JP7143948B2 - 光検査回路および光検査方法 - Google Patents
光検査回路および光検査方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7143948B2 JP7143948B2 JP2021520009A JP2021520009A JP7143948B2 JP 7143948 B2 JP7143948 B2 JP 7143948B2 JP 2021520009 A JP2021520009 A JP 2021520009A JP 2021520009 A JP2021520009 A JP 2021520009A JP 7143948 B2 JP7143948 B2 JP 7143948B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical
- photodiode
- optical waveguide
- modulator
- optical modulator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 223
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims description 52
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 21
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 claims description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000007736 thin film deposition technique Methods 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/015—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction
- G02F1/025—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction in an optical waveguide structure
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01M—TESTING STATIC OR DYNAMIC BALANCE OF MACHINES OR STRUCTURES; TESTING OF STRUCTURES OR APPARATUS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01M11/00—Testing of optical apparatus; Testing structures by optical methods not otherwise provided for
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01M—TESTING STATIC OR DYNAMIC BALANCE OF MACHINES OR STRUCTURES; TESTING OF STRUCTURES OR APPARATUS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01M11/00—Testing of optical apparatus; Testing structures by optical methods not otherwise provided for
- G01M11/30—Testing of optical devices, constituted by fibre optics or optical waveguides
- G01M11/33—Testing of optical devices, constituted by fibre optics or optical waveguides with a light emitter being disposed at one fibre or waveguide end-face, and a light receiver at the other end-face
- G01M11/333—Testing of optical devices, constituted by fibre optics or optical waveguides with a light emitter being disposed at one fibre or waveguide end-face, and a light receiver at the other end-face using modulated input signals
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
- Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)
Description
Claims (6)
- 基板の上に形成された光導波路から構成され、前記光導波路は半導体からなるコアを有する光変調器と、
前記半導体からなるコアを有する光導波路から構成されて、前記光変調器に光学的接続する第1光導波路と、
前記半導体からなるコアを有する光導波路から構成されて、前記光変調器に光学的接続する第2光導波路と、
前記光変調器の近傍の前記基板の上に形成されたフォトダイオードと、
前記光変調器と前記フォトダイオードとを電気的に接続する配線と、
前記半導体からなるコアを有する光導波路から構成されて、前記フォトダイオードに光学的接続する第3光導波路と
を備え、
前記第3光導波路を介して前記フォトダイオードで受光された変調光が、前記フォトダイオードにより変調電気信号に光電変換され、前記配線を介して前記光変調器に出力され、
前記第1光導波路を介して前記光変調器に入力した連続光が、前記光変調器で変調されて前記第2光導波路から出力されて評価される光検査回路。 - 請求項1記載の光検査回路において、
前記光変調器が複数形成され、
前記配線は、前記複数の光変調器の各々と、前記フォトダイオードとを接続する
ことを特徴とする光検査回路。 - 請求項1または2記載の光検査回路において、
前記フォトダイオードが複数形成され、
前記配線は、前記光変調器と、前記複数のフォトダイオードの各々とを接続する
ことを特徴とする光検査回路。 - 請求項1~3のいずれか1項に記載の光検査回路において、
入力される信号光を、前記第1光導波路と前記第3光導波路とに分配する光分配器をさらに備えることを特徴とする光検査回路。 - 請求項1~4のいずれか1項に記載の光検査回路において、
前記半導体は、シリコンであり、
前記フォトダイオードは、ゲルマニウムフォトダイオードである
ことを特徴とする光検査回路。 - 基板の上に形成された光導波路から構成され、前記光導波路は半導体からなるコアを有する光変調器に、連続光を入射する第1ステップと、
前記光変調器の近傍の前記基板の上に形成されて前記光変調器と電気的に接続するフォトダイオードに、変調した信号光を入射する第2ステップと、
変調した信号光を入射した前記フォトダイオードにより変調電気信号に光電変換されて配線を介して受け付けた変調電気信号で、入力した前記連続光を変調した前記光変調器より出力される変調光を評価する第3ステップと
を備える光検査方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2019/020473 WO2020235083A1 (ja) | 2019-05-23 | 2019-05-23 | 光検査回路および光検査方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2020235083A1 JPWO2020235083A1 (ja) | 2020-11-26 |
JP7143948B2 true JP7143948B2 (ja) | 2022-09-29 |
Family
ID=73458425
