JP2019037047A5 - - Google Patents

Description

本発明の一態様は、半導体素子（２）と、
上記半導体素子と電気的に接続されるリードフレーム（３）と、
内部に冷媒が流れる冷媒流路（４１）を形成する流路形成体（４）と、
上記リードフレームと上記流路形成体との間に配置されて両者を絶縁する絶縁部（５）と、
上記絶縁部と上記流路形成体とを接合する金属接合材（６）と、
上記半導体素子及び上記リードフレームを封止する樹脂封止部（７）と、を有し、
上記樹脂封止部は、上記半導体素子及び上記リードフレームを上記流路形成体と一体化させて、半導体冷却アッシー（１０）を形成しており、
上記流路形成体として、管状の冷却管（４）を複数有し、該複数の冷却管は、冷媒の流通方向に直交する方向に積層して配置されており、上記半導体冷却アッシーは、積層方向（Ｘ）に対向配置された少なくとも一対の上記冷却管と、該一対の冷却管の間に配されると共に該一対の冷却管と一体化された、上記樹脂封止部、上記半導体素子、及び上記リードフレームとを有し、
上記積層方向に積層配置された３個以上の上記冷却管を有し、上記積層方向に隣り合う上記冷却管の間の間隙部（４４）を、上記積層方向の複数箇所に有し、上記複数箇所の間隙部に、上記半導体素子が、上記リードフレームと共に配置されており、上記樹脂封止部は、３個以上の上記冷却管と、上記複数の間隙部における上記半導体素子及び上記リードフレームとを、一体化している、電力変換装置（１）にある。
本発明の他の態様は、半導体素子（２）と、
上記半導体素子と電気的に接続されるリードフレーム（３）と、
内部に冷媒が流れる冷媒流路（４１）を形成する流路形成体（４）と、
上記リードフレームと上記流路形成体との間に配置されて両者を絶縁する絶縁部（５）と、
上記絶縁部と上記流路形成体とを接合する金属接合材（６）と、
上記半導体素子及び上記リードフレームを封止する樹脂封止部（７）と、を有し、
上記樹脂封止部は、上記半導体素子及び上記リードフレームを上記流路形成体と一体化させて、半導体冷却アッシー（１０）を形成しており、
上記流路形成体として、管状の冷却管（４）を複数有し、該複数の冷却管は、冷媒の流通方向に直交する方向に積層して配置されており、上記半導体冷却アッシーは、積層方向（Ｘ）に対向配置された少なくとも一対の上記冷却管と、該一対の冷却管の間に配されると共に該一対の冷却管と一体化された、上記樹脂封止部、上記半導体素子、及び上記リードフレームとを有し、
上記積層方向に隣り合う上記冷却管は、互いの冷媒流路同士を連通させる連結部（４２）によって連結されており、上記樹脂封止部は、上記連結部も封止している、電力変換装置（１）にある。

参考形態１における、半導体冷却アッシーの断面説明図。 参考形態１における、半導体冷却アッシーの平面説明図。 参考形態１における、電力変換装置の平面説明図。 参考形態１における、第１のサブアッシーの断面説明図。 参考形態１における、第２のサブアッシーの断面説明図。 参考形態１における、２つのサブアッシーを組み合わせる様子を示す半導体冷却アッシーの製造過程の断面説明図。 参考形態１における、第１のサブアッシーの製造過程を示す斜視説明図。 図７に続く、第１のサブアッシーの製造過程を示す斜視説明図。 参考形態１における、第２のサブアッシーの製造過程を示す斜視説明図。 参考形態１における、２つのサブアッシーを対向配置した様子を示す半導体冷却アッシーの製造過程の斜視説明図。 参考形態１における、２つのサブアッシーを組み合わせた様子を示す半導体冷却アッシーの製造過程の斜視説明図。 参考形態１における、半導体冷却アッシーの斜視説明図。 参考形態２における、半導体冷却アッシーの断面説明図。 参考形態２における、積層方向から見た半導体冷却アッシーの正面説明図。 参考形態２における、第１のサブアッシーの断面説明図。 参考形態２における、第２のサブアッシーの断面説明図。 参考形態２における、２つのサブアッシーを組み合わせる様子を示す半導体冷却アッシーの製造過程の断面説明図。 参考形態３における、半導体冷却アッシーの断面説明図。 参考形態３における、絶縁部の内側面の平面図。 参考形態３における、絶縁部の外側面の平面図。 参考形態４における、半導体冷却アッシーの断面説明図。 参考形態４における、リードフレームが一体化された絶縁部の内側面の平面図。 参考形態５における、半導体冷却アッシーの断面説明図。 参考形態５における、対向配置された２つのサブアッシーの断面説明図。 参考形態６における、半導体冷却アッシーの断面説明図。 参考形態６における、対向配置された２つのサブアッシーの断面説明図。 実施形態１における、サブアッシーの断面説明図。 実施形態１における、積層された２つのサブアッシーの断面説明図。 実施形態１における、多数のサブアッシーを積層した状態の平面説明図。 実施形態１における、電力変換装置の平面説明図。 実施形態２における、半導体冷却アッシーの平面説明図。 実施形態３における、電力変換装置の平面説明図。 参考形態７における、半導体冷却アッシーの断面説明図。 参考形態８における、樹脂封止部の成形方法を示す斜視説明図。 参考形態８における、樹脂封止部の形状を示す平面説明図。 参考形態８における、樹脂封止部の他の形状を示す平面説明図。 参考形態９における、樹脂封止部の成形方法を示す斜視説明図。 参考形態９における、樹脂封止部の形状を示す平面説明図。

