WO2014034238A1 - 光集積回路、および光集積回路における光デバイスの検査方法 - Google Patents

光集積回路、および光集積回路における光デバイスの検査方法 Download PDF

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大典 岡本
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日本電気株式会社
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    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01M—TESTING STATIC OR DYNAMIC BALANCE OF MACHINES OR STRUCTURES; TESTING OF STRUCTURES OR APPARATUS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01M11/00—Testing of optical apparatus; Testing structures by optical methods not otherwise provided for
    • G01M11/02—Testing optical properties
    • G01M11/0207—Details of measuring devices

Definitions

  • the present invention relates to an optical integrated circuit used in an optical communication system and an optical information processing system, and an optical device inspection method in the optical integrated circuit.
  • An optical integrated circuit used in an optical communication system or an optical information processing system has, for example, an optical waveguide provided with a core layer and a cladding layer made of a silicon-based material on a silicon substrate, as described in Patent Document 1. It is being provided with high performance and low cost using a method for manufacturing such an optical integrated circuit.
  • Non-Patent Document 1 discloses an optical coupler that uses a diffraction grating (grating) and makes light from an optical fiber incident from the wafer surface and coupled to an optical waveguide. As a result of using this optical coupler, inspection in a wafer state is possible before dicing.
  • grating diffraction grating
  • optical integrated circuit in a wafer state, it is necessary to inspect characteristics of many optical devices. Since the optical integrated circuit is formed with a high density, a high alignment accuracy is required to couple the optical fiber to the optical waveguide of the optical integrated circuit via an optical coupler during inspection.
  • Optical device characteristic inspection involves coupling an optical fiber to the optical waveguide provided with the optical device via an optical coupler, inputting inspection light from the optical fiber to the optical waveguide, and monitoring the output light. Do. For this reason, if it is going to test
  • an object of the present invention is to provide an optical integrated circuit capable of simply and surely performing characteristic inspection of a large number of optical devices in a wafer state, and an optical device inspection method in the optical integrated circuit. is there.
  • the optical integrated circuit of the present invention propagates in the optical coupler in which light is incident from the surface of the semiconductor substrate, the optical waveguide that propagates the inspection light incident on the optical coupler, and the optical waveguide.
  • An optical distributor that distributes the inspection light to a plurality of optical waveguides; and an optical device that is connected to each of the plurality of optical waveguides distributed using the optical distributor.
  • the present invention is also a method for inspecting the optical device in the optical integrated circuit as described above, wherein the inspection light is incident from the optical coupler, and each of the plurality of optical waveguides is made using the optical distributor. And the optical characteristics of the optical device are evaluated based on output light obtained by the distributed inspection light passing through the optical device.
  • light incident from one optical coupler is distributed to a plurality of optical waveguides each provided with an optical device, so that characteristic inspection of a large number of optical devices can be easily and reliably performed in a wafer state. It becomes possible.
  • FIG. 1 schematically shows an example of an inspection circuit 10 ⁇ / b> A formed on a wafer (semiconductor substrate) 100.
  • a plurality of optical devices 20 in each optical integrated circuit C and inspection light are incident on each optical device 20 on the wafer 100 on which the plurality of optical integrated circuits C are formed.
  • the inspection circuit 10A for inspecting the optical characteristics is formed.
  • the inspection circuit 10 ⁇ / b> A includes an optical coupler 11 provided on the wafer 100, an optical distributor 12 that distributes light, and an optical waveguide 13.
  • the wafer 100 is made of a semiconductor substrate material, and its specific material is not particularly limited, and may be silicon or a compound semiconductor.
  • the optical coupler 11 has a function of coupling the inspection light S 1 incident from the surface of the wafer 100 to the optical waveguide 13 A connected to the optical coupler 11.
  • the optical coupler 11 can be configured using, for example, a diffraction grating, a 45-degree mirror, or the like.
  • a diffraction grating for the optical coupler 11 that can be manufactured by a general semiconductor process and can flexibly design a wavelength band, an incident angle of light, and the like.
  • the wavelength band of the inspection light S1 input from the optical coupler 11 is not particularly limited, and an optimal one can be used as appropriate in consideration of the substrate material, the manufacturing process, and the like.
  • the light distributor 12 distributes the light propagated through the optical waveguide 13 to a plurality of optical waveguides 13.
  • the optical distributor 12 distributes the light propagated through the one optical waveguide 13 to the two optical waveguides 13.
  • the two optical waveguides 13B are connected to the optical distributor 12 connected to the optical coupler 11 through the optical waveguide 13A, and the optical distributors are respectively connected to the two optical waveguides 13B and 13B.
  • 12 are provided and distributed to the two optical waveguides 13C and 13C, respectively.
  • Each of the optical waveguides 13 ⁇ / b> C branched into four systems in this way is connected to the input port of the optical device 20.
  • a distribution coupler having a Y-shaped branch structure or the like may be used, or a multimode interferometer may be used.
  • An optical switch may be used as the optical distributor 12. In this case, the optical switch is switched, light is alternately supplied to the optical waveguides 13 of a plurality of systems, and the light is distributed in a time division manner. The optical switch can select the optical waveguide 13 to which light is supplied in accordance with electrical control.
  • a distribution coupler or the like is used for the optical distributor 12, the light is simultaneously distributed to a plurality of optical waveguides 13, so that in the individual optical waveguides 13 to be supplied, the light energy is reduced due to the division.
  • the light is supplied to the optical waveguide 13 as a distribution destination in a time division manner, so that the light is not attenuated for distribution, and the inspection light is not attenuated. Energy can be increased. Therefore, the energy of the inspection light S1 can be small (the output of the light source can be small).
  • the path from the optical coupler 11 to each optical device 20 is divided into four paths L1 to L4.
  • these four paths L1 to L4 are formed so that the path lengths from the optical coupler 11 to the optical device 20 are equal.
  • the two optical waveguides 13B and 13B between the first-stage optical distributor 12 and the second-stage optical distributor 12 as viewed from the optical coupler 11 are made equal in length, and The four optical waveguides 13C, 13C,... Between the two optical distributors 12 at the stage and the respective optical devices 20 have the same length.
  • the inspection light S1 incident on the optical coupler 11 from the surface of the wafer 100 using an optical fiber or the like is propagated through the optical waveguide 13 and uses the optical distributors 12, 12,.
  • the optical distributors 12, 12, are distributed to a plurality of systems and reach each optical device 20.
  • various optical characteristics of the optical device 20 can be inspected. For example, when the optical device 20 is an optical modulator, it is possible to inspect loss, extinction ratio, frequency characteristics, and the like.
  • a light receiving element is provided on the same wafer 100 where the optical device 20 is provided, and this light is converted into an electrical signal and monitored using this electrical signal. Is also possible.
  • a diffraction grating or the like can be provided on the rear side of the optical device 20, and the light passing through the optical device 20 can be emitted from the surface of the wafer 100 to the outside and coupled to an optical fiber or the like to monitor this light. .
  • the characteristic inspection of the plurality of optical devices 20 can be performed only by inputting the inspection light S ⁇ b> 1 to one optical coupler 11. Therefore, inspection of a large number of optical devices 20 can be performed easily and efficiently on the wafer 100.
  • the inspection light S1 is input to the four optical devices 20 to be inspected simultaneously through the same optical coupler 11, it is not affected by variations in characteristics of the optical coupler 11 and is highly accurate. Detection can be performed.
  • the energy of the inspection light S1 is equally distributed to each optical device 20. Thereby, a highly accurate comparison using the absolute value of the detection result is possible between the optical devices 20. Then, the energy distribution of the output light S2 output from each optical device 20 is measured, a deviation from the average value of the distribution is obtained for each optical device 20, and when the obtained deviation exceeds a preset deviation. It is also possible to detect that the optical device 20 is abnormal.
  • the optical distributor 12 is arranged in two stages in series. However, the optical distributor 12 may be arranged in only one stage or in three or more stages. Further, the number of systems distributed by the optical distributor 12 is not limited to two, and may be three or more. Therefore, for example, if the number of stages of the optical distributor 12 is increased and the number of distribution in each optical distributor 12 is increased, the number of systems that can be distributed from one optical coupler 11 can be greatly increased.
  • each optical device passes from the optical coupler 11 through a plurality of stages (three stages in the present embodiment) of optical distributors 12. Paths L1 to L8 leading to 20 are of unequal length. In the first embodiment, an example in which the paths L1 to L4 have the same length is shown.
  • FIG. 2 of the present embodiment schematically shows such a case.