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021520009A Active JP7143948B2 (ja) | 2019-05-23 | 2019-05-23 | 光検査回路および光検査方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220229317A1 (ja) |
JP (1) | JP7143948B2 (ja) |
WO (1) | WO2020235083A1 (ja) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014034238A1 (ja) | 2012-08-29 | 2014-03-06 | 日本電気株式会社 | 光集積回路、および光集積回路における光デバイスの検査方法 |
JP2015191068A (ja) | 2014-03-27 | 2015-11-02 | 日本電気株式会社 | 光変調器の出力モニター方法および出力モニター装置 |
CN106411399A (zh) | 2016-08-31 | 2017-02-15 | 武汉光迅科技股份有限公司 | 双并联mzi型电光调制器光学损耗的自动测试方法与装置 |
JP2019045749A (ja) | 2017-09-05 | 2019-03-22 | 日本電信電話株式会社 | 光回路 |
JP2019096763A (ja) | 2017-11-24 | 2019-06-20 | 日本電信電話株式会社 | 光特性検査用回路 |
-
2019
- 2019-05-23 WO PCT/JP2019/020473 patent/WO2020235083A1/ja active Application Filing
- 2019-05-23 US US17/609,092 patent/US20220229317A1/en active Pending
- 2019-05-23 JP JP2021520009A patent/JP7143948B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014034238A1 (ja) | 2012-08-29 | 2014-03-06 | 日本電気株式会社 | 光集積回路、および光集積回路における光デバイスの検査方法 |
JP2015191068A (ja) | 2014-03-27 | 2015-11-02 | 日本電気株式会社 | 光変調器の出力モニター方法および出力モニター装置 |
CN106411399A (zh) | 2016-08-31 | 2017-02-15 | 武汉光迅科技股份有限公司 | 双并联mzi型电光调制器光学损耗的自动测试方法与装置 |
JP2019045749A (ja) | 2017-09-05 | 2019-03-22 | 日本電信電話株式会社 | 光回路 |
JP2019096763A (ja) | 2017-11-24 | 2019-06-20 | 日本電信電話株式会社 | 光特性検査用回路 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2020235083A1 (ja) | 2020-11-26 |
JPWO2020235083A1 (ja) | 2020-11-26 |
US20220229317A1 (en) | 2022-07-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7202312B2 (ja) | ウエハのプローブおよび検査を可能にするシリコンフォトニクス構造 | |
US10145758B2 (en) | Wafer level optical probing structures for silicon photonics | |
Xu et al. | Demonstration and characterization of high-speed silicon depletion-mode Mach–Zehnder modulators | |
US10938481B2 (en) | Optical transceiver, optical transceiver module using the same, and test method for optical transceiver | |
JP6060979B2 (ja) | 光配線チップとその検査方法、および光受信器 | |
Liu et al. | Wavelength division multiplexing based photonic integrated circuits on silicon-on-insulator platform | |
US20100040322A1 (en) | Integrated electro-optic device and method of making | |
US11415752B2 (en) | Optical inspection circuit | |
CN107884876B (zh) | 一种基于波导光栅耦合器的光偏振态检测芯片 | |
Streshinsky et al. | Silicon parallel single mode 48× 50 gb/s modulator and photodetector array | |
JP7451376B2 (ja) | フォトニック回路製造における損失モニタリング | |
JP7143948B2 (ja) | 光検査回路および光検査方法 | |
US10921370B2 (en) | Optoelectronic chip and method for testing photonic circuits of such chip | |
JP6915508B2 (ja) | 光回路の検査方法 | |
US20230063481A1 (en) | Intelligent Wafer-Level Testing of Photonic Devices | |
US11815422B2 (en) | Optical test circuit | |
Bœuf et al. | Silicon photonics research and manufacturing using a 300-mm wafer platform | |
JP2018101004A (ja) | 光分岐導波路及び光モジュール | |
CN220673766U (zh) | 测量马赫-曾德尔调制器行进波的光电特性的装置 | |
Bernabé et al. | Packaging of photonic integrated circuit based high-speed coherent transmitter module | |
WO2023243019A1 (ja) | 光半導体集積回路 | |
US11837509B1 (en) | Method of manufacturing and packaging silicon photonics integrated circuit dies in wafer form | |
Fu et al. | Carrier Depletion High-Speed Tunable Dual-Mode Converter for Mode-Division Multiplexing Networks |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210907 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220517 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220617 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220816 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220829 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7143948 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |