JP2019039970A

JP2019039970A - 表示装置

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Abstract

【課題】端子領域にドライバＩＣが配置されない液晶表示装置において、検査回路を実質的な機能を損なわずに、高い信頼性を持つように配置する。【解決手段】映像信号線１２を有する表示領域２０と端子領域３０を有するＴＦＴ基板１００に対向基板２００がシール材１５０を介して接着し、前記シール材１５０より内側に前記表示領域２０が形成された液晶表示装置であって、前記端子領域３０には、フレキシブル配線基板５００が接続し、前記映像信号線１２に映像信号を供給するドライバＩＣは前記端子領域３０には搭載されておらず、前記映像信号線１２の検査回路４０が、平面で視て前記表示領域２０と前記端子領域３０との間に形成され、前記検査回路４０は、平面で視て前記対向基板２００とオーバーラップしていることを特徴とする液晶表示装置。【選択図】図４

Description

本発明は表示装置に係り、特に額縁を小さくするために、ドライバＩＣを端子領域から外した場合の、検査回路の配置および検査方法に関する。

液晶表示装置では画素電極および薄膜トランジスタ（ＴＦＴ、ＴｈｉｎＦｉｌｍＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等を有する画素がマトリクス状に形成されたＴＦＴ基板と、ＴＦＴ基板に対向して対向基板が配置され、ＴＦＴ基板と対向基板の間に液晶が挟持されている。そして液晶分子による光の透過率を画素毎に制御することによって画像を形成している。

また、有機ＥＬ表示装置は発光素子及び駆動ＴＦＴを有する画素がマトリクス状に形成されたＴＦＴ基板を保護膜で覆った構成となっている。液晶表示装置も有機ＥＬ表示装置も薄型で軽量であることから、色々な分野で用途が広がっている。

このような表示装置では、外形をある大きさに保ったまま、表示領域を大きくしたいという要求がある。これはいわゆる狭額縁と呼ばれているが、このような構成では、額縁部における配線密度が大きくなる。特許文献１には、このような狭額縁の表示装置において、検査回路、検査端子を配置した構成が記載されている。

特開２００７−１４０３７８号公報

液晶表示装置等では、外形のサイズを大きくせずに、表示領域を大きくしたいという要求が強い。液晶表示装置に電力や信号を供給するために端子領域が必要であるが、狭額縁にすると、端子領域の幅も小さくする必要がある。通常は、端子領域には、外部から信号を受けて映像信号を形成するドライバＩＣが搭載され、また、外部から電力や信号を供給するためのフレキシブル配線基板が接続される。

端子領域をさらに小さくしようとすると、ドライバＩＣを端子領域から除去し、フレキシブル配線基板側に配置しなければならない。また、液晶表示装置では、完成前に液晶表示装置の検査を行い、配線に断線やショート等が存在しないかチェックをする必要がある。

ドライバＩＣを除去した場合、この検査回路の配置が問題となる。本発明の課題は、ドライバＩＣをフレキシブル配線基板に配置し、フレキシブル配線基板と表示領域を直接接続する場合の検査回路の問題を対策することである。

本発明は上記課題を解決するものであり、主な具体的な手段は次のとおりである。

（１）映像信号線を有する表示領域と端子領域を有するＴＦＴ基板と、前記表示領域に重複する対向基板とを有する液晶表示装置であって、前記端子領域には、フレキシブル配線基板が接続するための複数の第１の端子部と、検査時に使用される複数の第２の端子部を有し、検査回路が、平面で視て、前記ＴＦＴ基板の前記表示領域と前記端子領域との間に形成され、前記検査回路は、前記映像信号線を前記第１の端子又は第２の端子に接続する複数の切り替え部を有し、前記検査回路の前記対向基板側の面には、絶縁膜が形成されることを特徴とする液晶表示装置。

（２）映像信号線を有する表示領域と端子領域を有するＴＦＴ基板を有する有機ＥＬ表示装置であって、前記表示領域には、第１の有機絶縁膜の上にアノードが形成され、前記アノードの上に有機ＥＬ層が形成され、前記有機ＥＬ層の上にカソードが形成され、前記カソードを覆って無機絶縁膜が形成され、前記無機絶縁膜の上に偏光板が配置されており、前記端子領域には、フレキシブル配線基板が接続するための複数の第１の端子部と、検査時に使用される複数の第２の端子部を有し、検査回路が、平面で視て、前記ＴＦＴ基板の前記表示領域と前記端子領域との間に形成され、前記検査回路は、前記映像信号線を前記第１の端子又は第２の端子に接続する複数の切り替え部を有し、前記検査回路の前記偏光板側の面には、前記第１の有機絶縁膜が形成されることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。

本発明が適用される液晶表示装置の平面図である。従来例における液晶表示装置の平面図である。液晶表示装置の表示領域における断面図である。液晶表示装置の端子領域付近の拡大平面図である。図４のＥ−Ｅ断面図である。図４の等価回路の例である。図６のＡ−Ａ断面図である。図６のＢ−Ｂ断面図である。図６のＣ−Ｃ断面図である。斜め配線領域の平面図の例である。検査回路の例である。検査回路の他の例である。図１２の回路によって検査した場合の配線の極性の例である。端子領域の拡大平面図である。実施例２における端子領域付近の拡大平面図である。図１５のＦ−Ｆ断面図ある。本発明による有機ＥＬ表示装置の平面図である。有機ＥＬ表示装置の表示領域の断面図である。図１７のＧ−Ｇ断面図である。検査回路の変形例である。実施例２における検査回路の例である。

以下に実施例を用いて本発明を詳細に説明する。以下の説明では、主として液晶表示装置について説明するが、本発明は、有機ＥＬ表示装置等の他のディスプレイにも適用することが出来る。

図１は本発明が適用される液晶表示装置の平面図である。図１において、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００が周辺のシール材１５０によって接着し、内部に液晶が封止されている。表示領域２０には、走査線１１が横方向（ｘ方向）に延在し、縦方向（ｙ方向）に配列している。また、映像信号線１２が縦方向に延在し、横方向に配列している。走査線１１と映像信号線１２で囲まれた領域が画素１３となっている。

図１において、ＴＦＴ基板１００は対向基板２００よりも大きく形成され、ＴＦＴ基板１００が対向基板２００と重なっていない部分が端子領域３０となっている。端子領域３０にはフレキシブル配線基板５００が接続している。フレキシブル配線基板５００から、電源、走査信号、映像信号、クロック信号等が供給される。表示領域２０とフレキシブル配線基板５００との間は端子配線８１によって接続されている。

図１の特徴は、端子領域３０には、フレキシブル配線基板５００が接続されているのみで、ドライバＩＣは搭載されていないことである。したがって、端子領域３０の面積を小さくすることが出来、額縁を小さくすることが出来る。ドライバＩＣはフレキシブル配線基板に搭載されている。

図２は、従来例の液晶表示装置である。図２において、表示領域２０は図１と同じである。図２では、端子領域３０にドライバＩＣ５１０が搭載され、さらにフレキシブル配線基板５００が接続している。したがって、図２では、図１に比較して、端子領域３０の面積が大きくなり、狭額縁にするには問題が生ずる。

図１に示す、本発明が適用される液晶表示装置は、端子領域３０の面積を小さくすることが出来るが、従来、ドライバＩＣとの接続部に配置してきた検査回路の配置が問題となる。すなわち、従来は、ドライバＩＣの下に検査回路を配置することによって、必要な検査を行うとともに、検査回路はＩＣチップによって覆われ、物理的にも保護されていた。本発明は、図１に示すような、フレキシブル配線基板５００と表示領域２０が直接、配線８１によって接続されている構成において、信頼性の高い検査回路の配置、および検査方法を与えるものである。

図３は、図１の表示領域の断面図である。表示領域と端子領域は同時に形成されるので、図３は、表示装置の基本的な層構成を説明するためのものである。図４以後では、端子領域および端子領域付近のシール部について説明するが、端子領域あるいはシール部に形成される選択回路、検査回路等に使用されるＴＦＴや配線等は、図３に示すＴＦＴ等と同じ層構成で、同じプロセスによって形成される。図３は、ＩＰＳ（ＩｎＰｌａｎｅＳｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式の液晶表示装置の断面図である。

図３において、ＴＦＴ基板１００は一般にはガラスで形成されるが、フレキシブル表示装置としたい場合はポリイミド等の樹脂で形成される。ＴＦＴ基板１００の上には、酸化シリコン（ＳｉＯ）および窒化シリコン（ＳｉＮ）の積層膜によって下地膜１０１が形成されている。下地膜１０１の役割は、ＴＦＴ基板１００からの不純物が半導体層１０２を汚染することを防止することである。

下地膜１０１の上に半導体層１０２が形成されている。半導体層１０２は、多結晶シリコン（ｐｏｌｙ-Ｓｉ）で形成されることが多い。ｐｏｌｙ-Ｓｉは移動度が大きいので、走査線駆動回路等の周辺回路を同時に形成することが出来る。半導体層１０２としては、この他に非結晶シリコン（ａ−Ｓｉ）、ＩＧＺＯ（ＩｎｄｉｕｍＧａｌｌｉｕｍＺｉｎｃＯｘｉｄｅ）等の酸化物半導体等が使用される。

半導体層１０２を覆ってゲート絶縁膜１０３が形成される。ゲート絶縁膜１０３はＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）を原料とし、ＣＶＤによって形成されたＳｉＯ膜である。ゲート絶縁膜１０３の上にゲート電極１０４が形成される。ゲート電極１０４は例えばＭｏＷ等で形成され、走査線１１と同時に形成される。また、端子領域３０における端子配線の一部もゲート電極１０４と同じ材料でゲート電極１０４と同時に形成される。

ゲート電極１０４をパターニングした後、リン（Ｐ）、ボロン（Ｂ）等のイオンインプランテーションを行って、ゲート電極１０４の下以外の半導体層１０２に導電性を付与する。ゲート電極１０４の直下がチャネル部１０２になり、他の部分は、ドレイン領域１０２１あるいはソース領域１０２２になる。

その後、層間絶縁膜１０５を形成する。層間絶縁膜１０５はＳｉＯあるいはＳｉＮ、またはＳｉＯとＳｉＮの積層膜によって形成される。層間絶縁膜１０５およびゲート絶縁膜１０３にスルーホール１２０および１２１を形成して、ドレイン電極１０６とドレイン領域１０２１、ソース電極１０７とソース領域１０２２の接続を可能にする。ドレイン電極１０６およびソース電極１０７は同時に形成される。ドレイン電極１０６およびソース電極１０７は、映像信号線１２と同時に形成される。また、端子領域における端子配線の一部もドレイン電極１０６等と同時に形成する。ドレイン電極１０６およびソース電極１０７は例えば、アルミニウム（Ａｌ）あるいはその合金をチタン（Ｔｉ）でサンドイッチしたものが使用される。あるいは、ＡｌをＭｏＷ等でサンドイッチしたものが使用される。

ドレイン電極１０６およびソース電極１０７を覆ってアクリル等の透明樹脂によって有機パッシベーション膜１０８が形成される。有機パッシベーション膜１０８は平坦化膜を兼ねているので、２乃至４μｍと厚く形成される。有機パッシベーション膜１０８にスルーホール１３０を形成してソース電極１０７と後で形成される画素電極１１１の接続を可能にする。

有機パッシベーション膜１０８の上にＩＴＯ等の透明酸化物導電膜によってコモン電極１０９が形成される。コモン電極１０９は各画素共通に形成される。コモン電極１０９を覆ってＳｉＮによる容量絶縁膜１１０が形成される。容量絶縁膜１１０の上にＩＴＯ等の透明酸化物導電膜によって画素電極１１１が形成される。コモン電極１０９あるいは画素電極１１１を構成するＩＴＯは、端子領域３０における端子配線あるいは端子の一部を形成する。コモン電極１０９を構成するＩＴＯを第１ＩＴＯと表記し、画素電極１１１を構成するＩＴＯを第２ＩＴＯと表記することもある。

画素電極１１１を覆って配向膜１１２が形成される。液晶分子３０１を初期配向させるためである。画素電極１１１はストライプ状あるいは櫛歯状に形成され、画素電極１１１に信号電圧が印加されると、下層に平面状に形成されたコモン電極１０９との間に図３の矢印で示すような電気力線が発生し、液晶分子３０１を回転させることによって液晶層３００を透過する光の量を制御する。

図３において、液晶層３００を挟んで、対向基板２００が配置している。対向基板２００も一般にはガラスで形成されるが、フレキシブル表示装置としたい場合はポリイミド等の樹脂で形成される。対向基板２００の内側にはカラーフィルタ２０１およびブラックマトリクス２０２が形成され、これらを覆ってオーバーコート膜２０３が形成される。オーバーコート膜２０３の上には、柱状スペーサ２１０が形成され、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００の間隔を一定に保つ。オーバーコート膜２０３を覆って配向膜２０４が形成される。

図３は、液晶表示装置の層構造を示すものであるが、端子領域３０あるいは額縁領域に形成される、選択回路、検査回路等に使用されるＴＦＴも図３で説明したのと同様な構成を有している。また、選択回路、検査回路等に使用される配線も、図３におけるゲート電極１０４、ドレイン電極１０６、ソース電極１０７、第１ＩＴＯ１０９、第２ＩＴＯ１１１等と同時に形成される。

図４は端子領域３０付近を拡大した平面図である。図４において、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００がシール材１５０によって接着し、シール材１５０の内側が表示領域２０となっている。ＴＦＴ基板１００と対向基板２００が重なっていない部分は端子領域３０となっており、フレキシブル配線基板５００と接続するための端子３１（図４では図示せず）、および、検査のための検査端子３２が形成されている。