（参考形態１）
電力変換装置に係る実施形態について、図１〜図１２を参照して説明する。
本実施形態の電力変換装置１は、図１に示すごとく、半導体素子２と、複数のリードフレーム３と、冷却管４と、絶縁部５と、金属接合材６と、樹脂封止部７と、を有する。
リードフレーム３は、半導体素子２と電気的に接続される。冷却管４は、内部に冷媒が流れる冷媒流路４１を形成する流路形成体の一態様である。絶縁部５は、リードフレーム３と冷却管４との間に配置されて両者を絶縁する。金属接合材６は、絶縁部５と冷却管４とを接合する。樹脂封止部７は、半導体素子２及びリードフレーム３を封止する。

なお、上述の冷媒の流通方向とは、局部的な冷媒の流れ方向ではなく、冷却管４の冷媒流路４１全体にわたる冷媒の流通方向をいう。したがって、本実施形態においては、一対の連結部４２の並び方向が、冷媒の流通方向であり、横方向Ｙが冷媒の流通方向である。

この状態から、一対の冷却管４の間の空間において、図１、図１２に示すごとく、積層部品群１１を樹脂封止する。この樹脂封止部７は、一対の冷却管４の間に配置した部品のいずれをも封止するように形成する。ただし、リードフレーム３の一部であるパワー端子３１は、樹脂封止部７から露出させる。なお、図示は省略するが、半導体素子２のゲート等に接続される制御端子も、樹脂封止部７から露出する。なお、樹脂封止部７の形成は、例えば、後述する参考形態８又は参考形態９に示す方法にて行うことができる。

また、樹脂封止部７は、半導体素子２及びリードフレーム３を冷却管４と一体化させて、半導体冷却アッシー１０を形成している。すなわち、半導体素子２の電気的絶縁保護のために必要な樹脂封止部７によって、半導体素子２等を流路形成体と一体化している。それゆえ、製造工数を低減することができ、電力変換装置１の生産性を向上させることができる。

（参考形態２）
本実施形態の電力変換装置１においては、図１３に示すごとく、半導体冷却アッシー１０が、複数の半導体素子２を有する。すなわち、一つの半導体冷却アッシー１０が、一対の冷却管４の間に、積層方向Ｘに直交する方向に並んで配された複数の半導体素子２を有する。なお、図１３は、縦方向Ｚに直交する平面による、半導体冷却アッシー１０の断面図である。
本実施形態において、複数の半導体素子２は、横方向Ｙに並んで配置されている。

そして、図１３に示すごとく、一対の冷却管４の間の空間において、２つの積層部品群１１を覆うように樹脂封止部７を形成することで、半導体冷却アッシー１０を作製する。
その他の構成は、参考形態１と同様である。なお、参考形態２以降において用いた符号のうち、既出の実施形態において用いた符号と同一のものは、特に示さない限り、既出の実施形態におけるものと同様の構成要素等を表す。

また、本実施形態においては、２つの積層部品群１１における絶縁部５を、互いに別体としている。そのため、絶縁部５の材料使用量を抑制することができ、コスト低減を図りやすい。また、一つの絶縁部５の大きさを小さくすることが可能となることによっても、コスト低減を図りやすい。
その他、参考形態１と同様の作用効果を有する。

