FIB(Focused Ion Beam，聚焦離子束)裝置、或雷射CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沈積)裝置而修正白缺陷、及黑缺陷。
例如，以於雷射CVD裝置中對光罩中產生之缺陷進行修正膜之形成之情形為例進行說明。首先，藉由檢查裝置檢測缺陷，決定進行修正膜之形成之對象部分。形成修正膜之對象為光罩所具有之轉印用圖案之遮光膜或半透光膜(以下，亦分別稱為正常之遮光膜、正常之半透光膜)中所產生之白缺陷、或者因將黑缺陷去除而形成之白缺陷等。針對該修正對象部分，藉由雷射CVD法，形成局部性的修正膜(亦稱為CVD膜)。
此時，於光罩表面，供給成為修正膜之原料之原料氣體，形成原料氣體環境。作為修正膜之原料，較佳地使用金屬羰基化合物。具體而言，例示鉻羰基化合物(Cr(CO)6 )、鉬羰基化合物(Mo(CO)6 )、鎢羰基化合物(W(CO)6 )等。作為光罩之修正膜，較佳地使用耐藥性較高之鉻羰基化合物。
於修正膜之原料使用鉻羰基化合物之情形時，例如，將六羰基鉻(Cr(CO)6 )加熱使之昇華，將其與載氣(Ar氣體等)一起導入至光罩之修正對象部分。向該原料氣體環境中照射雷射光，藉由雷射之熱/光能反應，而原料氣體分解，使產物堆積於修正對象部分，故而形成以鉻為主材料之修正膜。
且說，根據本發明者等人之研究，即便使用上述方法，亦會根據圖案之形狀或尺寸、或者其功能種類，產生無法一律進行如上所述之修正之問題。
例如，於遮光膜中產生之缺陷形成CVD膜之情形時，形成具有充分之遮光性之修正膜(以下，亦稱為補充膜)。另一方面，使用適當之材料之CVD膜藉由其膜厚之調整，亦可於某範圍內獲得所期望之光透過率。然而，以微細之尺寸於正確之位置以所期望之透過率(即所期望之膜厚)使均勻之修正膜堆積未必容易。又，於修正半透光膜中產生之缺陷之情形時，於形成用以設為特定之光透過率之膜厚之修正膜時，同時獲得所期望之相位特性(相對於曝光之光中所包含之波長之相位偏移量)更難。因此，具有相位偏移部之光罩之修正伴有困難。
即，對具有相位偏移部之光罩或者具有精細之(例如具有解像極限以下之尺寸之)圖案之光罩的修正由於難度較高，故容易成為降低生產效率之原因，又，於修正之過程中，產生尺寸或光學物性與目標值不同之新的缺陷之情形亦並不罕見。
於此種狀況下，為了找出即便於如上述專利文獻1記載之光罩中所例示之精細圖案產生缺陷之情形時亦實施適當之缺陷修正的方法，本發明者等人進行了銳意研究。 因此，本發明之目的在於提供一種以穩定之條件高效率地修正轉印用圖案中產生之缺陷，使因缺陷而受損之該轉印用圖案之光學功能恢復，從而使轉印性能良好的光罩之修正方法及由其形成之修正光罩。 [解決問題之技術手段]
(第1態樣) 本發明之第1態樣係 一種光罩之修正方法，其特徵在於，其係具備形成於透明基板上之轉印用圖案之光罩之修正方法，且 上述轉印用圖案包含： 直徑W1(μm)之主圖案，其包含透光部； 輔助圖案，其配置於上述主圖案之附近，且具有不被曝光裝置解像之寬度d(μm)；及 遮光部，其構成將上述主圖案與上述輔助圖案除外之區域； 上述遮光部係於上述透明基板上至少形成遮光膜而成， 上述輔助圖案具有相對於曝光之光之代表波長之光的透過率T(%)，並且將上述主圖案之周圍介隔上述遮光部而包圍， 上述輔助圖案之透過光相對於上述主圖案之透過光，相對於上述代表波長之光之相位差為大致180度， 於上述輔助圖案產生白缺陷時，進行於上述白缺陷部分形成包含與上述遮光膜不同之材料之遮光性之補充膜的補充膜修正。 (第2態樣) 本發明之第2態樣係 如上述第1態樣之光罩之修正方法，其中上述白缺陷為上述輔助圖案之面積之1/8以下。 (第3態樣) 本發明之第3態樣係 如上述第1或第2態樣之光罩之修正方法，其特徵在於，上述補充膜修正係使因產生上述白缺陷而降低之上述轉印用圖案之光學性能至少一部分恢復者。 (第4態樣) 本發明之第4態樣係 如上述第3態樣之光罩之修正方法，其特徵在於，上述光學性能包含上述轉印用圖案之透過光於被轉印體上形成之光強度分佈中之峰高、焦點深度、及曝光裕度之任一者。 (第5態樣) 本發明之第5態樣係 如上述第1或第2態樣之光罩之修正方法，其特徵在於，上述輔助圖案係於上述透明基板上形成具有相對於上述代表波長之光之透過率T(%)並且具有使上述代表波長之光偏移大致180度之相位特性之半透光膜而成。 (第6態樣) 本發明之第6態樣係 一種光罩之修正方法，其特徵在於，其係具備形成於透明基板上之轉印用圖案之光罩之修正方法，且 上述轉印用圖案包含： 直徑W1(μm)之主圖案，其包含透光部； 輔助圖案，其配置於上述主圖案之附近，且具有不被曝光裝置解像之寬度d(μm)；及 遮光部，其構成將上述主圖案與上述輔助圖案除外之區域； 上述遮光部係於上述透明基板上至少形成遮光膜而成， 上述輔助圖案具有相對於曝光之光之代表波長之光的透過率T(%)，並且將上述主圖案之周圍介隔上述遮光部而包圍， 上述輔助圖案之透過光相對於上述主圖案之透過光，相對於上述代表波長之光之相位差為大致180度，且 於上述輔助圖案產生黑缺陷時，進行將上述主圖案之寬度擴展之擴展修正。 (第7態樣) 本發明之第7態樣係 如上述第6態樣之光罩之修正方法，其特徵在於，上述擴展修正係使因產生上述黑缺陷而降低之上述轉印用圖案之光學性能至少一部分恢復者。 (第8態樣) 本發明之第8態樣係 如上述第7態樣之光罩之修正方法，其特徵在於，上述光學性能包含上述轉印用圖案之透過光於被轉印體上形成之光強度分佈之峰高、焦點深度、及曝光裕度之任一者。 (第9態樣) 本發明之第9態樣係 如上述第6至第8態樣中任一態樣之光罩之修正方法，其特徵在於，上述黑缺陷超過上述輔助圖案之面積之1/8。 (第10態樣) 本發明之第10態樣係 如上述第6至第8態樣中任一態樣之光罩之修正方法，其特徵在於，上述輔助圖案係於上述透明基板上形成具有相對於上述代表波長之光之透過率T(%)並且具有使上述代表波長之光偏移大致180度之相位特性之半透光膜而成。 (第11態樣) 本發明之第11態樣係 如上述第6至第8態樣中任一態樣之光罩之修正方法，其特徵在於，上述黑缺陷係因於上述輔助圖案中產生之白缺陷部分形成遮光性之補充膜而產生之黑缺陷。 (第12態樣) 本發明之第12態樣係 如上述第6至第8態樣中任一態樣之光罩之修正方法，其特徵在於，藉由上述擴展修正而增加之主圖案之面積為因上述黑缺陷而喪失之輔助圖案之面積S1的5%以下。 (第13態樣) 本發明之第13態樣係 如上述第6至第8態樣中任一態樣之光罩之修正方法，其特徵在於，上述擴展修正係使正方形之主圖案之4邊中至少1條邊向遮光部側後退而進行。 (第14態樣) 本發明之第14態樣係 如上述第6至第8態樣中任一態樣之光罩之修正方法，其特徵在於，上述擴展修正係將遮光膜之邊緣藉由雷射熔斷或離子束蝕刻去除而進行。 (第15態樣) 本發明之第15態樣係 如上述第1、第2、第6、第7、及第8態樣中任一態樣之光罩之修正方法，其特徵在於，上述輔助圖案配置於上述主圖案之附近，藉由利用透過上述輔助圖案之光使透過上述主圖案之上述曝光之光於被轉印體上形成之光強度分佈變化，而使焦點深度增加。 (第16態樣) 本發明之第16態樣係 如上述第1、第2、第6、第7、及第8態樣中任一態樣之光罩之修正方法，其特徵在於，上述轉印用圖案滿足下述式(1)。 0.8≦W1≦4.0・・・(1) (第17態樣) 本發明之第17態樣係 如上述1、2、6、7、及8中任一態樣之光罩之修正方法，其特徵在於，上述轉印用圖案滿足下述式(2)。 