表示領域２０には、映像信号線１２が縦方向（ｙ方向）に延在している。映像信号線１２の数は非常に多いので、端子部３０における配線の数を減らすために、選択回路６０が設けられている。選択回路６０は、ＴＦＴで形成されたスイッチング回路である。例えば、１フレーム内において、赤画素、緑画素、青画素の信号を別々に書き込むことによって端子配線の数を１／３に減らすことが出来る。

選択回路６０からの配線は、斜め配線領域５０を経て、検査回路４０に接続する。検査回路４０も多くのＴＦＴからなるスイッチング回路である。検査回路４０は、端子３１または検査端子３２からの信号を斜め配線領域の各配線に接続できるように切り替える。検査工程は、フレキシブル基板５００が接続される前に、検査端子３２を用いて行われる。

本発明では、図４に示すように、検査回路４０まで、対向基板２００によって覆われている。したがって、多くのＴＦＴを有する検査回路４０は、対向基板２００およびシール材１５０によって保護されている。斜め配線領域５０は、端子領域３０に延在して、端子領域３０に形成された端子と接続する。端子にはフレキシブル配線基板５００が接続している。図４では、ドライバＩＣは端子領域には搭載されておらず、フレキシブル配線基板５００に搭載されている。

ドライバＩＣがＴＦＴ基板１００の端子領域３０に搭載されている場合をＣＯＧ（ＣｈｉｐＯｎＧｌａｓｓ）、ドライバＩＣがフレキシブル配線基板５００に搭載されている場合をＣＯＦ（ＣｈｉｐＯｎＦｉｌｍ）と呼んでいる。各映像信号線１２に供給される映像信号はドライバＩＣでアレンジされる。すなわち、外部からシリアルに供給される映像信号線をドライバＩＣにてパラレルに変換し、液晶表示装置の表示領域に供給される。したがって、本発明のような、ＣＯＦの場合はＣＯＧの場合に比べて端子の数が大幅に増加する。例えば、ＣＯＧの場合は、端子数は３００程度であったものが、ＣＯＦの場合は、その５〜６倍の１５００〜１８００程度になる。

図５は、図４のＥ−Ｅ断面に相当する模式断面図である。図５において、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００がシール材１５０によって接着し、内部に液晶３００が封入されている。ＴＦＴ基板１００側には、映像信号線１２、選択回路６０、斜め配線領域５０、検査回路４０、端子配線８１、信号端子３１が形成されている。

図５において、選択回路６０、斜め配線５０、検査回路４０等は有機パッシベーション膜１０８に覆われ、さらにシール材１５０と対向基板２００によって保護されている。検査回路４０から端子に向かって端子配線８１が延在している。端子３１は異方性導電膜（ＡｎｉｓｏｔｒｉｐｉｃＣｏｎｄｕｃｔｉｖｅＦｉｍ、ＡＣＦ）５０１によってフレキシブル配線基板５００と接続している。なお、端子配線８１はむき出しの場合もあるし、図３に示す、ＳｉＮで形成された容量絶縁膜１１０や有機パッシベーション膜１０８によって覆われる場合もある。

図５の特徴は、多くのＴＦＴを含んだ検査回路４０は、有機パッシベーション膜１０８、シール材１５０、対向基板２００等によって保護されていることである。したがって、検査回路４０の信頼性を確保することが出来る。

図６は図４に対応する等価回路である。図６は発明をわかりやすくするために回路を単純化している。図６において、表示領域２０側には選択回路６０から縦方向（ｙ方向）に映像信号線１２が延在している。選択回路６０はＴＦＴによる多くのスイッチ６１を有している。選択回路６０は１水平期間中に信号を３回書き込むことを可能にして、選択回路６０よりも端子領域３０側の配線の数を１／３に減らしている。

選択回路６０と検査回路４０を接続するため、斜め配線領域５０が形成されている。選択回路６０における配線ピッチよりも端子３１のピッチを小さくするので、選択回路６０と検査回路４０の間は斜め配線５１となっている。配線が、縦方向（ｙ方向）に延在する場合に比較して、斜め配線５１の部分では配線ピッチが小さくなるので、配線間隔を確保することが困難になる。したがって、斜め配線５１の部分では、多層配線としている。