（参考形態３）
本実施形態の電力変換装置１は、図１８〜図２０に示すごとく、絶縁部５が、２つの積層部品群１１にわたって配置された構成を有する。
すなわち、図１８に示すごとく、２つの積層部品群１１は、２枚の絶縁部５を共有している。一方の冷却管４の対向面４３に、一枚の絶縁部５が金属接合材６を介して接合されている。また、他方の冷却管４の対向面４３に、一枚の絶縁部５が金属接合材６を介して接合されている。そして、積層方向Ｘに対向配置された一対の絶縁部５の間に、２個の半導体素子２が、リードフレーム３及びターミナルチップ１２と共に、並列配置されている。

一方、図１８、図２０に示すごとく、セラミック基板５１の外側面には、一つの金属層５２が形成されている。そして、この一つの金属層５２が、冷却管４の対向面４３に金属接合されている。なお、セラミック基板５１において、外側面とは、冷却管４側の面を意味し、内側面とは、半導体素子２側の面を意味する。
その他の構成は、参考形態２と同様である。

本実施形態においては、２つの積層部品群１１が２枚の絶縁部５を共有することとなり、部品点数を低減することができる。その結果、電力変換装置１の生産性を向上させることができる。また、２つの積層部品群１１の間も含めて、絶縁部５のセラミック基板５１が連続して配置されることとなる。そのため、絶縁部５の両面の間の絶縁を、より確保しやすくなる。すなわち、絶縁部５は、樹脂封止部７にて封止されるものの、絶縁部５と樹脂封止部７との間の界面において、場合によっては隙間が形成されることもありうる。かかる場合、２つの積層部品群１１の間において絶縁部５が分離している構成に比べて、セラミック基板５１が連続した構成の方が、セラミック基板５１の両主面間の絶縁確保の点では、より好ましい。
その他、参考形態２と同様の作用効果を有する。

（参考形態４）
本実施形態の電力変換装置１においては、図２１、図２２に示すごとく、絶縁部５が、セラミック基板５１の内側面に金属層５２を設けていない。
そして、セラミック基板５１に直接リードフレーム３が接合されている。すなわち、セラミック基板５１の内側面には、金属層５２を設ける代わりに、リードフレーム３を設けている。セラミック基板５１とリードフレーム３との接合は、例えば、ろう付けによって行うことができる。より具体的には、活性金属ろう付け法によって、セラミック基板５１の内側面に、リードフレーム３を接合することができる。つまり、一方の面には、参考形態２と同様に金属層５２が形成され、他方の面にはリードフレーム３が接合されたセラミック基板５１を、予め用意しておくことが考えられる。
その他の構成は、参考形態２と同様である。

本実施形態においては、冷却管４と半導体素子２との間の部材が少なくなる分、冷却管４と半導体素子２との間の熱抵抗を低減することができる。それゆえ、冷却効率をさらに向上させることができる。ただし、絶縁部５の両面における熱膨張差に起因する反りをより防ぎやすいという観点では、参考形態２等のように、金属層５２が両主面に形成された絶縁部５を用いることが好ましい。
その他、参考形態１と同様の作用効果を有する。

（参考形態５）
本実施形態の電力変換装置１において、図２３、図２４に示すごとく、半導体冷却アッシー１０は、互いに並列接続された２つの上アーム半導体素子２ｕと、互いに並列接続された２つの下アーム半導体素子２ｄとを有する。

半導体冷却アッシー１０が２つの積層部品群１１を備える点については、参考形態２と同様である。しかし、各積層部品群１１が、それぞれ２個ずつ半導体素子２を備える点で、参考形態２と異なる。つまり、積層部品群１１ｕにおいては、一対のリードフレーム３の間において、２個の上アーム半導体素子２ｕが、横方向Ｙに並んで配置されている。同様に、積層部品群１１ｄにおいても、一対のリードフレーム３の間において、２個の下アーム半導体素子２ｄが、横方向Ｙに並んで配置されている。また、各半導体素子２に対して、個別のターミナルチップ１２が積層方向Ｘに積層されている。

また、半導体冷却アッシー１０を製造するにあたっては、図２４に示すごとく、４個の半導体素子２及び４個のターミナルチップ１２を備えた第１のサブアッシー１０１と、第２のサブアッシー１０２とを用意することとなる。そして、第１のサブアッシー１０１と第２のサブアッシー１０２とを、４個のターミナルチップ１２が、はんだ１３を介してリードフレーム３ｅに接合されるように、組み合わせる。
その他の構成は、参考形態２と同様である。