  • FIG. 3A, FIG. 3B, and FIG. 3C show the relationship between the wiring length and the change in detected energy caused by the influence of loss according to the wiring length.
  • the light energy intensity in the path L1 with the longest path length and the light energy intensity in the path L8 with the shortest path length had an intermediate length.
  • the reference value of the light energy in the paths L2 to L7 is calculated (the chain line in FIGS. 3A and 3B). Then, the malfunction of the optical device 20 can be determined according to whether or not the deviation of the actual measurement value of the light energy in the paths L2 to L7 from the reference value is greater than or equal to a predetermined value.
  • the optical energy input to each optical device 20 can be made equal by adjusting the energy branching ratio in the optical distributor 12.
  • the material and dimensions of the optical waveguide 13 are appropriately selected and the propagation loss of each of the paths L1 to L8 is adjusted, the inspection light energy input to each optical device 20 can be made equal.
  • the optical waveguide 13 can be made of a material such as a polymer with low loss, SiON, SiN or the like.
  • the propagation loss can be adjusted by changing the waveguide width of the optical waveguide 13.
  • the path L2 ⁇ having an intermediate length between the intensity of light energy in the path L1 having the longest path length and the intensity of light energy in the path L8 having the shortest path length.
  • the reference value of the light energy at L7 was calculated.
  • the reference value of the optical energy in the paths having other path lengths is calculated. The measured values of these routes can also be evaluated.
  • outputs of light input from the optical coupler 11 are respectively provided for the paths L2 to L7 provided with the optical device 20 and the reference optical waveguides 30A and 30B of the paths L1 and L8.
  • the light S2 is monitored.
  • the detection values in the paths L1 and L8 are not affected by the optical device 20, and the length is known from the design value. Therefore, the loss of the optical waveguide 13 whose length is known from the design value in each of the paths L2 to L7 can be calculated based on the detected value. If the loss in the optical waveguide 13 is excluded from the detection values in the paths L2 to L7, the evaluation of the optical device 20 in the paths L2 to L7 can be performed more stably and with high accuracy.
  • the chips 200 and 200 may be divided using mechanical processing such as dicing. In this case, even if the optical waveguide 13 constituting the inspection circuit 10D is divided for dicing, no trouble occurs.
  • the inspection circuit 10D is formed across the two chips 202 and 200, but of course, the inspection circuit may be formed across the three or more chips 200.
  • the optical modulator 25 is composed of a 2 ⁇ 2 Mach-Zehnder interferometer having two ports for input and output.
  • One input port P1 of the optical modulator 25 is connected to an optical waveguide 41 through which light is transmitted from the signal transmission light source 40 constituting the optical integrated circuit C.
  • An optical fiber 43 is connected to one output port P ⁇ b> 2 of the optical modulator 25 through an optical waveguide 42.
  • the signal light S 5 input from the signal transmission light source 40 through the optical waveguide 41 is modulated, and the modulated signal light S 5 is output from the optical fiber 43 to the outside through the optical waveguide 42.
  • optical waveguide 13 distributed by using the optical distributor 12 in the inspection circuit 10E is coupled to the other input port P3 of the optical modulator 25.
  • a monitor light receiver 45 is provided on the other output port P4 of the optical modulator 25 via the optical waveguide 44.
  • the inspection light S1 coupled to the optical waveguide 13 via the optical coupler 11 of the inspection circuit 10E is distributed to each optical modulator 25 using the optical distributor 12. If the output light S2 is monitored by the monitor light receiver 45, the characteristics of each light modulator 25 can be inspected.
  • the optical modulator 25 having two ports for input and output as the optical device 20 to be inspected, the signal transmission that is the original function of the optical device 20 and the optical characteristics of the optical device 20 are improved. Both inspections can be realized on the wafer 100.
  • the inspection circuit 10F of the optical integrated circuit C in the present embodiment has a configuration that uses a wavelength multiplexing technique for the inspection light S1 in addition to the configuration of the inspection circuit 10E in the fifth embodiment. ing. That is, the optical waveguide 13 branched into a plurality through the first duplexer 18 and the second duplexer 19 is connected to the input port P3 of the optical device 20.
  • An optical waveguide 48 is branched from the optical waveguide 44 connected to the output port P4 of each optical device 20 via a duplexer 47.
  • the optical waveguide 48 merges into one optical waveguide 48 via the multiplexers 50 and 50 and is connected to the optical coupler 51.
  • the inspection light S1 on which light of a plurality of wavelengths ( ⁇ 2, ⁇ 3, ⁇ 4, ⁇ 5) different from the wavelength ( ⁇ 1) of the signal light S5 output from the signal transmission light source 40 is superimposed is the optical coupler 11.
  • the inspection light S1 is input for each wavelength using the first demultiplexer 18 and the second demultiplexer 19, and inspection light having different wavelengths ( ⁇ 2, ⁇ 3, ⁇ 4, ⁇ 5) for each optical device 20. S1 is input.
  • the light that has passed through the optical device 20 is input to the demultiplexer 47, the signal light S5 ( ⁇ 1) is branched to the monitor light receiver 45, and the output light S2 ( ⁇ 2, ⁇ 3, ⁇ 4, ⁇ 5) is the other optical waveguide 48. Fork. Thereafter, the output light S ⁇ b> 2 is multiplexed by the multiplexer 50 and output from the optical coupler 51.
  • each wavelength ( ⁇ 2, ⁇ 3, ⁇ 4, ⁇ 5) Optical characteristics of the optical device 20 corresponding to [lambda] 3, [lambda] 4, [lambda] 5) can be obtained.
  • the output light S2 from the plurality of optical devices 20 can also be output and detected from one optical coupler 51, so that a simpler inspection is possible.
  • the optical modulator 25 as the optical device 20 using the Mach-Zehnder interferometer has no wavelength dependence in principle, the wavelength ⁇ 1 of the signal light S5 and the wavelengths of the inspection light S1 ( ⁇ 2, ⁇ 3, ⁇ 4, It does not matter if ⁇ 5) is different. Further, it is possible to suppress excessive loss at the intersection between the optical waveguide 13 and the optical waveguide 48 by using multilayer wiring or the like.
  • the inspection circuit 10G of the optical integrated circuit C uses the inspection light S1 having the same wavelength as the signal light S5, and uses the delay due to the difference in wiring length. Disassembly is performed and the output light S2 is collectively measured.
  • an optical switch 55 is provided in the optical waveguide 44 connected to the output port P4 of each optical device 20.
  • a monitor light receiver 45 and an optical waveguide 60 are connected to the optical switch 55, and the connection destination can be switched.
  • the paths L1 to L4 are set so that the path lengths from the optical devices 20 to the optical couplers (output optical couplers) 63 are different from each other.
  • Each optical waveguide 60 merges into one optical waveguide 60 via optical multiplexers 62 and 62, and this one optical waveguide 60 is connected to an optical coupler 63.
  • the inspection light S ⁇ b> 1 having the same wavelength as the signal light S ⁇ b> 5 from the signal transmission light source 40 is input via the optical coupler 11.
  • the optical switch 55 is used to output the output light S2 output from each optical modulator 25 to the optical waveguide 60.
  • the inspection information of each optical modulator 25 is included in the output light S2 having the same wavelength.
  • the output light S2 is output according to the path length. There is a delay. Therefore, each optical modulator 25 can be inspected by performing time resolution on the output light S2 output from the optical coupler 63.
  • the output light S2 from the plurality of optical devices 20 can be output from the single optical coupler 63 and detected, so that simple inspection is possible. Become.
  • the inspection circuit 10H of the optical integrated circuit C in this embodiment is provided with a plurality of optical couplers 11A and 11B for inputting the inspection light S1. That is, the optical waveguide 13 branched from the two optical couplers 11A and 11B via the optical distributors 12, 12,... Is provided.
  • the optical waveguide 13 branched from one optical coupler 11A is connected to one of the two input ports of each optical modulator 25 to be inspected, and branched from the other optical coupler 11B to the other input port.
  • the optical waveguide 13 is connected.
  • the two optical couplers 11A and 11B are provided as inspection ports, and the light modulator 25 includes light input from the optical coupler 11A and light input from the optical coupler 11B. Evaluate the optical properties. Then, the obtained optical characteristics can be averaged or the detection result can be validated when the difference between the optical characteristics is within a certain range. Thereby, the influence resulting from the dispersion
  • optical integrated circuit of the present invention and the optical device inspection method in the optical integrated circuit are not limited to the above-described embodiments described with reference to the drawings, and various modifications are possible within the technical scope thereof. Can be considered.
  • the optical modulator 25 having two ports for both input and output is taken as an example, but the number of ports may be three or more. .
  • the optical device 20 other than the optical modulator 25 can be the inspection target.
  • the optical couplers 11, 11A, 11B are removed by etching or the like, and one or a plurality of signal transmission signals are transmitted.
  • a light source may be mounted.
  • the configurations shown in the first to eighth embodiments can be appropriately combined. In addition to this, the configuration described in the above embodiment can be selected or changed to another configuration as appropriate without departing from the gist of the present invention.
  • the present invention can be used in optical communication systems and optical information processing systems.
  • characteristic inspection of a large number of optical devices can be easily and reliably performed in a wafer state.