すなわち、斜め配線領域５０において、１本おきに斜め配線５１にスルーホール９０および９１を形成し、配線を例えば、ドレイン層からゲート層に乗り換えている。図７は図６の斜め配線領域５０におけるＡ−Ａ断面図である。選択回路６０から延在してきた、ドレイン電極１０６（映像信号線１２）と同じ層に形成された配線７１、５１は、スルーホール９１において、ゲート電極１０４（走査線１１）と同じ層の配線７０、５１に乗り換え、斜め配線が終わったところで、スルーホール９０で再び、映像信号線１２と同じ層である、配線７１、５１に乗り換える。

図８は、図６のＢ−Ｂ断面図である。図８に示す配線は映像信号線７１、５１の層のままである。したがって、平面で視て、隣り合う斜め配線を重複させて、斜め配線の面積を小さくすることが可能である。図９は図６のＣ−Ｃ断面図である。図９において、隣同士の配線は別な層に形成されているので、線間のピッチを線幅よりも小さくしている。一方、オーバーラップする面積が大きくなるので、線間のショートの危険が大きくなる。

図６に戻り、斜め配線領域５０は、線間の容量を小さくするため等から、配線を交差させる場合もあるが、図６は図を複雑化しないために、配線交差は無いものとしている。斜め配線５０を経て、配線が再び縦方向（ｙ方向）に延在したところに、検査回路４０が形成されている。

図６に示す検査回路４０は多数のスイッチを含む回路である。これらのスイッチはＴＦＴによって形成され、多くの半導体層１０２を有している。検査回路４０は、図５に示すように、有機パッシベーション膜１０８、シール材１５０、対向基板２００等によって保護されているので、外部環境に対する信頼性は確保されている。

検査回路４０は、多数の配線の断線やショートを検査する回路である。斜め配線領域５０には、選択回路６０内の各スイッチ６１から延設された複数の斜め配線５１が配置されている。検査回路４０では、斜め配線５１毎に検査スイッチ４１が設けられる。検査スイッチ４１は、斜め配線５１が端子配線８１か検査信号線４５の何れかに接続されるように切り替えるスイッチである。端子配線８１は、フレキシブル配線基板５００が接続される端子３１とつながり、検査信号線４５は、フレキシブル基板５００が接続される前に行われる検査時に使用される検査端子３２とつながる。

検査端子３２は、図４で示したように、端子３１群の左右に複数設けられる。この検査端子３２に接続された検査信号線４５は、検査回路４０において、ｘ方向に延在し、ｙ方向に配列される。斜め配線５０は、検査スイッチ４１を介して、いずれかの検査信号線４５と接続されるようになる。検査を行う際は、検査端子３２の入力を順次切り替えることで、斜め配線５０およびその先の信号線１２の断線等の検出を行う。

図６に示す構成とすることで、検査回路４０から表示領域２０側に延在する配線は、断線、ショートなどの検査が実施可能である。また、検査回路４０を対向基板２００との重複領域のできるだけ端に設けることで、出来るだけ広い領域を検査することが可能となる。

液晶表示装置では、一般的に交流駆動が行われる。この交流駆動方式には、フレーム反転、カラム反転、ドット反転等があるが、現在はカラム反転が主流となっている。カラム反転は、隣接する映像信号線上の信号の極性を逆にする駆動方法である。

図４、図６等に示す斜め配線５０において、配線面積を小さくするために、配線５１を多層にして、平面で視て配線５１をオーバーラップさせている。この場合、隣接する配線５１の極性が異なると、配線間容量が問題となって、信号書込みの時間が長くなる。

これを防止するために、例えば、極性が同じ信号線３本を束ねて配置し、極性が異なる３本の信号線との間には間隔を設けることが行われる。図１０において、左側の３本セットには負の信号電圧が印加され、中央の３本セットには正の信号電圧が印加され、右側の３本セットには、負の信号電圧が印加されている。信号の極性が同じであれば、線間容量の問題は軽減されるからである。

本実施例では、図１１に示すように、２系統方式が行われている。２系統方式は、一対の検査信号線４５が、異なる極性の電圧が印加される２本の配線で構成される場合である。図１１における斜め配線領域５０において、左側の３本セットには負の電圧が印加され、右側の３本セットには正の電圧が印加される。そうすると、３本セットにおける配線間のショートの検出はできなくなる。この構成を実現するために、選択回路６０と検査回路４０において、スイッチ６１またはスイッチ４１に接続される斜め配線５１の入れ替えが行われる。

図１１の構成では、検査信号線４５は一組だけ示したが、図４に示されるように、本実施例では検査端子３２は６つ形成される。このため、実際には、図１２に示すように、検査回路４０における検査信号線４５を６本形成する。そして、隣り合う検査信号線４５毎に極性を異ならせれば、斜め配線領域５０において、図１３に示すように、斜め配線領域５０における３本セットの配線間においても、ショート及び断線の検出が可能になる。

