JP2019045749A - 光回路 - Google Patents
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Abstract
Description
A. Mekis, S. Gloeckner, G. Masini, A. Narasimha, T. Pinguet, S. Sahni and P. D. Dobbelaere,"A Grating-Coupler-Enabled CMOS Photonics Platform,"IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics,2011年, vol.17,no.3,pp.597-608
図2は、本発明の第1の実施形態の光回路の構成を示す図である。図2の光回路100は、通常使用状態で動作させる、目的の光回路としてのIQ変調器17と、検査用光回路とを含み、絶縁体上のシリコン層を含む基板10上に作製されている。通常、基板材料はSiであって、Si基板、絶縁層(SiO2)、Si層がこの順に積層されたSOI(Silicon On Insulator)基板上に、シリコンフォトニクス技術を使って、以下の光回路の構成要素が作製される。
図6は、本発明の第2の実施形態に係る光回路の構成を示す図である。図6の光回路300は、通常使用状態で動作させる、目的の光回路としてのIQ変調器36、および、検査用光回路を含み、絶縁体上のシリコン層を含む基板30上に作製されている。IQ変調器36は、光入出力ポート31aと、光入出力ポート31aに光学的に接続された2×2光カプラ32aと、2×2光カプラ32aの2つの出力にそれぞれ光学的に接続された2つのマッハツェンダ変調器33a、33bと、マッハツェンダ変調器33a、33bに光学的に接続された2×2光カプラ32bと、2×2光カプラ32bに光学的に接続された光入出力ポート31bを備えている。IQ変調器36は、光回路300における検査の対象である被測定光回路である。IQ変調器36を通常使用状態で動作させるときには、光入出力ポート31a、31bの端部(端面)は、それぞれ光ファイバに接続される。図6の光回路300は、ウェハ上で複数個が作製される光回路の1つの領域を示しており、別個のチップに切り離されれば、光入出力ポート31a、31bの端部は、基板30の端面となる。本実施形態の光回路300も、目的の光回路として通常使用状態で動作させるときに基板端面で光ファイバと結合される光回路(IQ変調器36)に加えて、ウェハレベルで光回路の特性値の測定や機能の検査が可能な検査用光回路を備える。
2a、2b 光機能回路
3a、3b、5a、5b、14、34a、34b グレーティングカプラ
4a、4b グレーティングカプラ
9、10、23、30 基板
12a、12b、32a、32b、50a、50b 光カプラ
13a、13b、33a、33b マッハツェンダ変調器
15、15−1,15−2、35a、35b 損失付与手段
17、36 IQ変調器
21 シリコン光導波路
22、40、44 クラッド層
24 小曲げの光導波路
41 シリコンリブ導波路
45a、45b メタルビア
100、300、500、600 光回路
Claims (8)
- 基板上の絶縁体上のシリコン層に形成された光回路において、
光ファイバと端面接続が可能な1以上の光入出力ポートと、
複数の入力を有し、前記1以上の光入出力ポートに入力された光から生じた光を結合する第1の光カプラと、
複数の出力を有し、前記第1の光カプラから生じた光を結合する第2の光カプラと、
前記第1の光カプラの前記複数の入力の内の少なくとも1つの入力に、一端が光学的に接続された損失付与手段と、
前記損失付与手段の他端に光学的に接続され、前記基板の略垂直方向から光を入力可能なグレーティングカプラと、
前記第2の光カプラの前記複数の出力の内の少なくとも1つの出力に光学的に接続された光検出手段と
を備えたことを特徴とする光回路。 - 前記損失付与手段は、3dB以上の損失を与えることを特徴とする請求項1に記載の光回路。
- 前記光検出手段は、前記基板上に形成された光受光器であることを特徴とする請求項1または2に記載の光回路。
- 前記光検出手段は、
少なくとも3dB以上の損失を付与できる第2の損失付与手段と、
前記第2の損失付与手段に光学的に接続された第2のグレーティングカプラと
を含むことを特徴とする請求項1または2に記載の光回路。 - 前記損失付与手段は、
イオン添加されたシリコン導波路、または、
曲げ半径10μm以下の曲げ導波路のいずれかであることを特徴とする請求項1乃至4いずれかに記載の光回路。 - 前記損失付与手段は、付与する損失量を変えることができることを特徴とする請求項1乃至4いずれかに記載の光回路。
- 前記損失付与手段は、
前記グレーティングカプラから試験光が入力され、前記光検出手段によって前記試験光を検出するときの第1の損失量、または
前記光回路の所定の機能で動作させるときの、前記第1の損失量よりも大きい第2の損失量
のいずれかに設定されることを特徴とする請求項6に記載の光回路。 - 前記損失付与手段は、光導波路型マッハツェンダ干渉計またはPN接合型光減衰器のいずれかであることを特徴とする請求項6または7に光回路光回路。
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