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Abstract

　ウエハ状態で、多数の光デバイスの特性検査を、簡便かつ確実で行う。光集積回路は、半導体基板の表面から光が入射される光結合器と、光結合器に入射された検査光を伝搬する光導波路と、光導波路で伝搬される検査光を複数の光導波路に分配する光分配器と、光分配器を用いて分配された複数の光導波路にそれぞれ設けられた光デバイスとを備える。

Description

光集積回路、および光集積回路における光デバイスの検査方法
　本発明は、光通信システムや光情報処理システムで用いられる光集積回路、および光集積回路における光デバイスの検査方法に関する。
　光通信システムや光情報処理システムで用いられる光集積回路は、例えば特許文献１に記載されているように、シリコン基板上に、シリコン系材料からなるコア層、クラッド層を備えた光導波路を有した光集積回路を作製する手法を用いて、高性能かつ安価に提供されつつある。
　多数の光デバイスを集積した光集積回路においては、ウエハ状態で、光デバイスの光学特性の検査を行うことで、ウエハ状態の光集積回路をダイシングして個々のモジュールへ分割するに先立って、良品を選別するのが好ましい。
　そこで、例えば、非特許文献１には、回折格子（グレーティング）を用い、光ファイバからの光をウエハ表面から入射して光導波路に結合させる光結合器が開示されている。この光結合器を用いる結果、ダイシングする前にウエハ状態での検査が可能となっている。
日本特開２０１１－２３２５６７号公報
Ａｔｔｉｌａ　Ｍｅｋｉｓ　ｅｔ　ａｌ．，　"Ａ　Ｇｒａｔｉｎｇ－Ｃｏｕｐｌｅｒ－Ｅｎａｂｌｅｄ　ＣＭＯＳ　Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ　Ｐｌａｔｆｏｒｍ"，　ＩＥＥＥ　ＪＯＵＲＮＡＬ　ＯＦ　ＳＥＬＥＣＴＥＤ　ＴＯＰＩＣＳ　ＩＮ　ＱＵＡＮＴＵＭ　ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ，　ＶＯＬ．　１７，　ＮＯ．　３，　ｐｐ．　５９７－６０８，　２０１１年　（Ｆｉｇ．　３）．
　しかしながら、ウエハ状態の光集積回路においては、多数の光デバイスの特性検査が必要となる。光集積回路は、高密度に形成されているため、検査に際して、光結合器を介して光ファイバを光集積回路の光導波路に結合するには、高アライメント精度が要求される。
　光デバイスの特性検査は、その光デバイスが設けられた光導波路に、光結合器を介して光ファイバを結合させ、光ファイバから光導波路に検査光を入力し、その出力光をモニタリングすることで行う。このため、ウエハ上の多数のモジュールにそれぞれ設けられた光デバイスの全てを検査しようとすると、多大な時間がかかり、コスト上昇を招くという問題がある。
　また、複数組の光ファイバおよび光結合器を用い、複数の光デバイスの検査を同時に行うこともできる。しかし、その場合、複数の光結合器間での特性のばらつきに伴って、複数の光結合器と光ファイバとの結合ロスのばらつきが含まれてしまい、光デバイス特性の検査精度に影響が出るという問題もある。
　そこでなされた本発明の目的は、ウエハ状態で、多数の光デバイスの特性検査を、簡便にかつ確実に行うことのできる光集積回路、および光集積回路における光デバイスの検査方法を提供することである。
　本発明は、上記課題を解決するため、以下の手段を採用する。
　すなわち、本発明の光集積回路は、半導体基板の表面から光が入射される光結合器と、前記光結合器に入射された前記検査光を伝搬する光導波路と、前記光導波路で伝搬される前記検査光を複数の光導波路に分配する光分配器と、前記光分配器を用いて分配された複数の前記光導波路にそれぞれ接続された光デバイスと、を備える。
　また、本発明は、上記したような光集積回路における前記光デバイスの検査方法であって、前記光結合器から前記検査光を入射し、前記光分配器を用いて複数の前記光導波路のそれぞれに前記検査光を分配し、分配された前記検査光が前記光デバイスを経ることで得られる出力光に基づいて、前記光デバイスの光学特性を評価する。
　本発明では、一つの光結合器から入射した光を、それぞれ光デバイスが設けられた複数の光導波路に分配することで、多数の光デバイスの特性検査をウエハ状態で簡便かつ確実に行うことが可能となる。
第１の実施形態におけるウエハ上の光集積回路に備えられた検査回路の構成を示す図である。 第２の実施形態におけるウエハ上の光集積回路に備えられた検査回路の構成を示す図である。 長さが異なる二つの導波路における検出結果から、他の長さの導波路の評価を行う方法を示す図である。 長さが異なる二つの導波路における検出結果から、他の長さの導波路の評価を行う方法を示す図である。 長さが異なる二つの導波路における検出結果から、他の長さの導波路の評価を行う方法を示す図である。 第３の実施形態におけるウエハ上の光集積回路に備えられた検査回路の構成を示す図である。 第４の実施形態におけるウエハ上の光集積回路に備えられた検査回路の構成を示す図である。 第５の実施形態におけるウエハ上の光集積回路に備えられた検査回路の構成を示す図である。 第６の実施形態におけるウエハ上の光集積回路に備えられた検査回路の構成を示す図である。 第７の実施形態におけるウエハ上の光集積回路に備えられた検査回路の構成を示す図である。 第８の実施形態におけるウエハ上の光集積回路に備えられた検査回路の構成を示す図である。
　以下、添付図面を参照して、本発明に係る光集積回路、および光集積回路における光デバイスの検査方法を実施するための形態を説明する。しかし、本発明はこれらの実施形態のみに限定されるものではない。
（第１の実施形態）
　図１は、ウエハ（半導体基板）１００上に形成された検査回路１０Ａの例を模式的に示す。
　図１に示すように、複数の光集積回路Ｃが形成されたウエハ１００上には、それぞれの光集積回路Ｃにおいて、複数の光デバイス２０と、それぞれの光デバイス２０に検査光を入射して、その光学特性を検査する検査回路１０Ａと、が形成されている。
　検査回路１０Ａは、ウエハ１００上に設けられた光結合器１１と、光を分配する光分配器１２と、光導波路１３と、を備える。
　ウエハ１００は、半導体基板材料からなり、その具体的材料については特に限定されるものではなく、シリコンでも化合物半導体でも良い。
　光結合器１１は、ウエハ１００の表面から入射させた検査光Ｓ１を、この光結合器１１に接続された光導波路１３Ａに結合させる機能を有している。この光結合器１１は、例えば、回折格子や４５度ミラー等を用いて構成することができる。好ましくは、一般的な半導体プロセスで作製することができ、波長帯域や光の入射角等を柔軟に設計することのできる、回折格子を光結合器１１に用いるのが好ましい。光結合器１１から入力される検査光Ｓ１の波長帯についても特に限定されるものではなく、基板材料や製造プロセス等を勘案して適宜最適なものを用いることができる。