なお、図１３における３本セットの配線における極性は、検査回路を動作させているときの極性であって、表示装置に画像を表示させているときは、図１０に示すような極性になっている。検査回路４０の極性を６系統とすることによって、画像表示時は、高速書込みを可能とし、配線検査を行う場合、全配線の検査を行うことが出来る。

図１４は、本発明による端子領域３０における端子３１、３２の変形例を示す平面図である。図１４の端子領域３０において、検査端子３２と映像信号用の端子３１が配置している。配線の検査はフレキシブル配線基板５００が接続される前に行われ、検査端子３２にはテスタのプローブが接触するので、映像信号用の端子３１よりも大きく形成されている。図１４では、フレキシブル配線基板５００の位置は点線で示している。図１４において、３２１は検査端子３２が配置している領域であり、３１２は映像信号用端子３１が配置している領域である。

図１４に示すように、検査端子領域３２１を映像信号用端子３１２領域の両側、及び、端子領域３０の中心付近、すなわち、映像信号用端子領域３１１と映像信号用端子領域３１２の間に配置することによって、端子領域３０のスペースを有効に使用することが出来る。端子領域中央付近の検査端子領域３２１には、比較的大きな電流が流れる、電源端子、あるいは、コモン電極用端子を配置することも出来る。

このような構成は、フレキシブル配線基板５００の幅を大きくすることになるが、一方、検査回路４０から端子３１、３２までを斜め配線とする必要がある場合、斜め配線の角度を小さくし、配線ピッチがあまり小さくならないように制御することが出来るようになる。

このように、本発明によって、ドライバＩＣを端子領域に搭載せず、フレキシブル配線基板５００に搭載した方式の液晶表示装置において、検査回路４０を対向基板２００、シール材１５０等によって保護した領域に配置できるとともに、検査の機能を実質的に低下させないようにすることが出来る。したがって、信頼性の高い液晶表示装置を実現することが出来る。
＜変形例１＞
図２０に検査回路４０の変形例を示す。図６に示す例では、検査スイッチ４１は、対向基板の内側の領域に形成されていたため、検査スイッチ４１と端子３１間の配線５１は、検査ができない領域となる。これに対して、図２０の検査回路４０では、配線５１と検査スイッチ４１の接続箇所を対向基板２００の重複領域を超えて、端子３１の近傍に設けている。これにより、配線５１のほぼ全体を検査することが可能となる。

図１５は、ドライバＩＣを端子領域に搭載せず、フレキシブル配線基板５００に搭載した場合の他の構成を示す平面図である。図１５が図４と大きく異なる点は、検査回路４０がフレキシブル配線基板５００の端部と隣接して配置されているということである。図２１に、検査回路４０の例を示す。検査回路４０は、対向基板２００と重複していない端子領域に形成されている。また本実施例でも、配線５１と検査スイッチ４１の接続箇所を端子３１の近傍に設けている。したがって、検査回路４０の検査範囲は、表示装置の殆ど、全領域をカバーすることが出来る。つまり、全領域にわたって、配線の断線とショートを検出することが出来る。本実施例では、検査スイッチ４１自体が端子３１近傍にあるため、配線の引き回しも容易である。

一方、図１５の構成は、検査回路４０は、平面で視て対向基板２００とフレキシブル配線基板５００の間に存在している。このため、検査回路４０を保護するために、検査回路４０上は、有機パッシベーション膜１０８を延在して覆うようにしている。図１６は、図１５のＦ−Ｆ断面図である。図１６が実施例１の図５と異なる点は、検査回路４０が対向基板２００とフレキシブル配線基板５００の間に存在している。

このように本実施例では、表示装置のほぼ全領域にわたって、断線とショートの検出が可能であるという利点を有している。また、有機パッシベーション膜１０８で検査回路４０を覆っていることから、検査回路４０の保護も可能である。

実施例１および２では、本発明を液晶表示装置に適用した場合について説明した。しかし、本発明は有機ＥＬ表示装置にも適用することが出来る。有機ＥＬ表示装置においても、映像信号線１２、走査線１１等が存在し、多くのスイッチをＴＦＴで構成することは同じだからである。また、有機ＥＬ表示装置においても、ドライバＩＣを端子領域３０からフレキシブル配線基板５００に移動して、端子領域３０の面積、ひいては、額縁の面積を小さくしたいという要求は同じである。