本実施形態においては、２つの半導体素子２を並列接続して用いる電力変換装置１において、効果的に小型化を図ることができる。また、半導体素子２の間の配線を効果的に短くすることで、インダクタンスの低減を図ることができる。
その他、参考形態１と同様の作用効果を有する。
なお、上記実施形態においては、２個の半導体素子２を並列接続する構成を示したが、３個以上の半導体素子２を並列接続した構成とすることもできる。

（参考形態６）
本実施形態の電力変換装置１においては、図２５、図２６に示すごとく、半導体冷却アッシー１０が、互いに直列接続された上アーム半導体素子２ｕと下アーム半導体素子２ｄとを、３組備えている。
電力変換装置１は、直流電力を三相の交流電力に変換するよう構成されている。そして、スイッチング回路部は、三相交流負荷の３つの相、すなわち、Ｕ相、Ｖ相、Ｗ相の電極にそれぞれ接続される３つのレグを備えている。各レグは、互いに直列接続された上アーム半導体素子２ｕと下アーム半導体素子２ｄとによって構成されている。そして、各レグにおける、上アーム半導体素子２ｕと下アーム半導体素子２ｄとの電気的接続点が、それぞれ三相交流負荷の、Ｕ相、Ｖ相、Ｗ相の電極に接続されている。

本実施形態において、半導体冷却アッシー１０を製造するにあたっては、図２６に示すごとく、６個の半導体素子２及び６個のターミナルチップ１２を備えた第１のサブアッシー１０１と、第２のサブアッシー１０２とを用意することとなる。そして、第１のサブアッシー１０１と第２のサブアッシー１０２とを、６個のターミナルチップ１２が、はんだ１３を介してリードフレーム３ｅに接合されるように、組み合わせる。
その他の構成は、参考形態２と同様である。

（実施形態１）
本実施形態の電力変換装置１は、図２７〜図３０に示すごとく、冷却管４の両主面に、それぞれ半導体素子２が配置された構成を有する。
すなわち、冷却管４は、積層方向Ｘにおける互いに反対側の冷却面４３１、４３２の双方に、半導体素子２を配置している。

このように、サブアッシー１０３を積層方向Ｘに複数積層することで、図２９に示すような積層体が形成される。また、サブアッシー１０３を積層する際には、冷却管４の連結部４２同士も接合する。ただし、積層方向Ｘにおける一端には、参考形態２の図１６に示したサブアッシー１０２を配置し、積層方向Ｘにおける他端には、参考形態２の図１５に示したサブアッシー１０１を配置する。

そして、サブアッシー１０３は、積層方向Ｘにおいて、概略線対称な形状となっている。つまり、半導体素子２とターミナルチップ１２との相違以外は、冷却管４の一方側と他方側との構成は、ほぼ同様である。例えば、冷却管４の一対の冷却面４３１、４３２のそれぞれに配された部品群の線膨張係数が、略同等となっている。より具体的には、冷却管４の一対の冷却面４３１、４３２のそれぞれに配された部品群の線膨張係数の差が、両者の平均値に対して、例えば３０％以下、より好ましくは２０％以下となるようにする。
その他の構成は、参考形態２と同様である。

また、樹脂封止部７は、連結部４２も封止している。これにより、連結部４２のシールを、樹脂封止部７によって行うことができる。すなわち、接合された連結部４２においては、冷媒の漏れを確実に防ぐために、シールを施すことが好ましい。本実施形態においては、このシールを、半導体素子２の絶縁確保等を目的とした樹脂封止部７によって兼ねることができる。その結果、部品点数の低減、製造工数の低減を図ることができる。
その他、参考形態２と同様の作用効果を有する。

（実施形態２）
本実施形態の電力変換装置１は、図３１に示すごとく、樹脂封止部７が連結部４２を覆うように配置されたものである。
すなわち、樹脂封止部７は、積層部品群１１と共に、積層部品群１１に対して横方向Ｙの両側に配された一対の連結部４２をも覆うように、形成されている。これにより、各連結部４２は、その全周から樹脂封止部７によって封止されることとなる。
その他の構成は、参考形態１と同様である。

また、樹脂封止部７を成形する際の金型を、冷却管４の外形を覆うような形状とすることができる。そのため、金型の構造を簡素化することができ、製造容易な電力変換装置１とすることができる。
その他、参考形態１と同様の作用効果を有する。