0.5≦√(T/100)×d≦1.5・・・(2) (第18態樣) 本發明之第18態樣係 如上述第1、第2、第6、第7、及第8態樣中任一態樣之光罩之修正方法，其特徵在於，上述轉印用圖案於將上述主圖案之中心與上述輔助圖案之寬度方向之中心的距離設為P(μm)時，滿足下述式(3)。 1.0＜P≦5.0・・・(3) (第19態樣) 本發明之第19態樣係 如上述第1、第2、第6、第7、及第8態樣中任一態樣之光罩之修正方法，其特徵在於，上述輔助圖案之形狀係以上述主圖案之重心為中心之多邊形帶。 (第20態樣) 本發明之第20態樣係 如上述第1、第2、第6、第7、及第8態樣中任一態樣之光罩之修正方法，其特徵在於，上述轉印用圖案係於被轉印體上形成孔圖案者。 (第21態樣) 本發明之第21態樣係 如上述第20態樣之光罩之修正方法，其特徵在於，上述孔圖案係孤立孔圖案。 (第22態樣) 本發明之第22態樣係 一種光罩，其特徵在於，其係於透明基板上形成有轉印用圖案者，且 上述轉印用圖案包含： 直徑W1(μm)之主圖案，其包含透光部； 輔助圖案，其配置於上述主圖案之附近，且具有不被曝光裝置解像之寬度d(μm)；及 遮光部，其構成將上述主圖案與上述輔助圖案除外之區域； 上述遮光部係於上述透明基板上至少形成遮光膜而成， 上述輔助圖案配置於將上述主圖案之周圍介隔上述遮光部而包圍之多邊形帶之區域內，且包含相位偏移部，該相位偏移部係於上述透明基板上形成具有使曝光之光之代表波長之光相位偏移大致180度之相位特性並且具有相對於上述代表波長之光之透過率T(%)之半透光膜而成，且 於上述多邊形帶之區域內，形成有包含與上述遮光膜不同之材料之遮光性之補充膜。 (第23態樣) 本發明之第23態樣係 如上述第22態樣之光罩，其特徵在於，上述補充膜之形成係上述多邊形帶之面積之1/8以下。 (第24態樣) 本發明之第24態樣係 如上述第22或第23態樣之光罩，其特徵在於，於上述多邊形帶中，上述補充膜係雷射CVD膜。 (第25態樣) 本發明之第25態樣係 一種光罩，其特徵在於，其係於透明基板上形成有轉印用圖案者，且 上述轉印用圖案包含： 直徑W1(μm)之主圖案，其包含透光部； 輔助圖案，其配置於上述主圖案之附近，且具有不被曝光裝置解像之寬度d(μm)；及 遮光部，其構成將上述主圖案與上述輔助圖案除外之區域； 上述遮光部係於上述透明基板上至少形成遮光膜而成， 上述輔助圖案配置於將上述主圖案之周圍介隔上述遮光部而包圍之多邊形帶之區域內，且包含相位偏移部，該相位偏移部係於上述透明基板上形成具有使曝光之光之代表波長之光相位偏移大致180度之相位特性並且具有相對於上述代表波長之光之透過率T(%)之半透光膜而成， 於上述多邊形帶之區域內，形成有上述遮光膜、或包含與上述遮光膜不同之材料之遮光性之補充膜，且 於上述主圖案之周緣之至少一部分，具有將上述遮光膜去除特定寬度而成之雷射熔斷剖面或離子束蝕刻剖面。 (第26態樣) 本發明之第26態樣係 如上述第25態樣之光罩，其特徵在於，上述主圖案係長方形，且於其4邊中至少1邊具有上述雷射熔斷剖面或離子束蝕刻剖面。 (第27態樣) 本發明之第27態樣係 如上述第25態樣之光罩，其特徵在於，上述主圖案係正方形，且於其4邊中至少2邊具有上述雷射熔斷剖面或離子束蝕刻剖面。 (第28態樣) 本發明之第28態樣係 如上述第22、第23、及第25態樣中任一態樣之光罩，其特徵在於，上述輔助圖案配置於上述主圖案之附近，藉由利用透過上述輔助圖案之光使透過上述主圖案之上述曝光之光於被轉印體上形成之光強度分佈變化，而使焦點深度增加。 (第29態樣) 本發明之第29態樣係 如上述第22、第23、及第25態樣中任一態樣之光罩，其特徵在於，上述轉印用圖案滿足下述式(1)。 0.8≦W1≦4.0・・・(1) (第30態樣) 本發明之第30態樣係 如上述第22、第23、及第25態樣中任一態樣之光罩，其特徵在於，上述轉印用圖案滿足下述式(2)。 0.5≦√(T/100)×d≦1.5・・・(2) (第31態樣) 本發明之第31態樣係 如上述第22、第23、及第25態樣中任一態樣之光罩，其特徵在於，上述轉印用圖案於將上述主圖案之中心與上述輔助圖案之寬度方向之中心的距離設為P(μm)時，滿足下述式(3)。 1.0＜P≦5.0・・・(3) (第32態樣) 本發明之第32態樣係 如上述第22、第23、及第25態樣中任一態樣之光罩，其特徵在於，上述轉印用圖案係顯示裝置製造用圖案。 (第33態樣) 本發明之第33態樣係 一種光罩之製造方法，其包含如上述第1、第2、第6、第7及第8態樣中任一態樣之光罩之修正方法。 (第34態樣) 本發明之第34態樣係 一種顯示裝置之製造方法，其包含如下步驟：使用如上述第1、第2、第6、第7及第8態樣中任一態樣之光罩，將包含i光線、h光線、g光線之至少一者之曝光之光照射至上述轉印用圖案，於被轉印體上進行圖案轉印。 (第35態樣) 本發明之第35態樣係 一種顯示裝置之製造方法，其包含如下步驟：使用如上述第22、第23、及第25態樣中任一態樣之光罩，將包含i光線、h光線、g光線之至少一者之曝光之光照射至上述轉印用圖案，於被轉印體上進行圖案轉印。 [發明之效果]
根據本發明，可對具有主圖案與輔助圖案之精細之轉印用圖案中產生之缺陷有效率地進行修正，以恢復該轉印用圖案之光學性能。
以下，對本發明之實施形態進行說明。於本實施形態中，以下對將具有包含透光部之直徑W1(μm)之主圖案、及配置於上述主圖案之附近且具有曝光裝置不解像之寬度d(μm)之輔助圖案之光罩中所產生之缺陷進行修正的方法進行說明。
[關於缺陷修正對象之光罩] 於圖1(a)及(b)中例示作為應用本發明之修正方法之一態樣之光罩(以下，光罩I)。再者，符號僅標註於首次出現者，之後省略。
該光罩I具備轉印用圖案，該轉印用圖案係於透明基板10上將遮光膜12及半透光膜11分別圖案化而形成且具有透光部4、遮光部3、相位偏移部5。
再者，所謂本案中言及之「轉印用圖案」，係指基於欲使用光罩而獲得之元件設計之圖案，將設為實施下述修正之對象者、或者實施修正後之已修正轉印用圖案均根據其上下文而稱呼。
圖1(a)所示之光罩I包含主圖案1與配置於主圖案之附近之輔助圖案2。輔助圖案具有不被將光罩I曝光之曝光裝置解像之寬度d(μm)。
於光罩I中，主圖案與輔助圖案較佳為以相互之透過光之相位差成為大致180度之方式構成。具體而言，主圖案包含透明基板露出之透光部，輔助圖案可設為使透過光之相位偏移大致180度之相位偏移部。例如，輔助圖案如圖1(b)所示，可設為於透明基板上形成有使透過光之相位偏移大致180度之半透光膜(所謂相位偏移膜)者。 或者，亦可如圖1(c)之變化例所示，輔助圖案設為形成有相對於透明基板之表面為特定尺寸之刻蝕部20者，且以主圖案與輔助圖案具有上述相位差之方式構成。以下，關於輔助圖案之構成，主要以圖1(b)所示者、即於透明基板上形成有使透過光之相位偏移大致180度之半透光膜(相位偏移膜)之情形為例進行說明。以下，將此種相位偏移部亦稱為半透光部。
主圖案及輔助圖案以外之區域成為於透明基板上至少形成有遮光膜之遮光部。
於圖1(b)中，遮光部係由半透光膜與遮光膜於透明基板上積層而成，但亦可為遮光膜單層，或者與半透光膜之積層順序亦可相反。
光罩I之主圖案可於被轉印體(顯示裝置之面板等)形成孔圖案，主圖案之直徑(W1)為4 μm以下時效果明顯。為了實現高畫質之顯示裝置所需要之此種尺寸之微細之孔圖案之轉印利用現有之二元光罩較為困難，但光罩I係藉由控制、利用光之干涉作用之設計而實現優異之轉印條件者。