図１７は有機ＥＬ表示装置の平面図である。図１７において、表示領域２０と端子領域３０が形成され、端子領域３０には、ドライバＩＣは搭載されておらず、フレキシブル配線基板５００のみが接続されている。表示領域２０には走査線１１が横方向（ｘ方向）に延在し、縦方向（ｙ方向）に配列している。また、映像信号線１２が縦方向に延在し、横方向に配列している。さらに、電源線１４が画面上側から下側に延在している。電源線は有機ＥＬ層に電流を供給する。走査線１１と映像信号線あるいは、走査線１１と電源線１４に囲まれた領域に画素１３が形成されている。

表示領域２０の左右には走査線駆動回路１６０が形成され、走査線駆動回路１６０から走査線１１が表示領域内に横方向（ｘ方向）延在している。表示領域２０の上側には、電流供給領域１７０が存在し、電流供給領域１７０から各電源線１４に電流が供給される。

図１７において、表示領域２０より下方には選択回路６０が配置し、選択回路６０から映像信号線１２が表示領域２０側に延在している。選択回路６０の役割は実施例１で説明したのと同様である。選択回路６０と検査回路４０は斜め配線領域５０によって接続している。斜め配線領域５０は多層配線となっている。斜め配線領域５０の構成は実施例１で説明したのと同様である。

検査回路４０は、液晶表示装置の場合と同様、多くの配線間のショート、あるいは、配線の断線を検出する。検査回路４０のスイッチはＴＦＴによって形成されている。図１７において、検査回路４０は、後で説明する偏光板４０８あるいは粘着材４０７、バンク４０３、有機パッシベーション膜１０８等によって保護されている。

検査回路４０とフレキシブル配線基板５００は配線８１によって直接接続される。図１７では、配線８１はｙ方向に延在しているが、検査回路４０とフレキシブル配線基板５００の幅によっては、斜め配線になる場合もある。

図１８は有機ＥＬ表示装置の画素部における断面図である。図１８におけるＴＦＴは駆動トランジスタであるが、有機ＥＬ表示装置でも多くのスイッチングトランジスタを使用しており、スイッチングＴＦＴの構成は駆動ＴＦＴの構成と同じである。

図１８において、有機パッシベーション膜１０８を形成するまでは、図３に示す液晶表示装置の場合と同じである。図１８では、有機パッシベーション膜１０８の上に、Ａｌ等で形成された反射電極４０１とアノードとして作用するＩＴＯによる透明導電膜４０２が形成されている。アノード４０２はスルーホールを介してソース電極１０７と接続している。

図１８において、アノード４０２の周辺を覆ってバンク４０３が形成されている。バンク４０３は、アノード４０２の上に形成される有機ＥＬ層４０４の段切れを防止することと、各画素を隣接する画素から区画するものである。バンク４０３のスルーホール、つまり、図１８におけるバンク４０３とバンク４０３の間に発光層を含む有機ＥＬ層４０４が形成されている。有機ＥＬ層４０４は、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層等の複数の層で形成されている。

有機ＥＬ層４０４を覆ってカソード４０５が形成されている。カソード４０５は、酸化物導電膜等の透明電極によって全画面共通に形成されている。なお、カソード４０５は金属の薄膜で形成される場合もある。金属も薄膜になると光を通すようになるからである。

図１８において、カソード４０５を覆ってＳｉＮ等による保護層４０６が形成される。有機ＥＬ層４０５は水分等に対して弱いので、保護層４０６によって水分等の侵入を防止する。保護層４０６の上に、粘着材４０７を介して偏光板４０８が貼り付けられている。有機ＥＬ表示装置は反射電極４０１を有しているので、外光の反射が大きくなり、視認性を劣化させる。偏光板４０８は外光の反射を防止するものである。

図１８と実施例１の図３を比較すると、ＴＦＴ基板１００から有機パッシベーション膜１０８までの構成は同じである。実施例１で説明したように、検査回路４０等に使用されるＴＦＴの構成は、液晶表示装置の場合と同様、表示領域におけるＴＦＴの層構成を適用することが出来る。

図１９は図１７のＧ−Ｇ断面に相当する模式断面図である。図１９において、信号配線１２、斜め配線５１、検査回路４０等を覆って有機パッシベーション膜１０８が形成され、その上にバンク４０３を形成しているアクリル等の有機膜が配置され、その上にＳｉＮ等からなる保護層４０６が形成されている。そして、保護層４０６の上に粘着材４０７を介して偏光板４０８が貼り付けられている。

つまり、検査回路４０の上に形成されている層の部材は異なるが、基本的構成は液晶表示装置の場合の図５と殆ど同じである。したがって、図４乃至図９で説明した本発明の内容はそのまま有機ＥＬ表示装置にも適用することが出来る。一方、有機ＥＬ表示装置は交流ではなく、直流で駆動される。したがって、図１０等で説明した、斜め配線部５０において、同極性の配線を束にして容量を減らすというような構成は必須ではない。