　光分配器１２は、光導波路１３を介して伝搬された光を複数系統の光導波路１３に分配する。本実施形態では、光分配器１２は、１系統の光導波路１３を介して伝搬された光を２系統の光導波路１３に分配する。具体的には、光結合器１１に光導波路１３Ａを介して接続された光分配器１２に２系統の光導波路１３Ｂが接続され、さらに、２系統の光導波路１３Ｂ，１３Ｂのそれぞれに光分配器１２が設けられ、それぞれ２系統の光導波路１３Ｃ，１３Ｃに分配されている。そして、このようにして計４系統に分岐された光導波路１３Ｃのそれぞれが、光デバイス２０の入力ポートに接続されている。
　光分配器１２には、Ｙ字型分岐構造の分配カプラ等を用いても良いし、マルチモード干渉計を用いても良い。また、光分配器１２として、光スイッチを用いても良い。この場合、光スイッチを切り替えて、複数系統の光導波路１３へ交互に光を供給し、時分割で光を分配する。光スイッチは、電気的な制御に従って、光の供給先となる光導波路１３を選択することができる。光分配器１２に分配カプラ等を用いた場合、光が複数系統の光導波路１３に同時に分配されるため、供給先の個々の光導波路１３においては、光のエネルギが分割のために小さくなる。これに対し、光スイッチを光分配器１２に用いた場合、分配先の光導波路１３には、光が時分割で供給されるため、分配のために光が減衰することがなく、検査光のエネルギを大きくすることができる。したがって、検査光Ｓ１のエネルギが小さくて済む（光源の出力が小さくて済む）。
　上記のようにして、光結合器１１から各光デバイス２０に至る経路は、４つの経路Ｌ１～Ｌ４に分割されている。
　本実施形態において、これら４つの経路Ｌ１～Ｌ４は、光結合器１１から光デバイス２０に至るまでの経路長が等しくなるよう形成されている。具体的には、光結合器１１から見て１段目の光分配器１２と、２段目の光分配器１２との間の二本の光導波路１３Ｂ，１３Ｂを等しい長さとし、さらに、２段目の２つの光分配器１２とそれぞれの光デバイス２０との間の四本の光導波路１３Ｃ，１３Ｃ，…をそれぞれ等しい長さとした。
　このような構成においては、光ファイバ等を用いてウエハ１００の表面から光結合器１１に入射された検査光Ｓ１は、光導波路１３を介して伝搬され、光分配器１２，１２，…を用いて複数系統に分配され、各光デバイス２０に到達する。
　そして、各光デバイス２０を経た出力光Ｓ２をモニタリングすれば、光デバイス２０の各種光学特性を検査することが可能である。例えば、光デバイス２０が光変調器である場合、損失、消光比、周波数特性等を検査することが可能である。
　出力光Ｓ２をモニタリングするために、光デバイス２０が設けられているのと同一のウエハ１００上に、受光素子を設け、この光を電気信号に変換してこの電気信号を使用してモニタリングすることも可能である。これ以外にも、光デバイス２０の後段側に回折格子等を設け、光デバイス２０を経た光をウエハ１００の表面から外部に出射させて光ファイバ等に結合させ、この光をモニタリングすることもできる。
　上述したような構成を用いれば、１つの光結合器１１に検査光Ｓ１を入力するだけで、複数の光デバイス２０の特性検査を行うことができる。したがって、多数の光デバイス２０の検査をウエハ１００上で簡便かつ効率よく行うことができる。
　しかも、同時に検査される４個の光デバイス２０には、同じ光結合器１１を介して検査光Ｓ１が入力されるので、光結合器１１の特性のばらつきの影響を受けずに、高精度な検出を行うことができる。
　また、光結合器１１から各光デバイス２０までの経路Ｌ１～Ｌ４の経路長が等しくなるようにこれら経路が形成されているので、検査光Ｓ１のエネルギが各光デバイス２０に等しく配分される。これにより、各光デバイス２０間で、検出結果の絶対値を用いた高精度な比較が可能となる。すると、各光デバイス２０から出力される出力光Ｓ２のエネルギ分布を計測し、その分布の平均値からの偏差を各光デバイス２０について求め、求められた偏差があらかじめ設定した偏差を超える場合には、その光デバイス２０が異常であると検出することも可能となる。
　なお、上記第１の実施形態において、光分配器１２を直列的に２段階に配置する構成としたが、光分配器１２を１段階のみ、あるいは３段階以上に配置しても良い。
　また、光分配器１２で分配する系統数は、２系統に限らず、３系統以上としても良い。
　そこで、例えば、光分配器１２の段数を増やすとともに、各光分配器１２における分配数を増やせば、一つの光結合器１１から分配できる系統数を大幅に増やすことができる。
（第２の実施形態）
　次に、本発明の第２の実施形態について説明する。以下に説明する第２の実施形態において、上記第１の実施形態と共通する構成については、図中に同符号を付してその説明を省略し、上記第１の実施形態との差異を中心に説明を行う。
　図２に示すように、本実施形態での光集積回路Ｃの検査回路１０Ｂにおいては、光結合器１１から、複数段（本実施形態では３段）の光分配器１２を経て、各光デバイス２０へと至る経路Ｌ１～Ｌ８が、不等長とされている。上記第１の実施形態においては、経路Ｌ１～Ｌ４を等長とする例を示したが、実際に半導体基板上に光集積回路Ｃをレイアウトする場合、電気的・物理的なスペース、電気的・光学的クロストーク、迷光、光導波路１３の最小曲げ寸法等の制約条件のために、経路Ｌ１～Ｌ８の長さが異なる場合がある。本実施形態の図２では、その場合を模式的に示している。
　このような構成において、経路Ｌ１～Ｌ８のそれぞれにおいて、各光デバイス２０の光学特性を高精度に求めるためには、各デバイス２０からの出力光Ｓ２が、経路Ｌ１～Ｌ８のそれぞれにおける光導波路１３の伝搬損失の寄与を含んでいることを考慮する。
　図３Ａ，図３Ｂ，図３Ｃは、配線長と、配線長に応じた損失の影響に起因する検出エネルギの変化との関係を示すものである。この場合、図３Ａおよび図３Ｂに示すように、経路長が最も長い経路Ｌ１における光エネルギの強さと、経路長が最も短い経路Ｌ８における光エネルギの強さとから、その中間の長さを有した経路Ｌ２～Ｌ７における光エネルギの基準値を算出する（図３Ａおよび図３Ｂ中の一点鎖線）。そして、経路Ｌ２～Ｌ７における光エネルギの実測値の、基準値からの偏差が、予め定めた以上であるか否かに応じて、光デバイス２０の不具合を判定することができる。
　また、このような構成において、検査対象の光デバイス２０が、入力光エネルギに対して非線形性を持つ場合、経路Ｌ１～Ｌ８の光導波路１３が等長配線になっていなくても、分配される光エネルギを等しくする必要性が生じることがある。
　この場合、光分配器１２におけるエネルギ分岐比を調整すれば、各光デバイス２０に入力される光エネルギを等しくすることが可能である。