此處，包含相位偏移部之輔助圖案係配置於透光部之附近，且於與透光部之間介隔有遮光部之位置。而且，藉由透過輔助圖案之光，而對透過上述透光部之上述曝光之光於被轉印體上形成之光強度分佈賦予變化。例如，有增高光強度分佈曲線之峰，使轉印圖像之焦點深度(Depth of Focus：DOF)增加及/或使曝光裕度(Exposure Latitude：EL)增加之用途。
於多數公知之相位偏移光罩中，於相位偏移部與透光部鄰接之邊界處，使反相位之透過光干涉而獲得對比度提高等效果。相對於此，光罩I係於相位偏移部與透光部之間介置遮光部而將其等隔開，使用兩者之透過光之光強度分佈中之外緣側(振幅之正負反轉)之干涉，獲得上述優點。
藉由將光罩I曝光，可與上述主圖案對應地，於被轉印體上形成具有直徑W2(μm)(其中W1≧W2)之微細之主圖案(孔圖案)。
具體而言，若使直徑W1(μm)成為下述式(1) 0.8≦W1≦4.0・・・(1) 之關係則更有利地獲得本發明之效果。關於此，若直徑W1未達0.8 μm則被轉印體上之解像變得困難，及若直徑W1超過4.0 μm則藉由現有之光罩相對容易獲得解像性，光罩I之作用效果並不明顯。
此時形成於被轉印體上之主圖案(孔圖案)之直徑W2(μm)可設為 0.6≦W2≦3.0。
又，於主圖案之直徑W1為3.0(μm)以下時，更明顯地獲得本發明之效果。較佳為，可將主圖案之直徑W1(μm)設為 1.0≦W1≦3.0。 再者，亦可將直徑W1與直徑W2之關係設為W1＝W2，但較佳為設為W1＞W2。即，於將β(μm)設為偏差值時， β＝W1－W2＞0(μm) 時，可設為 0.2≦β≦1.0， 更佳為，可設為 0.2≦β≦0.8。 於將光罩I如此設計時，可獲得使被轉印體上之光阻劑圖案殘膜厚度之損耗減少等之有利的效果。
於上述中，主圖案之直徑W1係指圓之直徑或近似於其之數值。例如，於主圖案之形狀為正多邊形時，主圖案之直徑W1設為正多邊形之內切圓之直徑。若主圖案之形狀如圖1(a)所示為正方形，則主圖案之直徑W1為正方形之一邊之長度。關於經轉印之主圖案(孔圖案)之直徑W2，亦設為圓之直徑或近似於其之數值，於該方面相同。
當然，於欲形成更微細化之圖案時，亦可使直徑W1為2.5(μm)以下或2.0(μm)以下，進而，亦可使直徑W1為1.5(μm)以下而應用本發明。
相對於具有此種轉印用圖案之光罩I之曝光中所使用之曝光之光的代表波長，主圖案與輔助圖案之透過光之相位差f1為大致180度。因此，輔助圖案中所使用之半透光膜具有使上述透過光偏移f1度之相位偏移特性，f1設為大致180度。
再者，此處，所謂大致180度，係指180度±15度之範圍內。作為半透光膜之相位偏移特性，較佳為180±10度之範圍內，更佳為180±5度之範圍內。
光罩I之曝光使用包含i光線、h光線、或g光線之曝光之光時效果明顯，尤佳為將包含i光線、h光線、及g光線之寬波長區域之光應用為曝光之光。於該情形時，作為代表波長，可設為該寬波長區域中所包含之任一個波長，例如設為i光線、h光線、g光線之任一者。例如可以g光線作為代表波長而構成本態樣之光罩。
構成輔助圖案之相位偏移部所具有之透過率T可設為如下。 2≦T≦100 於輔助圖案如圖1(c)之變化例所示，藉由透明基板之刻蝕而形成之情形時，該光透過率T成為100%。另一方面，於如圖1(b)所示，於透明基板上形成半透光膜而成之輔助圖案之情形時，該半透光膜之透過率T(%)可設為 2≦T≦95。 此種相位偏移部之光透過率可實現下述轉印用圖案之光學圖像之控制。 較佳為設為 20≦T≦80。 更佳為， 30≦T≦70， 進而較佳為， 35≦T≦65。 再者，透過率T(%)設為以透明基板之透過率為基準時之半透光膜中之上述代表波長之透過率。該透過率為良好之範圍，以有助於與下述尺寸d(輔助圖案之寬度)之設定協作，控制透過輔助圖案之反轉相位之光之光量，藉由與主圖案之透過光之干涉，提高轉印性(例如提高DOF)的作用。
於光罩I中，配置於形成有主圖案及輔助圖案之區域以外之區域之遮光部可設為如下構成。
遮光部係實質上不使曝光之光(處於i光線～g光線之波長範圍之代表波長之光)透過者，可設為於透明基板上形成光學密度OD≧2(較佳為OD≧3，更佳為OD＞3)之遮光膜而成者。如上所述，遮光膜亦可與其他膜積層。
再者，於光罩I中，主圖案與輔助圖案以外之區域具有僅由遮光部構成之構成。
於上述轉印用圖案中，於將輔助圖案之寬度設為d(μm)時，於 0.5≦√(T/100)×d≦1.5 ・・・(2) 成立時，可獲得光罩I之轉印性特別優異之效果。 又，將主圖案之寬度之中心與輔助圖案之寬度方向之中心之距離設為距離P(μm)，距離P較佳為下述式(3)之關係成立，即， 1.0＜P≦5.0 ・・・(3)。 更佳為，距離P可設為 1.5＜P≦4.5， 進而較佳為，可設為 2.5＜P≦4.5。 藉由選擇此種距離P，而輔助圖案之透過光與主圖案之透過光之干涉良好地產生相互作用，藉此可獲得DOF等優異之作用。
輔助圖案之寬度d(μm)係於應用於光罩之曝光條件(所使用之曝光裝置)中，解像極限以下之尺寸。一般而言，考慮顯示裝置製造用之曝光裝置中之解像極限為3.0 μm～2.5 μm左右(i光線～g光線)，具體而言，為 d＜3.0， 較佳為， d＜2.5， 更佳為， d＜2.0。
又，為了使輔助圖案之透過光良好地與主圖案之透過光干涉，較佳為設為 d≧0.7， 更佳為設為， d≧0.8。 又，較佳為d＜W1。 而且，於此種情形時，光罩I之轉印性良好，並且較佳地使用下述修正步驟。
又，更佳為，上述(2)之關係式為下述式(2)－1，進而較佳為下述式(2)－2。 0.7≦√(T/100)×d≦1.2 ・・・(2)－1 0.75≦√(T/100)×d≦1.0 ・・・(2)－2 即，透過輔助圖案之反轉相位之光量係於透過率T與寬度d之平衡滿足上述時，發揮優異之效果。
如上所述，圖1(a)所示之光罩I之主圖案為正方形，該形狀較佳，但應用本發明之光罩並不限定於此。例如，如圖13所例示般，光罩之主圖案可為包含八邊形或圓之旋轉對稱之形狀。而且，可將旋轉對稱之中心設為成為上述距離P之基準之中心。
又，圖1(a)所示之光罩I之輔助圖案之形狀為八邊形帶，該形狀作為用以形成孔圖案之輔助圖案，能夠穩定地製造，而且，光學效果亦較高。但，應用本發明之光罩並不限定於此。例如，輔助圖案之形狀較佳為對相對於主圖案之中心為3次對稱以上之旋轉對稱之形狀賦予固定之寬度所得者，於圖13(a)～(e)中例示。主圖案之設計與輔助圖案之設計亦可將圖13(a)～(e)之互不相同者組合。
例如，例示輔助圖案之外周為正方形、正六邊形、正八邊形、正十邊形、正十二邊形、正十六邊形等正多邊形(較佳為正2n邊形，n為2以上之整數)或圓形之情形時。而且，作為輔助圖案之形狀，較佳為輔助圖案之外周與內周平行之形狀，即，如具有大致固定之寬度之正多邊形或圓形之帶般之形狀。亦將該帶狀之形狀稱為多邊形帶或圓形帶。作為輔助圖案之形狀，較佳為以主圖案之重心為中心之正多邊形帶或圓形帶介隔遮光部而包圍主圖案之周圍之形狀。此時，可使主圖案之透過光與輔助圖案之透過光之光量之平衡良好。
再者，只要不妨礙本發明之效果，則除了主圖案、輔助圖案以外，亦可附加性地使用其他圖案。
其次，以下將參照圖14對光罩I之製造方法之一例進行說明。於此處之說明中，符號亦僅標註於首次出現者，之後省略。
如圖14(a)所示，準備光罩基底30。