なお、図１７及び図１９では、最上層が偏光板４０８であるとしたが、偏光板４０８の下層あるいは上層にガラスあるいは透明樹脂による保護基板が貼り付けられる場合もある。このような場合、偏光板の代わりに、保護基板によって検査回路を保護してもよい。

１１…走査線、１２…映像信号線、１３…画素、１４…電源線、２０…表示領域、３０…端子領域、３１…信号端子、３２…検査端子、４０…検査回路、４１…検査スイッチ、４５…検査信号線、５０…斜め配線領域、５１…斜め配線、６０…選択回路、６１…選択回路スイッチ、７０…ゲート電極層、７１…ドレイン電極層、８０…配線、８１…端子配線、９０…スルーホール、９１…スルーホール、７０…ゲート電極層、７０…ゲート電極層、１００…ＴＦＴ基板、１０１…下地膜、１０２…半導体層、１０３…ゲート絶縁膜、１０４…ゲート電極、１０５…層間絶縁膜、１０６…ドレイン電極、１０７…ソース電極、１０８…有機パッシベーション膜、１０９…コモン電極、１１０…容量絶縁膜、１１１…画素電極、１１２…配向膜、１２０…スルーホール、１２１…スルーホール、１３０…スルーホール、１５０…シール材、１６０…走査線駆動回路、１７０…電流供給領域、２００…対向基板、２０１…カラーフィルタ、２０２…ブラックマトリクス、２０３…オーバーコート膜、２０４…配向膜、２１０…柱状スペーサ、３００…液晶層、３０１…液晶分子、３１１…映像信号用端子領域、３２１…検査端子領域、４０１…反射電極、４０２…アノード、４０３…バンク、４０４…有機ＥＬ層、４０５…カソード、４０６…保護層、４０７…粘着材、４０８…偏光板、５００…フレキシブル配線基板、５０１…異方性導電膜、５１０…ドライバＩＣ、１０２１…ドレイン領域、１０２２…ソース領域

Claims

映像信号線を有する表示領域と端子領域を有するＴＦＴ基板と、前記表示領域に重複する対向基板とを有する液晶表示装置であって、
前記端子領域には、フレキシブル配線基板が接続するための複数の第１の端子部と、検査時に使用される複数の第２の端子部を有し、
検査回路が、平面で視て、前記ＴＦＴ基板の前記表示領域と前記端子領域との間に形成され、
前記検査回路は、前記映像信号線を前記第１の端子又は第２の端子に接続する複数の切り替え部を有し、
前記検査回路の前記対向基板側の面には、絶縁膜が形成されることを特徴とする液晶表示装置。
前記検査回路は、平面で視て、前記対向基板と重複する領域に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
前記検査回路は、平面で視て、前記対向基板と重複していない前記端子領域に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
前記絶縁膜は、有機パッシベーション膜或いは無機絶縁膜であること
を特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
平面で視て、前記映像信号線と前記検査回路の間の配線は、隣接する配線間において、異なる層に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
前記第２の端子群は前記第１の端子群の両側に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
前記第２の端子群は、第１の端子群の両側と、前記第１の端子群の中間に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
前記検査回路は、６個の映像信号線を単位として測定し、前記検査回路の前記第２の端子に接続される検査用信号配線は６本配置されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
映像信号線を有する表示領域と端子領域を有するＴＦＴ基板を有する有機ＥＬ表示装置であって、
前記表示領域には、第１の有機絶縁膜の上にアノードが形成され、前記アノードの上に有機ＥＬ層が形成され、前記有機ＥＬ層の上にカソードが形成され、
前記カソードを覆って無機絶縁膜が形成され、前記無機絶縁膜の上に偏光板が配置されており、
前記端子領域には、フレキシブル配線基板が接続するための複数の第１の端子部と、検査時に使用される複数の第２の端子部を有し、
検査回路が、平面で視て、前記ＴＦＴ基板の前記表示領域と前記端子領域との間に形成され、
前記検査回路は、前記映像信号線を前記第１の端子又は第２の端子に接続する複数の切り替え部を有し、
前記検査回路の前記偏光板側の面には、前記第１の有機絶縁膜が形成されることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
前記検査回路は、さらに、平面で視て前記無機絶縁膜と重複していることを特徴とする請求項９に記載の有機ＥＬ表示装置。
前記第１の有機絶縁膜と前記無機絶縁膜の間には、第２の有機絶縁膜が形成され、前記第２の無機絶縁膜は、平面で視て、前記カソードの周辺と重複していることを特徴とする請求項９に記載の有機ＥＬ表示装置。