　また、光導波路１３の材料や寸法を適宜選択して各経路Ｌ１～Ｌ８の伝搬損失を調整すれば、各光デバイス２０に入力される検査光エネルギが等しくなるようにすることも可能である。より具体的には、光導波路１３に、損失の少ないポリマー，ＳｉＯＮ，ＳｉＮ等の材料を用いることができる。または、光導波路１３の導波路幅を変えることで伝搬損失の調整が可能である。
　なお、上記第２の実施形態では、経路長が最も長い経路Ｌ１における光エネルギの強さと、経路長が最も短い経路Ｌ８における光エネルギの強さとから、その中間の長さを有した経路Ｌ２～Ｌ７における光エネルギの基準値を算出するようにした。これ以外に、図３Ｃに示すように、経路長が最も長い経路Ｌ１と経路長が最も短い経路Ｌ８との組み合わせに限らず、それ以外の、２つ以上の経路（例えば、経路Ｌ５と経路Ｌ１）における光デバイス２０の光エネルギの強さに基づき、それ以外の経路長を有した経路（この例では、経路Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４，Ｌ６，Ｌ７，Ｌ８）における光エネルギの基準値を算出し、それらの経路の実測値を評価することもできる。
（第３の実施形態）
　次に、本発明の第３の実施形態について説明する。以下に説明する第３の実施形態において、上記第１、第２の実施形態と共通する構成については、図中に同符号を付してその説明を省略し、上記第１、第２の実施形態との差異を中心に説明を行う。
　本実施形態での光集積回路Ｃの検査回路１０Ｃでは、図４に示すように、光分配器１２を用いて分配された経路Ｌ１～Ｌ８のうちの二本が、光デバイス２０が設けられていない参照用光導波路３０Ａ，３０Ｂとされている。参照用光導波路３０Ａ，３０Ｂは、光導波路１３から形成されている。
　このような検査回路１０Ｃにおいては、光デバイス２０が設けられた経路Ｌ２～Ｌ７と、経路Ｌ１、Ｌ８の参照用光導波路３０Ａ、３０Ｂとについて、それぞれ、光結合器１１から入力される光の出力光Ｓ２をモニタリングする。
　このとき、経路Ｌ１、Ｌ８における検出値は、光デバイス２０の影響を受けておらず、しかも長さが設計値から既知である。したがって、その検出値に基づき、経路Ｌ２～Ｌ７において、それぞれその長さが設計値から既知である光導波路１３の損失を算出することができる。この光導波路１３における損失を経路Ｌ２～Ｌ７における検出値から除外すると、経路Ｌ２～Ｌ７の光デバイス２０の評価を、より安定して高精度に行うことができる。
（第４の実施形態）
　次に、本発明の第４の実施形態について説明する。以下に説明する第４の実施形態において、上記第１～第３の実施形態と共通する構成については、図中に同符号を付してその説明を省略し、上記第１～第３の実施形態との差異を中心に説明を行う。
　図５に示すように、本実施形態での光集積回路Ｃの検査回路１０Ｄにおいては、一つの光結合器１１から入射された光が、光分配器１２を用いて、複数の集積回路Ｃ，Ｃのチップ２００，２００に跨るように分配されている。
　このような構成を用いれば、さらに多数の光デバイス２０の検査を簡便にかつ効率良く行うことができる。
　検査を終え、良品選別を行った後であれば、これらのチップ２００，２００をダイシング等の機械的な加工を用いて分割しても良い。この場合、検査回路１０Ｄを構成する光導波路１３がダイシングのために分断されても、支障は生じない。
　なお、本実施形態では、検査回路１０Ｄを、二つのチップ２０２，２００に跨って形成したが、もちろん、三つ以上のチップ２００に跨るように検査回路を形成しても良い。
（第５の実施形態）
　次に、本発明の第５の実施形態について説明する。以下に説明する第５の実施形態において、上記第１～第４の実施形態と共通する構成については、図中に同符号を付してその説明を省略し、上記第１～第４の実施形態との差異を中心に説明を行う。
　図６に示すように、本実施形態での光集積回路Ｃの検査回路１０Ｅは、光変調器２５を検査対象の光デバイス２０としている。
　光変調器２５は、入出力それぞれ２つのポートを有した、２×２マッハツェンダ干渉計より構成されている。光変調器２５の一方の入力ポートＰ１には、光集積回路Ｃを構成する信号伝送用光源４０から光が伝送される光導波路４１が接続される。光変調器２５の一方の出力ポートＰ２には、光導波路４２を介して光ファイバ４３が接続されている。この光変調器２５では、信号伝送用光源４０から光導波路４１を経て入力された信号光Ｓ５が変調され、変調された信号光Ｓ５が光導波路４２を経て、光ファイバ４３から外部に出力される。
　また、光変調器２５の他方の入力ポートＰ３には、検査回路１０Ｅにおいて光分配器１２を用いて分配された光導波路１３が結合されている。また、光変調器２５の他方の出力ポートＰ４には、光導波路４４を経て、モニタ受光器４５が設けられている。
　このような構成では、検査回路１０Ｅの光結合器１１を介して光導波路１３に結合された検査光Ｓ１は、光分配器１２を用いて各光変調器２５に分配される。その出力光Ｓ２をモニタ受光器４５でモニタすれば、各光変調器２５の特性検査が可能である。
　上述したように、入出力それぞれ２つのポートを有した光変調器２５を検査対象の光デバイス２０とすることで、光デバイス２０の本来の機能である信号伝送と、光デバイス２０の光学特性の検査の双方を、ウエハ１００上で実現することができる。
（第６の実施形態）
　次に、本発明の第６の実施形態について説明する。以下に説明する第６の実施形態において、上記第１～第５の実施形態と共通する構成については、図中に同符号を付してその説明を省略し、上記第１～第５の実施形態との差異を中心に説明を行う。
　図７に示すように、本実施形態での光集積回路Ｃの検査回路１０Ｆは、上記第５の実施形態における検査回路１０Ｅの構成に加え、検査光Ｓ１に波長多重技術を用いる構成を有している。
　すなわち、第１の分波器１８，第２の分波器１９を介して複数に分岐された光導波路１３が、光デバイス２０の入力ポートＰ３に接続されている。
　また、各光デバイス２０の出力ポートＰ４に接続された光導波路４４から、分波器４７を介して光導波路４８が分岐している。この光導波路４８は、合波器５０，５０を経て、一本の光導波路４８に合流し、光結合器５１に接続されている。
　そして、信号伝送用光源４０から出力される信号光Ｓ５の波長（λ１）とは異なる、複数の波長（λ２、λ３、λ４、λ５）の光が重畳された検査光Ｓ１が、光結合器１１より入力され、第１の分波器１８および第２の分波器１９を用いて、波長ごとに分波され、光デバイス２０毎に互いに異なる波長（λ２、λ３、λ４、λ５）の検査光Ｓ１が入力される。
　光デバイス２０を経た光は、分波器４７に入力され、信号光Ｓ５（λ１）はモニタ受光器４５に分岐され、出力光Ｓ２（λ２、λ３、λ４、λ５）はもう一方の光導波路４８に分岐される。その後、出力光Ｓ２は合波器５０において合波され、光結合器５１から出力される。