該光罩基底30係於由玻璃等構成之透明基板10上依次形成有半透光膜11與遮光膜12，進而塗佈有第1光阻劑膜13。
半透光膜較理想為滿足上述透過率與相位差，且包含能夠濕式蝕刻之材料。但，若於濕式蝕刻時所產生之側面蝕刻之量變得過大，則產生CD精度之劣化、或由底切所致之上層膜之破壞等不良情況，故而膜厚之範圍較佳為2000 Å以下。半透光膜之膜厚例如為300～2000 Å之範圍，更佳為300～1800 Å。此處，所謂CD，係指臨界尺寸(Critical Dimension)，於本說明書中以圖案寬度之含義使用。
又，為了滿足該等條件，半透光膜之材料較佳為曝光之光中所包含之代表波長(例如h光線)之折射率為1.5～2.9。更佳之折射率為1.8～2.4。
進而，半透光膜較佳為藉由濕式蝕刻而形成之圖案剖面(被蝕刻面)接近於相對於透明基板主表面垂直。
半透光膜之材料例示含有鉻(Cr)者或者含有過渡金屬與Si(矽)者。例如，可列舉Cr或Cr化合物(較佳為CrO、CrC、CrN、CrON等)或者包含Zr(鋯)、Nb(鈮)、Hf(鉿)、Ta(鉭)、Mo(鉬)、Ti(鈦)之至少一者與Si之材料，或者，可使用包括包含該等材料之氧化物、氮化物、氮氧化物、碳化物、或碳氮氧化物之材料者。更具體而言，可列舉鉬矽化氮化物(MoSiN)、鉬矽化氮氧化物(MoSiON)、鉬矽化氧化物(MoSiO)、氮氧化矽(SiON)、鈦氮氧化物(TiON)等。 作為半透光膜之成膜方法，可應用濺鍍法等公知之方法。
於光罩基底之半透光膜上，形成遮光膜。作為遮光膜之成膜方法，與半透光膜之情形時相同地，可應用濺鍍法等公知之方法。
遮光膜之材料既可為Cr或其化合物(氧化物、氮化物、碳化物、氮氧化物、或碳氮氧化物)，或者，亦可為包含Mo、W、Ta、Ti之金屬之矽化物或該矽化物之上述化合物。但，光罩基底之遮光膜之材料較佳為與半透光膜同樣地能夠濕式蝕刻且相對於半透光膜之材料具有蝕刻選擇性之材料。即，較理想為，遮光膜相對於半透光膜之蝕刻劑具有耐受性，又，半透光膜相對於遮光膜之蝕刻劑具有耐受性。
於光罩基底之遮光膜上，進而塗佈第1光阻劑膜。本態樣之光罩之繪圖步驟較佳為較佳地利用藉由雷射繪圖裝置進行之繪圖，故而設為適合於其之光阻劑。第1光阻劑膜既可為正型亦可為負型，以下，以正型進行說明。
其次，如圖14(b)所示，對第1光阻劑膜，使用繪圖裝置，進行基於轉印用圖案之繪圖資料之繪圖(第1繪圖)。而且，將藉由顯影獲得之第1光阻劑圖案13p作為遮罩，對遮光膜進行濕式蝕刻。藉此，成為遮光部之區域劃定，又，由遮光部包圍之輔助圖案(遮光膜圖案12p)之區域劃定。
其次，如圖14(c)所示，將第1光阻劑圖案剝離。
其次，如圖14(d)所示，於包含所形成之遮光膜圖案之整面，塗佈第2光阻劑膜14。
其次，如圖14(e)所示，對第2光阻劑膜14進行第2繪圖，藉由顯影而形成第2光阻劑圖案14p，繼而，藉由將該第2光阻劑圖案與上述遮光膜圖案設為遮罩，進行半透光膜之濕式蝕刻，而形成包含透明基板露出之透光部之主圖案之區域。再者，較佳為，第2光阻劑圖案係覆蓋成為輔助圖案之區域，並於成為包含透光部之主圖案之區域具有開口者，並且預先以遮光膜之邊緣自該開口露出之方式對第2繪圖之繪圖資料進行定尺寸(sizing)。藉此，可吸收第1繪圖與第2繪圖之間相互產生之對準偏移，防止轉印用圖案之CD精度之劣化，故而可使主圖案及輔助圖案之重心精確地一致。
其次，如圖14(f)所示，將第2光阻劑圖案剝離，而圖1(a)、(b)所示之本態樣之光罩I完成。
於此種光罩之製造時可應用濕式蝕刻。濕式蝕刻由於具有各向同性蝕刻之性質，故而若考慮半透光膜之膜厚，則自加工之容易性之觀點而言，有用的是輔助圖案之寬度d設為1 μm以上，較佳為設為1.2 μm以上。
關於圖1(a)、(b)所示之本態樣之光罩I，藉由光學模擬，將其轉印性能進行比較、評估。
此處，作為用以於被轉印體上形成孔圖案之轉印用圖案，準備參考例1及參考例2，並對共通地設定曝光條件時表現何種轉印性能進行光學模擬。
(參考例1) 參考例1之光罩係具有與圖1(a)、(b)中所說明之上述光罩I相同之構成之光罩。此處，包含透光部之主圖案係設為一邊(直徑)(即W1)為2.0(μm)之正方形，設為包含半透光部之輔助圖案之寬度d為1.3(μm)之八邊形帶，主圖案之寬度之中心與輔助圖案之寬度方向之中心的距離即距離P設為3.25(μm)。
輔助圖案係於透明基板上形成半透光膜而成。該半透光膜之對g光線波長之透過率T為45(%)，相位偏移量為180度。又，包圍主圖案及輔助圖案之遮光部係由實質上不使曝光之光透過之遮光膜(較佳為OD＞3)構成。
(參考例2) 如圖1(d)所示，參考例2之光罩具有包含形成於透明基板上之遮光膜圖案之所謂二元光罩之圖案。該光罩中，包含透明基板露出之透光部之正方形之主圖案1由遮光部(較佳為OD＞3)3包圍。主圖案之直徑W1(正方形之一邊)為2.0(μm)。
關於參考例1及2之光罩之任一者，均於被轉印體上形成直徑W2為1.5 μm之孔圖案，模擬中應用之曝光條件如下所述。即，曝光之光設為包含i光線、h光線、g光線之寬波長，光強度比設為g：h：i＝1：1：1。
曝光裝置之光學系統係數值孔徑NA為0.1，同調因子σ為0.5。用以掌握形成於被轉印體上之光阻劑圖案之剖面形狀之正型光阻劑之膜厚設為1.5 μm。
圖1(e)表示於上述條件下各轉印用圖案之性能評估。
[光罩之光學性評估] 例如，為了將直徑較小之微細之透光圖案轉印至被轉印體上，由透過光罩後之曝光之光於被轉印體上形成之空間圖像所形成之透過光強度分佈曲線之分佈必須較佳。具體而言，重要的是，形成透過光強度分佈之峰之傾斜尖銳且呈接近垂直之上升、及峰之光強度之絕對值較高(於在周圍形成次峰之情形時，相對於其強度，相對而言充分高)等。
根據光學性能更定量地評估光罩時，可使用如下指標。 (1)焦點深度(Depths of Focus：DOF) 用以使變動幅度相對於目標CD成為特定範圍內(此處為±15%之範圍內)之焦點深度之大小。若DOF之數值較高，則不易受被轉印體(例如顯示裝置用之面板基板)之平坦度之影響，可確實地形成微細之圖案，抑制其CD偏差。 (2)曝光裕度(EL：Exposure Latitude) 用以使變動幅度相對於目標CD成為特定範圍內(此處為±15%之範圍內)之曝光光強度之裕度。 若根據以上評估模擬對象之各樣品之性能，則如圖1(e)所示，參考例1之光罩係焦點深度(DOF)與參考例2相比非常優異，光罩不易受被轉印體之平坦度等之影響，表現圖案穩定之轉印性。
又，參考例1之光罩係於EL方面亦表現10.0(%)以上之優異之數值，即，相對於曝光光量之變動，可實現穩定之轉印條件。 進而，參考例1之光罩之劑量值(用以形成目標尺寸之圖案之照射光量)相對於參考例2而言相當小。該情況表示於參考例1之光罩之情形時，即便於製造大面積之顯示裝置時，曝光時間亦不增大或可縮短曝光時間之優點。
[關於光罩I中產生之缺陷] 於圖2中表示於將上述光罩I(參考例1，圖2(a))曝光時形成於被轉印體上之光學圖像之光強度分佈曲線(圖2(b))。尤其，圖2(b)係於圖2(a)中之一點鏈線部分中，正焦時與25 μm及50 μm散焦時之光強度分佈曲線。再者，於圖2(b)中省略了該等散焦量中之μm之記載，＋表示接近正焦之方向，－表示遠離正焦之方向。與主圖案對應之中央之主峰充分高，且陡峭。又，產生於兩側之次峰由於與主峰之強度差充分大，故而不對主圖案之轉印帶來影響，又，因散焦所致之CD變動之影響亦較小。
另一方面，於圖3中表示於光罩I所具備之八邊形帶之輔助圖案產生缺陷之情形時之光學圖像之光強度分佈曲線。圖3(a)係表示於光罩I所具有之八邊形帶之輔助圖案之一部分產生白缺陷FW之情形。此處，針對如圖4所示將輔助圖案利用中心角劃分所得之分區(以下，亦稱為中心角分區)之1個(此處為對八邊形帶之輔助圖案進行八等分時之1個分區，即整體之1/8分區，參照圖4)產生白缺陷之情形，對其轉印性進行研究。如圖3(b)所示，光強度分佈之主峰之光強度較圖2(b)下降，除此以外，主峰與次峰之光強度之差較小，尤其於散焦時，對於被轉印體上之光阻劑，無法避免因次峰所致之影響(對光阻劑圖案之損傷)。因此，產生不可忽視輔助圖案中產生之白缺陷之影響之情形。認為即便輔助圖案為八邊形帶以外之多邊形體或圓形帶，亦同樣地產生此種現象。
圖3(c)表示光罩I所具有之八邊形帶之輔助圖案之一部分(與上述同樣地為1/8分區)產生黑缺陷FB之情形，於圖3(d)中表示此時之光學圖像之光強度分佈曲線。此種黑缺陷例如會於製造步驟中半透光膜上之遮光膜殘留之情形等時產生。但，推測若為該黑缺陷，則於光學圖像之光強度分佈中，主峰之光強度略微下降，但轉印性不會產生較大問題。即，於輔助圖案中產生之缺陷為黑缺陷之情形時或白缺陷之情形時，均降低形成於被轉印體上之光強度分佈之峰，就該方面而言，有損光學性能，但較黑缺陷而言白缺陷對主圖案之轉印性帶來較大影響。換言之，圖3(d)所示之黑缺陷之情形時之光強度分佈之峰與圖3(b)所示之白缺陷之情形時之光強度分佈之峰相比較高，山之傾斜亦陡峭。認為該方面亦並不限定於八邊形帶之輔助圖案，關於將主圖案之周圍介隔遮光部而包圍之輔助圖案同樣。
本發明者等人基於上述知識見解，對光罩I中產生之缺陷修正之方法進行了研究。即，對將因缺陷而降低之轉印用圖案之光學性能至少部分地恢復之方法進行了研究。
再者，一般而言，將於光罩圖案上必需之膜缺失而該部分之透過光量增大之缺陷稱為白缺陷，將多餘物附著而透過光量減少之情形稱為黑缺陷。於本案說明書中，除了此種情形以外，於相位偏移部藉由透明基板之刻蝕而形成之情形時，關於因刻蝕不足而無法獲得充分之相位偏移效果之情形亦視為白缺陷。其原因在於，輔助圖案相位偏移效果降低，產生與上述白缺陷類似之作用。
[缺陷修正法1] 以下，藉由模擬算出於八邊形帶之輔助圖案中之1個分區整體產生黑缺陷之光罩I(圖5(d))之轉印性能(DOF、EL)，關於該算出結果，將參考例1之正常之光罩I(圖5(b))及參考例2之二元光罩(圖5(c))進行比較。於圖5(a)中表示比較結果。
如於圖1中提及般，二元光罩可以光罩I之約1.5倍之劑量值(曝光時之照射光量)而於被轉印體上形成目標尺寸(1.5 μm)之孔圖案。然而，若利用對正常之光罩I最佳化之劑量值(此處，為82.0 mJ/cm2 )，則無法形成目標尺寸之圖像。因此，為了形成目標尺寸之圖像，而將主圖案之直徑擴大至2.28 μm為止。圖5(a)之參考例2中記載為「(註1)」係表示如上所述進行了主圖案之直徑之變更。再者，於圖3(a)所示之具有白缺陷之轉印用圖案中，於上述曝光條件下，亦無法於被轉印體上獲得目標尺寸之轉印圖像，無法推算DOF、EL之值。
如圖5(a)所示，具有黑缺陷之實施例1之DOF及EL低於作為正常圖案之參考例1。另一方面，可知該實施例1之DOF及EL高於參考例2(不具有輔助圖案，僅藉由主圖案之擴大而獲得目標尺寸者)之二元光罩，故而藉由殘存之輔助圖案而發揮轉印性提高之效果。因此，作為缺陷修正方法，至少使DOF及EL之任一者高於參考例2之二元光罩成為指標。 進而，根據本發明者等人之研究，藉由最近之曝光裝置之性能提高，只要EL為4%以上，便能夠轉印，另一方面，DOF受顯示裝置製造用之大型基板之平坦度等之影響，較佳為超過20 μm。該2個參數均係越大越佳，於成為取捨之情形時，實際上使DOF優先之情形較多。因此，為了獲得DOF高於20 μm且EL儘可能大之條件，對缺陷修正方法進行了研究。
圖6(a)表示於光罩I之輔助圖案產生白缺陷之部位。該缺陷產生於輔助圖案之8個分區A～H中之1個分區內。缺陷之產生區域係於中心角分區中，為1/8以下，作為輔助圖案之喪失面積亦為輔助圖案整體之1/8以下。因此，可對該白缺陷進行形成遮光性(例如OD＞3)之補充膜16之修正(補充膜修正)(圖6(b))。補充膜係覆蓋白缺陷區域者，且係上述1個分區以內之區域。又，補充膜之形成可設為藉由雷射CVD而形成之CVD膜。因此，補充膜之組成係與上述遮光膜組成不同。另一方面，藉由如此進行修正，可獲得不低於上述實施例1之轉印性。 即，因輔助圖案中產生之白缺陷而降低之轉印用圖案之光學性能可藉由在該白缺陷部分形成遮光性之補充膜使其具有與遮光部同等之遮光性，而至少部分地恢復。此處，光學性能包含光強度分佈曲線之峰高、DOF之大小、EL之大小。又，特定尺寸(目標CD之±15%之範圍)之轉印圖像為不形成於被轉印體上之狀態，但包含成為形成於被轉印體上之狀態之情形。 再者，關於上述缺陷修正法1，對圖1(b)所示之光罩I進行了說明，但關於圖1(c)之變化例所示之光罩，亦可同樣地進行。於該情形時，可對應在透明基板具有刻蝕部分之輔助圖案之因刻蝕不足而產生之白缺陷實施上述補充膜形成來進行修正。
[缺陷修正法2] 圖7表示於光罩之輔助圖案之2個分區(中心角分區2/8)產生黑缺陷之例。該黑缺陷亦可為因對所產生之白缺陷形成補充膜而產生之黑缺陷。
但，與缺陷修正法1不同，作為輔助圖案之喪失面積亦達到中心角分區2/8，其影響更大，因此，若保持原樣則有無法滿足DOF 20 μm之擔憂。認為其原因在於，正常之光罩I係輔助圖案所形成之光強度分佈中出現之一部分之透過光作出使主圖案之透過光之光強度增加之貢獻，相對於此，若輔助圖案超過其面積之1/8地缺損，則無法充分獲得上述光強度增加之貢獻。實際上，根據本發明者等人之研究，如圖7般，於2個分區產生黑缺陷之情形時，利用與上述相同之曝光條件，無法形成目標尺寸之轉印圖像，因此，亦不可能推算DOF或EL。
因此，於實施例2～4中，對產生中心角分區2/8之黑缺陷之光罩I進行將主圖案之尺寸擴展之修正(擴展修正)，以彌補失去輔助圖案對主圖案之光強度增加之貢獻。即，代替對產生缺陷之輔助圖案實施修正，而以主圖案為對象，實施擴展修正。藉此，不需要於黑缺陷區域形成具有特定之透過率、相位差之修正膜。主圖案之尺寸擴展可藉由使四邊形(此處為正方形)之主圖案之4邊中至少1條邊向遮光部側後退而進行。 實施例2～4係不變更主圖案之重心位置，相對於由虛線所示之正常之主圖案之輪廓(正方形)，使主圖案之相互對向之2邊分別向遮光部側各後退相同尺寸，而使主圖案之尺寸擴展(圖7(a)，圖8之「兩側」)。於實施例5～7中，不變更主圖案之重心位置，相對於由虛線所示之正常之主圖案之輪廓，使主圖案之4邊分別向遮光部側各後退相同尺寸，而使主圖案之尺寸擴展(圖7(b)，圖8之「4邊」)。又，實施例8～10係相對於由虛線所示之正常之主圖案之輪廓，使主圖案之1邊向遮光部側後退而使主圖案之尺寸擴展(圖7(c)，圖8之「重心移動」)。於實施例8～10中，主圖案之重心位置向擴展邊側移動。 再者，主圖案之尺寸擴展方法亦可為圖示之態樣以外之擴展方法。例如，亦可使正方形之主圖案之相鄰之2邊分別向遮光部側後退。 主圖案之尺寸擴展係可藉由使用雷射CVD裝置之雷射熔斷、或使用FIB裝置之離子束蝕刻，將位於主圖案之一邊之遮光膜之邊緣部分去除特定尺寸量而進行。
針對如此實施修正後之光罩I，藉由模擬而推算DOF、EL。於圖8中表示該推算結果。再者，假定根據輔助圖案中產生缺損之分區之位置而光強度之空間圖像形狀變化，此處，對X方向、Y方向之DOF、及EL之值進行推算，於評估時將其中分別較小者記載於圖中。
根據圖8，於應用任一種擴展方法之情形時，藉由在上述曝光條件下實施擴展修正，均於被轉印體上獲得轉印圖像(孔圖案)，而獲得此時之DOF及EL。即，藉由擴展修正，確認到因缺陷產生而喪失之光學性能之恢復。進而，確認到，於相對於輔助圖案之喪失面積以固定之比率使主圖案之面積擴展時，DOF之恢復傾向較佳。於推算中，光罩I之輔助圖案1個分區之面積為3.5 μm2 。
圖9表示光罩之輔助圖案之中心角分區4/8缺損之情形。將對此種缺陷利用與實施例2～10同樣之方法使主圖案之面積擴展而實施擴展修正後之結果示於圖10之實施例11～19。
圖11表示光罩之輔助圖案之中心角分區5/8缺損之情形。將對此種缺陷利用與實施例2～10同樣之方法使主圖案之面積擴展而實施擴展修正後之模擬結果示於圖12之實施例20～28。
當成為於輔助圖案之中心角分區2/8以上產生缺損之黑缺陷時，若於在被轉印體上未形成目標尺寸之孔圖案之狀況下，如上述般進行擴展修正，則可將喪失之光學性能至少部分地恢復，該內容根據上述而明確。即，於輔助圖案之喪失面積超過1/8時，主圖案之擴展修正對光學性能之恢復有效。 再者，於上述中，對在複數個連續之中心角分區產生黑缺陷，輔助圖案之一部分缺損之情形進行了說明。另一方面，亦假定於複數個中心角分區且處於不連續之位置之部分產生黑缺陷。因此，關於不連續之各種缺陷位置之情形，亦對形成於被轉印體上之光強度分佈之變化與相對於其之主圖案之擴展修正之效果進行光學模擬。其結果，亦會因不連續之缺陷而導致使主圖案之透過光所形成之光強度分佈增加之輔助圖案之功能喪失一部分的傾向與上述連續之情形大致相同，又，藉由上述主圖案之擴展修正，同樣確認到降低之功能之恢復。
主圖案之擴展修正時之擴展方向可為四方、2個方向、1個方向之任一者。但，主圖案之擴展修正較佳為於主圖案之外緣之任一部分均不與殘存之輔助圖案接觸之範圍進行。 又，根據本發明者等人之研究，因黑缺陷之產生而被轉印體上之光強度分佈之峰降低，該降低傾向與因黑缺陷而喪失之輔助圖案面積實質上成比例。此處，藉由進行主圖案之擴展修正，而降低之光強度之峰位置朝向恢復方向。但，較佳為於不超過於無缺陷之情形時所獲得之光強度之峰高(參考)之範圍進行擴展修正。藉此，可避免EL明顯降低。 又，根據圖8、圖10、圖12之結果，主圖案之擴展面積(增加面積)S2相對於喪失之輔助圖案之面積S1的比率(S2/S1)較佳為大於零且5%以下，尤其於設為2.5%～5%時，同時確認到DOF與EL之恢復效果。之後，比率(S2/S1)以百分率(100×S2/S1)記載。
若著眼於DOF，於2～5個分區之輔助圖案缺損之各實施例群中進行評估，則比率S2/S1為4.3～4.6%時有利。若著眼於EL，於上述各缺損之實施例群中進行評估，則比率S2/S1為2.5～4.1%時有利。又，若重視DOF與EL之平衡，於上述各缺損之實施例群中進行評估，則比率S2/S1為3.4～4.1%時有利。
因此，可認為於比率S2/S1為3.4～4.6%時，可獲得重視DOF之較佳之轉印性。
又，可知本發明之修正方法於輔助圖案之缺損以中心角分區計為4/8以下時，更有效地發揮作用。
此處，藉由主圖案之尺寸擴展面積，而進行DOF或EL之恢復，另一方面，未觀察到主圖案之擴展方法與DOF、EL之恢復有較強之關聯。即，認為根據輔助圖案之缺損面積，有損該區域之透過光之貢獻(與主圖案之透過光之光之干涉)，另一方面，根據主圖案之擴展修正之面積，產生轉印性能之恢復，兩者之面積有關聯。尤其，於直徑W1(μm)為曝光裝置之解像極限以下之情形時(例如W1≦3)，較之主圖案之形狀，藉由光之透過面積而控制轉印性能。
因此，擴展修正後之主圖案之形狀既可為正方形，亦可為長方形，由於根據擴展尺寸，有主圖案與輔助圖案接觸而兩者之間難以維持適當之尺寸之遮光部之情形，故而較佳為正方形。於不易產生主圖案與輔助圖案之接觸之情形時(例如，於擴展方向之輔助圖案缺損之情形時)，擴展修正後之主圖案之形狀亦可為長方形。 再者，上述缺陷修正法2之說明係關於圖1(b)所示之光罩I進行，但關於圖1(c)之光罩亦可同樣地應用。於該情形時，在應於透明基板具有刻蝕部分之輔助圖案產生存在遮光膜或異物而成之黑缺陷、或者由於對因刻蝕不足而產生之白缺陷形成遮光性之補充膜而產生之黑缺陷時，可對主圖案應用上述擴展修正而謀求轉印性能之恢復。
本發明包含具有以下特徵之光罩。
一種光罩，其係於透明基板上形成有轉印用圖案者，上述轉印用圖案具有包含透光部之直徑W1之主圖案、及配置於上述主圖案之附近且具有不被曝光裝置解像之寬度d(μm)之輔助圖案。於主圖案為孔圖案，尤其孤立孔圖案時，明顯獲得本發明之效果。
上述轉印用圖案還包含構成將上述主圖案與輔助圖案除外之區域之遮光部，上述遮光部係於上述透明基板上至少形成遮光膜而成。
上述輔助圖案配置於將上述主圖案之周圍介隔上述遮光部而包圍之多邊形帶之區域內，且包括相位偏移部，該相位偏移部係於上述透明基板上形成具有使曝光之光之代表波長之光相位偏移大致180度之相位特性並且具有相對於上述代表波長之光之透過率T(%)的半透光膜而成，於上述多邊形帶之面積之1/8以下之區域，形成有上述遮光膜或遮光性之補充膜。 或者，上述輔助圖案配置於將上述主圖案之周圍介隔上述遮光部而包圍之多邊形帶之區域內，藉由將上述透明基板表面刻蝕至特定深度，而具有使輔助圖案之透過光與主圖案之透過光之間具有大致180度之相位差之相位偏移部，且於上述多邊形帶之面積之1/8以下之區域，形成有上述遮光膜或遮光性之補充膜。
上述光罩包含對上述光罩I實施了本發明之修正之光罩，其構成於俯視時，例示為圖5(d)所示之實施例1之光罩、或圖6(b)所示之光罩。
又，本發明包含以下構成之光罩。
一種光罩，其係於透明基板上形成轉印用圖案者，上述轉印用圖案具有包含透光部之直徑W1之主圖案、及配置於上述主圖案之附近且具有不被曝光裝置解像之寬度d(μm)之輔助圖案。
上述轉印用圖案還包含遮光部，該遮光部處於將上述主圖案與上述輔助圖案除外之區域，且包圍上述主圖案及上述輔助圖案，上述遮光部係於上述透明基板上形成遮光膜而成。
上述輔助圖案配置於將上述主圖案之周圍介隔上述遮光部而包圍之多邊形帶之區域內，且包括相位偏移部，該相位偏移部係於上述透明基板上形成具有使曝光之光之代表波長之光相位偏移大致180度之相位特性並且具有相對於上述代表波長之光之透過率T(%)的半透光膜而成，於上述多邊形帶之區域內，形成有上述遮光膜或遮光性之補充膜，且於上述主圖案之周緣之至少一部分，具有將上述遮光膜去除特定寬度而成之雷射熔斷剖面或離子束蝕刻剖面。 或者，上述輔助圖案配置於將上述主圖案之周圍介隔上述遮光部而包圍之多邊形帶之區域內，藉由將上述透明基板表面刻蝕至特定深度，而具有使輔助圖案之透過光與主圖案之透過光之間具有大致180度之相位差之相位偏移部，於上述多邊形帶之區域內，形成有上述遮光膜或遮光性之補充膜，且於上述主圖案之周緣之至少一部分，具有將上述遮光膜去除特定寬度而成之雷射熔斷剖面或離子束蝕刻剖面。
所謂雷射熔斷剖面，係指藉由雷射熔斷將遮光膜或補充膜之一部分去除時，形成於其邊緣之剖面。又，所謂離子束蝕刻剖面，係指藉由聚焦離子束(Focused Ion beam)將遮光膜或補充膜之一部分去除時，形成於其邊緣之剖面。此種圖案邊緣係表現與正常圖案所具有之遮光膜之邊緣(藉由濕式蝕刻而形成之邊緣)不同之剖面狀態且藉由修正裝置而形成之邊緣。
上述光罩包含對上述光罩I實施了本發明之修正之光罩，其構成於俯視時，例示為圖7(a)～(c)所示之光罩。 本發明之光罩可係對圖1(b)所示之光罩I、或圖1(c)所示之變化例之光罩實施了修正之結果，同時具有實施了擴展修正之轉印用圖案與正常之轉印用圖案者。此時，實施了修正之轉印用圖案之主圖案與正常之轉印用圖案之主圖案可使形狀(例如直徑、縱橫比)不同，且前者之面積較後者之面積大。
又，本發明包括包含上述修正方法之光罩之製造方法。
於上述光罩I之製造方法中，於所形成之半透光部產生缺陷時，可應用本發明之修正方法。於該情形時，例如，於圖14(f)所示之第2光阻劑剝離步驟之後，設置缺陷檢查步驟、及修正步驟，於該修正步驟中應用本發明之修正方法即可。
本發明包括包含對上述本發明之光罩藉由曝光裝置進行曝光而將上述轉印用圖案轉印至被轉印體上之步驟的顯示裝置之製造方法。
本發明之顯示裝置之製造方法中，首先，準備上述本態樣之光罩。其次，將上述轉印用圖案曝光，於被轉印體上形成直徑W2為0.6～3.0 μm之孔圖案。
作為所使用之曝光裝置，為進行等倍之投影曝光之方式，且較佳為以下者。即，為作為FPD(Flat Panel Display，平板顯示器)用而使用之曝光裝置，其構成係光學系統之數值孔徑(NA)為0.08～0.15(同調因子σ為0.4～0.9)，且具有包含i光線、h光線及g光線之至少一者之曝光之光之光源。但，於如數值孔徑NA為0.10～0.20般之曝光裝置中，當然亦能夠應用本發明而獲得發明之效果。
又，所使用之曝光裝置之光源亦可使用變形照明(此處，係指將相對於光罩垂直入射之光成分遮蔽之光源，包含環形照明等斜入射光源)，但藉由非變形照明可獲得本發明之優異之效果。
應用本發明之光罩之用途並不特別限制。本發明之光罩可設為於製造包含液晶顯示裝置或EL顯示裝置等之顯示裝置時可較佳地使用之透過型光罩。 又，於本說明書中，所謂顯示裝置，包括用以構成顯示裝置之顯示裝置用元件。
根據使用透過光之相位反轉之輔助圖案之本發明之光罩，可控制透過主圖案與輔助圖案之兩者之曝光之光的相互干涉，大幅度地改善透過光所形成之空間圖像之分佈。
作為有利地獲得此種作用效果之用途，為了形成液晶或EL裝置中多使用之接觸孔等孤立之孔圖案而使用本發明之光罩較為有利。作為圖案之種類，將藉由多個圖案具有固定之規則性地排列而該等相互產生光學性影響之密集(Dense)圖案、與周圍不存在此種規則性排列之圖案之孤立圖案區別稱呼之情況較多。本發明之光罩於欲在被轉印體上形成孤立圖案時可尤佳地應用。
於不損及本發明之效果之範圍，應用本發明之光罩亦可使用附加性的光學膜或功能膜。例如，為了防止遮光膜所具有之光透過率對檢查或光罩之位置偵測造成障礙之不良情況，亦可設為於轉印用圖案以外之區域形成遮光膜之構成。又，亦可於半透光膜或遮光膜之表面設置用以使繪圖光或曝光之光之反射減少之抗反射層。進而，亦可於半透光膜之背面設置抗反射層。
1‧‧‧主圖案2‧‧‧輔助圖案3‧‧‧遮光部4‧‧‧透光部5‧‧‧相位偏移部(半透光部)10‧‧‧透明基板11‧‧‧半透光膜12‧‧‧遮光膜12p‧‧‧遮光膜圖案13‧‧‧第1光阻劑膜13p‧‧‧第1光阻劑圖案14‧‧‧第2光阻劑膜14p‧‧‧第2光阻劑圖案16‧‧‧補充膜20‧‧‧刻蝕部30‧‧‧光罩基底d‧‧‧寬度FW‧‧‧白缺陷FB‧‧‧黑缺陷P‧‧‧距離W1‧‧‧直徑
圖1(a)係作為應用本發明之修正方法之一態樣之光罩(參考例1)且具有包含主圖案與配置於主圖案之附近之輔助圖案之轉印用圖案之光罩(光罩I)的俯視模式圖。 圖1(b)係圖1(a)之A-A位置之剖視模式圖。 圖1(c)係具有未形成半透光膜而於透明基板形成有刻蝕部之輔助圖案之變化例之光罩之情形時之圖1(a)之A-A位置的剖視模式圖。 圖1(d)係表示參考例2之光罩之圖案之俯視模式圖。 圖1(e)係表示參考例1及2之各轉印用圖案之性能評估之圖。 圖2(a)係光罩I之俯視模式圖，圖2(b)係於圖2(a)中之一點鏈線部分中，正焦時與25 μm及50 μm散焦時之光強度分佈曲線。 圖3(a)係表示於光罩I所具有之八邊形帶之輔助圖案之一部分產生白缺陷之情形的俯視模式圖，圖3(b)係於圖3(a)中之一點鏈線部分中，正焦時與25 μm及50 μm散焦時之光強度分佈曲線。圖3(c)係表示於光罩I所具有之八邊形帶之輔助圖案之一部分產生黑缺陷之情形的俯視模式圖，圖3(d)係於圖3(c)中之一點鏈線部分中，正焦時與25 μm及50 μm散焦時之光強度分佈曲線。 圖4係表示將光罩I所具有之八邊形帶之輔助圖案均等地劃分為中心角分區A～H之情況的俯視模式圖。 圖5(a)係與參考例1、參考例2之圖案一起將本發明之實施例1之轉印性能(DOF(Depth of Focus，焦點深度)、EL(Exposure Latitude，曝光寬容度))藉由模擬而算出之結果。圖5(b)係參考例1之正常之光罩I之俯視模式圖，圖5(c)係參考例2之二元光罩之俯視模式圖，圖5(d)係假定產生缺陷之輔助圖案之1個分區成為遮光部之情形之實施例1的俯視模式圖。 圖6(a)係表示於光罩I之輔助圖案產生白缺陷之部位之俯視模式圖，圖6(b)係表示進行於該白缺陷形成遮光性之補充膜之修正之情況的俯視模式圖。 圖7係表示於光罩之輔助圖案之2個分區(中心角分區2/8)產生黑缺陷之例的俯視模式圖，圖7(a)(兩側，實施例2～4)係表示不變更主圖案之重心位置，相對於虛線所示之原來之主圖案之輪廓，使主圖案之相互對向之2邊向遮光部側各後退相同尺寸，使主圖案之尺寸擴展之情況的俯視模式圖，圖7(b)(4邊，實施例5～7)係表示不變更主圖案之重心位置，相對於虛線所示之原來之主圖案之輪廓，使主圖案之4邊向遮光部側各後退相同尺寸，使主圖案之尺寸擴展之情況的俯視模式圖，圖7(c)(重心移動，實施例8～10)係表示相對於虛線所示之原來之主圖案之輪廓，使主圖案之1邊向遮光部側後退，使主圖案之尺寸擴展之情況的俯視模式圖。 圖8係表示對如圖7(a)～(c)所示般實施修正後之光罩I藉由模擬求出DOF、EL之結果的圖。 圖9係表示於光罩I中4個分區(中心角分區4/8)之輔助圖案缺損而成為黑缺陷之情形之俯視模式圖。 圖10係表示對圖9所示之光罩I，利用與圖7(a)～(c)(實施例2～10)相同之方法使主圖案之面積擴展，藉由模擬求出DOF、EL之結果的圖。 圖11係表示於光罩I中5個分區(中心角分區5/8)之輔助圖案缺損而成為黑缺陷之情形之俯視模式圖。 圖12係表示對圖11所示之光罩I，利用與圖7(a)～(c)(實施例2～10)相同之方法使主圖案之面積擴展，藉由模擬求出DOF、EL之結果的圖。 圖13(a)～(e)係例示輔助圖案與主圖案之組合之變化之俯視模式圖。 圖14(a)～(f)係表示光罩I之製造方法之一例之剖視模式圖。

Claims (34)

  1. 一種光罩之修正方法，其特徵在於，其係具備形成於透明基板上之轉印用圖案之光罩之修正方法，且上述轉印用圖案包含：直徑W1(μm)之主圖案，其包含透光部；輔助圖案，其配置於上述主圖案之附近，且具有不被曝光裝置解像之寬度d(μm)；及遮光部，其構成將上述主圖案與上述輔助圖案除外之區域；上述遮光部係於上述透明基板上至少形成遮光膜而成，上述輔助圖案具有相對於曝光之光之代表波長之光的透過率T(%)，並且將上述主圖案之周圍介隔上述遮光部而包圍，上述輔助圖案之透過光係相對於上述主圖案之透過光，相對於上述代表波長之光之相位差為大致180度，於上述輔助圖案產生白缺陷時，進行於上述白缺陷部分形成包含與上述遮光膜不同之材料之遮光性之補充膜的補充膜修正，上述補充膜修正係使因產生上述白缺陷而降低之上述轉印用圖案之光學性能至少一部分恢復者。
  2. 如請求項1之光罩之修正方法，其中上述白缺陷為上述輔助圖案之面積之1/8以下。
  3. 如請求項1之光罩之修正方法，其中上述光學性能包含上述轉印用圖 案之透過光於被轉印體上形成之光強度分佈中之峰高、焦點深度、及曝光裕度之任一者。
  4. 如請求項1之光罩之修正方法，其中上述輔助圖案係於上述透明基板上形成具有相對於上述代表波長之光之透過率T(%)並且具有使上述代表波長之光偏移大致180度之相位特性之半透光膜而成。
  5. 一種光罩之修正方法，其特徵在於，其係具備形成於透明基板上之轉印用圖案之光罩之修正方法，且上述轉印用圖案包含：直徑W1(μm)之主圖案，其包含透光部；輔助圖案，其配置於上述主圖案之附近，且具有不被曝光裝置解像之寬度d(μm)；及遮光部，其構成將上述主圖案與上述輔助圖案除外之區域；上述遮光部係於上述透明基板上至少形成遮光膜而成，上述輔助圖案具有相對於曝光之光之代表波長之光的透過率T(%)，並且將上述主圖案之周圍介隔上述遮光部而包圍，上述輔助圖案之透過光相對於上述主圖案之透過光，相對於上述代表波長之光之相位差為大致180度，於上述輔助圖案產生黑缺陷時，進行將上述主圖案之寬度擴展之擴展修正。
  6. 如請求項5之光罩之修正方法，其中上述擴展修正係使因產生上述黑 缺陷而降低之上述轉印用圖案之光學性能至少一部分恢復者。
  7. 如請求項6之光罩之修正方法，其中上述光學性能包含上述轉印用圖案之透過光於被轉印體上形成之光強度分佈之峰高、焦點深度、及曝光裕度之任一者。
  8. 如請求項5至7中任一項之光罩之修正方法，其中上述黑缺陷超過上述輔助圖案之面積之1/8。
  9. 如請求項5至7中任一項之光罩之修正方法，其中上述輔助圖案係於上述透明基板上形成具有相對於上述代表波長之光之透過率T(%)並且具有使上述代表波長之光偏移大致180度之相位特性之半透光膜而成。
  10. 如請求項5至7中任一項之光罩之修正方法，其中上述黑缺陷係因於上述輔助圖案中產生之白缺陷部分形成遮光性之補充膜而產生之黑缺陷。
  11. 如請求項5至7中任一項之光罩之修正方法，其中藉由上述擴展修正而增加之主圖案之面積為因上述黑缺陷而喪失之輔助圖案之面積S1的5%以下。
  12. 如請求項5至7中任一項之光罩之修正方法，其中上述擴展修正係使正方形之主圖案之4邊中至少1條邊向遮光部側後退而進行。
  13. 如請求項5至7中任一項之光罩之修正方法，其中上述擴展修正係將遮光膜之邊緣藉由雷射熔斷或離子束蝕刻去除而進行。
  14. 如請求項1至7中任一項之光罩之修正方法，其中上述輔助圖案配置於上述主圖案之附近，藉由利用透過上述輔助圖案之光使透過上述主圖案之上述曝光之光於被轉印體上形成之光強度分佈變化，而使焦點深度增加。
  15. 如請求項1至7中任一項之光罩之修正方法，其中上述轉印用圖案滿足下述式(1)，0.8≦W1≦4.0‧‧‧(1)。
  16. 如請求項1至7中任一項之光罩之修正方法，其中上述轉印用圖案滿足下述式(2)，
    Figure 107129618-A0305-02-0053-1
  17. 如請求項1至7中任一項之光罩之修正方法，其中上述轉印用圖案於將上述主圖案之中心與上述輔助圖案之寬度方向之中心的距離設為P(μm)時，滿足下述式(3)，1.0<P≦5.0‧‧‧(3)。
  18. 如請求項1至7中任一項之光罩之修正方法，其中上述輔助圖案之形狀為以上述主圖案之重心為中心之多邊形帶。
  19. 如請求項1至7中任一項之光罩之修正方法，其中上述轉印用圖案係於被轉印體上形成孔圖案者。
  20. 如請求項19之光罩之修正方法，其中上述孔圖案係孤立孔圖案。
  21. 一種光罩，其特徵在於，其係於透明基板上形成有轉印用圖案者，且上述轉印用圖案包含：直徑W1(μm)之主圖案，其包含透光部；輔助圖案，其配置於上述主圖案之附近，且具有不被曝光裝置解像之寬度d(μm)；及遮光部，其構成將上述主圖案與上述輔助圖案除外之區域；上述遮光部係於上述透明基板上至少形成遮光膜而成，上述輔助圖案配置於將上述主圖案之周圍介隔上述遮光部而包圍之多邊形帶之區域內，且包含相位偏移部，該相位偏移部係於上述透明基板上形成具有使曝光之光之代表波長之光相位偏移大致180度之相位特性並且具有相對於上述代表波長之光之透過率T(%)之半透光膜而成，且於上述多邊形帶之區域內，形成有包含與上述遮光膜不同之材料之遮光性之補充膜。
  22. 如請求項21之光罩，其中上述補充膜之形成係上述多邊形帶之面積之1/8以下。
  23. 如請求項21之光罩，其中於上述多邊形帶中，上述補充膜係雷射CVD膜。
  24. 一種光罩，其特徵在於，其係於透明基板上形成有轉印用圖案者，且上述轉印用圖案包含：直徑W1(μm)之主圖案，其包含透光部；輔助圖案，其配置於上述主圖案之附近，且具有不被曝光裝置解像之寬度d(μm)；及遮光部，其構成將上述主圖案與上述輔助圖案除外之區域；上述遮光部係於上述透明基板上至少形成遮光膜而成，上述輔助圖案配置於將上述主圖案之周圍介隔上述遮光部而包圍之多邊形帶之區域內，且包含相位偏移部，該相位偏移部係於上述透明基板上形成具有使曝光之光之代表波長之光相位偏移大致180度之相位特性並且具有相對於上述代表波長之光之透過率T(%)之半透光膜而成，於上述多邊形帶之區域內，形成有上述遮光膜、或包含與上述遮光膜不同之材料之遮光性之補充膜，且於上述主圖案之周緣之至少一部分，具有將上述遮光膜去除特定寬度而成之雷射熔斷剖面或離子束蝕刻剖面。
  25. 如請求項24之光罩，其中上述主圖案係長方形，且於其4邊中至少1邊具有上述雷射熔斷剖面或離子束蝕刻剖面。
  26. 如請求項24之光罩，其中上述主圖案係正方形，且於其4邊中至少2邊具有上述雷射熔斷剖面或離子束蝕刻剖面。
  27. 如請求項21至26中任一項之光罩，其中上述輔助圖案配置於上述主圖案之附近，藉由利用透過上述輔助圖案之光使透過上述主圖案之上述曝光之光於被轉印體上形成之光強度分佈變化，而使焦點深度增加。
  28. 如請求項21、22、24、25及26中任一項之光罩，其中上述轉印用圖案滿足下述式(1)，0.8≦W1≦4.0‧‧‧(1)。
  29. 如請求項21至26中任一項之光罩，其中上述轉印用圖案滿足下述式(2)，
    Figure 107129618-A0305-02-0056-2
  30. 如請求項21至26中任一項之光罩，其中上述轉印用圖案於將上述主圖案之中心與上述輔助圖案之寬度方向之中心的距離設為P(μm)時，滿足下述式(3)，1.0<P≦5.0‧‧‧(3)。
  31. 如請求項21至26中任一項之光罩，其中上述轉印用圖案係顯示裝置製造用圖案。
  32. 一種光罩之製造方法，其包含如請求項1至7中任一項之光罩之修正方法。
  33. 一種顯示裝置之製造方法，其包含如下步驟：使用如請求項21至26中任一項之光罩，將包含i光線、h光線、g光線之至少一者之曝光之光照射至上述轉印用圖案，於被轉印體上進行圖案轉印。
  34. 一種顯示裝置之製造方法，其包含如下步驟：使用藉由如請求項32之製造方法所製造之光罩，將包含i光線、h光線、g光線之至少一者之曝光之光照射至上述轉印用圖案，於被轉印體上進行圖案轉印。
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