（実施形態３）
本実施形態の電力変換装置１は、図３２に示すごとく、樹脂封止部７が、多数の冷却管４と多数の積層部品群１１とを積層した積層体の略全体を覆うようにしたものである。
樹脂封止部７を除く、冷却管４と積層部品群１１との積層体の構造自体は、参考形態１の図３に示す構造と同様である。そして、樹脂封止部７が、この積層体におけるすべての冷却管４及びすべての積層部品群１１を覆うように、形成されている。この場合、積層体におけるすべての冷却管４及びすべての積層部品群１１と、樹脂封止部７とによって、一つの半導体冷却アッシー１０が構成される。なお、パワー端子３１、冷媒導入部４２１及び冷媒排出部４２２は、樹脂封止部７から突出している。
その他の構成は、参考形態１と同様である。

本実施形態においては、樹脂封止部７を成形する際の金型を、積層体の外形を覆うような形状とすることができる。そのため、金型の構造をより簡素化することができ、一層製造容易な電力変換装置１とすることができる。
その他、参考形態１と同様の作用効果を有する。

（参考形態７）
本実施形態の電力変換装置１においては、図３３に示すごとく、正極パワー端子３１Ｐと負極パワー端子３１Ｎとが、互いの主面を対向させるように配置されている。
正極パワー端子３１Ｐ及び負極パワー端子３１Ｎは、それぞれ板状に形成されている。正極パワー端子３１Ｐの主面と、負極パワー端子３１Ｎの主面とは、いずれも積層方向Ｘを向いている。そして、積層方向Ｘにおいて、正極パワー端子３１Ｐの主面と負極パワー端子３１Ｎの主面とが、対向している。すなわち、積層方向Ｘからみたとき、正極パワー端子３１Ｐと負極パワー端子３１Ｎとが重なるように配置されている。なお、出力パワー端子３１Ｏは、正極パワー端子３１Ｐ及び負極パワー端子３１Ｎに対して、横方向Ｙに離れた位置に配置されている。
その他の構成は、参考形態２と同様である。

本実施形態においては、互いに逆方向の電流が流れる正極パワー端子３１Ｐと負極パワー端子３１Ｎとが、対向配置されている。これにより、インダクタンスを効果的に低減することができる。
その他、参考形態２と同様の作用効果を有する。

（参考形態８）
本実施形態においては、図３４〜図３６に示すごとく、積層部品群１１を樹脂封止する方法の一形態を説明する。
すなわち、本実施形態は、上述した参考形態１における図１１の状態から、図１２の状態にするにあたっての、樹脂封止部７の成形方法の一形態である。

（参考形態９）
本実施形態においては、図３７、図３８に示すごとく、積層部品群１１を樹脂封止する方法の他の形態を説明する。
本実施形態においては、スライド金型８３を４本用いている。つまり、２本のスライド金型８３は、縦方向Ｚにおけるパワー端子３１側から抜き差しし、他の２本のスライド金型８３は、縦方向Ｚにおけるパワー端子３１側から抜き差しする。この場合、得られる樹脂封止部７は、図３８に示すように、縦方向Ｚの中央部へ向かうほど横方向Ｙにおける樹脂封止部７の幅が大きくなるようなテーパ形状とする。
その他は、参考形態８と同様である。

Claims (13)