　したがって、光結合器５１から出力された、合波された出力光Ｓ２の特性を、分光器等を用いて波長（λ２、λ３、λ４、λ５）ごとに分析すれば、それぞれの波長（λ２、λ３、λ４、λ５）に対応する光デバイス２０の光学特性を求めることができる。
　このようにして、波長多重技術を用いることで、複数の光デバイス２０からの出力光Ｓ２も、１つの光結合器５１から出力させて検出できるため、さらに簡便な検査が可能となる。
　このとき、マッハツェンダ干渉計を用いた光デバイス２０としての光変調器２５は、原理的に波長依存性を持たないため、信号光Ｓ５の波長λ１と検査光Ｓ１の波長（λ２、λ３、λ４、λ５）が異なっていても問題とならない。また、多層配線等を用いて光導波路１３と光導波路４８との交差部分の過剰損失を抑えることもできる。
（第７の実施形態）
　次に、本発明の第７の実施形態について説明する。以下に説明する第７の実施形態において、上記第１～第６の実施形態と共通する構成については、図中に同符号を付してその説明を省略し、上記第１～第６の実施形態との差異を中心に説明を行う。
　図８に示すように、本実施形態での光集積回路Ｃの検査回路１０Ｇは、信号光Ｓ５と同一の波長の検査光Ｓ１を用いて、配線長の違いに起因した遅延を利用して時間分解を行い、出力光Ｓ２の一括測定を行う。
　これには、上記第５の実施形態で示した構成に加え、各光デバイス２０の出力ポートＰ４に接続された光導波路４４に光スイッチ５５を設ける。この光スイッチ５５には、モニタ受光器４５と、光導波路６０が接続され、接続先を切替可能となっている。ここで、各経路Ｌ１～Ｌ４は、各光デバイス２０から光結合器（出力光結合器）６３までの経路長が、互いに異なるよう設定されている。
　各光導波路６０は、光合波器６２，６２を経て１本の光導波路６０に合流し、この１本の光導波路６０は光結合器６３に接続されている。
　このような構成の検査回路１０Ｇでは、信号伝送用光源４０からの信号光Ｓ５と同一の波長を持つ検査光Ｓ１を、光結合器１１を介して入力する。
　検査を行う際には光スイッチ５５を用い、各光変調器２５から出力された出力光Ｓ２を、光導波路６０に出力させる。このとき、同一波長の出力光Ｓ２に各光変調器２５の検査情報が含まれているが、経路長が互いに異なる各経路Ｌ１～Ｌ４では、その経路長に応じて、出力光Ｓ２の出力に遅延が発生する。したがって、光結合器６３から出力される出力光Ｓ２について時間分解を行うことで、各光変調器２５の検査が可能となっている。
　なお、時間分解能のために、光結合器６３から出力される出力光Ｓ２に、より大きな時間差が必要な場合、それぞれの光導波路６０に、光遅延回路６１を設けるのが好ましい。
　このようにして、経路長の違いに応じた時間遅延を用いることで、複数の光デバイス２０からの出力光Ｓ２を１つの光結合器６３から出力させて検出できるため、簡便な検査が可能となる。
（第８の実施形態）
　次に、本発明の第８の実施形態について説明する。以下に説明する第８の実施形態において、上記第１～第７の実施形態と共通する構成については、図中に同符号を付してその説明を省略し、上記第１～第７の実施形態との差異を中心に説明を行う。
　図９に示すように、本実施形態での光集積回路Ｃの検査回路１０Ｈには、検査光Ｓ１を入力するための複数の光結合器１１Ａ，１１Ｂが設けられている。
　すなわち、二つの光結合器１１Ａ，１１Ｂのそれぞれから、光分配器１２，１２，…を経て分岐された光導波路１３が設けられている。
　そして、検査対象となる各光変調器２５の二つの入力ポートの一方に、一方の光結合器１１Ａから分岐した光導波路１３が接続され、他方の入力ポートに、他方の光結合器１１Ｂから分岐した光導波路１３が接続されている。
　このような構成の検査回路１０Ｈでは、二つの光結合器１１Ａ，１１Ｂを検査ポートとして設け、光結合器１１Ａから入力した光と、光結合器１１Ｂから入力した光とで、それぞれ光変調器２５の光学特性を評価する。そして得られた双方の光学特性の平均を取ったり、双方の光学特性の差が一定範囲内であるときに、その検出結果を有効としたりすることができる。
　これにより、光結合器１１Ａ，１１Ｂ、光分配器１２、光導波路１３の特性のばらつきに起因した影響をさらに低減することができる。また、光変調器２５の２つの入力ポートに依存して特性が異なる場合、それらのばらつき等も検査することができる。
（その他の実施形態）
　なお、本発明の光集積回路、および光集積回路における光デバイスの検査方法は、図面を参照して説明した上述の各実施形態に限定されるものではなく、その技術的範囲において様々な変形例が考えられる。
　例えば、上記第５～第８の実施形態で、光デバイス２０として、入出力ともに２ポートを有した光変調器２５を例に挙げたが、そのポート数は、３ポート以上であっても良い。また、複数ポートを有するのであれば、光変調器２５以外の光デバイス２０を検査対象とすることもできる。
　また、検査回路１０Ａ～１０Ｈにおいて、ウエハ１００の状態で検査を行い、良品選別を行った後に、エッチング等で光結合器１１，１１Ａ，１１Ｂを除去し、１個または複数個の信号伝送用の光源を実装しても良い。
　さらに、上記第１～第８の実施形態で示した構成は、適宜組み合わせることも可能である。
　これ以外にも、本発明の主旨を逸脱しない限り、上記実施の形態で挙げた構成を取捨選択したり、他の構成に適宜変更したりすることが可能である。
　この出願は、２０１２年８月２９日に出願された日本出願特願２０１２－１８８５１０号を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。
　本発明は、光通信システムや光情報処理システムにおいて利用することが可能である。本発明では、多数の光デバイスの特性検査をウエハ状態で簡便かつ確実に行うことができる。
１０Ａ～１０Ｈ 検査回路
１１，１１Ａ，１１Ｂ　 光結合器
１２　 光分配器
１３，１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ　光導波路
１８，１９　　 分波器
２０　 光デバイス
２５　 光変調器
３０Ａ，３０Ｂ 参照用光導波路
４０　 信号伝送用光源
４１，４２，４４　　　 光導波路
４３　 光ファイバ
４５　 モニタ受光器
４７　 分波器
４８　 光導波路
５０　 合波器
５１　 光結合器（出力光結合器）
５５　 光スイッチ
６０　 光導波路
６１　 光遅延回路
６２　 光合波器
６３　 光結合器（出力光結合器）
１００ ウエハ（半導体基板）
２００ チップ
Ｌ１～Ｌ８　　 経路
Ｐ１　 入力ポート
Ｐ２　 出力ポート
Ｐ３　 入力ポート
Ｐ４　 出力ポート
Ｓ１　 検査光
Ｓ２　 出力光
Ｓ５　 信号光