1. 半導体素子（２）と、
   上記半導体素子と電気的に接続されるリードフレーム（３）と、
   内部に冷媒が流れる冷媒流路（４１）を形成する流路形成体（４）と、
   上記リードフレームと上記流路形成体との間に配置されて両者を絶縁する絶縁部（５）と、
   上記絶縁部と上記流路形成体とを接合する金属接合材（６）と、
   上記半導体素子及び上記リードフレームを封止する樹脂封止部（７）と、を有し、
   上記樹脂封止部は、上記半導体素子及び上記リードフレームを上記流路形成体と一体化させて、半導体冷却アッシー（１０）を形成しており、
   上記流路形成体として、管状の冷却管（４）を複数有し、該複数の冷却管は、冷媒の流通方向に直交する方向に積層して配置されており、上記半導体冷却アッシーは、積層方向（Ｘ）に対向配置された少なくとも一対の上記冷却管と、該一対の冷却管の間に配されると共に該一対の冷却管と一体化された、上記樹脂封止部、上記半導体素子、及び上記リードフレームとを有し、
   上記積層方向に積層配置された３個以上の上記冷却管を有し、上記積層方向に隣り合う上記冷却管の間の間隙部（４４）を、上記積層方向の複数箇所に有し、上記複数箇所の間隙部に、上記半導体素子が、上記リードフレームと共に配置されており、上記樹脂封止部は、３個以上の上記冷却管と、上記複数の間隙部における上記半導体素子及び上記リードフレームとを、一体化している、電力変換装置（１）。
2. 半導体素子（２）と、
   上記半導体素子と電気的に接続されるリードフレーム（３）と、
   内部に冷媒が流れる冷媒流路（４１）を形成する流路形成体（４）と、
   上記リードフレームと上記流路形成体との間に配置されて両者を絶縁する絶縁部（５）と、
   上記絶縁部と上記流路形成体とを接合する金属接合材（６）と、
   上記半導体素子及び上記リードフレームを封止する樹脂封止部（７）と、を有し、
   上記樹脂封止部は、上記半導体素子及び上記リードフレームを上記流路形成体と一体化させて、半導体冷却アッシー（１０）を形成しており、
   上記流路形成体として、管状の冷却管（４）を複数有し、該複数の冷却管は、冷媒の流通方向に直交する方向に積層して配置されており、上記半導体冷却アッシーは、積層方向（Ｘ）に対向配置された少なくとも一対の上記冷却管と、該一対の冷却管の間に配されると共に該一対の冷却管と一体化された、上記樹脂封止部、上記半導体素子、及び上記リードフレームとを有し、
   上記積層方向に隣り合う上記冷却管は、互いの冷媒流路同士を連通させる連結部（４２）によって連結されており、上記樹脂封止部は、上記連結部も封止している、電力変換装置（１）。
3. 上記積層方向に積層配置された３個以上の上記冷却管を有し、上記積層方向に隣り合う上記冷却管の間の間隙部（４４）を、上記積層方向の複数箇所に有し、上記複数箇所の間隙部に、上記半導体素子が、上記リードフレームと共に配置されており、上記樹脂封止部は、３個以上の上記冷却管と、上記複数の間隙部における上記半導体素子及び上記リードフレームとを、一体化している、請求項２に記載の電力変換装置。
4. 上記半導体冷却アッシーは、上記一対の冷却管の間に、上記積層方向に直交する方向に並んで配された複数の上記半導体素子を有する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の電力変換装置。
5. 上記半導体冷却アッシーにおける上記複数の半導体素子のうち、少なくとも２つは、互いに直列接続された上アーム半導体素子（２ｕ）と下アーム半導体素子（２ｄ）とである、請求項４に記載の電力変換装置。
6. 上記半導体冷却アッシーは、上記上アーム半導体素子に電気的に接続された正極パワー端子（３１Ｐ）と、上記下アーム半導体素子に電気的に接続された負極パワー端子（３１Ｎ）とを、上記樹脂封止部から互いに同じ方向に突出させてなると共に、互いに隣接して配置している、請求項５に記載の電力変換装置。
7. 上記正極パワー端子及び上記負極パワー端子は、それぞれ板状に形成されており、上記正極パワー端子と上記負極パワー端子とは、互いの主面を対向させるように配置されている、請求項６に記載の電力変換装置。
8. 上記流路形成体として、管状の冷却管（４）を複数有し、該複数の冷却管は、冷媒の流通方向に直交する方向に積層して配置されており、上記複数の冷却管のうちの少なくとも一つは、積層方向における互いに反対側の冷却面（４３１、４３２）の双方に、上記半導体素子が配置されている、請求項１〜７のいずれか一項に記載の電力変換装置。
9. 上記冷却管における互いに反対側の上記冷却面の双方に配置された上記半導体素子は、上記積層方向から見たとき、少なくとも一部が互いに重なるように配置されている、請求項８に記載の電力変換装置。
10. 上記半導体冷却アッシーは、上記積層方向に対向配置された一対の上記冷却管を有し、該冷却管は、上記積層方向における片面にのみ、上記半導体素子を配置している、請求項１〜７のいずれか一項に記載の電力変換装置。
11. 上記絶縁部は、セラミック基板（５１）と該セラミック基板の両主面にそれぞれ形成された金属層（５２）とを有する、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の電力変換装置。
12. 上記金属層は、上記セラミック基板の両主面における周縁部を除く部分にそれぞれ形成されている、請求項１１に記載の電力変換装置。
13. 上記流路形成体は、上記金属接合材が接合された部位に対向する位置に、上記冷媒流路を有する、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の電力変換装置。

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