 

Claims (15)

  1. 　半導体基板の表面から検査光が入射される光結合器と、
    　前記光結合器に入射された前記検査光を伝搬する光導波路と、
    　前記光導波路で伝搬される前記検査光を複数の光導波路に分配する光分配器と、
    　前記光分配器を用いて分配された複数の前記光導波路にそれぞれ接続された光デバイスと、を備える光集積回路。
  2. 　前記光デバイスが、複数の入力ポートを備え、前記入力ポートの少なくとも一つに複数の前記光導波路から前記光デバイスの光学特性を検査する検査光が入力される請求項１に記載の光集積回路。
  3. 　前記光結合器と全ての前記光デバイスとの間に設けられた複数の前記光導波路の経路長が等長とされている請求項１または２に記載の光集積回路。
  4. 　前記光分配器は、前記光デバイスに入力される前記検査光のエネルギが等しくなるよう、前記検査光を分配する請求項１または２に記載の光集積回路。
  5. 　複数の前記光導波路間において、複数の前記光導波路を形成する材料と、前記光結合器から前記光デバイスまでの前記光導波路および複数の前記光導波路の経路長との少なくとも一方が互いに異なり、
    　複数の前記光導波路は、前記光デバイスに入力される前記検査光のエネルギが等しくなるよう設定されている請求項１または２に記載の光集積回路。
  6. 　前記光デバイスが設けられた複数の前記光導波路とは別に、光導波路のみからなる参照用光導波路が２以上設けられ、前記参照用光導波路には、複数の前記光導波路とともに前記光分配器から前記検査光が分配される請求項１から５のいずれか一項に記載の光集積回路。
  7. 　前記半導体基板に、それぞれ１以上の前記光デバイスが配置された複数のチップが配置され、
    　前記光分配器を用いて分岐された複数の前記光導波路が、複数の前記チップに分配されて前記光デバイスに接続されている請求項１から６のいずれか一項に記載の光集積回路。
  8. 　前記光分配器は、互いに波長が異なる光を重畳させた検査光を波長ごとの光に分配して複数の前記光導波路のそれぞれに出力し、
    　複数の前記光導波路のそれぞれにおいて前記光デバイスを経た出力光を重畳し、１つの光導波路に合流させる合波器と、
    　前記合波器を経た前記出力光を外部に出力する出力光結合器と、をさらに備える請求項１から７のいずれか一項に記載の光集積回路。
  9. 　複数の前記光導波路のそれぞれにおいて前記光デバイスを経て遅延時間が互いに異なる出力光を１つの光導波路に合流させる光合流器と、
    　前記光合流器を経た前記出力光を外部に出力する出力光結合器と、をさらに備える請求項１から７のいずれか一項に記載の光集積回路。
  10. 　複数の前記光導波路のそれぞれに、前記光デバイスを経た前記出力光に互いに異なる遅延時間を付与する光遅延回路がさらに設けられている請求項９に記載の光集積回路。
  11. 　１つの前記光デバイスに対し、前記光結合器、前記光分配器、前記光導波路、および複数の前記光導波路が複数組接続されている請求項１から１０のいずれか一項に記載の光集積回路。
  12. 　請求項１から１１のいずれか一項に記載の光集積回路における前記光デバイスの検査方法であって、
    　前記光結合器から前記検査光を入射し、
    　前記光分配器を用いて複数の前記光導波路のそれぞれに前記検査光を分配し、
    　分配された前記検査光が前記光デバイスを経ることで得られる出力光に基づいて、前記光デバイスの光学特性を評価する光集積回路における光デバイスの検査方法。
  13. 　前記光デバイスを経た前記出力光を外部に取出し、取出した前記出力光の光学特性を検出することで前記光デバイスを評価する請求項１２に記載の光集積回路における光デバイスの検査方法。
  14. 　前記光デバイスを経た前記出力光を受光器で電気信号に変換して外部に出力し、出力された前記電気信号に基づいて前記光デバイスの前記光学特性を評価する請求項１２に記載の光集積回路における光デバイスの検査方法。
  15. 　前記光デバイスが設けられた複数の前記光導波路が３以上設けられるとともに、前記光結合器と、全ての前記光デバイスとの間に設けられた前記光導波路および複数の前記光導波路の経路長が互いに異なり、
    　経路長が互いに異なる二つの前記光導波路に設けられた前記光デバイスにおける光学特性の評価結果に基づき、他の経路長を有する前記光導波路に設けられた前記光デバイスにおける光学特性の基準値を算出し、前記基準値に基づいて、他の経路長を有する前記光導波路に設けられた前記光デバイスにおける光学特性を評価する請求項１２から１４のいずれか一項に記載の光集積回路における光デバイスの検査方法。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016194349A1 (ja) * 2015-05-29 2016-12-08 日本電信電話株式会社 光コヒーレントミキサ回路
JP2019029620A (ja) * 2017-08-03 2019-02-21 富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社 波長可変光源、及び光モジュール
JP2019096763A (ja) * 2017-11-24 2019-06-20 日本電信電話株式会社 光特性検査用回路
JP2019207305A (ja) * 2018-05-29 2019-12-05 日本電信電話株式会社 光検査回路
WO2020235083A1 (ja) * 2019-05-23 2020-11-26 日本電信電話株式会社 光検査回路および光検査方法
US11658738B2 (en) 2018-05-31 2023-05-23 Fujitsu Optical Components Limited Optical device, optical module using the same, and optical device testing method
JP7451376B2 (ja) 2020-08-28 2024-03-18 オープンライト フォトニクス インコーポレイテッド フォトニック回路製造における損失モニタリング

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000249746A (ja) * 1999-02-26 2000-09-14 Ando Electric Co Ltd 集積回路試験装置
JP2002214072A (ja) * 2001-01-15 2002-07-31 Nikon Corp 光照射装置およびこの光照射装置を用いた検査装置
JP2005535899A (ja) * 2002-08-16 2005-11-24 サーノフ・コーポレーション 犠牲試験構造を含むフォトニックデバイスおよびｐｉｃならびにこれらの製造方法
JP2010044001A (ja) * 2008-08-18 2010-02-25 Asahi Spectra Co Ltd 複数点分光光度測定装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3263949B2 (ja) * 1991-02-25 2002-03-11 日本電気株式会社 光集積回路の製造方法
US5523879A (en) * 1991-04-26 1996-06-04 Fuji Xerox Co., Ltd. Optical link amplifier and a wavelength multiplex laser oscillator
EP1436870A2 (en) * 2001-10-09 2004-07-14 Infinera Corporation TRANSMITTER PHOTONIC INTEGRATED CIRCUITS (TxPIC) AND OPTICAL TRANSPORT NETWORKS EMPLOYING TxPICs
US7672546B2 (en) * 2001-10-09 2010-03-02 Infinera Corporation Optical transport network having a plurality of monolithic photonic integrated circuit semiconductor chips
US7072557B2 (en) * 2001-12-21 2006-07-04 Infinera Corporation InP-based photonic integrated circuits with Al-containing waveguide cores and InP-based array waveguide gratings (AWGs) and avalanche photodiodes (APDs) and other optical components containing an InAlGaAs waveguide core
US7162113B2 (en) * 2002-10-08 2007-01-09 Infinera Corporation Deployment of electro-optic amplitude varying elements (AVEs) and electro-optic multi-functional elements (MFEs) in photonic integrated circuits (PICs)
US8175432B2 (en) * 2007-03-27 2012-05-08 Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. Method of adjusting optical axis of optical waveguide element, and optical waveguide element
US8269297B2 (en) * 2009-12-23 2012-09-18 Infinera Corporation Photodiode isolation in a photonic integrated circuit
KR101783621B1 (ko) * 2011-09-09 2017-10-11 삼성전자주식회사 광 연결 장치, 이의 제조 방법, 및 상기 광 연결 장치를 포함하는 메모리 시스템
US9383512B2 (en) * 2012-12-31 2016-07-05 Infinera Corporation Light absorption and scattering devices in a photonic integrated circuit that minimize optical feedback and noise
EP2980618B1 (en) * 2013-03-25 2018-07-04 Photonics Electronics Technology Research Association Optical circuit
US9411104B2 (en) * 2014-12-19 2016-08-09 Infinera Corporation Broadband waveguide based optical coupler

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000249746A (ja) * 1999-02-26 2000-09-14 Ando Electric Co Ltd 集積回路試験装置
JP2002214072A (ja) * 2001-01-15 2002-07-31 Nikon Corp 光照射装置およびこの光照射装置を用いた検査装置
JP2005535899A (ja) * 2002-08-16 2005-11-24 サーノフ・コーポレーション 犠牲試験構造を含むフォトニックデバイスおよびｐｉｃならびにこれらの製造方法
JP2010044001A (ja) * 2008-08-18 2010-02-25 Asahi Spectra Co Ltd 複数点分光光度測定装置

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016194349A1 (ja) * 2015-05-29 2016-12-08 日本電信電話株式会社 光コヒーレントミキサ回路
JPWO2016194349A1 (ja) * 2015-05-29 2017-11-02 日本電信電話株式会社 光コヒーレントミキサ回路
US10295744B2 (en) 2015-05-29 2019-05-21 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Coherent optical mixer circuit
JP2019029620A (ja) * 2017-08-03 2019-02-21 富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社 波長可変光源、及び光モジュール
JP2019096763A (ja) * 2017-11-24 2019-06-20 日本電信電話株式会社 光特性検査用回路
WO2019230372A1 (ja) * 2018-05-29 2019-12-05 日本電信電話株式会社 光検査回路
JP2019207305A (ja) * 2018-05-29 2019-12-05 日本電信電話株式会社 光検査回路
US11415752B2 (en) 2018-05-29 2022-08-16 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Optical inspection circuit
US11658738B2 (en) 2018-05-31 2023-05-23 Fujitsu Optical Components Limited Optical device, optical module using the same, and optical device testing method
WO2020235083A1 (ja) * 2019-05-23 2020-11-26 日本電信電話株式会社 光検査回路および光検査方法
JPWO2020235083A1 (ja) * 2019-05-23 2020-11-26
JP7143948B2 (ja) 2019-05-23 2022-09-29 日本電信電話株式会社 光検査回路および光検査方法
JP7451376B2 (ja) 2020-08-28 2024-03-18 オープンライト フォトニクス インコーポレイテッド フォトニック回路製造における損失モニタリング

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